JPS6264037A - 集束イオンビ−ム装置 - Google Patents
集束イオンビ−ム装置Info
- Publication number
- JPS6264037A JPS6264037A JP60201546A JP20154685A JPS6264037A JP S6264037 A JPS6264037 A JP S6264037A JP 60201546 A JP60201546 A JP 60201546A JP 20154685 A JP20154685 A JP 20154685A JP S6264037 A JPS6264037 A JP S6264037A
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- Japan
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- blanking
- ion
- ion source
- ion beam
- aperture plate
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は集束イオンビームを用いた打込み露光において
好適な集束イオンビーム装置に関する。
好適な集束イオンビーム装置に関する。
従来の集束イオンビーム装置は、特開昭６Ｏ−８９０５
１ に記載されている。第１図１こ装置の概略を示す。
１ に記載されている。第１図１こ装置の概略を示す。
装置はイオン源１と、イオン源１から射出されたイオン
ビームを集束し、質量分離のためのウィーン・フィルタ
ー８の中心にイオン源１のクロスオーバ像Ｃ１を形成す
るための第１の集束レンズ４、ウィーン・フィルター８
の絞り板１０を通過したイオンビームを材料−Ｌの所定
の位置ｂ’＝集束させるための第２の集束レンズ１１と
偏向電極１３から構成されている。
ビームを集束し、質量分離のためのウィーン・フィルタ
ー８の中心にイオン源１のクロスオーバ像Ｃ１を形成す
るための第１の集束レンズ４、ウィーン・フィルター８
の絞り板１０を通過したイオンビームを材料−Ｌの所定
の位置ｂ’＝集束させるための第２の集束レンズ１１と
偏向電極１３から構成されている。
さて、イオンビームを試料１２にショットする場合の制
御は、ビーム通路上にビームブランキング電極を配置し
、この電極により行っている。即ち、制御装置１５から
のショツト時間および非ショツト時間の信号に基づいて
前記各時間のそれぞれに対応した出および谷の部分の幅
を有するパルス信号を発生するパルス発生器から前記ブ
ランキング電極にパルス信号を供給してショツト時間の
制御を行っている。ところで、前記ブランキング電極に
供給されるパルス信号は一般に立上りと立下りに傾斜を
有しており、イオンビームのクロスオーバ点でブランキ
ング用の偏向を行わないと、前記立上りと立下りの期間
において、試料上でビームが動揺し、所定の部分以外に
ビームがショットされてしまう。
御は、ビーム通路上にビームブランキング電極を配置し
、この電極により行っている。即ち、制御装置１５から
のショツト時間および非ショツト時間の信号に基づいて
前記各時間のそれぞれに対応した出および谷の部分の幅
を有するパルス信号を発生するパルス発生器から前記ブ
ランキング電極にパルス信号を供給してショツト時間の
制御を行っている。ところで、前記ブランキング電極に
供給されるパルス信号は一般に立上りと立下りに傾斜を
有しており、イオンビームのクロスオーバ点でブランキ
ング用の偏向を行わないと、前記立上りと立下りの期間
において、試料上でビームが動揺し、所定の部分以外に
ビームがショットされてしまう。
本従来装置においてビームブランキング用の電極２１．
．２２はウィーン・フィルター８の中心に関してビーム
軸上の対称の位置におのおの配置されており、実質的に
所望のイオン種のビームのクロスオーバ像Ｃ１位置でビ
ームブランキング用の偏向が行われることになり、ブラ
ンキング電極２１．２２に供給されるパルス信号の立上
りと立下りの期間において、試料１２上でビームが動揺
しないようになっている。しかし、ウィーン・フィルタ
ー８の高質量分解能化という観点からは、クロスオーバ
像Ｃ１をウィーン・フィルター８の中心にもってくるこ
とは得策ではなく、絞り板１０上に持ってくるべきであ
る。後者の場合は、実質的なビームブランキングがクロ
スオーバ像Ｃ１で行われず、ブランキング時にビームが
試料１２上で動揺するという欠点が生じる。
．２２はウィーン・フィルター８の中心に関してビーム
軸上の対称の位置におのおの配置されており、実質的に
所望のイオン種のビームのクロスオーバ像Ｃ１位置でビ
ームブランキング用の偏向が行われることになり、ブラ
ンキング電極２１．２２に供給されるパルス信号の立上
りと立下りの期間において、試料１２上でビームが動揺
しないようになっている。しかし、ウィーン・フィルタ
ー８の高質量分解能化という観点からは、クロスオーバ
像Ｃ１をウィーン・フィルター８の中心にもってくるこ
とは得策ではなく、絞り板１０上に持ってくるべきであ
る。後者の場合は、実質的なビームブランキングがクロ
スオーバ像Ｃ１で行われず、ブランキング時にビームが
試料１２上で動揺するという欠点が生じる。
本発明の目的は、質量分離器の質量分解能を下げること
なく、かつ、試料−１−でのビームの動揺を引起さない
ビームブランキングを可能とする集束イオンビーム装置
を提供することにある。
なく、かつ、試料−１−でのビームの動揺を引起さない
ビームブランキングを可能とする集束イオンビーム装置
