JPS6261968A - テトラヒドロ−4−ヒドロキシイソキノリン誘導体の製造方法 - Google Patents
テトラヒドロ−4−ヒドロキシイソキノリン誘導体の製造方法Info
- Publication number
- JPS6261968A JPS6261968A JP20107485A JP20107485A JPS6261968A JP S6261968 A JPS6261968 A JP S6261968A JP 20107485 A JP20107485 A JP 20107485A JP 20107485 A JP20107485 A JP 20107485A JP S6261968 A JPS6261968 A JP S6261968A
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- Japan
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- reaction
- reaction system
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- Pending
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
- Other In-Based Heterocyclic Compounds (AREA)
- Nitrogen Condensed Heterocyclic Rings (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はテトラヒトコーターヒドロキシイソキノリンe
j導体の製造方法に関し、さらに詳しくは、医薬等の製
造中間体として有用なテトラヒドロ−グーヒドロキシイ
ソキノリン誘導体の製造方法に関する。
j導体の製造方法に関し、さらに詳しくは、医薬等の製
造中間体として有用なテトラヒドロ−グーヒドロキシイ
ソキノリン誘導体の製造方法に関する。
ベンジルアミノアセタールを酸の存在下、次式に従って
閉環して、l−ヒドロキシ−テトラヒドロイソキノリン
を合成する方法は公知の方法である( Advance
s In Heterocyclie ChJLsi、
二。
閉環して、l−ヒドロキシ−テトラヒドロイソキノリン
を合成する方法は公知の方法である( Advance
s In Heterocyclie ChJLsi、
二。
10コ(/ 973 ) Academic pres
a−New York and London )。
a−New York and London )。
(式中、Rは低級アルキル基を示す。)〔発明が解決し
ようとする問題点〕 しかしながら、この方法では、N−メチル誘導体の収率
が低く、例えば、J、 Org、 CheIIII+、
、 IIヱ。
ようとする問題点〕 しかしながら、この方法では、N−メチル誘導体の収率
が低く、例えば、J、 Org、 CheIIII+、
、 IIヱ。
11!;!;!f (/qにq)によれば、N−メチル
誘導体の収率は、グ5%、66%と低い。
誘導体の収率は、グ5%、66%と低い。
公知文献等には、収率低下の原因が明確に記−アルコキ
シテトラヒドロイソキノリンが存在することを認めた。
シテトラヒドロイソキノリンが存在することを認めた。
率を向上すべく鋭意検討を行った結果、本発明に到達し
た。
た。
すなわち、本発明の要旨は、下記一般式(I):(式中
、R1およびR2は同一でも異なっていてもよい低級ア
ルキル基を表わし、R3−R6は同一でも異なっていて
もよく、水素原子、低級アルコキシ基または隣り合う一
つが一緒になってメチレンジオキシ基−〇−CH2−0
−を表わす。)で示されるN−メチルベンジルアミノア
セタールを酸の存在下で閉環して、下記一般式(■):
(式中、R3−R6は上記一般式(1)で定義したとお
りである。) で示されるテトラヒドロークーヒドロキシイソサノリン
誘導体を製造するに際し、生成するアルコールの少なく
とも一部を反応系外へ除去しつつ反応を行うことを特徴
とするテトラヒドロ−+−ヒドロキシイソキノリン誘導
体の製造方法に存する。
、R1およびR2は同一でも異なっていてもよい低級ア
ルキル基を表わし、R3−R6は同一でも異なっていて
もよく、水素原子、低級アルコキシ基または隣り合う一
つが一緒になってメチレンジオキシ基−〇−CH2−0
−を表わす。)で示されるN−メチルベンジルアミノア
セタールを酸の存在下で閉環して、下記一般式(■):
(式中、R3−R6は上記一般式(1)で定義したとお
りである。) で示されるテトラヒドロークーヒドロキシイソサノリン
誘導体を製造するに際し、生成するアルコールの少なく
とも一部を反応系外へ除去しつつ反応を行うことを特徴
とするテトラヒドロ−+−ヒドロキシイソキノリン誘導
体の製造方法に存する。
赴J下、本発明の詳細な説明する。
上記一般式(1)において、R′およびR2の低級アル
キル基ならびに83〜R6の低級アルコキシ基は、C1
〜C3、更に好ましくはC7〜C5のものが好ましい。
キル基ならびに83〜R6の低級アルコキシ基は、C1
〜C3、更に好ましくはC7〜C5のものが好ましい。
一般式(I)で示されるN−メチルベンジルアミノアセ
タールの具体例を以下に示す。
タールの具体例を以下に示す。
ニーメトキシ−3%t−メチレンジオキシ−N−メチル
ベンジルアミノジメテルアセタールユーメトキシ−3,
クーメチレンジオキシ−N−メチルペンジルアミノエチ
ルアセタールクーメトキシーN−メチルベンジルアミノ
ジメチルアセタール グーメトキシ−N−メチルベンジルアミノジエチルアセ
