JPS626450A - 光磁気デイスク - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 回転する際の線速か異なる光磁気ディスクの内周部と外
周部とで同一のパワーで記録と消去とを行う方法として
、内周部より外周部に向かって膜厚が変化している光吸
収膜を備えた光磁気ディスク。

〔産業上の利用分野〕

本発明はディスク全域にわたって均一なレーザパワーで
記録と消去を可能とする光磁気ディスクの構成に関する
。

光磁気ディスクはレーザ光を用いて高密度の情報記録を
行うメモリであり、光ディスクと同様に記録容量が大き
く、非接触で記録と再生を行うことができ、また塵埃の
影響を受けないなど優れた特徴をもつメモリである。

すなわちレーザ光はレンズによって直径が１μｍ以下の
小さなスポットに絞り込むことが可能であり、従って１
ビツトの情報記録に要する面積が１μｍ２程度で足りる
。

そのため磁気ディスク或いは磁気テープが１ビツトの情
報記録に数１０〜数１００μｍ２の面積が必要なのと較
べて溝かに少なくて済み、従って大容量記録が可能であ
る。

またレンズで絞り込む際に光磁気ディスクの基板面では
ビーム径は約１ｆｌ程度の広さになるので、基板面に大
きさが数１０μＩＩ＋２の塵埃が存在していても記録・
再生に殆ど影響を与えずに済ませることができる。

このように光源としてレーザ光を用いる光磁気ディスク
及び光ディスクは優れた特性を備えているが、この両者
を比較すると、光ディスクは記録媒体として低融点金属
を用い、情報の記録と再生を穴（ビット）の有無により
行う読出し専用メモリ（Ｒｅａｄ　０ｎｌｙ　Ｍｅｍｏ
ｒｙ）が主であり、既に実用化されている。

一方、光磁気ディスクは書替え可能なメモリ（！！ｒａ
ｓａｂｌ（Ｍｅｍｏｒｙ）として開発が進められている
もので、レーザ照射された磁化膜の温度上昇による磁化
反転が情報の記録と消去に用いられ、磁化膜からの反射
光或いは透過光の偏光面の回転が光続出しに使用されて
いる。

ここで磁化膜として垂直磁化膜が用いられているが、こ
れは１とＯの記録ビーノドが隣接するときに垂直磁化膜
がより安定で高密度記録が可能なためである。

〔従来の技術〕

光磁気ディスクは先に記したように１μｍ以下の直径に
まで絞・ったレーザ光を記録媒体である垂直磁化膜に投
射し、照射部が部分的に加熱されてキュリ一温度の近傍
或いはこれ以上の温度にまで上昇するのを利用して記録
や消去を行うものである。

ここでディスクの回転数を一定とすると光磁気ディスク
の外周部と内周部とでは線速か異なるために同一のレー
ザパワーで照射を行っても被照射部の温度が異なると云
う問題がある。

すなわち内周から外周に行くに従って線速か大きくなる
ので温度上昇が小さくなる。

従ってレーザパワーを一定とし、また回転数を一定とし
た状態で記録と消去を行うには工夫が必要である。

然し、光磁気ディスクの実用化が行われていない現在、
未だ明確な処理方法は決まっておらず、実験的には情報
の記録或いは消去位置により連続的にレーザパワーを変
化させる方法が採られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

以上記したように光磁気ディスクはディスク基板の回転
中に内周部と外周部とでは線速か異なるためにディスク
基板の回転速度を一定とし、またレーザパワーを一定に
保持する場合に線速とどのようにして調和させるかが問
題である。

〔問題点を解決するための手段〕

上記の問題は透明基板上に垂直磁化膜を形成し、該垂直
磁化膜にレーザビームを照射して情報の記録と再生およ
び消去を行う光磁気ディスクにおいて、該透明基板と垂
直磁化膜との間に光吸収膜を設け、該吸収膜の膜厚を内
周部より外周部に向かって変化させたことを特徴とする
光磁気ディスクにより解決することができる。

〔作用〕

光磁気ディスクへの情報の記録と消去は垂直磁化膜に磁
場を加えた状態でレーザ照射してキュリ一温度にまで加
熱し、垂直磁化膜の磁化を磁場の方向に変えることによ
り行うものであるが、その際に垂直磁化膜の温度上昇は
レーザの照射強度を一定に保つ場合は照射時間に比例し
ている。

そのため内周部より外周部へ行くに従って単位面積当た
りの照射時間が少なく、従って垂直磁化膜の温度上昇が
低下するのを補償する方法として本発明は垂直磁化膜の
下に光吸収膜を設け、この膜厚を調節して内周部では光
吸収が少なく、外周部へ行くに従って光吸収が大きくな
るように形成することにより垂直磁化膜の温度上昇を線
速にマツチさせて一定値に保持させるものである。

