JPS6263918A - 液晶素子 - Google Patents
液晶素子Info
- Publication number
- JPS6263918A JPS6263918A JP60203994A JP20399485A JPS6263918A JP S6263918 A JPS6263918 A JP S6263918A JP 60203994 A JP60203994 A JP 60203994A JP 20399485 A JP20399485 A JP 20399485A JP S6263918 A JPS6263918 A JP S6263918A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- crystal element
- color filter
- element according
- linear expansion
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/133345—Insulating layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶素子に関し、特にカラーディスプレイ装
置に適したカラー液晶素−イに関する。
置に適したカラー液晶素−イに関する。
従来、液晶カラーディスプレイ装置で用いていた液晶素
子は、マトリクス電極パターンの対向電極部分とその間
に位置する液晶とによって形成した画素と該画素毎に設
けたカラーフィルター層とを有している。この際、カラ
ーフィルター層は、前述の画素を形成している電極の上
か、又は電極と基板との間に配置する方法が採用されて
いる。このカラーフィルター層は、画素毎に青色（Ｂ）
フィルター、緑色（Ｇ）フィルターと赤色（Ｒ）フィル
ターがストライプ形状メはモザイク形状で配置され、画
素の選択的な光学スイツフーングによ−）で所［′７Ｊ
とするカテー映像ディスプレイやカラーノ９゛ラフイツ
ノ７′７″イスプし、・イが行なわれる。
子は、マトリクス電極パターンの対向電極部分とその間
に位置する液晶とによって形成した画素と該画素毎に設
けたカラーフィルター層とを有している。この際、カラ
ーフィルター層は、前述の画素を形成している電極の上
か、又は電極と基板との間に配置する方法が採用されて
いる。このカラーフィルター層は、画素毎に青色（Ｂ）
フィルター、緑色（Ｇ）フィルターと赤色（Ｒ）フィル
ターがストライプ形状メはモザイク形状で配置され、画
素の選択的な光学スイツフーングによ−）で所［′７Ｊ
とするカテー映像ディスプレイやカラーノ９゛ラフイツ
ノ７′７″イスプし、・イが行なわれる。
〔発明が解決１．ようとする問題点〕
しかしながら、これまでのカラーディスプレイ装置で用
いていた液晶素ｆは、開［１時にお（Ｊる画素の透過率
が小さく、このためカラーギイスプし・イ装置では高輝
度のバックライトを心安としていた。
いていた液晶素ｆは、開［１時にお（Ｊる画素の透過率
が小さく、このためカラーギイスプし・イ装置では高輝
度のバックライトを心安としていた。
前述の問題点に対し、て、未発明治らは検討を重ねたと
ころ、カラー画素を構成しているカラーフィルター層上
に透明’Ｔｊｉ極となるＩＴＯ（インジウム争ティン拳
オキサイド）を形成する際に、ＩＴＯ膜形成に用いるス
パッタ１）フグ時のコロナ発生対にするカシ−フィルグ
一層の保護として、該カラーフィルター層１．に光硬化
＋１樹脂などからなる保護層を設けていたが、かかる保
護層がスパッタリング時の２００℃以十の加熱により、
保護層とＩＴＯ膜との臨界面が粗面状あるいはうねり状
の不均一面となり、この不均一面が開口時における画素
の透過率を低ｒさせていた原因であることをつきとめた
。
ころ、カラー画素を構成しているカラーフィルター層上
に透明’Ｔｊｉ極となるＩＴＯ（インジウム争ティン拳
オキサイド）を形成する際に、ＩＴＯ膜形成に用いるス
パッタ１）フグ時のコロナ発生対にするカシ−フィルグ
一層の保護として、該カラーフィルター層１．に光硬化
＋１樹脂などからなる保護層を設けていたが、かかる保
護層がスパッタリング時の２００℃以十の加熱により、
保護層とＩＴＯ膜との臨界面が粗面状あるいはうねり状
の不均一面となり、この不均一面が開口時における画素
の透過率を低ｒさせていた原因であることをつきとめた
。
従って、本発明の目的は、高透過率のカラー画素を有す
る液晶素子を提供することにある。
る液晶素子を提供することにある。
〔問題点を解決するための手段〕及び〔作用〕木発明は
、一対の基板間に液晶を配置した液晶素子において、前
記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板がカラーフ
ィルター層と該カラーフィルター層の上に設けた透明電
極とを有しているとともに、前記カラーフィルター層と
透明電極との間に該透明電極の線膨張係数に対して０．
０１〜６倍の線膨張係数をもつ保護層を有している液晶
素子に特徴を有している。
、一対の基板間に液晶を配置した液晶素子において、前
記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板がカラーフ
ィルター層と該カラーフィルター層の上に設けた透明電
