JPS6258868A - 超電導回転子およびその製造方法 - Google Patents
超電導回転子およびその製造方法Info
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- JPS6258868A JPS6258868A JP19379285A JP19379285A JPS6258868A JP S6258868 A JPS6258868 A JP S6258868A JP 19379285 A JP19379285 A JP 19379285A JP 19379285 A JP19379285 A JP 19379285A JP S6258868 A JPS6258868 A JP S6258868A
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- hollow
- bonding layer
- cylinder
- superconducting rotor
- alloy
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、例えば超電導タービン発電機の超電導回転子
などに用いられる多層円筒構造によって形成される常温
ダンバーンールドにより超電４巻）線が覆われる超電導
回転子に関する。
などに用いられる多層円筒構造によって形成される常温
ダンバーンールドにより超電４巻）線が覆われる超電導
回転子に関する。
従来の超電導回転子１：おいては、電機子巻線側から加
わる負荷の変動、逆相電流、高相波等による変動磁束を
遮へいし、さらに超電導界磁巻線に変動磁界が加わるの
を防ぐと共に変動°磁界により各部に発生するうず電流
損を抑制し、また回転子の機械的振動の制動のために常
温ダンパーシールドと低温ダンパーシールドの２つの電
磁ダンパーシールドが超電導界磁巻線の周囲に設置され
ている。
わる負荷の変動、逆相電流、高相波等による変動磁束を
遮へいし、さらに超電導界磁巻線に変動磁界が加わるの
を防ぐと共に変動°磁界により各部に発生するうず電流
損を抑制し、また回転子の機械的振動の制動のために常
温ダンパーシールドと低温ダンパーシールドの２つの電
磁ダンパーシールドが超電導界磁巻線の周囲に設置され
ている。
ここで第５図を参照して従来の超電導回転子について説
明する。１は中空円筒状の常温ダンパーシールドであり
、この常温ダンパーシールドｌは銅、アルミニウム又は
これらの合金である高導電性材料からなる中空円筒で形
成される高導電性金属層２と、この高導電性金属層２の
外周側及び内筒側に非磁性の高強度材料からなる中空外
周及び中空内筒で形成される高強度金属層３ｉ、３ｂと
によりなる３層構造となっている。なおこの高強度材料
は浴比処理９侍効硬化処理等の熱処理により強度を上げ
ることが可能な時効硬化合金が用いられている。°また
この常温ダンパーシールド１の内径側には真空断熱層４
及び輻射熱シールド５が形成され、さらにこれらの内径
側には極低温冷媒容器６が配置され、またこの極低温冷
媒容器６の内部には内部ローター７が収納設置されてい
る。さらにこの内部ローター７にはスロット８が形成さ
れ、このスロット８には超電導巻線が収められている。
明する。１は中空円筒状の常温ダンパーシールドであり
、この常温ダンパーシールドｌは銅、アルミニウム又は
これらの合金である高導電性材料からなる中空円筒で形
成される高導電性金属層２と、この高導電性金属層２の
外周側及び内筒側に非磁性の高強度材料からなる中空外
周及び中空内筒で形成される高強度金属層３ｉ、３ｂと
によりなる３層構造となっている。なおこの高強度材料
は浴比処理９侍効硬化処理等の熱処理により強度を上げ
ることが可能な時効硬化合金が用いられている。°また
この常温ダンパーシールド１の内径側には真空断熱層４
