JPS626376B2 - - Google Patents
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- JPS626376B2 JPS626376B2 JP18030181A JP18030181A JPS626376B2 JP S626376 B2 JPS626376 B2 JP S626376B2 JP 18030181 A JP18030181 A JP 18030181A JP 18030181 A JP18030181 A JP 18030181A JP S626376 B2 JPS626376 B2 JP S626376B2
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 8
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 5
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/501—Structural aspects
- H04B10/502—LED transmitters
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04B—TRANSMISSION
- H04B10/00—Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
- H04B10/50—Transmitters
- H04B10/58—Compensation for non-linear transmitter output
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Networks & Wireless Communication (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Cable Transmission Systems, Equalization Of Radio And Reduction Of Echo (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光通信装置に用いられる光送信装置の
歪補償回路の改良に関するものである。
歪補償回路の改良に関するものである。
発光ダイオードや半導体レーザなどの光源用デ
バイスを用いてアナログ信号伝送用光送信装置を
構成する場合、光源用デバイスの発生する歪が大
きくてそのままでは良好なアナログ信号伝送特性
を得ることはむづかしい。そこでこの歪特性を補
償するために負帰還法、フイードフオワード法、
およびプリデイストーシヨン法等が用いられてい
るが、負帰還法は帰還ループの伝達時間による制
限からその取り扱える周波数範囲が狭く、またフ
イードフオワード法は回路が複雑になるという欠
点があるため、最近では３番目のプリデイストー
シヨン法が比較的よく用いられている。これは光
源の発生する歪をプリデイストーシヨン回路と呼
ばれる非線形回路で発生した歪で打ち消すように
構成したものである。しかしながらこの方式にお
いては、あとに詳しく説明するが、正確な補償を
するには回路規模が大きくなり、非線形特性の調
整が調整箇所が多い上調整方法が難かしく、又歪
補償特性の温度特性を良くすることが難かしかつ
た。
バイスを用いてアナログ信号伝送用光送信装置を
構成する場合、光源用デバイスの発生する歪が大
きくてそのままでは良好なアナログ信号伝送特性
を得ることはむづかしい。そこでこの歪特性を補
償するために負帰還法、フイードフオワード法、
およびプリデイストーシヨン法等が用いられてい
るが、負帰還法は帰還ループの伝達時間による制
限からその取り扱える周波数範囲が狭く、またフ
イードフオワード法は回路が複雑になるという欠
点があるため、最近では３番目のプリデイストー
シヨン法が比較的よく用いられている。これは光
源の発生する歪をプリデイストーシヨン回路と呼
ばれる非線形回路で発生した歪で打ち消すように
構成したものである。しかしながらこの方式にお
いては、あとに詳しく説明するが、正確な補償を
するには回路規模が大きくなり、非線形特性の調
整が調整箇所が多い上調整方法が難かしく、又歪
補償特性の温度特性を良くすることが難かしかつ
た。
したがつて本発明の目的は回路規模が大となら
ず、調整が簡単で、而も周囲温度の変化に対して