極とを有しているとともに、前記カラーフィルター層と
透明電極との間に該透明電極の線膨張係数に対して０．
０１〜６倍の線膨張係数をもつ保護層を有している液晶
素子に特徴を有している。
第１図は、カラーディスプレイ装置に適用しうる液晶素
子の実施態様を表わし、第１図（Ａ）はその平面図で第
１図（Ｂ）はその断面図である。第１図に示す液晶素子
は、画素毎にＢＧＲカラーフィルターがストライブ形状
で配置され、走査線１に走査信り〜を１ｌｌｒｊ 次印
加１５２、この走査信号と同期させて表示線２に情報４
１１号や映像信号などの表示信号を印加することによっ
てカラーディスプレイが得られる。
子の実施態様を表わし、第１図（Ａ）はその平面図で第
１図（Ｂ）はその断面図である。第１図に示す液晶素子
は、画素毎にＢＧＲカラーフィルターがストライブ形状
で配置され、走査線１に走査信り〜を１ｌｌｒｊ 次印
加１５２、この走査信号と同期させて表示線２に情報４
１１号や映像信号などの表示信号を印加することによっ
てカラーディスプレイが得られる。
本発明の液晶素子−は、一対の基板］、 ｌ ａと１１
ｂ（例えば、ガラス、プラスチックフィルム）の間に液
晶１６が配置されており、基板１１ａ４こは表小線２と
なるス）・ライブ状透明電ａｉ１２ａ（例えばＩＴｏ）
が配線され、基板１１ｂには走査線ｌとなるストライブ
状透明電極１２ｂ（例えばＩＴＯ）が配線されでいる。
ｂ（例えば、ガラス、プラスチックフィルム）の間に液
晶１６が配置されており、基板１１ａ４こは表小線２と
なるス）・ライブ状透明電ａｉ１２ａ（例えばＩＴｏ）
が配線され、基板１１ｂには走査線ｌとなるストライブ
状透明電極１２ｂ（例えばＩＴＯ）が配線されでいる。
さらに、本発明では、基板１１ａにはＢＧＲカラーフィ
ルターの１つの画素となるカラーフィルター層１４が設
けられ、このカラーフィルター層１４の−にに保護層１
５を介して１）口述の透明電極１２ａが設けられている
。
ルターの１つの画素となるカラーフィルター層１４が設
けられ、このカラーフィルター層１４の−にに保護層１
５を介して１）口述の透明電極１２ａが設けられている
。
本発明で用いる保護層１５と１．ては、透明電極１２ａ
の線膨張係数に対して０．０１倍〜６倍、好ましくは０
．０１倍〜５倍、最適には０．０５倍〜５倍の線Ｉｌ張
係数（以上−αで示す）をもつものから選択したものを
挙げることができる。具体的には、５ｉ０２（α、 ６
Ｘ １０−７／’Ｏ）、Ｔｉ０２（α； ９ Ｘ １
０−７／’Ｃりやガラス（α；４５〜１００ Ｘ １０
−７／’Ｏ）などの絶縁性無機物質又はアクリル系熱硬
化性樹脂（α；２００〜３００ Ｘ １０−７／℃）エ
ポキシ系熱硬化性樹脂（α；２００〜４００Ｘ１０−７
／’Ｃり、シリコン樹脂（α；２００〜５００Ｘ１０−
７１０Ｃ）やポリイミド樹脂（α、４００〜５００Ｘ１
０−７／’Ｏ）などの熱硬化型樹脂が適している。
の線膨張係数に対して０．０１倍〜６倍、好ましくは０
．０１倍〜５倍、最適には０．０５倍〜５倍の線Ｉｌ張
係数（以上−αで示す）をもつものから選択したものを
挙げることができる。具体的には、５ｉ０２（α、 ６
Ｘ １０−７／’Ｏ）、Ｔｉ０２（α； ９ Ｘ １
０−７／’Ｃりやガラス（α；４５〜１００ Ｘ １０
−７／’Ｏ）などの絶縁性無機物質又はアクリル系熱硬
化性樹脂（α；２００〜３００ Ｘ １０−７／℃）エ
ポキシ系熱硬化性樹脂（α；２００〜４００Ｘ１０−７
／’Ｃり、シリコン樹脂（α；２００〜５００Ｘ１０−
７１０Ｃ）やポリイミド樹脂（α、４００〜５００Ｘ１
０−７／’Ｏ）などの熱硬化型樹脂が適している。
これらのｍ膨張係数αはＪＩＳ（白木工業規格）Ｋ６７
１４での測定に基づいている。又、本発明で用いる透明
電極１２ａとしては、ＩＴＯ（インジウムと錫との混合
割合が異なることによってその線膨張係数は異なるが、
一般的に８０ Ｘ １０−７〜１００ Ｘ １０−７／
’Ｏである）が適当である。又、酸化インジウム（約４
０×１０−７７”Ｏ）や酸化錫（約４０ Ｘ １０−７
／’Ｏ）も透明電極として用いることができる。
１４での測定に基づいている。又、本発明で用いる透明
電極１２ａとしては、ＩＴＯ（インジウムと錫との混合
割合が異なることによってその線膨張係数は異なるが、
一般的に８０ Ｘ １０−７〜１００ Ｘ １０−７／
’Ｏである）が適当である。又、酸化インジウム（約４
０×１０−７７”Ｏ）や酸化錫（約４０ Ｘ １０−７
／’Ｏ）も透明電極として用いることができる。
本発明では、下達の実施例で明らかにするが、前述の保
護層１５の線膨張係数をその上にスパッタリング法（特
に基板温度を２００℃以上としたスパッタリング法）で
形成する透明電極の線膨張係数に対して０．０１倍〜６
倍とすることによって、スパッタリング時の２００ ’
Ｃ以上の加熱に原因していた保護層１５の粗面化又はう
ねり化を防止することができた。この理由は、今のとこ
ろ明らかではないが、保護層１５の線膨張係数を例えば
６倍以上の様に大きくすると、保護層１５の上に加熱下
でＩＴＯ膜が形成され、その加熱後急冷されるため保護
層１５がＩＴＯ膜より急激に大きな収縮を受け、この収
縮力が保護層１５の粗面化又はうねり化を生じさせる原
因となっていることが予想される。
護層１５の線膨張係数をその上にスパッタリング法（特
に基板温度を２００℃以上としたスパッタリング法）で
