JPS6265014A - 不均等な光源を像平面上に映すための光学的システム - Google Patents
不均等な光源を像平面上に映すための光学的システムInfo
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- JPS6265014A JPS6265014A JP61171935A JP17193586A JPS6265014A JP S6265014 A JPS6265014 A JP S6265014A JP 61171935 A JP61171935 A JP 61171935A JP 17193586 A JP17193586 A JP 17193586A JP S6265014 A JPS6265014 A JP S6265014A
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-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21K99/00—Subject matter not provided for in other groups of this subclass
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V13/00—Producing particular characteristics or distribution of the light emitted by means of a combination of elements specified in two or more of main groups F21V1/00 - F21V11/00
- F21V13/02—Combinations of only two kinds of elements
- F21V13/04—Combinations of only two kinds of elements the elements being reflectors and refractors
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/04—Optical design
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70058—Mask illumination systems
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Discharge Lamps And Accessories Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は均等な照明を表面に提供するためのシステムに
関し、更に詳細には、不均等な光源からの光線が平らな
表面を均等に照明するように向けられるシステムに関す
る。
関し、更に詳細には、不均等な光源からの光線が平らな
表面を均等に照明するように向けられるシステムに関す
る。
f’凸 *ffi 仕jG’Rfttknn41MJ
k l 1− 2 L J−? vrnw
r、w光源を使用している種々の適用があり、そのため
には表面の共通な照明が望ましい0例えば、映画を見る
ために像を反射スクリーン上に投射するときある程度の
均等性が望ましい、これ等の適用のいくつかは表面の照
明の高い均等性を必要としないが、他のものは必要とす
る0例えば、表面上に形成されるべきラインが1ミクロ
ン程度離して作られることができるマイクロ回路の91
造方法におけるフォトレジストを露出する工程は照明の
高度の均等性を必要とする。
k l 1− 2 L J−? vrnw
r、w光源を使用している種々の適用があり、そのため
には表面の共通な照明が望ましい0例えば、映画を見る
ために像を反射スクリーン上に投射するときある程度の
均等性が望ましい、これ等の適用のいくつかは表面の照
明の高い均等性を必要としないが、他のものは必要とす
る0例えば、表面上に形成されるべきラインが1ミクロ
ン程度離して作られることができるマイクロ回路の91
造方法におけるフォトレジストを露出する工程は照明の
高度の均等性を必要とする。
一般的に、照明されるべき平面上に光源を映し出す多く
のシステムは光源からの尤の均等な放射があるときのみ
その表面の均等な照明を生成する。
のシステムは光源からの尤の均等な放射があるときのみ
その表面の均等な照明を生成する。