安定な特性を有する歪補償回路を得ようとするも
のである。
ず、調整が簡単で、而も周囲温度の変化に対して
安定な特性を有する歪補償回路を得ようとするも
のである。
本発明によれば発光ダイオード、半導体レーザ
などの光源デバイスで電気信号を光信号に変換す
る際に該光源デバイスで発生する歪成分を補償す
るための歪補償回路において、前記電気信号を入
力信号とし、前記光源デバイスを駆動するための
信号を出力信号とし、さらに帰還量で増幅度が決
まるように構成されている帰還形増幅器と、前記
帰還量を与える回路中に、制御電圧の変化による
ドレイン・ソース間抵抗の変化が前記帰還量の変
化となるように配置された電界効果トランジスタ
と、前記制御電圧を与える制御電圧発生回路とを
有することを特徴とする歪補償回路が得られる。
などの光源デバイスで電気信号を光信号に変換す
る際に該光源デバイスで発生する歪成分を補償す
るための歪補償回路において、前記電気信号を入
力信号とし、前記光源デバイスを駆動するための
信号を出力信号とし、さらに帰還量で増幅度が決
まるように構成されている帰還形増幅器と、前記
帰還量を与える回路中に、制御電圧の変化による
ドレイン・ソース間抵抗の変化が前記帰還量の変
化となるように配置された電界効果トランジスタ
と、前記制御電圧を与える制御電圧発生回路とを
有することを特徴とする歪補償回路が得られる。
次に図面を参照して詳細に説明する。
第１図は従来の歪補償回路の構成を示した図で
ある。第１図の従来の歪補償回路は、発光ダイオ
ード（LED）１と、信号Ｓを入力して動作する
トランジスタ２と、発光ダイオード１の発生する
歪を補償する非線形回路３とを有しており、而し
てこの非線形回路３はこの場合３個の可変抵抗４
と、３個のダイオード５と、３個のバイアス電源
６と、固定抵抗７とから成つている。Ｂは発光ダ
イオード１のバイアス電源である。
ある。第１図の従来の歪補償回路は、発光ダイオ
ード（LED）１と、信号Ｓを入力して動作する
トランジスタ２と、発光ダイオード１の発生する
歪を補償する非線形回路３とを有しており、而し
てこの非線形回路３はこの場合３個の可変抵抗４
と、３個のダイオード５と、３個のバイアス電源
６と、固定抵抗７とから成つている。Ｂは発光ダ
イオード１のバイアス電源である。
上記の構成において、非線形回路３の非線形等
性は可変抵抗４およびバイアス電源６のそれぞれ
の値を調整することにより、ある程度希望する特
性にすることができるが、この非線形回路が折れ
線近似とよばれる近似方法をとつているために、
正確な歪補償には可変抵抗、ダイオード、バイア
ス電源からなる直列回路をなるべく多くして折れ
線の数を増やす必要がある。また、品種毎に、さ
らには同一品種でも単体毎に異なる非線形特性を
もつ光源デバイスにこの回路を適用するために
は、光源デバイスを取換える度にこの非線形特性
をいずれも３つある可変抵抗４の抵抗値とバイア
ス電源６の電圧を変えて調整しなおす必要があ
る。
性は可変抵抗４およびバイアス電源６のそれぞれ
の値を調整することにより、ある程度希望する特
性にすることができるが、この非線形回路が折れ
線近似とよばれる近似方法をとつているために、
正確な歪補償には可変抵抗、ダイオード、バイア
ス電源からなる直列回路をなるべく多くして折れ
線の数を増やす必要がある。また、品種毎に、さ
らには同一品種でも単体毎に異なる非線形特性を
もつ光源デバイスにこの回路を適用するために
は、光源デバイスを取換える度にこの非線形特性
をいずれも３つある可変抵抗４の抵抗値とバイア
ス電源６の電圧を変えて調整しなおす必要があ
る。
上記のようなことから従来の回路では、先に簡
単に説明したが、次のような欠点があつた。すな
わち正確な補償をするには回路規模が大きくな
り、又非線形特性の調整をするための調整箇所が
多くて調整方法がむづかしく、更に、LEDの歪
特性が温度で変化するので、補償回路の非線形特
性を温度によつて正確に変化させることが調整箇
所が多過ぎるために困難であつて、歪補償特性の
温度特性を良くすることがむづかしかつたのであ
る。
単に説明したが、次のような欠点があつた。すな
わち正確な補償をするには回路規模が大きくな
り、又非線形特性の調整をするための調整箇所が
多くて調整方法がむづかしく、更に、LEDの歪
特性が温度で変化するので、補償回路の非線形特
性を温度によつて正確に変化させることが調整箇
所が多過ぎるために困難であつて、歪補償特性の