及び輻射熱シールド５が形成され、さらにこれらの内径
側には極低温冷媒容器６が配置され、またこの極低温冷
媒容器６の内部には内部ローター７が収納設置されてい
る。さらにこの内部ローター７にはスロット８が形成さ
れ、このスロット８には超電導巻線が収められている。
なお一般に輻射熱シールド５は低温ダンパーシールドを
兼ねている。
兼ねている。
前記常温ダンパーシールド１は回転子の最外径に位置す
るため、強大な遠心力が働き、また晟導竜性金属層２に
は強大な電磁力が働くため、機械的強度の比較的弱い高
導電性金属層２を補強するため（二上記のように高強度
金属層３ｍ、３ｂと一体化した多層構造を採っている。
るため、強大な遠心力が働き、また晟導竜性金属層２に
は強大な電磁力が働くため、機械的強度の比較的弱い高
導電性金属層２を補強するため（二上記のように高強度
金属層３ｍ、３ｂと一体化した多層構造を採っている。
この高強度金属層３ａ、３ｂとしてはステンレス鋼、イ
ンコネル、チタン合金等が用いられており、高導電性金
属７１１２を挾み込むよう；二構成している。この様な
多層構造円筒の製造方法としては一般に、焼きはめ、爆
着等が考えられる１、焼きばめは最も簡便な方法である
が、一般の焼きはめによってこの多層構造な゛形成した
場合、各層間は機械的な接合となり、このため第６図に
示すように微視的には各層間に隙間ｌＯが多数存在して
いた。このため超電導回転子を高速で回転させた場合に
ずれが発生する可能性があり、特に回転子の温度が上昇
した場合にはずれが発生し易くなるという欠点があった
。また焼きはめでは各層間が機械的な接合になっている
ため、中空円筒；二割れが発生した場合、割れ発生によ
る締付力の緩和に伴い、眉間のずれ及び全体のバランス
の崩壊が急激に起こる可能性もあった。
ンコネル、チタン合金等が用いられており、高導電性金
属７１１２を挾み込むよう；二構成している。この様な
多層構造円筒の製造方法としては一般に、焼きはめ、爆
着等が考えられる１、焼きばめは最も簡便な方法である
が、一般の焼きはめによってこの多層構造な゛形成した
場合、各層間は機械的な接合となり、このため第６図に
示すように微視的には各層間に隙間ｌＯが多数存在して
いた。このため超電導回転子を高速で回転させた場合に
ずれが発生する可能性があり、特に回転子の温度が上昇
した場合にはずれが発生し易くなるという欠点があった
。また焼きはめでは各層間が機械的な接合になっている
ため、中空円筒；二割れが発生した場合、割れ発生によ
る締付力の緩和に伴い、眉間のずれ及び全体のバランス
の崩壊が急激に起こる可能性もあった。
また爆着によって多層構造を形成した場合、各層間は隙
間もなく金属的な接合となるので遠心力に基ずくずれは
起らない。しかしｍ着によって長大な多層円筒物を製造
することは技術的に困難であり、未だ実用化されていな
い１．また爆着時に大きな変形を５けるという欠点があ
り長大な多層円筒物の製造（二は不適である。
間もなく金属的な接合となるので遠心力に基ずくずれは
起らない。しかしｍ着によって長大な多層円筒物を製造
することは技術的に困難であり、未だ実用化されていな
い１．また爆着時に大きな変形を５けるという欠点があ
り長大な多層円筒物の製造（二は不適である。
本発明は以上のような従来の超電導回転子の欠点を解決
するため（＝なされたものであり、常温ダンパーシール
ドの各層を金属的に接合し、各層のずれの発生を防止で
きる超電導回転子及びその製造方法を提供することを目
的とする。
するため（＝なされたものであり、常温ダンパーシール
ドの各層を金属的に接合し、各層のずれの発生を防止で
きる超電導回転子及びその製造方法を提供することを目
的とする。
上記目的を達成するために本発明は高導電性材料よりな
る中空円筒の内筒側及び外周側に高強度材料よりなる中