形成する透明電極の線膨張係数に対して０．０１倍〜６
倍とすることによって、スパッタリング時の２００ ’
Ｃ以上の加熱に原因していた保護層１５の粗面化又はう
ねり化を防止することができた。この理由は、今のとこ
ろ明らかではないが、保護層１５の線膨張係数を例えば
６倍以上の様に大きくすると、保護層１５の上に加熱下
でＩＴＯ膜が形成され、その加熱後急冷されるため保護
層１５がＩＴＯ膜より急激に大きな収縮を受け、この収
縮力が保護層１５の粗面化又はうねり化を生じさせる原
因となっていることが予想される。
従って、保護層１５の線膨張係数を最適化することによ
って保護層１５の粗面化又はうねり化を防止することが
できるものと考えられる。
って保護層１５の粗面化又はうねり化を防止することが
できるものと考えられる。
又、本発明で用いるＲＧＢカラーフィルター層１層上４
ては、顔料又は染料の蒸着層あるいは顔料又は染料を樹
脂バインダーに含有させて被膜形成したものを用いるこ
とができる。
ては、顔料又は染料の蒸着層あるいは顔料又は染料を樹
脂バインダーに含有させて被膜形成したものを用いるこ
とができる。
前述の透明電極１２ａと１２ｂの上には、ラビング処理
などで一軸性配向軸を形成した配向制御膜１３ａと１３
ｂが形成されている。配向制御膜１３ａと１３ｂとして
は、ポリイミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリアミド、ポリビニルアルコールなどにより被膜
形成したものが適用されるが、本発明ではカラーフィル
ター層１４の紫外線による退色を防止する上で、配向制
御膜１３ａとしてポリイミドが適している。特にポリイ
ミド膜の膜厚な０、５ ｐ、 ｍ以上と設定することで
５０％以上の紫外線（波長３５０ｎｍ以下）をカットす
ることができる。又、ポリイミドは、その前駆体である
ポリアミック酸樹脂成分の溶媒として例えばＮ−メチル
ピロリド等が使用されているが、この溶媒がカラーフィ
ルター層に直接塗布すると、カラーフィルター層がこの
溶媒によって溶出するために、本発明では前述の透明電
極１２ａをカラーフィルター層の上に形成することで、
前述の溶出を防止できる効果を有している。
などで一軸性配向軸を形成した配向制御膜１３ａと１３
ｂが形成されている。配向制御膜１３ａと１３ｂとして
は、ポリイミド、ポリエステルイミド、ポリアミドイミ
ド、ポリアミド、ポリビニルアルコールなどにより被膜
形成したものが適用されるが、本発明ではカラーフィル
ター層１４の紫外線による退色を防止する上で、配向制
御膜１３ａとしてポリイミドが適している。特にポリイ
ミド膜の膜厚な０、５ ｐ、 ｍ以上と設定することで
５０％以上の紫外線（波長３５０ｎｍ以下）をカットす
ることができる。又、ポリイミドは、その前駆体である
ポリアミック酸樹脂成分の溶媒として例えばＮ−メチル
ピロリド等が使用されているが、この溶媒がカラーフィ
ルター層に直接塗布すると、カラーフィルター層がこの
溶媒によって溶出するために、本発明では前述の透明電
極１２ａをカラーフィルター層の上に形成することで、
前述の溶出を防止できる効果を有している。
本発明の液晶素子で用いる液晶１６としては、各種のも
のから選択することができるが、特にツィステッド・ネ
マチック（ＴＮ）液晶や強誘電性液晶が適している。特
に、強誘電性液晶としては、双安定状態が付与されたも
のが好ましい。すなわち、双安定状態下にある強誘電性
液晶は、第１の安定状態と第２の安定状態とのなす角度
の１／２の角度（チルト角）が２２．５゜の時、直交ニ
コルで最大の透過率と最大の遮光率が得られるが、実際
問題としてかかるチルト角は一般に５°〜１５°程度で
ある。しかも、前述した様に、従来のカラーフィルター
層の上に形成していた保護層が透過率を低下させる原因
となっていたため、双安定状態を伺与した強誘電性液晶
素子にカラーフィルター層を設けると透過率が非常に低
下し、かなり高輝度の７へツクライトを採用しない限り
良好なカラーパターンがディスプレイされなかった。
のから選択することができるが、特にツィステッド・ネ
マチック（ＴＮ）液晶や強誘電性液晶が適している。特
に、強誘電性液晶としては、双安定状態が付与されたも
のが好ましい。すなわち、双安定状態下にある強誘電性
液晶は、第１の安定状態と第２の安定状態とのなす角度
の１／２の角度（チルト角）が２２．５゜の時、直交ニ
コルで最大の透過率と最大の遮光率が得られるが、実際
問題としてかかるチルト角は一般に５°〜１５°程度で
ある。しかも、前述した様に、従来のカラーフィルター
層の上に形成していた保護層が透過率を低下させる原因
となっていたため、双安定状態を伺与した強誘電性液晶
素子にカラーフィルター層を設けると透過率が非常に低
下し、かなり高輝度の７へツクライトを採用しない限り
良好なカラーパターンがディスプレイされなかった。
前述の強誘電性液晶としては、非らせん構造のカイラル
スメクチックＣ相（ＳｍＣ″″）Ｈ相（ＳｍＨ’）、Ｉ
相（ＳｍＩ’）、に相（ＳｍＫ’）やＧ相（ＳｍＧ”）
を用いることができる。
スメクチックＣ相（ＳｍＣ″″）Ｈ相（ＳｍＨ’）、Ｉ
相（ＳｍＩ’）、に相（ＳｍＫ’）やＧ相（ＳｍＧ”）
を用いることができる。
本発明ではこの問題も透明電極とカラーフィルター層の