温度特性を良くすることがむづかしかつたのであ
る。
第２図は本発明第１の実施例の回路構成をあら
わした図である。入力信号Ｓは増幅器１１で増幅
され、抵抗１２を通してLED１３に加えられ
る。LED１３は抵抗１４を通してバイアス電流
Ｂが加えられている。増幅器１１の出力端子から
抵抗値がR1の抵抗（これをR1であらわす、以下
同様）の接続された負側の入力端子へは、一方は
抵抗R2を通し他方は抵抗R3と電界効果トランジ
スタ（FET）１５の直列回路を通して信号が帰
還されているため、この段での増幅度Ａは、負帰
還増幅器の増幅度の計算方法により、 Ａ＝１＋Ｒ２（Ｒ３＋ｒ）／Ｒ１（Ｒ２＋Ｒ３
＋ｒ） となる。ただしｒはFET１５のドレイン・ソー
ス間抵抗値である。ところでFETのドレイン・
ソース間抵抗ｒはゲートに加えられた制御電圧Ｖ
cによつてほぼ決定するが、ソース・ドレイン間
電圧によつても多少変化する。すなわち、FET
１５を抵抗値ｒの抵抗体と見たとき、端子電圧に
より抵抗値が変化する。これは抵抗R3とFET１
５の直列回路の電流、電圧特性が非線形性をもつ
ていることを意味する。したがつて前述した第２
図の中の帰還増幅器の増幅度も、前記の増幅度の
式にしたがつて非線形を示すことになる。
わした図である。入力信号Ｓは増幅器１１で増幅
され、抵抗１２を通してLED１３に加えられ
る。LED１３は抵抗１４を通してバイアス電流
Ｂが加えられている。増幅器１１の出力端子から
抵抗値がR1の抵抗（これをR1であらわす、以下
同様）の接続された負側の入力端子へは、一方は
抵抗R2を通し他方は抵抗R3と電界効果トランジ
スタ（FET）１５の直列回路を通して信号が帰
還されているため、この段での増幅度Ａは、負帰
還増幅器の増幅度の計算方法により、 Ａ＝１＋Ｒ２（Ｒ３＋ｒ）／Ｒ１（Ｒ２＋Ｒ３
＋ｒ） となる。ただしｒはFET１５のドレイン・ソー
ス間抵抗値である。ところでFETのドレイン・
ソース間抵抗ｒはゲートに加えられた制御電圧Ｖ
cによつてほぼ決定するが、ソース・ドレイン間
電圧によつても多少変化する。すなわち、FET
１５を抵抗値ｒの抵抗体と見たとき、端子電圧に
より抵抗値が変化する。これは抵抗R3とFET１
５の直列回路の電流、電圧特性が非線形性をもつ
ていることを意味する。したがつて前述した第２
図の中の帰還増幅器の増幅度も、前記の増幅度の
式にしたがつて非線形を示すことになる。
第３図は上記の帰還増幅器にビデオ信号VSを
通し、その信号レベルと歪補償（DG）特性を信
号VSのレベルを０（黒に相当）から実用上の最
大値（白に相当）まで変えて測定した結果を示
す。図から分るように、FET１５の非線形性の
ために右上がりのDG特性が実現されている。な
お、このDG特性は制御電圧Ｖcの値で変えること
ができ、Ｖc＝5Vの非線形特性のない状態からＶc
＝2VのDG特性が４％となる状態まで、広い範囲
をカバーできる。このため、本実施例の回路は右
下がりのDG特性をもつ多くの品種の光源デバイ
スの歪補償回路として有効である。
通し、その信号レベルと歪補償（DG）特性を信
号VSのレベルを０（黒に相当）から実用上の最
大値（白に相当）まで変えて測定した結果を示
す。図から分るように、FET１５の非線形性の
ために右上がりのDG特性が実現されている。な
お、このDG特性は制御電圧Ｖcの値で変えること
ができ、Ｖc＝5Vの非線形特性のない状態からＶc
＝2VのDG特性が４％となる状態まで、広い範囲
をカバーできる。このため、本実施例の回路は右
下がりのDG特性をもつ多くの品種の光源デバイ
スの歪補償回路として有効である。
第４図は本発明第２の実施例の構成を示した図
であり、第２図と同じ部品には同じ参照数字を付
してある。図から分るように、第２図で増幅器１
１の出力端子と入力端子間に挿入されていた
FET１５と抵抗R3の直列回路が、この場合入力
端子と接地を接続する枝路にFET１５と抵抗R4
の直列回路として挿入されている。ただし抵抗
R3と抵抗R4の抵抗値は必ずしも等しくはない。
この構成における負帰還増幅器が非線形特性を示
す理由は、第２図の場合と同じく、負帰還量が非
線形性をもつことに起因する。ただし、非線形回
路の挿入位置のちがいにより、第２図と第３図で
はちようど逆極性の非線形特性を示す。これを第
３図に示したDG特性で比較すると、第２図のDG
特性が右上りなのに対し、第４図のDG特性は右
下がりになつている。このため、この実施例の回
路はDG特性が右上がりを示す光源デバイスの歪