空内筒及び中空外筒を嵌合して常温ダンパーシールドを
形成し、この常温ダンパーシールドにより超電導巻線を
覆う超電導回転子において、前記中空内筒、中空円筒及
び中空外筒の夫々の間に接合層を設け、これらを焼きば
めして常温ダンパーシールドを形成したことを特徴とす
る超電導回転子を第１の要旨とする。
る中空円筒の内筒側及び外周側に高強度材料よりなる中
空内筒及び中空外筒を嵌合して常温ダンパーシールドを
形成し、この常温ダンパーシールドにより超電導巻線を
覆う超電導回転子において、前記中空内筒、中空円筒及
び中空外筒の夫々の間に接合層を設け、これらを焼きば
めして常温ダンパーシールドを形成したことを特徴とす
る超電導回転子を第１の要旨とする。
第２の発明においては、高強度材料よりなる中空内筒の
外周側にろう材よりなる第１の接合層を形成し、この第
１の接合層を介して前記中空内筒の外周側に前記ろう材
の融点以上の所定温度で高”尋電性材料よりなる中空円
筒を焼きばめをして結合し、その後この中空円筒の外周
側にろう材より一、なる第２の接合層を形成し、この第
２の接合層を介して前記中空円筒の外周側に前記ろう材
の融点以上の所定温度で高強度材料よりなる中空外筒な
焼きばめして常温ダンパーシールドを形成したことを特
徴とする超電導回転子の製造方法を要旨とするものであ
る。
外周側にろう材よりなる第１の接合層を形成し、この第
１の接合層を介して前記中空内筒の外周側に前記ろう材
の融点以上の所定温度で高”尋電性材料よりなる中空円
筒を焼きばめをして結合し、その後この中空円筒の外周
側にろう材より一、なる第２の接合層を形成し、この第
２の接合層を介して前記中空円筒の外周側に前記ろう材
の融点以上の所定温度で高強度材料よりなる中空外筒な
焼きばめして常温ダンパーシールドを形成したことを特
徴とする超電導回転子の製造方法を要旨とするものであ
る。
図を参照して説明する。第１図において、１は常温ダン
パーシールドであり、この常温ダンパーシールド１は、
外周側より順に高強度金属層３ａ。
パーシールドであり、この常温ダンパーシールド１は、
外周側より順に高強度金属層３ａ。
接合層９ａ 、高導電性金属層２．接合層９ｂ 、高強
度金属層３ｂよりなる多層構造でありこれらの層は夫々
焼はめによって形成される。この接合層９ａ、９ｂには
銀ろう等のろう材が用いられている。
度金属層３ｂよりなる多層構造でありこれらの層は夫々
焼はめによって形成される。この接合層９ａ、９ｂには
銀ろう等のろう材が用いられている。
またこの接合層９ａ、９ｂは夫々焼はめ時に浴融して、
内径側の高強度金属層３ｂと高導電性金属層２、及び外
径側の高強度金属層３ａと高導電性金属層２とを夫々金
属的に接合する１、なおこの接合層９ａ、９ｂの材質及
び形成方法は高導電性金属層２及び高強度金属第３ａ、
３ｂの材質との関係から任意に選択するとよい。例えば
高強度金属層にはＮ１基時効硬化温合金（インコネル７
１８．インコネルＸ７５０等）、Ｆｅ基時効硬化温合金
（入ＳＴＭ−人２８６等）、Ｔｉ合金（Ｔｉ−５Ａ−６
−４Ｖ ）等が有効である。
内径側の高強度金属層３ｂと高導電性金属層２、及び外
径側の高強度金属層３ａと高導電性金属層２とを夫々金
属的に接合する１、なおこの接合層９ａ、９ｂの材質及
び形成方法は高導電性金属層２及び高強度金属第３ａ、
３ｂの材質との関係から任意に選択するとよい。例えば
高強度金属層にはＮ１基時効硬化温合金（インコネル７
１８．インコネルＸ７５０等）、Ｆｅ基時効硬化温合金
（入ＳＴＭ−人２８６等）、Ｔｉ合金（Ｔｉ−５Ａ−６
−４Ｖ ）等が有効である。
また高導電性金属層には、純銅またはＣｕ−Ｃｒ合金が
有効であり、使用応力が大きな場合はＣｕ−ρ、−７−
、Ａ秦小柿田シ；女親φ七１次に上記常温ダンパーシー
ルドの製造方法について説明する１、その一実施例とし
