JPS6262207A - パタ−ン測長方法 - Google Patents
パタ−ン測長方法Info
- Publication number
- JPS6262207A JPS6262207A JP60202415A JP20241585A JPS6262207A JP S6262207 A JPS6262207 A JP S6262207A JP 60202415 A JP60202415 A JP 60202415A JP 20241585 A JP20241585 A JP 20241585A JP S6262207 A JPS6262207 A JP S6262207A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pattern
- scanning
- beams
- center
- measured
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Length-Measuring Devices Using Wave Or Particle Radiation (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Closed-Circuit Television Systems (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明は荷電粒子ビーム走査によるパターン測長方法に
関する。
関する。
［従来の技術］
近年、ＩＣからＬＳＩ及び超ＬＳＩへと集積化が進んで
おり、それに伴いパターンの微小化がなされている。こ
のパターンの微小化により、パターンの幅寸法測定方法
としては、光を利用するものに比べ分解能の高い電子ビ
ームを利用するものが注目されている。
おり、それに伴いパターンの微小化がなされている。こ
のパターンの微小化により、パターンの幅寸法測定方法
としては、光を利用するものに比べ分解能の高い電子ビ
ームを利用するものが注目されている。
この電子ビームを利用する方法は、測定すべきパターン
を電子ビームの高倍走査域にもって来て、電子ビームを
そのパターン上で走査し、その反射電子や二次電子検出
信号に基づいて測長を行う方法である。
を電子ビームの高倍走査域にもって来て、電子ビームを
そのパターン上で走査し、その反射電子や二次電子検出
信号に基づいて測長を行う方法である。
所で、測定すべきパターンを電子ビームの高倍走査域に
もって来る場合、通常、このパターンが描画された材料
上の適宜位置に予め付されているマークの位置付近を走
査して、このマーク位置を検出し、この位置から、予め
分かっているマーク位置に対するパターンの位置に基づ
いて、この材料を載置しているステージを移動させて、
測定すべきパターンの中心を電子ビームの走査中心にも
って来ている。しかし、材料上でパターンが所定の位置
から僅かにずれた位置に形成される事がある事等から、
パターンの中心が必ずしも高倍走査域（低倍走査域の中
心）に位置しない事がある。
もって来る場合、通常、このパターンが描画された材料
上の適宜位置に予め付されているマークの位置付近を走
査して、このマーク位置を検出し、この位置から、予め
分かっているマーク位置に対するパターンの位置に基づ
いて、この材料を載置しているステージを移動させて、
測定すべきパターンの中心を電子ビームの走査中心にも
って来ている。しかし、材料上でパターンが所定の位置
から僅かにずれた位置に形成される事がある事等から、
パターンの中心が必ずしも高倍走査域（低倍走査域の中
心）に位置しない事がある。
［発明が解決しようとする問題点］
この様な場合、低倍のパターン像を陰極線管画面上で観
察しながら、このパターンの中心が画面の中央に来る様
に、ステージを手動にて移動させている。
察しながら、このパターンの中心が画面の中央に来る様
に、ステージを手動にて移動させている。
しかし、この様な操作には時間が掛かつてしまう。
本発明はこの様な問題を解決する事を目的としたもので
ある。
ある。
［問題点を解決するための手段］
そこで、本発明のパターン測長方法は、荷電粒子ビーム
でパターン上を走査し、この走査によりパターンから発
生した反射電子又は二次電子検出信号に基づいてパター
ンの複数の端部に対応した座標を求め、これらの座標に
基づいてパターンの幅寸法を算出する様にした方法にお
いて、パターン幅寸法測定の前に、パターン幅寸法測定
時より低倍にて測定すべきパターン上を走査し、この走
査により得られる前記検出信号に基づいてパターンの複
数の端部の座標を求め、この座標に基づいてこのパター
ンの中心位置を検出し、この中心位置と荷電粒子ビーム
の走査中心位置とのずれを求め、このずれに対応した分
前記パターンが形成された材料を移動させるか、或いは
前記パターン幅寸法測定時に荷電粒子ビームの走査開始
位置をずらすかした。