保護層の線膨張係数を前述の様に調製することによって
解決することができた。
保護層の線膨張係数を前述の様に調製することによって
解決することができた。
第２図は、本発明の別の態様を表わした断面図である。
第２図は表示用パネルを構成する基板（ガラス？）２６
ａｌに、２〜ｌＯ木／ ｍ ｒｎ程度の密度でマトリク
ス配置された駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈ１
ｎ Ｆｉ １ｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を設けたもの
である。
ａｌに、２〜ｌＯ木／ ｍ ｒｎ程度の密度でマトリク
ス配置された駆動用薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Ｔｈ１
ｎ Ｆｉ １ｍＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）を設けたもの
である。
ＴＰＴは、基板２ ’６ ａ上に形成されたゲート線（
透明又は金属の薄膜導電膜からなる）、該ゲート線上に
設けたゲート電極２１、前記ゲート電極２１−ｈに絶縁
膜２５を介して形成した薄膜状の半導体２２、半導体の
ソース電極２３に接して設けたソース線（導電膜からな
る）及び半導体の他端に設けたドレイン電Ｆｉｉ２４客
から構成されている。Ｌ記ドレイン電極２４は表小要素
弔位となる透明電極２９を構成している。
透明又は金属の薄膜導電膜からなる）、該ゲート線上に
設けたゲート電極２１、前記ゲート電極２１−ｈに絶縁
膜２５を介して形成した薄膜状の半導体２２、半導体の
ソース電極２３に接して設けたソース線（導電膜からな
る）及び半導体の他端に設けたドレイン電Ｆｉｉ２４客
から構成されている。Ｌ記ドレイン電極２４は表小要素
弔位となる透明電極２９を構成している。
又、基板２６ａの透明市ｐｊ１２９と対応する個所にカ
ラーフィルター層２７とその１に形成した保護層２８が
設けられているが、この几体例では保護層２８の線膨張
係数は透明′電極２９の線膨張係数に対して前述のとお
り０．０１倍〜６倍、好ましくは０．０１倍〜５倍、最
適には０．０５倍〜５倍に設定される。さらに、透明電
極２９の［−には−一軸性配向軸をもつポリイミドの配
向制御膜２０ａが設けられている。
ラーフィルター層２７とその１に形成した保護層２８が
設けられているが、この几体例では保護層２８の線膨張
係数は透明′電極２９の線膨張係数に対して前述のとお
り０．０１倍〜６倍、好ましくは０．０１倍〜５倍、最
適には０．０５倍〜５倍に設定される。さらに、透明電
極２９の［−には−一軸性配向軸をもつポリイミドの配
向制御膜２０ａが設けられている。
このＴＰＴ基板２６ａと対向した対向基板２６ｂとの間
に液晶３１が配置され、対向基板２６ｂには対向電極３
２がポリイミドの配向制御膜２０ｂに覆われて設けられ
、ＴＰＴ基板２６ａと対向基板２６ｂの周辺は液晶４１
をシールするシール材３３が設けられている。
に液晶３１が配置され、対向基板２６ｂには対向電極３
２がポリイミドの配向制御膜２０ｂに覆われて設けられ
、ＴＰＴ基板２６ａと対向基板２６ｂの周辺は液晶４１
をシールするシール材３３が設けられている。
第３図は、第２図に示す液晶素子で使用したカラーフィ
ルター層２７を対向基板２６ｂに設置２ けた態様を表わしている。この際も、第２図の液晶素子
と同様にカラーフィルター層２７は、保護層３４を介し
て透明電極２９と位置的に対応させる。
ルター層２７を対向基板２６ｂに設置２ けた態様を表わしている。この際も、第２図の液晶素子
と同様にカラーフィルター層２７は、保護層３４を介し
て透明電極２９と位置的に対応させる。
以下、本発明を実施例に従って説明する。
実施例１
ガラス（コーニン社製７０５９）の上に先ず、スピンナ
ー塗布法により、ポジ型レジスト（商品名；０ＦＰＲ８
００，東京応化製）を５０００〜７０００人の膜厚で画
素電極上に塗布した。次に９０℃、３０分間のプリベー
タを行なった後、紫外光にて、マスク露光を行ない、専
用現像液に１分間浸漬し、同じく専用リンス液に１分間
浸漬して、レジストマスクを形成した。次にレジストマ
スクの形成されたフォトセンサーアレイ全面に露光を行
ない、溶剤に可溶とした。続いてフォトセンサーアレイ
と、Ｍｏボートに詰めた銅フタロシアニンを真空容器内
に設置し、真空度１０−５〜１０−６Ｔ ｏ ｒ ｒに
おいて、Ｍｏポートを４５０〜５５０℃に加熱し、銅フ
タロシアニンの蒸着を行ない、膜厚は４． ＯＯＯ入と
した。しかる後に、０ＦＰＲ専用現像液中にて浸漬攪拌
を行ない、レジストマスクを溶解しながら蒸着膜の不要
部分を除去することによって、パターン状古色カラーフ
ィルター層を形成した。続いてこのパターン状青色色素
層の形成されたフォトセンサーアレイ七に同様の−「程
で０ＦＰＲ８００を塗布し、露光、現像した後１次のパ
ターン状緑色色素に相当するレジストマスクを形成した
。全面露光後、真空蒸着機に設置し、今度はＰｂフタロ
シアニンを４５０〜５５０℃で蒸着し３０００人の膜を
得た。しかる後に現像液で浸漬攪拌し、パターン状緑色
カラーフィルター層を形成した。
ー塗布法により、ポジ型レジスト（商品名；０ＦＰＲ８
００，東京応化製）を５０００〜７０００人の膜厚で画