しかし乍ら、いくつかの源からの放射線の角度分布(a
ngular disLribuLion)は空間分
布(spatialdisLribution)よりも
より均等である。即ち、部内の種々の点は異なる強さを
有しているが、各々の点からの放射線の角度分布は大質
的に均等である。この事実は第1図及びtJrJ2図に
示された如%を来祐術のシステムに利用されてきた。
ngular disLribuLion)は空間分
布(spatialdisLribution)よりも
より均等である。即ち、部内の種々の点は異なる強さを
有しているが、各々の点からの放射線の角度分布は大質
的に均等である。この事実は第1図及びtJrJ2図に
示された如%を来祐術のシステムに利用されてきた。
第1図に示された従来技術のシステムにおいて、源10
から放射される光線は、光源を対物レンズ18上に映す
レンズ12及び14より成っているコンデンサーレン:
X16を通過する。レンX’18からの射線(ray)
は規準レンズ20を通過し、そして平らな表面22を照
明する。
から放射される光線は、光源を対物レンズ18上に映す
レンズ12及び14より成っているコンデンサーレン:
X16を通過する。レンX’18からの射線(ray)
は規準レンズ20を通過し、そして平らな表面22を照
明する。
このシステムにおいて、像平面22上の照明の均等性は
コンデンサーレンズのセット16から米る光の均等性に
依存しており、このコンデンサーのセット16は更に源
10からの放射線の角度分布の均等性に依存している。
コンデンサーレンズのセット16から米る光の均等性に
依存しており、このコンデンサーのセット16は更に源
10からの放射線の角度分布の均等性に依存している。
このシステムにおいて、像平面22における光の変化は
約5%よりも大きく、これはいくつかの目的のために十
分に均をではない。
約5%よりも大きく、これはいくつかの目的のために十
分に均をではない。
第2図に示された従来技術のシステムでは、像平面22
における光の均等性は視野レンズ24m。
における光の均等性は視野レンズ24m。
24b及び24cを具備している複合(composi
te)レンX:24を用い第1図のコンデンサーレンズ
の1部を取替えることによって改良された。これ等の視
野レンズの各々はレンズ26m、26b及V26ceJ
[している対応する対物レンズ26上に源の像を生成し
、レンズ26a、26b及び26cの各々は更に像平面
22上にその聞達した視野レンズの像を生成する。lk
光レンズ28は対物レンズからの像を平面22における
1つの像内に没入する1f!能に役立つ。
te)レンX:24を用い第1図のコンデンサーレンズ
の1部を取替えることによって改良された。これ等の視
野レンズの各々はレンズ26m、26b及V26ceJ
[している対応する対物レンズ26上に源の像を生成し
、レンズ26a、26b及び26cの各々は更に像平面
22上にその聞達した視野レンズの像を生成する。lk
光レンズ28は対物レンズからの像を平面22における
1つの像内に没入する1f!能に役立つ。
第2図に示されたシステムの如き、従来#!を術のシス
テムは平らな表面上に実質的に均等な光を生成するのに
有効であった。しかし乍ら、そ、のシス・ テムによっ
て必要であるレンXの組合せは複雑であり、且つ商値で
あり、そして表面上の照明の高い均等性を提供する簡単
なシステムが望ましい。
テムは平らな表面上に実質的に均等な光を生成するのに
有効であった。しかし乍ら、そ、のシス・ テムによっ
て必要であるレンXの組合せは複雑であり、且つ商値で
あり、そして表面上の照明の高い均等性を提供する簡単
なシステムが望ましい。
!M雑なレンズの配置を有していないが焦点合せレンズ
をその代りに有しているシステムが光源からの光線を所
望の方向に向けるために従来技術において使Jlされて
きた。このようなシステムの実施例が「放射線を発生す
るVtjl (A pparatus andMet
hod for Generating
Radiation)Jと題するスベロ(spero)
等に討する米国特許fjS3,872.349号に開示
されている。スベロ等に開示されたシステムにおいて、
マイクロ波発生プラズマ光源がり7ンクターの焦、αに
又はその近くの放物面のリフレクター内側に配置されて
いる。源からの光線は平行様式に外方に反射される。米
国特許第3,872,349号に開示された如きシステ
ムの1つの目的は物体上に落ち照明の均等性に関係なく