て常温ダンツク−シールド１の各層において高導電性金
属層２をＣｕ−Ｃｒ合金、高強度金属層３ａ、３ｂをオ
ーステナイト鋼（人、９ＴＭ−人２８６ ） 、接合層
をＡｇ−Ｐｂはんだとした場合について第３図を参照し
て説明する。
有効であり、使用応力が大きな場合はＣｕ−ρ、−７−
、Ａ秦小柿田シ；女親φ七１次に上記常温ダンパーシー
ルドの製造方法について説明する１、その一実施例とし
て常温ダンツク−シールド１の各層において高導電性金
属層２をＣｕ−Ｃｒ合金、高強度金属層３ａ、３ｂをオ
ーステナイト鋼（人、９ＴＭ−人２８６ ） 、接合層
をＡｇ−Ｐｂはんだとした場合について第３図を参照し
て説明する。
あらかじめ９５０Ｃ〜１１００ Ｇで溶体化処理し。
７００ ′Ｃ〜ｇｏｏ ｒで時効硬化処理を施した高強
度金属３ｂであるＡｓＴＭ−人２８６合金の中空内筒１
３ｂの外周に０．５〜１．０ ＩＩｍ厚のＡｇ−Ｐｂは
んだ薄板１９ｂを第３図（、）に示すよう（二巻き付は
点溶接で固定する。
度金属３ｂであるＡｓＴＭ−人２８６合金の中空内筒１
３ｂの外周に０．５〜１．０ ＩＩｍ厚のＡｇ−Ｐｂは
んだ薄板１９ｂを第３図（、）に示すよう（二巻き付は
点溶接で固定する。
その後４５０ ｒ 〜５００ Ｇに加熱したＣｕ−Ｃｒ
合金の中空円筒１２を第３１１（ｂ）Ｅ示すように入ｇ
−Ｐｂはんだ薄板を巻き付けた中空内筒１３ｂに焼きば
める。
合金の中空円筒１２を第３１１（ｂ）Ｅ示すように入ｇ
−Ｐｂはんだ薄板を巻き付けた中空内筒１３ｂに焼きば
める。
この時、Ａｇ−Ｐｂはんだ薄板１９ｂが焼きばめ時の熱
で溶融する。その後、第３図（ｃ）に示すように中空円
筒１２の外周に０゜５〜１．０１厚のＡｇ−Ｐｂはんだ
薄板１９ｍを巻き付は点溶接で固定する。次に溶体化処
理１時効硬化処理をすでに施したＮ２８６合金の中空外
筒１３ａを４５０ ｔ：’ 〜５００ Ｃで第３図（ｄ
）ｌニー示すよ５に入ｇ −Ｐｂはんだ薄板１９ａを巻
き付けた中空円筒１２に焼きばめる。この詩人ｇ −ｐ
ｂはんだ薄板１９ａが溶融し、中空円筒１２及び中空外
筒１３ａと金属的に結合され、常温ダンパーシールド１
が形成される。
で溶融する。その後、第３図（ｃ）に示すように中空円
筒１２の外周に０゜５〜１．０１厚のＡｇ−Ｐｂはんだ
薄板１９ｍを巻き付は点溶接で固定する。次に溶体化処
理１時効硬化処理をすでに施したＮ２８６合金の中空外
筒１３ａを４５０ ｔ：’ 〜５００ Ｃで第３図（ｄ
）ｌニー示すよ５に入ｇ −Ｐｂはんだ薄板１９ａを巻
き付けた中空円筒１２に焼きばめる。この詩人ｇ −ｐ
ｂはんだ薄板１９ａが溶融し、中空円筒１２及び中空外
筒１３ａと金属的に結合され、常温ダンパーシールド１
が形成される。
以上のよ５に、高導電性金属層２と高強度金属層３ａ、
３ｂとの夫々の間に接合層９ａ、Ｔｉ）ｂを形成し、一
体化したので第２図に示すように接合層９ｍ。
３ｂとの夫々の間に接合層９ａ、Ｔｉ）ｂを形成し、一
体化したので第２図に示すように接合層９ｍ。
９ｂが隙間を５めるよプに形成され、これらの層は金属
的に結合される。このため超電導回転子を高速で回転さ
せた場合、第４図に示すよ）に各１１間のト）ルク差に
基ずくずれに対する抗高力を高めると共に局部的な温度
差に基ずくずれに対する抵抗力も高められ、高速長時間
運転に調けるずれの発生の可能性を低くすることができ
る。
的に結合される。このため超電導回転子を高速で回転さ
せた場合、第４図に示すよ）に各１１間のト）ルク差に
基ずくずれに対する抗高力を高めると共に局部的な温度
差に基ずくずれに対する抵抗力も高められ、高速長時間
運転に調けるずれの発生の可能性を低くすることができ
る。
また常温ダンパーシールド１のいずれかの層に割れが生
じた場合、接合層９ ｍ ＋ ９ ｂの存在＃春嘲によ
り従来のようこ急激に層間にずれを生じたり、急激にバ