素電極上に塗布した。次に９０℃、３０分間のプリベー
タを行なった後、紫外光にて、マスク露光を行ない、専
用現像液に１分間浸漬し、同じく専用リンス液に１分間
浸漬して、レジストマスクを形成した。次にレジストマ
スクの形成されたフォトセンサーアレイ全面に露光を行
ない、溶剤に可溶とした。続いてフォトセンサーアレイ
と、Ｍｏボートに詰めた銅フタロシアニンを真空容器内
に設置し、真空度１０−５〜１０−６Ｔ ｏ ｒ ｒに
おいて、Ｍｏポートを４５０〜５５０℃に加熱し、銅フ
タロシアニンの蒸着を行ない、膜厚は４． ＯＯＯ入と
した。しかる後に、０ＦＰＲ専用現像液中にて浸漬攪拌
を行ない、レジストマスクを溶解しながら蒸着膜の不要
部分を除去することによって、パターン状古色カラーフ
ィルター層を形成した。続いてこのパターン状青色色素
層の形成されたフォトセンサーアレイ七に同様の−「程
で０ＦＰＲ８００を塗布し、露光、現像した後１次のパ
ターン状緑色色素に相当するレジストマスクを形成した
。全面露光後、真空蒸着機に設置し、今度はＰｂフタロ
シアニンを４５０〜５５０℃で蒸着し３０００人の膜を
得た。しかる後に現像液で浸漬攪拌し、パターン状緑色
カラーフィルター層を形成した。
さらに全く同様の二「程により、ペリレンテトラカルボ
ン酸誘導体系の赤色色素として、イルガジンレツドＢＰ
Ｔ（商品名：チパガイギー製ＣｌＮｏ、７１１２７）を
、４００−５００’Ｃで約３０００久八着し、現像液処
理によりパターン状赤色カラーフィルター層を得た。
ン酸誘導体系の赤色色素として、イルガジンレツドＢＰ
Ｔ（商品名：チパガイギー製ＣｌＮｏ、７１１２７）を
、４００−５００’Ｃで約３０００久八着し、現像液処
理によりパターン状赤色カラーフィルター層を得た。
次に前述のカラーフィルター層を設けたガラス基板の上
に５ｉ０２を真空蒸着法で１０００人の膜厚で被膜形成
した。この５ｉ０２をＪＩＳＫ６７１４で測定したとこ
ろ、６Ｘ１０−７／℃であった。次に、ＩＴＯを５ｉ０
２膜の上に１ｏｏｏ人の膜厚で基板温度を２５０℃とし
たスパッタリング法で被膜形成した。このＩＴＯ膜ＪＩ
ＳＫ６７１４で測定したところ、９５×１０−７／”Ｏ
であった。
に５ｉ０２を真空蒸着法で１０００人の膜厚で被膜形成
した。この５ｉ０２をＪＩＳＫ６７１４で測定したとこ
ろ、６Ｘ１０−７／℃であった。次に、ＩＴＯを５ｉ０
２膜の上に１ｏｏｏ人の膜厚で基板温度を２５０℃とし
たスパッタリング法で被膜形成した。このＩＴＯ膜ＪＩ
ＳＫ６７１４で測定したところ、９５×１０−７／”Ｏ
であった。
前述の方法で作成したＩＴＯ／５ｉ０２／カラーフィル
ター／ガラス板のＩＴＯ膜表面を小板研究所製の万能表
面形状測定器ｒＳＥ−３ＣＪで測定したところ、粗表面
及びうねりは観測されなかった。さらに、透過率の測定
を行なったところ、白色蛍光下で７２％（波長４００〜
６００ｎｍの平均透過率）であった。
ター／ガラス板のＩＴＯ膜表面を小板研究所製の万能表
面形状測定器ｒＳＥ−３ＣＪで測定したところ、粗表面
及びうねりは観測されなかった。さらに、透過率の測定
を行なったところ、白色蛍光下で７２％（波長４００〜
６００ｎｍの平均透過率）であった。
次に、前述で作成した基板のＩＴＯ膜をストライプ形状
にパターニングした後に、ｉｏｏ。
にパターニングした後に、ｉｏｏ。
人のポリイミド膜（ポリアミック酸の５％Ｎ−メチルビ
ロリドン液を塗布した後、脱水閉環した）を設け、その
表面を布で一方向にラビング処理を施した。
ロリドン液を塗布した後、脱水閉環した）を設け、その
表面を布で一方向にラビング処理を施した。
又、対向基板として前述の基板を作成した際に用いた５
ｉ０２膜とカラーフィルター層を省略したほかは、同様
の方法で作成したものを用いた。
ｉ０２膜とカラーフィルター層を省略したほかは、同様
の方法で作成したものを用いた。
次に、２枚の基板のストライプ状ＩＴＯ膜が互いに交差
し、それぞれのラビング方向が平行となり、且つ２枚の
基板間隔が１．５ｇｍとなる様にセル組して空セルを作
成した。
し、それぞれのラビング方向が平行となり、且つ２枚の
基板間隔が１．５ｇｍとなる様にセル組して空セルを作
成した。
この空セルの注入口から真空注入法により等実相のＰ−
デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノー２−メチルブ
チルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）を空セル内に注入
し、封口してからセルを５℃／時間の割合で７０℃まで
徐冷したところ双安定性を示す強誘電性液晶（カイラル
スメクチックＣ相）が発現した。
デシロキシベンジリデン−Ｐ′−アミノー２−メチルブ
チルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）を空セル内に注入
し、封口してからセルを５℃／時間の割合で７０℃まで
徐冷したところ双安定性を示す強誘電性液晶（カイラル
スメクチックＣ相）が発現した。
この液晶素子に一対の直交ニコルを配置してから、その
背後から３０Ｗの白色蛍光灯を拡散透過板を介して点灯
させ、液晶素子に駆動電圧を印加することによって表示
を行なったところ、明るいカラーディスプレイが得られ
た。
背後から３０Ｗの白色蛍光灯を拡散透過板を介して点灯
