JPS6262582A - 埋め込み型半導体レ−ザ素子 - Google Patents
埋め込み型半導体レ−ザ素子Info
- Publication number
- JPS6262582A JPS6262582A JP20263185A JP20263185A JPS6262582A JP S6262582 A JPS6262582 A JP S6262582A JP 20263185 A JP20263185 A JP 20263185A JP 20263185 A JP20263185 A JP 20263185A JP S6262582 A JPS6262582 A JP S6262582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- edge
- layer
- channels
- grown
- mesa
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 11
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 claims abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 7
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 abstract description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract 1
- 241000238557 Decapoda Species 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は光フアイバー通信に関し、特に長距離大容量通
信に用いられるＤＣ−ＰＢＨ型レーザの構造に関する。
信に用いられるＤＣ−ＰＢＨ型レーザの構造に関する。
従来、このＤＣ−ＰＢＨ型レーザ構成はダブルヘテロエ
ビウェハースにダブルチャンネルを形成し、これをさら
に液相エビによシ埋め込む形でなされている。この時の
ダブルチャンネルの形状は内側の縁も、外側の縁もほぼ
直角の鋭角をなす左右対称形となっていた。
ビウェハースにダブルチャンネルを形成し、これをさら
に液相エビによシ埋め込む形でなされている。この時の
ダブルチャンネルの形状は内側の縁も、外側の縁もほぼ
直角の鋭角をなす左右対称形となっていた。
上述した従来のダブルチャンネルの形状は、第３図に示
すように内側の縁も外側の縁も直角に近い鋭角をなし対
称形となっている。このダブルチャンネル構造の基板に
液相エビ成長を行い、第４図に示す構造のＤＣ−ＰＢＨ
レーザを形成する。この時成長によシミ流ブロック層を
形成するが、このブロック層はメサトップには成長せず
チャンネル内及びダブルチャンネルの外側の平担部分に
は成長する構造とならなければならない。しかしながら
第３図の従来型ではダブルチャンネルの内側と外側の縁
が鋭角で対称の構造となっている為、メサトップ上に成
長しない様な条件を選ぶと両肩が切れ易くなり、肩が切
れＫ＜くなる様な条件を選ぶとメサトップ上に成長し易
くなる。メサトップ上にブロック層が成長した場合直列
抵抗が増大し、レーザとして動作しにくくなる。第３図
に示す対称形のダブルチャンネルの構造では、第４図に
示すＤＣ−ＰＢＨ構造が出来るのは面積の小さいメサト
ップ上がダブルチャンネルの外側の面積の非常に広い平
担部分と比較しエビ成長しにくい為である。以上の様に
微妙なバランスによシ形成される構造では生産上工程能
力が低く安定して生産出来ないという欠点がある。
すように内側の縁も外側の縁も直角に近い鋭角をなし対
称形となっている。このダブルチャンネル構造の基板に
液相エビ成長を行い、第４図に示す構造のＤＣ−ＰＢＨ
レーザを形成する。この時成長によシミ流ブロック層を
形成するが、このブロック層はメサトップには成長せず
チャンネル内及びダブルチャンネルの外側の平担部分に
は成長する構造とならなければならない。しかしながら
第３図の従来型ではダブルチャンネルの内側と外側の縁
が鋭角で対称の構造となっている為、メサトップ上に成
長しない様な条件を選ぶと両肩が切れ易くなり、肩が切
れＫ＜くなる様な条件を選ぶとメサトップ上に成長し易
くなる。メサトップ上にブロック層が成長した場合直列
抵抗が増大し、レーザとして動作しにくくなる。第３図
に示す対称形のダブルチャンネルの構造では、第４図に
示すＤＣ−ＰＢＨ構造が出来るのは面積の小さいメサト
ップ上がダブルチャンネルの外側の面積の非常に広い平
担部分と比較しエビ成長しにくい為である。以上の様に
微妙なバランスによシ形成される構造では生産上工程能
力が低く安定して生産出来ないという欠点がある。
本発明の半導体レーザ素子は、第１導電型半導体基板上
に少なくとも活性層を含む半導体多層膜を積層させた多
層膜構造半導体ウェハースに前記活性層よりも深い２本
の平行した溝によって挾まれたメサストライプを形成し
た後埋め込み成長してなる埋め込みヘテロ構造半導体レ
ーザにおいて、前記平行な溝の少なくとも前記メサスト
ライプに近い方の縁を直角に近い鋭角とし、遠い方の縁
を丸に近い鈍角の構造を有している。
に少なくとも活性層を含む半導体多層膜を積層させた多
層膜構造半導体ウェハースに前記活性層よりも深い２本
の平行した溝によって挾まれたメサストライプを形成し