補償に有効である。
であり、第２図と同じ部品には同じ参照数字を付
してある。図から分るように、第２図で増幅器１
１の出力端子と入力端子間に挿入されていた
FET１５と抵抗R3の直列回路が、この場合入力
端子と接地を接続する枝路にFET１５と抵抗R4
の直列回路として挿入されている。ただし抵抗
R3と抵抗R4の抵抗値は必ずしも等しくはない。
この構成における負帰還増幅器が非線形特性を示
す理由は、第２図の場合と同じく、負帰還量が非
線形性をもつことに起因する。ただし、非線形回
路の挿入位置のちがいにより、第２図と第３図で
はちようど逆極性の非線形特性を示す。これを第
３図に示したDG特性で比較すると、第２図のDG
特性が右上りなのに対し、第４図のDG特性は右
下がりになつている。このため、この実施例の回
路はDG特性が右上がりを示す光源デバイスの歪
補償に有効である。
第５図は本発明第３の実施例の構成をあらわし
た図である。第１、第２の実施例では帰還量に非
線形性を持たせるために抵抗R1あるいは抵抗R2
に並列に非線形回路を接続したが、この第３の実
施例ではこれを抵抗R5と抵抗R6とFET１５の直
列回路による分圧回路により行つている。なお、
本実施例の回路はDG特性の傾きが第２の実施例
の場合と同じく右下りの特性を示すことから、右
上りのDG特性をもつ光源デバイスの歪補償に有
効である。
た図である。第１、第２の実施例では帰還量に非
線形性を持たせるために抵抗R1あるいは抵抗R2
に並列に非線形回路を接続したが、この第３の実
施例ではこれを抵抗R5と抵抗R6とFET１５の直
列回路による分圧回路により行つている。なお、
本実施例の回路はDG特性の傾きが第２の実施例
の場合と同じく右下りの特性を示すことから、右
上りのDG特性をもつ光源デバイスの歪補償に有
効である。
前述した第１から第３の実施例では、帰還増幅
器の帰還回路にFETを用いて非線形性をもたせ
ることによりLEDと反対の歪特性を作つている
が、これは従来の回路に比較して回路構成が簡単
であり、又調整箇所が少く、而も多品種の光源デ
バイスの歪補償に適用する際もFETのゲート電
圧を変えるだけで済むので簡単である。
器の帰還回路にFETを用いて非線形性をもたせ
ることによりLEDと反対の歪特性を作つている
が、これは従来の回路に比較して回路構成が簡単
であり、又調整箇所が少く、而も多品種の光源デ
バイスの歪補償に適用する際もFETのゲート電
圧を変えるだけで済むので簡単である。
またLEDの歪特性は一般に温度によつて変化
するが、本発明の回路ではFETの制御電圧を変
えることにより簡単にDG特性を変化することが
できるため、この電圧を温度に応じて変化させる
ことにより広い温度範囲にわたる歪補償が実現で
きる。
するが、本発明の回路ではFETの制御電圧を変
えることにより簡単にDG特性を変化することが
できるため、この電圧を温度に応じて変化させる
ことにより広い温度範囲にわたる歪補償が実現で
きる。
第６図はこのための制御電圧発生回路の１例を
示す図である。これは、電圧Ｂを抵抗１６とサー
ミスタ１７で分割し、増幅器１８で増幅して制御
電圧Ｖcを得るものである。すなわちサーミスタ
の温度特性を適当に選ぶことにより、制御電圧Ｖ
cをDGの値が所望の大きさになるように変化させ
ることができる。
示す図である。これは、電圧Ｂを抵抗１６とサー
ミスタ１７で分割し、増幅器１８で増幅して制御
電圧Ｖcを得るものである。すなわちサーミスタ
の温度特性を適当に選ぶことにより、制御電圧Ｖ
cをDGの値が所望の大きさになるように変化させ
ることができる。
以上述べたように本発明は構成が簡単で且つ調
整しやすい歪補償回路であり、さらに、温度特性
のすぐれた歪補償回路を提供する。このため、た
とえばビデオ信号等のアナログ信号用光送信装置
を小形化でき、多品種の光源デバイスに対応でき
る歪補償回路をもつ光送信装置を構成でき、更に
温度特性のすぐれた、低歪特性の光送信装置を提
供することができる。
整しやすい歪補償回路であり、さらに、温度特性
のすぐれた歪補償回路を提供する。このため、た
とえばビデオ信号等のアナログ信号用光送信装置
を小形化でき、多品種の光源デバイスに対応でき
る歪補償回路をもつ光送信装置を構成でき、更に
温度特性のすぐれた、低歪特性の光送信装置を提
供することができる。
第１図は従来の歪補償回路の構成をあらわした
図、第２図は本発明の第１の実施例の構成をあら
わした図、第３図は第１の実施例の歪補償特性を