させ、液晶素子に駆動電圧を印加することによって表示
を行なったところ、明るいカラーディスプレイが得られ
た。
実施例２
実施例１の液晶素子を作成した時に用いたカラーフィル
ター基板の５ｉ０２膜（保護層）に代えて、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂とテトラエチレンペンタンミ
ン硬化剤を含有する無溶剤型の熱硬化性接着剤を用いた
ほかは、実施例１と同様の方法で液晶素子を作成してか
ら、評価を行ったところ実施例１と同様の結果が得られ
た。
ター基板の５ｉ０２膜（保護層）に代えて、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂とテトラエチレンペンタンミ
ン硬化剤を含有する無溶剤型の熱硬化性接着剤を用いた
ほかは、実施例１と同様の方法で液晶素子を作成してか
ら、評価を行ったところ実施例１と同様の結果が得られ
た。
又、前述の熱硬化性接着・剤の硬化被膜での線膨張係数
を実施例１と同様の方法で測定したところ、４８０ Ｘ
１０−７／℃であった。
を実施例１と同様の方法で測定したところ、４８０ Ｘ
１０−７／℃であった。
比較例１
実施例１の液晶素子を作成した時に用いたカラーフィル
ター基板の５ｉ０２膜に変えてアクリル系光硬化型樹脂
（積木ファインケミカル社製ｃ７）Ｐｈｏｔｏｌｅｃ
ＲＦＧ）を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液
晶素子を作成した。この液晶素子を作成した際に用いた
カラーフィルター基板の透過率は５８％であった。
ター基板の５ｉ０２膜に変えてアクリル系光硬化型樹脂
（積木ファインケミカル社製ｃ７）Ｐｈｏｔｏｌｅｃ
ＲＦＧ）を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液
晶素子を作成した。この液晶素子を作成した際に用いた
カラーフィルター基板の透過率は５８％であった。
又、実施例１で用いた表面形状測定器でＩＴＯ膜表面の
状態を”測定したところ、平均粗さ約１川程度のうねり
が観測された。
状態を”測定したところ、平均粗さ約１川程度のうねり
が観測された。
この光硬化型樹脂の硬化被膜での線膨張係数を実施例１
と同様の方法で測定したところ、線膨張係数は約７８０
Ｘ Ｉ Ｏ−７／°Ｏであった。
と同様の方法で測定したところ、線膨張係数は約７８０
Ｘ Ｉ Ｏ−７／°Ｏであった。
次に、このカラーフィルター基板を用いて実施例１と同
様の方法で液晶素子を作成してから、カラーディスプレ
イを行ったが、実施例１のもの比較して暗いディスプレ
イであった。
様の方法で液晶素子を作成してから、カラーディスプレ
イを行ったが、実施例１のもの比較して暗いディスプレ
イであった。
また、ＩＴＯ膜形成時のスパッタリングを１００’Ｏ以
下の低温スパッタリング法に代えてＩＴＯ膜形成を行な
うことによって、透過率低下の原因となっているうねり
現象を防止することができたが、ＩＴＯ膜が低温スパッ
タリング法で被膜形成されていたため、保護層（光硬化
性樹脂の硬化被膜）との密着性が悪くなり、長期間の使
用には適していないことが判明した。
下の低温スパッタリング法に代えてＩＴＯ膜形成を行な
うことによって、透過率低下の原因となっているうねり
現象を防止することができたが、ＩＴＯ膜が低温スパッ
タリング法で被膜形成されていたため、保護層（光硬化
性樹脂の硬化被膜）との密着性が悪くなり、長期間の使
用には適していないことが判明した。
実施例３
実施例１の液晶素子を作成した時番、′用いたカラーフ
ィルター基板のＳ ｉ０２膜（保護層）に代えて、熱硬
化性アクリル樹脂（三菱レーヨン社製、ＦＲ−３２８８
）を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素子を
作成し、てかう、評価を行なったところ、実施例１と同
様の結果が得られた。
ィルター基板のＳ ｉ０２膜（保護層）に代えて、熱硬
化性アクリル樹脂（三菱レーヨン社製、ＦＲ−３２８８
）を用いたほかは、実施例１と同様の方法で液晶素子を
作成し、てかう、評価を行なったところ、実施例１と同
様の結果が得られた。
又、前述の熱硬化性アクリル樹脂の硬化被膜での線膨張
係数を実施例１と同様の方法で測定したところ、５３０
Ｘ １０−７〜１００×１０−７／℃であった。
係数を実施例１と同様の方法で測定したところ、５３０
Ｘ １０−７〜１００×１０−７／℃であった。
比較例２
実施例１の液晶素子を作成した時に用いたカラーフィル
ター基板のＳ ｉ０２膜に代えて、熱可塑性のスチレン
−メタクリル酸メチル共重合体樹脂（製鉄化学社製、
ＭＳ ２００）を用いたほかは実施例１と同様の方υ、
で液晶素子を作成した。この液晶素子を作成した際に用
いたカラーフルター基椴の透過率は５７％であった。
ター基板のＳ ｉ０２膜に代えて、熱可塑性のスチレン
−メタクリル酸メチル共重合体樹脂（製鉄化学社製、
ＭＳ ２００）を用いたほかは実施例１と同様の方υ、
で液晶素子を作成した。この液晶素子を作成した際に用
いたカラーフルター基椴の透過率は５７％であった。
又、実施例１で用いた表面形状測定器でＩＴＯ膜表面の
状態を測定したどころ、−４！均相さ約ｌ Ｉｔ程度の
うねりがＡｌ１定さ才また。この熱、ｎｆ塑廿樹脂被膜