でパターン上を走査し、この走査によりパターンから発
生した反射電子又は二次電子検出信号に基づいてパター
ンの複数の端部に対応した座標を求め、これらの座標に
基づいてパターンの幅寸法を算出する様にした方法にお
いて、パターン幅寸法測定の前に、パターン幅寸法測定
時より低倍にて測定すべきパターン上を走査し、この走
査により得られる前記検出信号に基づいてパターンの複
数の端部の座標を求め、この座標に基づいてこのパター
ンの中心位置を検出し、この中心位置と荷電粒子ビーム
の走査中心位置とのずれを求め、このずれに対応した分
前記パターンが形成された材料を移動させるか、或いは
前記パターン幅寸法測定時に荷電粒子ビームの走査開始
位置をずらすかした。
［実施例］
第１図は、本発明のパターン測長方法を実施した装置例
を示したものである。図中１は電子銃で、この電子銃か
ら射出された電子ビームは集束レンズ２により前工程で
パターンが描画された材料３上に集束される。又、この
電子ビームは制御装置４の指令により作動する走査信号
発生回路５からの走査信号に従って作動する偏向器６に
より、前記材Ｆ３１３十を走査する。この走査により前
記材料３上から発生した反射電子は、反射電子検出器７
に検出される。この検出器の出力は、増幅器８を介して
前記制御袋Ｍ４へ送られるのと同時に、前記走査信号発
生回路５から前記偏向器６への出力と同期した出力（走
査信号）が供給されている陰極線管９にも送られる。こ
の陰極線管は、その輝度変調により前記制御装置４から
の指令に従った画面上の位置に、一本のマーカＭが出せ
る様になっている。尚、このマーカＭの位置は外部操作
によってもコントロール出来る様に成しである。
を示したものである。図中１は電子銃で、この電子銃か
ら射出された電子ビームは集束レンズ２により前工程で
パターンが描画された材料３上に集束される。又、この
電子ビームは制御装置４の指令により作動する走査信号
発生回路５からの走査信号に従って作動する偏向器６に
より、前記材Ｆ３１３十を走査する。この走査により前
記材料３上から発生した反射電子は、反射電子検出器７
に検出される。この検出器の出力は、増幅器８を介して
前記制御袋Ｍ４へ送られるのと同時に、前記走査信号発
生回路５から前記偏向器６への出力と同期した出力（走
査信号）が供給されている陰極線管９にも送られる。こ
の陰極線管は、その輝度変調により前記制御装置４から
の指令に従った画面上の位置に、一本のマーカＭが出せ
る様になっている。尚、このマーカＭの位置は外部操作
によってもコントロール出来る様に成しである。
１０は前記材料を載置したステージで、前記制御装置４
の指令により作動するステージ移動機構１１の指令によ
り移動する。
の指令により作動するステージ移動機構１１の指令によ
り移動する。
さて、例えば、第２図（ａ）に示す様なパターンＰ１の
Ｘ方向の幅寸法を測定する場合について以下に説明する
。
Ｘ方向の幅寸法を測定する場合について以下に説明する
。
先ず、制御装置４からの指令を受けた走査信号発生回路
５からの信号により、低倍（例えば５０００倍）にて、
電子ビームは材料３上のパターンＰ１の所定位置上をＸ
方向に走査する。この走査によりパターンＰ１から発生
した反射電子は反射電子検出器７に検出され、増幅器８
を介して前記制御装置４に送られる。この制御装置は、
この様な反射電子に基づいた信号（第２図（ｂ））の内
、負のレベルの信号部分を反転しく第２図（Ｃ））、こ
の第２図（Ｃ）の信号が成る走査時点ｔｏから予め設定
したレベルＬｅに達する時点（ａ）。
５からの信号により、低倍（例えば５０００倍）にて、
電子ビームは材料３上のパターンＰ１の所定位置上をＸ
方向に走査する。この走査によりパターンＰ１から発生
した反射電子は反射電子検出器７に検出され、増幅器８
を介して前記制御装置４に送られる。この制御装置は、
この様な反射電子に基づいた信号（第２図（ｂ））の内
、負のレベルの信号部分を反転しく第２図（Ｃ））、こ
の第２図（Ｃ）の信号が成る走査時点ｔｏから予め設定
したレベルＬｅに達する時点（ａ）。
（ｂ）、（Ｃ）、（ｄ）迄の時間的値（ｔａ、ｔｂ、ｔ
ｃ、ｔｄ）を検出する。これらの時間的値は、ｔｏ時点
からａ、ｂ、ｃ、ｄ時点迄に発生したクロックパルス数
で求められる。これらの検出値ｔａ、ｔｂ、ｔｃ、ｔｄ
から、（ｔａ十ｔｄ）／２の演算を行ない、このパター
ンのＸ方向の中心位置（Ｘｃ ）を求める。この中心位
置までのクロックパルス数を例えば１００とし、前記低
倍（５０００倍）で電子ビームをパターン上で振った時
の全振り幅を２０−１この全振り幅に対応したクロック
パルス数をｉ ｏｏｏとすれば、制御装置４は、次の演
算により、このパターンのＸ方向の中心Ｃ１は、クロッ
クパルス数５００に対応した陰極線管画面の中心Ｃｏｏ
に対し、 ２０Ｘ （５００−１００＞／１０００＝８＋Ｊ左にず
れている事を算出する。
ｃ、ｔｄ）を検出する。これらの時間的値は、ｔｏ時点