照射される物体に小米る限り多くの放射される光を向け
ることであった。楕円の又は放物面のリフレクターの如
き焦点介せリフレクターの焦点における光源は表面を均
等に照明しないということは公知であるから、表面上に
均等な照明を提供する場合に尤源及V焦点合せす7レク
!−の可能性は従来技術において認められなかった。
をその代りに有しているシステムが光源からの光線を所
望の方向に向けるために従来技術において使Jlされて
きた。このようなシステムの実施例が「放射線を発生す
るVtjl (A pparatus andMet
hod for Generating
Radiation)Jと題するスベロ(spero)
等に討する米国特許fjS3,872.349号に開示
されている。スベロ等に開示されたシステムにおいて、
マイクロ波発生プラズマ光源がり7ンクターの焦、αに
又はその近くの放物面のリフレクター内側に配置されて
いる。源からの光線は平行様式に外方に反射される。米
国特許第3,872,349号に開示された如きシステ
ムの1つの目的は物体上に落ち照明の均等性に関係なく
照射される物体に小米る限り多くの放射される光を向け
ることであった。楕円の又は放物面のリフレクターの如
き焦点介せリフレクターの焦点における光源は表面を均
等に照明しないということは公知であるから、表面上に
均等な照明を提供する場合に尤源及V焦点合せす7レク
!−の可能性は従来技術において認められなかった。
問題点を解決するための手段
ここに開示された本発明は、放物線の不均等なエミッタ
ーであり、焦点合せリフレクターの焦点における又はそ
の近くに配置されているボリューム(Volume)源
から放射される光線が表面上に均等な照明を提供するよ
うな方法で組合っている通路内で反射されるという予期
しない発見に基づいている。
ーであり、焦点合せリフレクターの焦点における又はそ
の近くに配置されているボリューム(Volume)源
から放射される光線が表面上に均等な照明を提供するよ
うな方法で組合っている通路内で反射されるという予期
しない発見に基づいている。
従って本発明の1つの目的は不均普な光源を使眉する表
面を均等に照射する光学的システムを提供することであ
る。
面を均等に照射する光学的システムを提供することであ
る。
本発明によれば、
光線を反射するための焦点合せリフレクターと、源のボ
リューム全体に亘り点から点に光の空間的に不均等な光
の放射を有しており、焦点合せリフレクターの焦点にお
いて又はその近くで該焦点合せリフレクターの前に配置
されているボリューム光源と を具備している表面を均等に照明するための光学的シス
テムが提供される。
リューム全体に亘り点から点に光の空間的に不均等な光
の放射を有しており、焦点合せリフレクターの焦点にお
いて又はその近くで該焦点合せリフレクターの前に配置
されているボリューム光源と を具備している表面を均等に照明するための光学的シス
テムが提供される。
本発明の1見地において、光源は発光ブスの囲まれた本
体を具備しており、その水平線(horizon)が、
中心に関して、I(pole)の近くでより明るく見え
、赤道(equator)の近くで薄暗く、又は逆に赤
道の平面の近くの位置から見たとき他の近くで薄暗くそ
して赤道の近くでより明るく見える、この場合に極が1
(電、ζ合せリフレクターの軸線上にある源の表面を指
示しており、赤道が源の幾何学的中心を通り、且つ該焦
点合せリフレクターの軸線に垂′直な平面における鉄源
の表面上の点を表わしており、そして水平線は源の外側
の任意の点から見た源の周囲である。
体を具備しており、その水平線(horizon)が、
中心に関して、I(pole)の近くでより明るく見え
、赤道(equator)の近くで薄暗く、又は逆に赤
道の平面の近くの位置から見たとき他の近くで薄暗くそ
して赤道の近くでより明るく見える、この場合に極が1
(電、ζ合せリフレクターの軸線上にある源の表面を指
示しており、赤道が源の幾何学的中心を通り、且つ該焦
点合せリフレクターの軸線に垂′直な平面における鉄源
の表面上の点を表わしており、そして水平線は源の外側
の任意の点から見た源の周囲である。
本発明の更に他の見地において、規準レンズは像平面上
に均等な照明及びテレセントリック(telecent
ric)照明の双方を提供するために、焦点合せリフレ
クターから反射される光線を規準するために設けられて
いる。この規準レンズは像平面に平行な平面において、
且つ焦点合せリフレクターの制限開口が規準レンズの焦