ランスを崩すという現象を緩和できる。
じた場合、接合層９ ｍ ＋ ９ ｂの存在＃春嘲によ
り従来のようこ急激に層間にずれを生じたり、急激にバ
ランスを崩すという現象を緩和できる。
さらにＣｕ −Ｃｒ合金の中空円筒１２を入２８６合金
の中空内筒１３ｂ ｌ：焼きばめと同時にＡｇ −ｐｂ
はんだ薄を 板１９ヲ溶融することができ、さらにＡｇ −ｐｂはん
だ薄板を介して４５０Ｃ〜５００ Ｃで焼きばめするの
で、この時この温度でＣｕ −Ｃｒ合金の中空円筒１２
の時効硬化処理を同時に行なうことができ、作業時間を
短縮することができる。
の中空内筒１３ｂ ｌ：焼きばめと同時にＡｇ −ｐｂ
はんだ薄を 板１９ヲ溶融することができ、さらにＡｇ −ｐｂはん
だ薄板を介して４５０Ｃ〜５００ Ｃで焼きばめするの
で、この時この温度でＣｕ −Ｃｒ合金の中空円筒１２
の時効硬化処理を同時に行なうことができ、作業時間を
短縮することができる。
また上記一実施例は何ら特殊な装置を便用′ｆることな
〈従来の焼きはめ設備をそのまま利用して行な５ことが
できる。
〈従来の焼きはめ設備をそのまま利用して行な５ことが
できる。
上記実施例においては中空円筒１２にＣｕ −ｃｒ金合
金用いたがより高強度にするためにＣｕ −Ｃｒ −Ｚ
【合金を用いても上記と同様な作用・効果が得られる。
金用いたがより高強度にするためにＣｕ −Ｃｒ −Ｚ
【合金を用いても上記と同様な作用・効果が得られる。
また接合層にＡｇ −Ｐｂはんだを用いたがＡｇ−ｐｂ
はんだに限定されることなくＡｇ −Ｃｄはんだ、Ｓｎ
−ｐｂはんだを１更用することもできる。
はんだに限定されることなくＡｇ −Ｃｄはんだ、Ｓｎ
−ｐｂはんだを１更用することもできる。
次（二個の実施例について説明する。
溶体化処理前のＡＳＴＭ−Ａ２８６合金の中空内筒１３
ｂの外周Ｅ Ｏ，５〜１．ＯＳｍｌ厚の人ｇ−Ｐｂはん
だ薄板１９ｂを第３図（、）に示すよプに巻き付は点溶
接で固定する。その後９００ Ｃ〜１１００ Ｃに加熱
した純銅の中空円筒玲を第３図（ｂ）に示すようにムｇ
−ｐｂはんだ薄板１９ｂを巻きつけた中空内筒１３ｂ
に鳩きばめる。この焼きはめ時の熱でＡｇ −ｐｂはん
だが溶融する。その後第３図（ｃ）に示すように中空円
筒ｎの外周にＡｇ −Ｐｂはんだ薄板１９ａを巻き付は
点溶接で固定する。次に溶体化処理前の入ＳＴＭ−人２
８６合金の中空外周１３ａを第３図（ｄ）に示すよ５に
９００Ｃ−１１００ＣでＡｇ −ｐｂはんだ薄板１９ａ
を巻き付けた中空円筒臣に焼きばめる。この時Ａｇ −
ｐｂはんた薄板１９！が溶融し、中空円筒１２及び中空
外筒１３ａと金属的に結合し、常温ダンパーシールド１
が形成される。その後常温ダンパ−シールド１全体を６
５０Ｃ〜８００Ｃにして中空内筒１３ｂ、中空外周１３
ｍの時効処理を行）。
ｂの外周Ｅ Ｏ，５〜１．ＯＳｍｌ厚の人ｇ−Ｐｂはん
だ薄板１９ｂを第３図（、）に示すよプに巻き付は点溶
接で固定する。その後９００ Ｃ〜１１００ Ｃに加熱
した純銅の中空円筒玲を第３図（ｂ）に示すようにムｇ
−ｐｂはんだ薄板１９ｂを巻きつけた中空内筒１３ｂ
に鳩きばめる。この焼きはめ時の熱でＡｇ −ｐｂはん
だが溶融する。その後第３図（ｃ）に示すように中空円
筒ｎの外周にＡｇ −Ｐｂはんだ薄板１９ａを巻き付は
点溶接で固定する。次に溶体化処理前の入ＳＴＭ−人２
８６合金の中空外周１３ａを第３図（ｄ）に示すよ５に
９００Ｃ−１１００ＣでＡｇ −ｐｂはんだ薄板１９ａ
を巻き付けた中空円筒臣に焼きばめる。この時Ａｇ −
ｐｂはんた薄板１９！が溶融し、中空円筒１２及び中空
外筒１３ａと金属的に結合し、常温ダンパーシールド１
が形成される。その後常温ダンパ−シールド１全体を６
５０Ｃ〜８００Ｃにして中空内筒１３ｂ、中空外周１３
ｍの時効処理を行）。
以上の方法によって製造することによっても前記一実施