からａ、ｂ、ｃ、ｄ時点迄に発生したクロックパルス数
で求められる。これらの検出値ｔａ、ｔｂ、ｔｃ、ｔｄ
から、（ｔａ十ｔｄ）／２の演算を行ない、このパター
ンのＸ方向の中心位置（Ｘｃ ）を求める。この中心位
置までのクロックパルス数を例えば１００とし、前記低
倍（５０００倍）で電子ビームをパターン上で振った時
の全振り幅を２０−１この全振り幅に対応したクロック
パルス数をｉ ｏｏｏとすれば、制御装置４は、次の演
算により、このパターンのＸ方向の中心Ｃ１は、クロッ
クパルス数５００に対応した陰極線管画面の中心Ｃｏｏ
に対し、 ２０Ｘ （５００−１００＞／１０００＝８＋Ｊ左にず
れている事を算出する。
そこで、制御装置４は、ステージ移動機構１１に、ステ
ージ１０がＸ方向右に８（１ｍ移動する様な指令を送る
。この指令により、ステージ１０がＸ方向右に８４移動
するので、パターンＰ１の中心Ｃ１は画面の中心Ｃｏｏ
と一致する。
ージ１０がＸ方向右に８（１ｍ移動する様な指令を送る
。この指令により、ステージ１０がＸ方向右に８４移動
するので、パターンＰ１の中心Ｃ１は画面の中心Ｃｏｏ
と一致する。
次に、第３図（ａ）に示す様に、制御装置４からの指令
を受けた走査信号発生回路５からの信号により、高倍（
例えば５００００倍）にて、電子ビームは月利３上のパ
ターンＰ＋ −の所定位置上をＸ方向に走査する。この
走査によりパターンＰ１−から発生した反射電子は反射
電子検出器７に検出され、増幅器８を介して前記制御装
＠４に送られる。この制御装置は、この様な反射電子に
基づいた信号（第３図（ｂ））の内、負のレベルの信号
部分を反転しく第３図（Ｃ））、この第３図（Ｃ））の
信号が成る走査時点ｔｏ −から予め設定したレベルＬ
ｅに達する時点（ａ−）、（ｂ−）、（ｃ′）、（ｄ−
）迄の時間的値（ｔａ−、ｔｂ−、ｔｃ−、ｔｄ−）を
検出する。これらの時間的値は、ｔｏ ′時点からａ−
、ｂ−、ｃ−、ｄ′時点迄に発生したクロックパルス数
で求められる。これらの検出値ｔａ′、ｔｂ−，ｔｃ−
，ｔｄ′から、（ｔｄ′−ｔａ−）の演算を行ない、こ
れをパターンＰ１の幅寸法とする。
を受けた走査信号発生回路５からの信号により、高倍（
例えば５００００倍）にて、電子ビームは月利３上のパ
ターンＰ＋ −の所定位置上をＸ方向に走査する。この
走査によりパターンＰ１−から発生した反射電子は反射
電子検出器７に検出され、増幅器８を介して前記制御装
＠４に送られる。この制御装置は、この様な反射電子に
基づいた信号（第３図（ｂ））の内、負のレベルの信号
部分を反転しく第３図（Ｃ））、この第３図（Ｃ））の
信号が成る走査時点ｔｏ −から予め設定したレベルＬ
ｅに達する時点（ａ−）、（ｂ−）、（ｃ′）、（ｄ−
）迄の時間的値（ｔａ−、ｔｂ−、ｔｃ−、ｔｄ−）を
検出する。これらの時間的値は、ｔｏ ′時点からａ−
、ｂ−、ｃ−、ｄ′時点迄に発生したクロックパルス数
で求められる。これらの検出値ｔａ′、ｔｂ−，ｔｃ−
，ｔｄ′から、（ｔｄ′−ｔａ−）の演算を行ない、こ
れをパターンＰ１の幅寸法とする。
尚、第４図に示す様な格子状のパターンのＸ方向とＹ方
向の幅寸法を測定しなければならない場合には、前記と
同じ様にして低倍にてＹ方向の位置ずれも算出し、画面
のＸ、Ｙ方向の中心位置に対するＸ、Ｙ方向のパターン
の中心位置ＣＯのずれを算出し、これらの位置ずれに対
応した分ステージをＸ、Ｙ方向に移動させて、測定すべ
きパターンの中心を画面の中心に移動させ、高倍にてそ
のパターンの幅寸法を測定する様にする。
向の幅寸法を測定しなければならない場合には、前記と
同じ様にして低倍にてＹ方向の位置ずれも算出し、画面
のＸ、Ｙ方向の中心位置に対するＸ、Ｙ方向のパターン
の中心位置ＣＯのずれを算出し、これらの位置ずれに対
応した分ステージをＸ、Ｙ方向に移動させて、測定すべ
きパターンの中心を画面の中心に移動させ、高倍にてそ
のパターンの幅寸法を測定する様にする。
又、前記実施例においては、パターンの中心位置と画面
の中心位置とのずれに対応した分ステージを移動させる
様にしたが、ステージを移動させずに、この分走査の開
始位置をずらして、パターン幅寸法測定の為の走査に入
っても良い。
の中心位置とのずれに対応した分ステージを移動させる
様にしたが、ステージを移動させずに、この分走査の開
始位置をずらして、パターン幅寸法測定の為の走査に入
っても良い。
［発明の効果］
パターンの中心を荷電粒子ビームの走査中心に位置させ
る場合、従来の様に、測定すべきパターンが画面の中心
に来る様に、ステージを手動にて移動させる様な事はせ
ず、自動的に行なっているので、操作には時間が掛から
ず、オペレータに何ら負担も掛らない。
る場合、従来の様に、測定すべきパターンが画面の中心
に来る様に、ステージを手動にて移動させる様な事はせ
ず、自動的に行なっているので、操作には時間が掛から
ず、オペレータに何ら負担も掛らない。