た後埋め込み成長してなる埋め込みヘテロ構造半導体レ
ーザにおいて、前記平行な溝の少なくとも前記メサスト
ライプに近い方の縁を直角に近い鋭角とし、遠い方の縁
を丸に近い鈍角の構造を有している。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第１図、第２図は本発明の一実施例の断面図である。第
１図はダブルチャンネルを形成した所の断面図で、第２
図はそれに埋め込み成長を行つ、九所の断面図である。
１図はダブルチャンネルを形成した所の断面図で、第２
図はそれに埋め込み成長を行つ、九所の断面図である。
ｎ型ＩｎＰサブ１１上にｎ型ＩｎＰ層１２ 、 Ｉｎ
ＧａＡｓＰ活性層１３．Ｐ型ＩｎＰ層１４を順次成長し
ＰＲとエツチングを行いダブルチャンネル１５を形成す
る。この時メサトップ側の内側の縁１６を直角に近い鋭
角にし、外側の縁１７は九忙近い鈍角にする。第１図の
形状にしたダブルチャンネルを液相エビ成長で埋め込む
。この時ｎブロック層１８はメサトップ１９には成長せ
ず、それ以外の所では切れずに継がっていなければなら
ない。メサトップ側の縁１６の角は直角に近い鋭角であ
るのでチャンネルがほぼ埋まるまでは成長層が切れ易く
、メサトップ上には成長しにくい。
ＧａＡｓＰ活性層１３．Ｐ型ＩｎＰ層１４を順次成長し
ＰＲとエツチングを行いダブルチャンネル１５を形成す
る。この時メサトップ側の内側の縁１６を直角に近い鋭
角にし、外側の縁１７は九忙近い鈍角にする。第１図の
形状にしたダブルチャンネルを液相エビ成長で埋め込む
。この時ｎブロック層１８はメサトップ１９には成長せ
ず、それ以外の所では切れずに継がっていなければなら
ない。メサトップ側の縁１６の角は直角に近い鋭角であ
るのでチャンネルがほぼ埋まるまでは成長層が切れ易く
、メサトップ上には成長しにくい。
−言外側の縁１７は丸に近い鈍角になっているのでチャ
ンネル内外でエビ層が継かり易い。そのためダブルチャ
ンネルの内外の縁の形を変えることにより第２図の様な
りＣ−ＰＢＨ構造が容易に得られるようになる。
ンネル内外でエビ層が継かり易い。そのためダブルチャ
ンネルの内外の縁の形を変えることにより第２図の様な
りＣ−ＰＢＨ構造が容易に得られるようになる。
以上説明したように、本発明はダブルチャンネルの内側
の縁を直角に近い鋭角に、外側の縁を丸に近い鈍角にす
ることにより、液相エビの埋め込み成長において電流ブ
ロック層がダブルチャンネルの内側のメサトップ上には
成長せず他の部分では切れることなく一様に成長出来、
ＤＣ−ＰＢＨ構造を容易に形成することが出来る効果が
ある。
の縁を直角に近い鋭角に、外側の縁を丸に近い鈍角にす
ることにより、液相エビの埋め込み成長において電流ブ
ロック層がダブルチャンネルの内側のメサトップ上には
成長せず他の部分では切れることなく一様に成長出来、
ＤＣ−ＰＢＨ構造を容易に形成することが出来る効果が
ある。
本実施例の説明では、ｎ型基板を用いたＤＣ−ＰＢＨ構
造に関して説明したが、Ｐ型基板を用いたＤＣ−ＰＢＨ
構造の場合でも、本発明の構造は同様の効果を有するこ
とは明らかである。
造に関して説明したが、Ｐ型基板を用いたＤＣ−ＰＢＨ
構造の場合でも、本発明の構造は同様の効果を有するこ
とは明らかである。
第１図、第２図は本発明の一実施例を説明するための断
面図で、第３図、第４図は従来の技術を説明するための
断面図である。 ここで第１図、第３図はダブルチャンネルを形成した所
の断面図であ＃）、第２図、第４図はこれらのダブルナ
ヤンネルを液相エビ成長で埋め込んだ所の図である。 １１−・−−−−ＩｎＰ基板、１２−・・・・ｎ型Ｔ、
ｎＰ層、１３・−−−−・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１４
−・−Ｐ型ＩｎＰＮｊ、 １５・・・・・・ダブルチャ
ンネル、１６・・・・・・内側の縁、１７・・・・・・
外側の縁、１８・・・・〜・ｎ型ブロツク層、１９・・
・・・・メサトップ領域である。
面図で、第３図、第４図は従来の技術を説明するための
断面図である。 ここで第１図、第３図はダブルチャンネルを形成した所
の断面図であ＃）、第２図、第４図はこれらのダブルナ
ヤンネルを液相エビ成長で埋め込んだ所の図である。 １１−・−−−−ＩｎＰ基板、１２−・・・・ｎ型Ｔ、
ｎＰ層、１３・−−−−・ＩｎＧａＡｓＰ活性層、１４
−・−Ｐ型ＩｎＰＮｊ、 １５・・・・・・ダブルチャ
ンネル、１６・・・・・・内側の縁、１７・・・・・・
外側の縁、１８・・・・〜・ｎ型ブロツク層、１９・・
・・・・メサトップ領域である。
Claims (1)
- 第１導電型半導体基板上に少なくとも活性層を含む半導
体層膜を積層させた多層膜構造半導体ウェハースに前記
活性層よりも深い２本の平行した溝によって挾まれたメ
サストライプを形成した後埋め込み成長してなる埋め込
みヘテロ構造半導体レーザにおいて前記平行な溝の少な
くとも前記メサストライプに近い方の縁を直角に近い鋭
角とし、遠い方の縁を丸に近い鈍角の構造を有すること