を提供することにある。
ブー。
本発明は、−］二記目的を達成する球めに、集束イオン
ビーム装置において、イオン源のクロスオーバ像をウィ
ーン・フィルターの後の絞り板上に形成し、この絞り板
位置に関してビーム軸−１−、の対称な位置にビームブ
ランキング用の偏向電極を設けたことを特徴としている
。
ビーム装置において、イオン源のクロスオーバ像をウィ
ーン・フィルターの後の絞り板上に形成し、この絞り板
位置に関してビーム軸−１−、の対称な位置にビームブ
ランキング用の偏向電極を設けたことを特徴としている
。
以下、本発明の一実施例を第２図により説明する。本発
明においては、液体金属イオン源１から射出したイオン
ビームを第１の集束レンズ４で集束し、イオン源１のク
ロスオーバ像Ｃ１をウィーン・フィルター８の後の絞り
板１０−１：に形成する。
明においては、液体金属イオン源１から射出したイオン
ビームを第１の集束レンズ４で集束し、イオン源１のク
ロスオーバ像Ｃ１をウィーン・フィルター８の後の絞り
板１０−１：に形成する。
ブランキング用の電極２１．２２は絞り板１０の位置に
対してそれぞれビーム軸−１−の対称な位置に配置され
ており、所望のイオン種のビームのクロスオーバ像Ｃ１
位置で実質的にブランキング用の偏向が行われることに
なりブランキング時にビームを試料１２上で動揺させな
いという効果がある。
対してそれぞれビーム軸−１−の対称な位置に配置され
ており、所望のイオン種のビームのクロスオーバ像Ｃ１
位置で実質的にブランキング用の偏向が行われることに
なりブランキング時にビームを試料１２上で動揺させな
いという効果がある。
次に、質量分解能について、第３図を用いて説明する。
絞り板１０に到達する所望のビームのイオン質量数をｍ
、絞り板１０−ヒでのビーム径をｄとする。一方、質量
数ｍ−Δｍとｍとの絞り板１０上でのそれぞれのビーム
２３と２４との距離をＤ、絞り板１０の穴径あるいけス
リット幅をＷとすると質量分解能Ｒは次式で求められる
。（ただしＷ＞ｄ） 式（１）からＲはｄを小さくした方が、つまりイオン源
１のクロスオーバｌｉｋ ＣＩ を絞り板１０上に絞っ
た方がウィーン・フィルター８の中心に絞る場合より高
くなることがわかる。ただし、ウィーン・フィルターの
色収差の低減の観点からは前者より後者の方が優れてい
る（その理由については、特開昭５９−１６０６５を参
照）。
、絞り板１０−ヒでのビーム径をｄとする。一方、質量
数ｍ−Δｍとｍとの絞り板１０上でのそれぞれのビーム
２３と２４との距離をＤ、絞り板１０の穴径あるいけス
リット幅をＷとすると質量分解能Ｒは次式で求められる
。（ただしＷ＞ｄ） 式（１）からＲはｄを小さくした方が、つまりイオン源
１のクロスオーバｌｉｋ ＣＩ を絞り板１０上に絞っ
た方がウィーン・フィルター８の中心に絞る場合より高
くなることがわかる。ただし、ウィーン・フィルターの
色収差の低減の観点からは前者より後者の方が優れてい
る（その理由については、特開昭５９−１６０６５を参
照）。
次に、本発明のもう１つの実施例を第４図により説明す
る。本装置では第１の集束レンズ４と第２の集束レンズ
１１との間には、４つの電磁石２５〜２８があり、それ
らの磁場の強さおよび大きな全て同じであるが磁界の向
きが第１と第４の電磁石が同じで、第２と第３のものは
、第１と逆向きである。電磁石２５〜２８は絞り板１０
の位置に関してビーム軸上の対称な位置にあり、ブラン
キング用電極２１と２２も対称な位置にある。
る。本装置では第１の集束レンズ４と第２の集束レンズ
１１との間には、４つの電磁石２５〜２８があり、それ
らの磁場の強さおよび大きな全て同じであるが磁界の向
きが第１と第４の電磁石が同じで、第２と第３のものは
、第１と逆向きである。電磁石２５〜２８は絞り板１０
の位置に関してビーム軸上の対称な位置にあり、ブラン
キング用電極２１と２２も対称な位置にある。
本装置における質量分離器８は、電磁石２５と２６に対
応する。電磁石２７と２８は電磁石２５と２６で生じた
色収差を相殺するためのものである０本実施例において
も質量分解能を低減することなく、ブランキング用の偏
向が実質的にイオン源１のクロスオーバ像Ｃ１で行われ
ることになり。
応する。電磁石２７と２８は電磁石２５と２６で生じた
色収差を相殺するためのものである０本実施例において
も質量分解能を低減することなく、ブランキング用の偏
向が実質的にイオン源１のクロスオーバ像Ｃ１で行われ
ることになり。
ブランキング時にビームを試料２上で動揺させないとい
う効果がある。
う効果がある。
本実施例１と２では集束レンズは２段であるが、３段以
上の多段であっても、ビームブランキング電極が質量分
離器後の絞り板位置に関して、ビーム軸」二の対称な位
置に設置してあれば同様な効果が得られる。
上の多段であっても、ビームブランキング電極が質量分
離器後の絞り板位置に関して、ビーム軸」二の対称な位
置に設置してあれば同様な効果が得られる。
本発明によれば、質量分離器の質量分解能を低下させる
ことなく、ブランキング時に試料上でのビー１１の動揺
を引起こさないので、所望のイオン種のビームを試料上
の所定の位置にショットできるという効果がある。
ことなく、ブランキング時に試料上でのビー１１の動揺
を引起こさないので、所望のイオン種のビームを試料上
の所定の位置にショットできるという効果がある。
図と第４図は、本発明の集束イオンビーム装置の実施例
を示す図である。第３図は、集束イオンビーム装置の絞
り根での質量分解能の説明図である。
を示す図である。第３図は、集束イオンビーム装置の絞