すなわち成る平面に接して屈折率がｎｌなる薄膜を設け
、これに屈折率がｎ２なる媒質を通して光を入射させる
と、平面と薄膜との界面での反射光と薄膜と媒質との界
面での反射光とが干渉するが、この場合に光の吸収が最
大となる条件はｎ　＋　ｔ　＝１／４（２Ｎ＋１）　ｎ
２　　λ　・・・・・・（１）また光の吸収が最小とな
る条件は ｎ　２　ｔ　＝１／４　　・２　Ｎ　ｎｚ　λ　　・・
・・（２）但し　Ｌは薄膜の厚さ Ｎは正の整数 の関係がある。

そこで本発明はレーザ光の照射線速に対応させて内周部
から外周部に行くに従って光吸収が大きくなるようにす
るものである。

〔実施例〕

第１図は本発明を実施した光磁気ディスクの断面図で、
ポリメチル・メタクリエイト（ＰＭＭＡ）からなる透明
基板１の上に屈折率が２．４の硫化亜鉛（Ｚｎ　Ｓ　）
からなる光吸収膜２を設け、この上に例えば屈折率が３
．０のテルビウム・鉄・コバルト（Ｔｂ　Ｆｅ　Ｃｏ）
垂直磁化膜３が設けられているが、光吸収Ｍ２は内周部
より外周部に互って厚さを変えて形成されている。

またこの垂直磁化膜３の上には更に酸化硅素（Ｓｉｎ）
などからなる保護膜４が設けられている。

かかる透明基板１は図に示すように垂直磁化膜２の形成
部を内側とし、内周部と外周部にプラスチック或いは金
属からなるスペーサリング５を置き、上からＰＭＭＡな
どのディスク基板を張り合わせて光磁気ディスクが形成
される。

ここで本発明に使用しているＺｎ　Ｓからなる光吸収膜
は波長が８３０ｎ＋＋＋のレーザ光に対して第２図に示
すような光吸収特性をもっている。

すなわちＰＭＭＡＯ上に厚さを変えてＺｎ　Ｓ膜を作り
、これについてＰＭＭＡを通してレーザを照射して光吸
収特性を調べたもので、光吸収量の目安として反射率の
逆数をとっである。

すなわち膜厚が８００人付近と１８００人付近に吸収の
最大があるが、実施例の場合は前者の条件を使用し内周
部を３１０人にまた外周部が４３０人になるようにＺｎ
　Ｓの膜厚を調節した。

ここで膜厚の調節法としては真空蒸着法でディスク基板
上にＺｎ　Ｓを形成する場合に第３図に示すような開口
部６をもつマスク７を用い、これを蒸発源と被蒸着基板
との間に介在させ、被蒸着基板（この場合透明基板１）
を回転させて蒸着することにより形成した。

次にこのようにして形成したＺｎ　Ｓ光吸収膜２の上に
二部蒸着法によりＴｅとＦｅ、Ｃｏを蒸着して厚さ約１
０００人のＴｅ　Ｆｅ　Ｃｏからなる垂直磁化膜３を形
成し、更にその上に厚さ約１０００人のＳｉＯ保護膜４
を形成し、以下は従来の方法で外装を行い光磁気ディス
クをを形成した。

そして２ｍ−のレーザパワーで情報の記録を行ったが均
一な条件で記録が行われており、読出し強度に差は認め
られなかった。

〔発明の効果〕

以上記したように本発明は厚さを調節した光吸収膜を設
けることにより、光磁気ディスク基板の内周部と外周部
とで線速が異なるにも拘わらず、同一のレーザパワーで
記録あるいは消去を可能とするもので、本発明の実施に
より光磁気ディスクの動作機構を簡単化することができ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を実施した光磁気ディスクの断面図・ 第２図は光吸収膜の吸収特性、 第３図は蒸着マスクの平面図、 である。 図において、 １は透明基板、　　　　　２は光吸収膜、３は垂直磁化
膜、　　　　　６は開口部、７はマスク、 である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 透明基板（１）上に垂直磁化膜（３）を形成し、該垂直
   磁化膜（３）にレーザビームを照射して情報の記録と再
   生および消去を行う光磁気ディスクにおいて、該透明基
   板（１）と垂直磁化膜（３）との間に光吸収膜（２）を
   設け、該光吸収膜（２）の膜厚を内周部より外周部に向
   かって変化させたことを特徴とする光磁気ディスク。