点にある又はその近くにあるように光源からのある距離
において、像平面と光源との間に配raされている。
に均等な照明及びテレセントリック(telecent
ric)照明の双方を提供するために、焦点合せリフレ
クターから反射される光線を規準するために設けられて
いる。この規準レンズは像平面に平行な平面において、
且つ焦点合せリフレクターの制限開口が規準レンズの焦
点にある又はその近くにあるように光源からのある距離
において、像平面と光源との間に配raされている。
本文に説明されているシステムによって達成される像平
面の光照明の均等性は、楕円の又は放物線の典型的なリ
フレクターの如き焦点合せリフレクターの焦点における
光源が表面を均等に照明しないという事実から見て予期
されない。
面の光照明の均等性は、楕円の又は放物線の典型的なリ
フレクターの如き焦点合せリフレクターの焦点における
光源が表面を均等に照明しないという事実から見て予期
されない。
本文に説明したシステムは高度の均等性を達成し、なお
構成部品は比較的簡単である。このシステムはマイクロ
回路を作るための工程においてホトレノストを露出する
場合に特に有用である。
構成部品は比較的簡単である。このシステムはマイクロ
回路を作るための工程においてホトレノストを露出する
場合に特に有用である。
本文に使用されている如き用語[焦点合せリフレクター
(focusiB reflector)Jは回転表
面又はほぼ回転表面を規定する反射表面のことを言い、
且つ楕円の、放物面の、球形の及び他の算術的にあまり
規定できないリフレクターを含んでいる。
(focusiB reflector)Jは回転表
面又はほぼ回転表面を規定する反射表面のことを言い、
且つ楕円の、放物面の、球形の及び他の算術的にあまり
規定できないリフレクターを含んでいる。
例えば、有用である焦点介せリフレクターは、共通の軸
線の周りの一連のリング又は平らなセグメンFを組立て
ることによって構成されることがで終た。楕円のリフレ
クターは理論的には最もよいが、しかし乍ら、1J7レ
クターから像の平面までの距離とリフレクターの焦点和
綴との比が約5よりも大きい(即ち、5:1以上の像の
比のとき)のが最もよく、楕円のリフレクターと放物面
のリフレクターとの間に実際的な差はない。
線の周りの一連のリング又は平らなセグメンFを組立て
ることによって構成されることがで終た。楕円のリフレ
クターは理論的には最もよいが、しかし乍ら、1J7レ
クターから像の平面までの距離とリフレクターの焦点和
綴との比が約5よりも大きい(即ち、5:1以上の像の
比のとき)のが最もよく、楕円のリフレクターと放物面
のリフレクターとの間に実際的な差はない。
用語(テレセントリック)と言うのは、射線の角度分布
が像平面上のすべての点において同じであることを言う
。
が像平面上のすべての点において同じであることを言う
。
用語[制限開口(limiting apertur
e)Jと言うのは焦点合せリフレクターの周囲によって
囲まれた面積、又は焦点合せリフレクター前にある任意
のより制限されている開口を言う。
e)Jと言うのは焦点合せリフレクターの周囲によって
囲まれた面積、又は焦点合せリフレクター前にある任意
のより制限されている開口を言う。
実施例
本発明は他の平均等放物#Iaの使JTJにもくろまれ
ているが、本システムは無電極光源と共に使用°するの
に特によみ適合されており、そして本発明はこめような
システムを説明することによって詳細に例示されている
。無電極光源は公知であり、且つ例えば米国特許wS4
,485.332号に記載されている。一般的に、プラ
ズマ形成媒体を含んでいるパルプがリフレクター及びメ
ツシュを具備しているマイクロ波空洞内に配置されてお
り、そしてマイクロ波エネルギーがランプを励起するた
めに空洞に結合される。
ているが、本システムは無電極光源と共に使用°するの
に特によみ適合されており、そして本発明はこめような
システムを説明することによって詳細に例示されている
。無電極光源は公知であり、且つ例えば米国特許wS4
,485.332号に記載されている。一般的に、プラ
ズマ形成媒体を含んでいるパルプがリフレクター及びメ
ツシュを具備しているマイクロ波空洞内に配置されてお
り、そしてマイクロ波エネルギーがランプを励起するた
めに空洞に結合される。
本発明の実施において、光源がラジオ周波数からマイク
ロ波に及ぶ範囲の電磁波によって付勢される電磁結合さ
れた無電極ランプが使用されることができる。