示した図、第４図および第５図は本発明の第２お
よび第３の実施例の構成をそれぞれあらわした
図、第６図は歪補償回路に用いられるFETの制
御電圧を発生する回路の構成の一例を示した図で
ある。 記号の説明：１１は増幅器、１２は抵抗、１３
はLED、１５はFET、１７はサーミスタ、１８
は増幅器、R1〜R6は抵抗（値）、ｒはFET１５の
ドレイン・ソース間抵抗、Ｖcは制御電圧制御電
圧をそれぞれあらわしている。
図、第２図は本発明の第１の実施例の構成をあら
わした図、第３図は第１の実施例の歪補償特性を
示した図、第４図および第５図は本発明の第２お
よび第３の実施例の構成をそれぞれあらわした
図、第６図は歪補償回路に用いられるFETの制
御電圧を発生する回路の構成の一例を示した図で
ある。 記号の説明：１１は増幅器、１２は抵抗、１３
はLED、１５はFET、１７はサーミスタ、１８
は増幅器、R1〜R6は抵抗（値）、ｒはFET１５の
ドレイン・ソース間抵抗、Ｖcは制御電圧制御電
圧をそれぞれあらわしている。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 発光ダイオード、半導体レーザなどの光源デ
バイスで電気信号を光信号に変換する際に該光源
デバイスで発生する歪成分を補償するための歪補
償回路において、前記電気信号を入力信号とし、
前記光源デバイスを駆動するための信号を出力信
号とし、さらに帰還量で増幅度が決まるように構
成されている帰還形増幅器と、前記帰還量を与え
る回路中に、制御電圧の変化によるドレイン・ソ
ース間抵抗の変化が前記帰還量の変化となるよう
に配置された電界効果トランジスタと、 前記制御電圧を与える制御電圧発生回路とを有
することを特徴とする歪補償回路。 ２ 前記制御電圧が周囲温度と共に変化するよう
な制御電圧であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項の歪補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180301A JPS5883445A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 歪補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56180301A JPS5883445A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 歪補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883445A JPS5883445A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS626376B2 true JPS626376B2 (ja) | 1987-02-10 |
Family
ID=16080804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56180301A Granted JPS5883445A (ja) | 1981-11-12 | 1981-11-12 | 歪補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5883445A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8301484A (nl) * | 1983-04-27 | 1984-11-16 | Philips Nv | Optische zender. |
| JPS60150845U (ja) * | 1984-03-17 | 1985-10-07 | ソニー株式会社 | 光通信用発光ダイオ−ドの非線形歪補償回路 |
| JPS62272631A (ja) * | 1986-05-20 | 1987-11-26 | Fujitsu Ltd | 歪発生回路 |
-
1981
- 1981-11-12 JP JP56180301A patent/JPS5883445A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5883445A (ja) | 1983-05-19 |
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