タール 3−メトキシ−N−メチルベンジルアミノジメチルアセ
タール 3−メトキシ−N−メチルベンジルアミノジエチルアセ
タール 、7.4<−メチレンジオキシ−N−メチルベンジルア
ミノジメチルアセタール J、tI−メチレンジオキシ−N−メチルベンジルアミ
ノジエチルアセタール ユ、3−ジメトキシーN−メチルベンジルアミノジメテ
ルアセタール コ、3−ジメトキシーN〜メチルベンジルアミノジエナ
ルアセタール 3、弘−ジメトキシ−N−メチルベンジルアミノジメチ
ルアセタール 3、’I−ジメトキシーN−メチルベンジルアミノジエ
チルアセタール 3、II、!; −)リメトキシーN−メチルベンジル
アミノジメチルアセタール 3.lI、r−) !JメトキシーN−メチルベンジル
アミノジエチルアセタール コ、3−メチレンジオキシー5−メトキシ−N−メチル
ペンジルアミノジメチルアセタールユ、3−メチレンジ
オキシ−!−メトキシーN−メチルベンジルアミノジエ
チルアセタール閉環反応において用いられる酸としては
、塩酸、臭酸、流酸、リン酸、三フッ化ホウ素、クロロ
(a酸、p)ルエンスルホン酸等:l’けられ、N−メ
チルベンジルアミノアセタール(I)に対して/、0〜
100倍モル、好ましくは2.0〜50倍モル使用され
る。
ベンジルアミノジメテルアセタールユーメトキシ−3,
クーメチレンジオキシ−N−メチルペンジルアミノエチ
ルアセタールクーメトキシーN−メチルベンジルアミノ
ジメチルアセタール グーメトキシ−N−メチルベンジルアミノジエチルアセ
タール 3−メトキシ−N−メチルベンジルアミノジメチルアセ
タール 3−メトキシ−N−メチルベンジルアミノジエチルアセ
タール 、7.4<−メチレンジオキシ−N−メチルベンジルア
ミノジメチルアセタール J、tI−メチレンジオキシ−N−メチルベンジルアミ
ノジエチルアセタール ユ、3−ジメトキシーN−メチルベンジルアミノジメテ
ルアセタール コ、3−ジメトキシーN〜メチルベンジルアミノジエナ
ルアセタール 3、弘−ジメトキシ−N−メチルベンジルアミノジメチ
ルアセタール 3、’I−ジメトキシーN−メチルベンジルアミノジエ
チルアセタール 3、II、!; −)リメトキシーN−メチルベンジル
アミノジメチルアセタール 3.lI、r−) !JメトキシーN−メチルベンジル
アミノジエチルアセタール コ、3−メチレンジオキシー5−メトキシ−N−メチル
ペンジルアミノジメチルアセタールユ、3−メチレンジ
オキシ−!−メトキシーN−メチルベンジルアミノジエ
チルアセタール閉環反応において用いられる酸としては
、塩酸、臭酸、流酸、リン酸、三フッ化ホウ素、クロロ
(a酸、p)ルエンスルホン酸等:l’けられ、N−メ
チルベンジルアミノアセタール(I)に対して/、0〜
100倍モル、好ましくは2.0〜50倍モル使用され
る。
反尾・溶媒は特に限定されないが、水溶媒が好ましく、
酸1モルに対して10〜/ 0000 ml。
酸1モルに対して10〜/ 0000 ml。
好捷しくは100〜10θ0−使用される。
反応温度は0−110℃、好ましくは50〜l二〇℃で
ある。
ある。
本発明方法によれば、生成するアルコールの少なくとも
一部を反尾、系外に除去しつつ反応が行われるが、除去
方法としては、■反応系中にガス導入管を設け、窒素等
の不活性ガスを導入して生成アルコールをガスと共に系
外へ除去する方法、■系中を減圧系にして、生成アルコ
ールを減圧留去する方法等が挙げられる。
一部を反尾、系外に除去しつつ反応が行われるが、除去
方法としては、■反応系中にガス導入管を設け、窒素等
の不活性ガスを導入して生成アルコールをガスと共に系
外へ除去する方法、■系中を減圧系にして、生成アルコ
ールを減圧留去する方法等が挙げられる。
以下、実施例によυ本発明を更に具体的に説明するが、
本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定さ
れない。
本発明はその要旨を超えない限り以下の実施例に限定さ
れない。
比較例/
ニーメトキシ−J、Q−メチレンジオキシ−N−メチル
ペンジルアミノジメチルアセタールg s ortv;
)を6N硫酸6−に溶解させ、油浴60Cにて3時間加
熱攪拌した。反応終了後、アルカリ水溶液で処理したの
ち、塩化メチレンで抽出した。この塩化メチレン/#
’(i−液体クロマトグの収量はsrg、brrv;)
であり、収率はりざ、5%であった。一方、副生成物で
あるメトキシ体は、収t ls !r−A wL9であ
り、収率はざ、7%であった。
ペンジルアミノジメチルアセタールg s ortv;
)を6N硫酸6−に溶解させ、油浴60Cにて3時間加
熱攪拌した。反応終了後、アルカリ水溶液で処理したの
ち、塩化メチレンで抽出した。この塩化メチレン/#
’(i−液体クロマトグの収量はsrg、brrv;)
であり、収率はりざ、5%であった。一方、副生成物で
あるメトキシ体は、収t ls !r−A wL9であ
り、収率はざ、7%であった。
実施例1
比較例1において1反応系に窒素吹き込み管を設けて窒
素を導入し、生成するメタノールを系外に除去しながら
反応を行ったところ、目的とするテトラヒドロ−亭−ヒ
ドロキシインキノリン誘導体の収率は93%であり、副
生成物であるメトキシ体はほとんど生成しなかった。
素を導入し、生成するメタノールを系外に除去しながら
反応を行ったところ、目的とするテトラヒドロ−亭−ヒ
ドロキシインキノリン誘導体の収率は93%であり、副
生成物であるメトキシ体はほとんど生成しなかった。
〔発明の効果コ
本発明方法によれば、医薬等の製造中間体として有用な