ロ波に及ぶ範囲の電磁波によって付勢される電磁結合さ
れた無電極ランプが使用されることができる。
第3図に示された如きシステムにおいて、放物線部30
がプラズマ形成媒体で充たされた球形の融解石英パルプ
によって例示されており、プラズマ形成媒体はマイクロ
波空洞34に結合されているマイクロ波エネルギーによ
って励起される。空洞34は1方側をスクリーン36に
よって、そして他方の側をリフレクター32によってお
おわれており、その光軸は2−2である。スクリーン3
6と焦点合せリフレクター32の周辺33を電気的に接
続している円筒状本体35は非反射性の導電性内面を有
している。パルプ30から放射する光線はリフレクター
32から規準レンズ38の方に反射され、そして像平面
40上にぶつかる。
がプラズマ形成媒体で充たされた球形の融解石英パルプ
によって例示されており、プラズマ形成媒体はマイクロ
波空洞34に結合されているマイクロ波エネルギーによ
って励起される。空洞34は1方側をスクリーン36に
よって、そして他方の側をリフレクター32によってお
おわれており、その光軸は2−2である。スクリーン3
6と焦点合せリフレクター32の周辺33を電気的に接
続している円筒状本体35は非反射性の導電性内面を有
している。パルプ30から放射する光線はリフレクター
32から規準レンズ38の方に反射され、そして像平面
40上にぶつかる。
点Aはシステムの光軸が像平面40を通過する点である
。光は主として球形の[30の表面から放射するが、射
線(ray)は源30の中心から点へまでトレース(L
race)されることができる、実際にパルプ30の中
心からトレースされ、そしてリフレクター32に当たる
放射線は点Aまでトレースされる。
。光は主として球形の[30の表面から放射するが、射
線(ray)は源30の中心から点へまでトレース(L
race)されることができる、実際にパルプ30の中
心からトレースされ、そしてリフレクター32に当たる
放射線は点Aまでトレースされる。
像平面40上の点Bに達する射線の分析は第4図及び第
5図に関連して示されているように簡単ではない、第4
図及び第5図は、IJ7レクター32の最も縁から反射
後点Bに達する4つの射線の詳細を示している。第4図
に示された如く、射線1及び3は第5図に示された射l
lA2及び4と同様に、源30の表面から切線方向に放
射する。これ等の射線は、源30からトレースされ、且
つ像平面40上の点Bに達するすべての射線が源から切
線方向に放射するので、点Bに達するこれ等の射線を代
表している。更に、リフレクター30の最も縁から反射
する射線は点Bよりも遠いA点からの像平面40に当た
らない、B点は円上にあり、その円は全リフレクター3
0によって照射される像平面のその部分の境界であり、
そしてその円は均等に照射される像平面のその部分の周
囲である。
5図に関連して示されているように簡単ではない、第4
図及び第5図は、IJ7レクター32の最も縁から反射
後点Bに達する4つの射線の詳細を示している。第4図
に示された如く、射線1及び3は第5図に示された射l
lA2及び4と同様に、源30の表面から切線方向に放
射する。これ等の射線は、源30からトレースされ、且
つ像平面40上の点Bに達するすべての射線が源から切
線方向に放射するので、点Bに達するこれ等の射線を代
表している。更に、リフレクター30の最も縁から反射
する射線は点Bよりも遠いA点からの像平面40に当た
らない、B点は円上にあり、その円は全リフレクター3
0によって照射される像平面のその部分の境界であり、
そしてその円は均等に照射される像平面のその部分の周
囲である。
焦点合せリフレクターの周囲が一定の直径及び位置の円
であるとき、像平面内の点Bを通る円は光源の中心が焦
点合せリフレクターの周囲の平面にあると軽最大であり
、そしてリフレクターは光源のためのその位置に適応す
るように設計される。
であるとき、像平面内の点Bを通る円は光源の中心が焦
点合せリフレクターの周囲の平面にあると軽最大であり
、そしてリフレクターは光源のためのその位置に適応す
るように設計される。
光源はリフレクターの周囲を規定する平面に又はその近
くにあるのが理想的である。
くにあるのが理想的である。
第6図及(7117図は第4図及び第5図にl1aLで
おり、そして源の表面から放射し、第4図及び第5図に
示された射[1乃至4よりもその中心に近い点でリフレ
クター32に当たり、そして已に達する射線5.6.7