の線膨張係数を実施例１と同様の方法でＡｌｌｌｌ−た
ところ、線Ｉｌｌ張係数ｉｔ ｇ ｉ ｏ ｘｌ、０−
７／’Ｃであった。
状態を測定したどころ、−４！均相さ約ｌ Ｉｔ程度の
うねりがＡｌ１定さ才また。この熱、ｎｆ塑廿樹脂被膜
の線膨張係数を実施例１と同様の方法でＡｌｌｌｌ−た
ところ、線Ｉｌｌ張係数ｉｔ ｇ ｉ ｏ ｘｌ、０−
７／’Ｃであった。
従って、本発明によれば、カラー液晶素ｒＩＩＩカラー
フィルター基板を作成するに１１って、密着に１に優れ
た２００℃以−１−の高温スパッタリング法の適用を１
１ｆ能にすることができる。すなわち、高温１八−急冷
時に発生するカラーフィルター基板の粗表面又はうねり
現象を防１１〜することができ、この結果カテーテ゛イ
スプ１／イ装置におけるカラ・−透過率を向−４するこ
とができる。
フィルター基板を作成するに１１って、密着に１に優れ
た２００℃以−１−の高温スパッタリング法の適用を１
１ｆ能にすることができる。すなわち、高温１八−急冷
時に発生するカラーフィルター基板の粗表面又はうねり
現象を防１１〜することができ、この結果カテーテ゛イ
スプ１／イ装置におけるカラ・−透過率を向−４するこ
とができる。
第１図（Ａ）は、本発明の液晶素ｆの１ノ面図で、第１
図（Ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。 第２図及び第３図は本発明の液晶素イーの別の態様を表
わす断面図である。
図（Ｂ）はそのＡ−Ａ断面図である。 第２図及び第３図は本発明の液晶素イーの別の態様を表
わす断面図である。
Claims (12)
- （１）一対の基板間に液晶を配置した液晶素子において
、前記一対の基板のうちの少なくとも一方の基板がカラ
ーフィルター層と該カラーフィルター層の上に設けた透
明電極とを有しているとともに、前記カラーフィルター
層と透明電極との間に該透明電極の線膨張係数に対して
０．０１〜６倍の線膨張係数をもつ保護層を有している
ことを特徴とする液晶素子。 - （２）前記保護層が透明電極の線膨張係数に対して０．
０１〜５倍の線膨張係数を有している特許請求の範囲第
１項記載の液晶素子。 - （３）前記保護層が透明電極の線膨張係数に対して０．
０５〜５倍の線膨張係数を有している特許請求の範囲第
１項記載の液晶素子。 - （４）前記保護層が熱硬化性樹脂を硬化被膜形成するこ
とによって得た層である特許請求の範囲第１項記載の液
晶素子。 - （５）前記保護層が絶縁性無機物質の被膜である特許請
求の範囲第１項記載の液晶素子。 - （６）前記絶縁性無機物質がＳｉＯ＿２である特許請求
の範囲第５項記載の液晶素子。 - （７）前記透明電極が酸化インジウムと酸化スズの混合
物を基板温度２００℃以上としたスパッタリング法で形
成した被膜である特許請求の範囲第１項記載の液晶素子
。 - （８）前記カラーフィルター層が顔料又は染料を蒸着法
で形成した被膜である特許請求の範囲第１項記載の液晶
素子。 - （９）前記カラーフィルター層が顔料又は染料を樹脂バ
インダーに含有させて形成した被膜である特許請求の範
囲第１項記載の液晶素子。 - （１０）前記透明電極の線膨張係数が４０×１０＾−＾
７〜１００×１０＾−＾７／℃である特許請求の範囲第
１項記載の液晶素子。 - （１１）前記保護層の線膨張係数が２×１０＾−＾７〜
６×１０＾−＾５／℃である特許請求の範囲第１項記載
の液晶素子。 - （１２）前記透明電極の上に液晶を一方向に配向させる
効果をもつ一軸性配向軸を有する配向制御膜が被覆され
ている特許請求の範囲第１項記載の液晶素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203994A JPS6263918A (ja) | 1985-09-14 | 1985-09-14 | 液晶素子 |
| US06/783,429 US4744637A (en) | 1984-10-05 | 1985-10-03 | Liquid crystal device with a protective layer of a particular coefficient of expansion |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60203994A JPS6263918A (ja) | 1985-09-14 | 1985-09-14 | 液晶素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6263918A true JPS6263918A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16483013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60203994A Pending JPS6263918A (ja) | 1984-10-05 | 1985-09-14 | 液晶素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6263918A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01193813A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板およびその製造方法 |