を特徴とする埋め込み型半導体レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20263185A JPS6262582A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 埋め込み型半導体レ−ザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20263185A JPS6262582A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 埋め込み型半導体レ−ザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6262582A true JPS6262582A (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=16460544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20263185A Pending JPS6262582A (ja) | 1985-09-12 | 1985-09-12 | 埋め込み型半導体レ−ザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6262582A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442601B1 (ko) * | 2002-05-29 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 더블 트랜치 구조의 반도체 레이저 제작 방법 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142589A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-24 | Nec Corp | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法 |
-
1985
- 1985-09-12 JP JP20263185A patent/JPS6262582A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58142589A (ja) * | 1982-02-19 | 1983-08-24 | Nec Corp | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザの製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100442601B1 (ko) * | 2002-05-29 | 2004-08-02 | 삼성전자주식회사 | 더블 트랜치 구조의 반도체 레이저 제작 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS63284878A (ja) | 埋込み活性層をもつレーザダイオードの製造方法 | |
| JPS6262582A (ja) | 埋め込み型半導体レ−ザ素子 | |
| JPH059951B2 (ja) | ||
| JPS6237911B2 (ja) | ||
| US5111471A (en) | Semiconductor laser device | |
| JPS61210689A (ja) | 半導体レ−ザの構造及び製造方法 | |
| JPS62230078A (ja) | 埋込み型半導体レ−ザ素子 | |
| JPS63169086A (ja) | 埋込型半導体レ−ザの製造方法 | |
| JPS5884483A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPS6119186A (ja) | 二波長モノリシツク半導体レ−ザアレイの製造方法 | |
| JPS63169093A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JPS61247084A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPS63261773A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH0697707B2 (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPH027488A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レーザ | |
| JPS62259490A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPH02103989A (ja) | 半導体レーザアレイ及びその製造方法 | |
| JPS58148481A (ja) | 埋め込みヘテロ構造半導体レ−ザ | |
| JPS59148382A (ja) | 注入形レ−ザの製造方法 | |
| JPS62217690A (ja) | 半導体発光装置及びその製造方法 | |
| JPH0243789A (ja) | 埋込型半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS63244785A (ja) | 半導体発光素子及びその製造方法 | |
| JPS61135181A (ja) | 半導体発光装置 | |
| JPS61191090A (ja) | 光集積回路およびその製造方法 | |
| JPH02156591A (ja) | 半導体レーザ |