例と同様な作用・効果が得られる。なお前記一実施例（
二にいては焼きばめ時にＣｕ −Ｃｒ合金の中空円筒１
２の時効硬化処理を行っていたがこの実施例においては
人ＳＴＭ−人２８６合金の中空内ｌ １３ｂ及び中空外
筒１３ａの溶体化処理を焼きばめ時に行な）ことができ
る。
例と同様な作用・効果が得られる。なお前記一実施例（
二にいては焼きばめ時にＣｕ −Ｃｒ合金の中空円筒１
２の時効硬化処理を行っていたがこの実施例においては
人ＳＴＭ−人２８６合金の中空内ｌ １３ｂ及び中空外
筒１３ａの溶体化処理を焼きばめ時に行な）ことができ
る。
さらに他の実施例について説明する。前記一実施例；二
おける中空内筒１３ｂ及び中空外筒１３暑を溶体化処理
をすでに施したＡＳＴＭ−人２８６合金とし、中空円筒
Ｊ２を純銅とし、接合層をＡｇろ５とし、焼きはめ時の
温度を６５０Ｃ〜８００Ｃにし同様な方法によって製造
すること鑑＝よっても前記一実施例と同様な作用効果が
得られる。なおこの実施例においては焼きはめ時に中空
内筒１３ｂ、中空外筒１３ａの時効硬化処理を行な５こ
とができる１、 次にさらに他の実施例について説明する。
おける中空内筒１３ｂ及び中空外筒１３暑を溶体化処理
をすでに施したＡＳＴＭ−人２８６合金とし、中空円筒
Ｊ２を純銅とし、接合層をＡｇろ５とし、焼きはめ時の
温度を６５０Ｃ〜８００Ｃにし同様な方法によって製造
すること鑑＝よっても前記一実施例と同様な作用効果が
得られる。なおこの実施例においては焼きはめ時に中空
内筒１３ｂ、中空外筒１３ａの時効硬化処理を行な５こ
とができる１、 次にさらに他の実施例について説明する。
上記で説明した３つの一実施例に二にいて、中空内筒１
３ｂ及び中空外筒１３ａに入ｆ３’ｌ’Ｍ−人２８６合
金を用いていたがＮｉ基時効硬化戯合金（例えばインコ
ネル７１８．インコネルＸ７５０等）−ｊたはＴ！金合
金例えばＴｉ−６人２−４ｖ等）を用いることによって
も前記実施例と同様な作用効果を得ることができる。
３ｂ及び中空外筒１３ａに入ｆ３’ｌ’Ｍ−人２８６合
金を用いていたがＮｉ基時効硬化戯合金（例えばインコ
ネル７１８．インコネルＸ７５０等）−ｊたはＴ！金合
金例えばＴｉ−６人２−４ｖ等）を用いることによって
も前記実施例と同様な作用効果を得ることができる。
また、接合層を中空内筒１３ｂ及び中空円筒１２のそれ
ぞれ外周に形成する方法として上記実施例においてはろ
う材の薄板１９ｂ 、 １９ａを巻き付けているが、ろ
う材を溶射することによって接合層を形成してもよい。
ぞれ外周に形成する方法として上記実施例においてはろ
う材の薄板１９ｂ 、 １９ａを巻き付けているが、ろ
う材を溶射することによって接合層を形成してもよい。
さらに中空内ｒ：４１３ｂ及び中空外周１３ａをＮｉメ
ッキした熱処理可能な合金とすることにより接合層との
ぬれ性を向上させることができる。
ッキした熱処理可能な合金とすることにより接合層との
ぬれ性を向上させることができる。
本発明によれば接合層を高導電性金属層と高強度金ｇ４
ｍとの間に形成し、焼きばめ時の熱により接合層を溶融
し、各層間を結合したので、各層間が金属的に結合され
各層のずれを防止することができ信頼性の高い超電導回
転子を提供することができる。
ｍとの間に形成し、焼きばめ時の熱により接合層を溶融
し、各層間を結合したので、各層間が金属的に結合され
各層のずれを防止することができ信頼性の高い超電導回
転子を提供することができる。
またろ５材の解融、各層間の金属的結合を焼きはめ時に
行ない接合層を形成するので、従来の焼きばめ設備が使
用でき、特殊な設備を用いることなく容易に製作するこ
とができる。
行ない接合層を形成するので、従来の焼きばめ設備が使
用でき、特殊な設備を用いることなく容易に製作するこ
とができる。
第１図は本発明の一実施例による超電導回転子に、Ｐ６