| JPH01223417A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Canon Inc | カラー液晶素子 |
| JPH01241521A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Canon Inc | カラー液晶素子 |
| JPH0237327A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板 |
| JP4832642B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2011-12-07 | マイクロソフト コーポレーション | コンピュータ・システムにおいて表示画像の解像度を高める方法、およびコンピュータ読み取り可能命令を担持するコンピュータ読み取り可能媒体 |
-
1985
- 1985-09-14 JP JP60203994A patent/JPS6263918A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01193813A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板およびその製造方法 |
| JPH01223417A (ja) * | 1988-03-03 | 1989-09-06 | Canon Inc | カラー液晶素子 |
| JPH01241521A (ja) * | 1988-03-23 | 1989-09-26 | Canon Inc | カラー液晶素子 |
| JPH0237327A (ja) * | 1988-07-27 | 1990-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | 表示装置用電極板 |
| JP4832642B2 (ja) * | 1998-10-07 | 2011-12-07 | マイクロソフト コーポレーション | コンピュータ・システムにおいて表示画像の解像度を高める方法、およびコンピュータ読み取り可能命令を担持するコンピュータ読み取り可能媒体 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4744637A (en) | Liquid crystal device with a protective layer of a particular coefficient of expansion | |
| US5548424A (en) | Liquid crystal device having two resins films formed from solutions of different viscosities | |
| JP3102970B2 (ja) | 情報表示装置およびその製造方法 | |
| JPS63182627A (ja) | カラ−液晶素子 | |
| JPH07287241A (ja) | 液晶表示素子及びその製造方法 | |
| JP3142739B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| US7501163B2 (en) | Liquid crystal display device and method for manufacturing the same | |
| JPH05215921A (ja) | 複屈折板及び液晶表示素子 | |
| JP4342168B2 (ja) | 液晶表示装置及びその製造方法 | |
| JPH049925A (ja) | 光書き込み型液晶表示素子 | |
| JPS6263918A (ja) | 液晶素子 | |
| JP3105379B2 (ja) | 液晶電気光学装置の作製方法 | |
| JP3294381B2 (ja) | 液晶電気光学装置作製方法 | |
| JPS6360425A (ja) | 強誘電性液晶素子およびその製造方法 | |
| JPH0194318A (ja) | 液晶表示素子 | |
| JPS6360422A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPH0740098B2 (ja) | カイラルスメクチック液晶素子の製造方法 | |
| JP3210652B2 (ja) | 液晶表示パネルの製造方法 | |
| JPH04181219A (ja) | 強誘電性液晶素子 | |
| JPS6360423A (ja) | カラーフィルター基板および強誘電性液晶素子 | |
| JP3029171B2 (ja) | 液晶表示装置およびその製造方法 | |
| JPH05100112A (ja) | カラーフイルター基板および液晶素子 | |
| JP3215696B2 (ja) | 液晶電気光学装置 | |
| JP2000314886A (ja) | 液晶パネル及びその製造方法 | |
| JP2587627B2 (ja) | カイラルスメクティック液晶素子 |