り根での質量分解能の説明図である。
１・・・イオン源、２・・・加熱用電源、３・・・引出
し電極、４・・・第１の県東レンズ、５・・・カソード
、６・・・引出し電源、７・・・加速電源、８・・・質
量分離器、９・・・質量分離用電源、１０・・・絞り板
、１１・・・第２の集束レンズ、１２・・・試料、１３
・・・位置制御用偏向器、１４・・・偏向用電源、１５
・・・制御装置、１６．１７・・・集束レンズ電源、２
１．２２・・・ブランキング電極、２３．２４・・・質
址数ｍおよび■１−Δｍのイオンビーム、２５〜２８・
・・電磁石。
し電極、４・・・第１の県東レンズ、５・・・カソード
、６・・・引出し電源、７・・・加速電源、８・・・質
量分離器、９・・・質量分離用電源、１０・・・絞り板
、１１・・・第２の集束レンズ、１２・・・試料、１３
・・・位置制御用偏向器、１４・・・偏向用電源、１５
・・・制御装置、１６．１７・・・集束レンズ電源、２
１．２２・・・ブランキング電極、２３．２４・・・質
址数ｍおよび■１−Δｍのイオンビーム、２５〜２８・
・・電磁石。
Claims (1)
- １、イオン源と、前記イオン源から引出されたイオンビ
ームを集束し、質量分離のための質量分離器の後の絞り
板上にイオン源のクロスオーバ像を形成するための第１
の集束レンズと、前記絞り板を通過した前記イオンビー
ムを試料上に集束するための第２の集束レンズと、前記
試料上に集束するイオンビームを前記試料上の所定の位
置に照射するための偏向手段とからなる装置において、
絞り板位置に関してビーム軸上の対称の位置におのおの
ビームブランキング用の電極を配置した集束イオンビー
ム装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60201546A JPS6264037A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 集束イオンビ−ム装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60201546A JPS6264037A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 集束イオンビ−ム装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6264037A true JPS6264037A (ja) | 1987-03-20 |
Family
ID=16442842
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60201546A Pending JPS6264037A (ja) | 1985-09-13 | 1985-09-13 | 集束イオンビ−ム装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6264037A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531196B1 (en) | 1997-05-28 | 2003-03-11 | Stora Enso Oyj | Coated board, a process for its manufacture, and containers and packaging formed therefrom |
| JP2009016360A (ja) * | 2008-10-20 | 2009-01-22 | Hitachi Ltd | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 |
| US8134125B2 (en) | 1997-08-07 | 2012-03-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of an inspection system using an electron beam |
-
1985
- 1985-09-13 JP JP60201546A patent/JPS6264037A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6531196B1 (en) | 1997-05-28 | 2003-03-11 | Stora Enso Oyj | Coated board, a process for its manufacture, and containers and packaging formed therefrom |
| US8134125B2 (en) | 1997-08-07 | 2012-03-13 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus of an inspection system using an electron beam |
| US8604430B2 (en) | 1997-08-07 | 2013-12-10 | Hitachi, Ltd. | Method and an apparatus of an inspection system using an electron beam |
| JP2009016360A (ja) * | 2008-10-20 | 2009-01-22 | Hitachi Ltd | 電子ビームを用いた検査方法及び検査装置 |
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