第１図は本発明のパターン測長方法を実施した装置例を
示したもの、第２図及び第３図は本発明の詳細な説明を
補足する為のもの、第４図は他のパターン例を示したも
のである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３：材料４：制御装
置 ５：走査信号発生回路 ６：偏向器 ７：反
射電子検出器 ８：増幅器９：陰極線管 １０：ス
テージ １１：ステージ移動機構 第２図
示したもの、第２図及び第３図は本発明の詳細な説明を
補足する為のもの、第４図は他のパターン例を示したも
のである。 １：電子銃 ２：集束レンズ ３：材料４：制御装
置 ５：走査信号発生回路 ６：偏向器 ７：反
射電子検出器 ８：増幅器９：陰極線管 １０：ス
テージ １１：ステージ移動機構 第２図
Claims (1)
- 荷電粒子ビームでパターン上を走査し、この走査により
パターンから発生した反射電子又は二次電子検出信号に
基づいてパターンの複数の端部に対応した座標を求め、
これらの座標に基づいてパターンの幅寸法を算出する様
にした方法において、パターン幅寸法測定の前に、パタ
ーン幅寸法測定時より低倍にて測定すべきパターン上を
走査し、この走査により得られる前記検出信号に基づい
てパターンの複数の端部の座標を求め、この座標に基づ
いてこのパターンの中心位置を検出し、この中心位置と
荷電粒子ビームの走査中心位置とのずれを求め、このず
れに対応した分前記パターンが形成された材料を移動さ
せるか、或いは前記パターン幅寸法測定時に荷電粒子ビ
ームの走査開始位置をずらすかしたパターン測長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202415A JPS6262207A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | パタ−ン測長方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60202415A JPS6262207A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | パタ−ン測長方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262207A true JPS6262207A (ja) | 1987-03-18 |
| JPH0445083B2 JPH0445083B2 (ja) | 1992-07-23 |
Family
ID=16457125
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60202415A Granted JPS6262207A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | パタ−ン測長方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262207A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011247603A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線を用いた試料検査方法および検査装置ならびに欠陥レビュー装置 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106162A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Toshiba Corp | Electron beam meter |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP60202415A patent/JPS6262207A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS53106162A (en) * | 1977-02-28 | 1978-09-14 | Toshiba Corp | Electron beam meter |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011247603A (ja) * | 2010-05-24 | 2011-12-08 | Hitachi High-Technologies Corp | 荷電粒子線を用いた試料検査方法および検査装置ならびに欠陥レビュー装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0445083B2 (ja) | 1992-07-23 |
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