及び8を示している。源30から切線方向に放射し、射
線7と同じ点でリフレクター32に当たる16図に示さ
れた射線9は、点Bよりも第3図の点Aから離れた点で
像平面に当たり、そして照明の有用な領域外に落ちる。
おり、そして源の表面から放射し、第4図及び第5図に
示された射[1乃至4よりもその中心に近い点でリフレ
クター32に当たり、そして已に達する射線5.6.7
及び8を示している。源30から切線方向に放射し、射
線7と同じ点でリフレクター32に当たる16図に示さ
れた射線9は、点Bよりも第3図の点Aから離れた点で
像平面に当たり、そして照明の有用な領域外に落ちる。
従って、リフレクター32のより中心領域はリフレクタ
ー32の外方部分よりもリフレクター32のより中心領
域が像平面上に源のより大きい像を生成する。
ー32の外方部分よりもリフレクター32のより中心領
域が像平面上に源のより大きい像を生成する。
第3図のマイクロ波空洞は、システムの光軸に一致して
いる空洞の軸線に平行な振動電場を生ずるためにマイク
ロ波によって駆動される。バルブ30内のガスはこの場
によって励起されて、そして第8b図、第8c図及び第
8d図に示された如き強さのパターンを有している光を
放射する。
いる空洞の軸線に平行な振動電場を生ずるためにマイク
ロ波によって駆動される。バルブ30内のガスはこの場
によって励起されて、そして第8b図、第8c図及び第
8d図に示された如き強さのパターンを有している光を
放射する。
第8b図は第8図のフィンe−eによって示された如き
電場に垂直な方向から源をみて、且つ第8図のラインx
−xによって示された如き電場に垂直な方向にパルプを
走査している測光器によって測定したときの強さパター
ンを示している。かくの如く明らかにされたiさパター
ンは、源が放射性ガスめ中空球形シェルであり、且つ源
の中心のガスがより多くの放射線を提供しないという事
実から生じている。源は、表面層の見掛上のより厚い厚
さのため表面がある角度で見られると柊より強く見える
。
電場に垂直な方向から源をみて、且つ第8図のラインx
−xによって示された如き電場に垂直な方向にパルプを
走査している測光器によって測定したときの強さパター
ンを示している。かくの如く明らかにされたiさパター
ンは、源が放射性ガスめ中空球形シェルであり、且つ源
の中心のガスがより多くの放射線を提供しないという事
実から生じている。源は、表面層の見掛上のより厚い厚
さのため表面がある角度で見られると柊より強く見える
。
第8c図は源がラインeeに沿って電場に平行な方向に
走査されるとき幾分異なる強さパターンを示している。
走査されるとき幾分異なる強さパターンを示している。
このパターンは、場が表面に平ffである場合源はより
明るく、そして場が表面に垂直である場合源が領域にお
ける比較的冷い、幾分吸収性のブスの層によってカバー
されるという事実から生ずる。
明るく、そして場が表面に垂直である場合源が領域にお
ける比較的冷い、幾分吸収性のブスの層によってカバー
されるという事実から生ずる。
第8d図は、電場に平行な方向から源を見ている測光器
を用いてfIS8 a図のラインy−yに沿って源の中
心を通る通路に沿った走査結果を示している。その結果
得られた強さパターンは源の前述の論理結果である。
を用いてfIS8 a図のラインy−yに沿って源の中
心を通る通路に沿った走査結果を示している。その結果
得られた強さパターンは源の前述の論理結果である。
前述の如す源が、球の外観を有しており、その水平線は
中心に比較して、赤道の近くでより明るく、そして極の
近くでより暗い、この場合極はリフレクターの軸線上に
ある源の点であり、赤道はリフレクターの軸線に垂直な
平面における源の表面上の大きな円であり、そして水平
線は源の外側の任意の点から見た源の周囲である。
中心に比較して、赤道の近くでより明るく、そして極の
近くでより暗い、この場合極はリフレクターの軸線上に
ある源の点であり、赤道はリフレクターの軸線に垂直な
平面における源の表面上の大きな円であり、そして水平
線は源の外側の任意の点から見た源の周囲である。
所望により、明るさ及びWI暗さの相対位置は光軸に垂
直な電場と共に周辺に分極された(polarizcd
)マイクロ波の場の使用によって逆にされることができ
る。
直な電場と共に周辺に分極された(polarizcd
)マイクロ波の場の使用によって逆にされることができ
る。
光源は球形である如く説明したが、他の幾何学的形状を
有する光源が使用されることができる。