ける常温ダンパーシールドを示す断面図、第２図は第１
図におけるＡ部の拡大図、第３図は第１図（：示す常温
ダンパーシールドの製造工程を示す説明図、第４図は常
温ダンパーシールドの性能を示すトルク−変位線図、第
５図は従来の超電導回転子を示す断面図、第６図は第５
肉におけるＢ部拡大図である。 １・・・常温ダンパーシールド ２・・・高導電性金属
層３ａ、３ｂ・・・高強度金属層 ９ａ、９ｂ・・・接
合層１２・・・中空円筒 １３ａ・・・中空外筒１３ｂ
・・・中空円ＷＪ１９ａ 、 １９ｂ・・・はんだ薄板
代理人 弁諷士 則 近 憲 佑 同 三俣弘文 第 １ 図 第２図 トルク → 第４図
ける常温ダンパーシールドを示す断面図、第２図は第１
図におけるＡ部の拡大図、第３図は第１図（：示す常温
ダンパーシールドの製造工程を示す説明図、第４図は常
温ダンパーシールドの性能を示すトルク−変位線図、第
５図は従来の超電導回転子を示す断面図、第６図は第５
肉におけるＢ部拡大図である。 １・・・常温ダンパーシールド ２・・・高導電性金属
層３ａ、３ｂ・・・高強度金属層 ９ａ、９ｂ・・・接
合層１２・・・中空円筒 １３ａ・・・中空外筒１３ｂ
・・・中空円ＷＪ１９ａ 、 １９ｂ・・・はんだ薄板
代理人 弁諷士 則 近 憲 佑 同 三俣弘文 第 １ 図 第２図 トルク → 第４図
Claims (9)
- （１）超電導巻線と、この超電導巻線の外周を覆うよう
にして配置された常温ダンパーシールドとを有し、前記
常温ダンパーシールドは、高導電性材料よりなる中空円
筒と、この中空円筒の内外周側に夫々嵌合された高強度
材料よりなる中空内筒及び中空外筒とにより形成された
超電導回転子において、前記中空内筒、中空円筒及び中
空外筒の夫々の間に第１の接合層及び第２の接合層を設
けるとともに、前記中空内筒、中空円筒、中空外筒第１
の接合層及び第２の接合層を焼ばめして常温ダンパーを
形成したことを特徴とする超電導回転子。 - （２）高強度材料よりなる中空内筒の外周側にろう材よ
りなる第１の接合層を形成し、この第１の接合層を介し
て前記中空内筒の外周側に前記ろう材の融点以上の所定
温度で高導電性材料よりなる中空円筒を焼きばめをして
結合し、その後この中空円筒の外周側にろう材よりなる
第２の接合層を形成し、この第２の接合層を介して前記
中空円筒の外周側に前記ろう材の融点以上の所定温度で
高強度材料よりなる中空外筒を焼きばめして常温ダンパ
ーシールドを形成したことを特徴とする超電導回転子の
製造方法。 - （３）前記中空内筒及び中空外筒はニッケルメッキを施
した高強度材料よりなることを特徴とする特許請求の範
囲第２項に記載の超電導回転子の製造方法。 - （４）前記高強度材料が溶体化処理及び時効硬化処理を
施した時効硬化温合金であり、前記高導電性材料がＣｕ
−Ｃｒ合金またはＣｕ−Ｃｒ−Ｚｒ合金であり、前記接
合層がＡｇ−ＰｂまたはＡｇ−ＣｄまたはＳｎ−Ｐｂの
ろう材により形成されるとともに前記所定温度が４００
〜５００℃であることを特徴とする特許請求の範囲第２
項または第３項に記載の超電導回転子の製造方法。 - （５）前記高強度材料が時効硬化型合金であり、前記高
導電性材料がＣｕであり、前記接合層がニッケルろうま
たは銀ろうにより形成されるとともに前記所定温度が９
００〜１１００℃であることを特徴とする特許請求の範
囲第２項または第３項に記載の超電導回転子の製造方法
。 - （６）前記高強度材料が溶体化処理を施した時効硬化合
金であり、前記高導電性材料がＣｕであり、前記接合層
が銀ろうにより形成されるとともに前記所定温度が６５
０〜８００℃であることを特徴とする特許請求の範囲第
２項または第３項に記載の超電導回転子の製造方法。 - （７）前記時効硬化合金はＡＳＴＭ−Ａ２８６合金、イ
ンコネル７１８、インコネルＸ７５０またはＴｉ−６Ａ
ｌ−４Ｖ合金のいずれかであることを特徴とする特許請