テトラヒトローダ−ヒドロキシイソキノリン誘導体を収
率よく製造することができる。
テトラヒトローダ−ヒドロキシイソキノリン誘導体を収
率よく製造することができる。
出願人 三菱化成工業株式会社
代理人 弁理士 長谷用 −
ほか1名
Claims (1)
- (1)下記一般式( I ): ▲数式、化学式、表等があります▼( I ) (式中、R^1およびR^2は同一でも異なつていても
よい低級アルキル基を表わし、R^3〜R^6は同一で
も異なつていてもよく、水素原子、低級アルコキシ基ま
たは隣り合う2つが一緒になつてメチレンジオキシ基−
O−CH_2−O−を表わす。) で示されるN−メチルベンジルアミノアセタールを酸の
存在下で閉環して、下記一般式(II):▲数式、化学式
、表等があります▼(II) (式中、R^3〜R^6は上記一般式( I )で定義し
たとおりである。) で示されるテトラヒドロ−4−ヒドロキシイソキノリン
誘導体を製造するに際し、生成するアルコールの少なく
とも一部を反応系外へ除去しつつ反応を行うことを特徴
とするテトラヒドロ−4−ヒドロキシイソキノリン誘導
体の製造方法。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20107485A JPS6261968A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | テトラヒドロ−4−ヒドロキシイソキノリン誘導体の製造方法 |
| US06/901,388 US4760145A (en) | 1985-09-04 | 1986-08-28 | Certain 6,7-methylene dioxydihydro or tetrahydro-isoquinoline derivatives |
| HU863719A HU198691B (en) | 1985-09-11 | 1986-08-28 | Process for producing tetrahydro-4-hydroxy-isoquinoline derivatives |
| EP86401912A EP0214905A3 (en) | 1985-09-04 | 1986-08-29 | Tetrahydroisoquinoline derivatives |
| CA000517489A CA1300147C (en) | 1985-09-04 | 1986-09-04 | 8-hydroxy-2-methyl-6,7-methylenedioxy-1,2,3,4- tetrahydroisoquinoline compounds |
| KR1019860007411A KR900004835B1 (ko) | 1985-09-04 | 1986-09-04 | 테트라하이드로이소퀴놀린 유도체의 제조방법 |
| KR1019900007731A KR920001564B1 (ko) | 1985-09-04 | 1990-05-25 | 테트라하이드로이소퀴놀린 유도체 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20107485A JPS6261968A (ja) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | テトラヒドロ−4−ヒドロキシイソキノリン誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6261968A true JPS6261968A (ja) | 1987-03-18 |
Family
ID=16434958
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20107485A Pending JPS6261968A (ja) | 1985-09-04 | 1985-09-11 | テトラヒドロ−4−ヒドロキシイソキノリン誘導体の製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6261968A (ja) |
| HU (1) | HU198691B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106831576A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-06-13 | 北京六合宁远科技有限公司 | 一种2‑甲基‑1‑氧代‑1,2‑二氢异喹啉‑6‑甲酸的制备方法 |
-
1985
- 1985-09-11 JP JP20107485A patent/JPS6261968A/ja active Pending
-
1986
- 1986-08-28 HU HU863719A patent/HU198691B/hu not_active IP Right Cessation
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106831576A (zh) * | 2017-03-10 | 2017-06-13 | 北京六合宁远科技有限公司 | 一种2‑甲基‑1‑氧代‑1,2‑二氢异喹啉‑6‑甲酸的制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| HU198691B (en) | 1989-11-28 |
| HUT42448A (en) | 1987-07-28 |
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