有する光源が使用されることができる。
例えば、艮球円、又はHi球の艮球円形状の光源が使用
されることができる。しかしながら、実質的に球形又は
長球円形状からの逸脱は利点を提供しない。
されることができる。しかしながら、実質的に球形又は
長球円形状からの逸脱は利点を提供しない。
WS9図乃至第14図は像平面内にあり、且つ第3図の
、αA及びBを通過する線に沿った光の強さを例示して
いる。第9図は第4図及ゾtIs5図の点1によって反
射された光によるこのフィンの強さに対する寄与(co
ntribution)を例示している。
、αA及びBを通過する線に沿った光の強さを例示して
いる。第9図は第4図及ゾtIs5図の点1によって反
射された光によるこのフィンの強さに対する寄与(co
ntribution)を例示している。
第10図は第4図及V第5図の点3による光の寄与を例
示しており、そして第11図は点2及び4による寄与を
例示している。これ等の強さのパターンは上記の如き源
の強さのパターンの結果である。、α1.2.3及び4
の寄与の合計が点A及びBを通るラインの多少均等な照
明である。
示しており、そして第11図は点2及び4による寄与を
例示している。これ等の強さのパターンは上記の如き源
の強さのパターンの結果である。、α1.2.3及び4
の寄与の合計が点A及びBを通るラインの多少均等な照
明である。
第12図は第6図及び第7図の点5に基づいている。
tIS13図は点7に基づいており、そして第14図は
点6及び8に基づいている。これ等の点はA及びBを通
るラインのより大きな長さを照明する。
点6及び8に基づいている。これ等の点はA及びBを通
るラインのより大きな長さを照明する。
点5.6.7及び8の寄与の合計が点Bと同様に点へに
接近又はより接近したすべての点に討するラインのかな
り均等な照明である。
接近又はより接近したすべての点に討するラインのかな
り均等な照明である。
+77レクター上に無限数の点があり、そして、代表的
な1つのみについて説明するが、楕円リフレクターは、
源の不均等性を削除して照明の均等性を生ずるように源
からの光を分布することは理解されるであろう、システ
ムの軸対称により、A及びBを通るラインに沿う照明の
均等性が像平面上のすべての点に加えられ、これ等の点
はもはやA%Bのへだたりはない。
な1つのみについて説明するが、楕円リフレクターは、
源の不均等性を削除して照明の均等性を生ずるように源
からの光を分布することは理解されるであろう、システ
ムの軸対称により、A及びBを通るラインに沿う照明の
均等性が像平面上のすべての点に加えられ、これ等の点
はもはやA%Bのへだたりはない。
第15図は赤道平面に近い位置50からみたときボリュ
ーム(volume)光源30の極44.46、赤道4
0及び水平線42の位置を例示するために提供されてい
る。
ーム(volume)光源30の極44.46、赤道4
0及び水平線42の位置を例示するために提供されてい
る。
上記の如く、像平面を均等に照明するために源からの光
を十分によく同じような方法で像平面上に反射する楕円
のリフレクター以外のリフレクターが使用されることが
できる。これ等のリフレクターは放物面状の、球形の、
又は他の算術的に明確に定義づけられない平面を含んで
いる。
を十分によく同じような方法で像平面上に反射する楕円
のリフレクター以外のリフレクターが使用されることが
できる。これ等のリフレクターは放物面状の、球形の、
又は他の算術的に明確に定義づけられない平面を含んで
いる。
像平面は規準レンズなしで均等に照明されるが、いくつ
かの目的のために像平面に当たるすべての尤#iに対し
てテレセントリック(telecentric)、即ち
像平面内のすべての点で射線の角度分布が同一であるこ
とが重要である。光線は、リフレクターの制限開口が規
準レンズの焦点に又はその近くにあるように光源からの
ある距離において、像平面と光源との間に規準レンズを
挿入することによってテレセントリックにされることが
できる。
かの目的のために像平面に当たるすべての尤#iに対し
てテレセントリック(telecentric)、即ち
像平面内のすべての点で射線の角度分布が同一であるこ
とが重要である。光線は、リフレクターの制限開口が規
準レンズの焦点に又はその近くにあるように光源からの
ある距離において、像平面と光源との間に規準レンズを
挿入することによってテレセントリックにされることが
できる。
本発明について説明したが、次の大側は本発明をより詳