求の範囲第４項乃至第６項に記載の超電導回転子の製造
方法。 - （８）前記第１及び第２の接合層は薄板状のろう材を中
空内筒の外周及び中空円筒の外周に巻付して形成したこ
とを特徴とする特許請求の範囲第２項乃至第７項に記載
の超電導回転子の製造方法。 - （９）前記第１及び第２の接合層はろう材を中空内筒の
外周及び中空円筒の外周に溶射して形成したことを特徴
とする特許請求の範囲第２項乃至第７項に記載の超電導
回転子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19379285A JPS6258868A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 超電導回転子およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19379285A JPS6258868A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 超電導回転子およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6258868A true JPS6258868A (ja) | 1987-03-14 |
Family
ID=16313861
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19379285A Pending JPS6258868A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-04 | 超電導回転子およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6258868A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6169353B1 (en) | 1999-09-28 | 2001-01-02 | Reliance Electric Technologies, Llc | Method for manufacturing a rotor having superconducting coils |
| US6262442B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-07-17 | Dmitri G. Kravtchenko | Zener diode and RC network combination semiconductor device for use in integrated circuits |
-
1985
- 1985-09-04 JP JP19379285A patent/JPS6258868A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6262442B1 (en) * | 1999-04-30 | 2001-07-17 | Dmitri G. Kravtchenko | Zener diode and RC network combination semiconductor device for use in integrated circuits |
| US6169353B1 (en) | 1999-09-28 | 2001-01-02 | Reliance Electric Technologies, Llc | Method for manufacturing a rotor having superconducting coils |
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