細に例示するために提供されている。
細に例示するために提供されている。
第3図に従って構成されたシステムは、直径3゜フイン
チ(約94−論)、幅2インチ(約51−■)の円筒状
の壁によっておおわれたマイクロ波空洞と、円筒の1力
の端におけるスクリーンと、他方の端の放物面のリフレ
クターとを有している。放物面のリフレクターは円筒の
軸線上にその焦点を有している。aは水lIlガス(m
ercury gas)を満しりt<ルプであり、且
つ200ナノメータから240ナノメータの波長で紫外
線光を生成するために1゜5kmのパワーレベルを有し
ているマイクロ波によって付勢される。放物面のリフレ
クターの軸線と一致している細線を有している規準レン
ズが放物面のリフレクターの焦点から24インチ(約6
10−)に配置されている0M4点は焦点合せリフレク
ターの周囲によって規定された平面にある。像平面上の
照明レベルは有効141′i積を4%以上超えないだけ
変化する。
チ(約94−論)、幅2インチ(約51−■)の円筒状
の壁によっておおわれたマイクロ波空洞と、円筒の1力
の端におけるスクリーンと、他方の端の放物面のリフレ
クターとを有している。放物面のリフレクターは円筒の
軸線上にその焦点を有している。aは水lIlガス(m
ercury gas)を満しりt<ルプであり、且
つ200ナノメータから240ナノメータの波長で紫外
線光を生成するために1゜5kmのパワーレベルを有し
ているマイクロ波によって付勢される。放物面のリフレ
クターの軸線と一致している細線を有している規準レン
ズが放物面のリフレクターの焦点から24インチ(約6
10−)に配置されている0M4点は焦点合せリフレク
ターの周囲によって規定された平面にある。像平面上の
照明レベルは有効141′i積を4%以上超えないだけ
変化する。
放物面のリフレクターはリフレクターから像平面までの
距離と焦点から像平面までの距離との比が充分大きく、
従って楕円のリフレクターと放物面リフレクターとの間
に実際上の差がないので、その容易な適用性により本実
施例に説明されたシステムに使用される。
距離と焦点から像平面までの距離との比が充分大きく、
従って楕円のリフレクターと放物面リフレクターとの間
に実際上の差がないので、その容易な適用性により本実
施例に説明されたシステムに使用される。
第1図は不均等放射線源を使用する表面を均等に照明す
るための1つの従来技術の概略的な図である。 第2図は、不均等放射線源を使用している表面を均等に
例示するための他の従来技術の概略的な図である。 第3図は不均等な光源を使用している表面を均等に使用
名するための本発明のシステムの概略的な図である。 第4図及V第5図は本発明による光源及1楕円のリフレ
クターの配置を示しており、且つ楕円の表面に当たる光
線の通路を例示しているそれぞれ側面図及び正面図の概
略的な図である。 fJSe図及び第7図は、第4図及びjls図に示され
ているよりも中心に近い点でリフレクターに当たる光線
の通路を例示している本発明による光源及び関連する楕
円のリフレクターを示している、それぞれ側面図及び正
面図の概略的な図である。 18図はマイクロ波空洞内の光源の側面図の概略的な図
である。 第8a図はIr58図の光源の正面図の概略的な図であ
る。 第8b図はマイクロ波電場に垂直な方向から第8図のx
−X線に沿って源を見て測光器によって測定したとき第
8図の光源に対す°る光のg!iさの変化を示している
グラフである。 第8c図はマイクロ波電場に平行なうインに沿って電源
を見て測光器によって測定したと鰺の第8図の光源に対
する光の変化を示しているグラフである。 第8d図は第8a図のy−y#iに沿って電源を見て測
光器によって測定したときの第8図の光源に討覗する光
の強さの変化を示しているグラフである。 第9図乃至第14図は像平面内にあり、且つ第3図の点
A及びBを通過するラインに沿う光の強さの変化を例示
している。 第15図は赤道の近くの位置からの極、赤道、及び水平
線の相対位置を例示している。 10・・・源 16・・・コンデンサーレンズ 18・・・N吻しンズ 20・φ拳規準レンズ 22.40φ−・像平面 24m、24b、24c・・・視野レンズ28・・・集
光レンズ 30・・・放射線源 32・・・+77レクター 34・・・マイクロ波空洞 35・・・円筒状本体 36・・・スクリーン 図面の浄書(内容に変更なし) 対 !&S 狼之 鬼ζ 手続補正沓動式) 昭和61年10月3日
るための1つの従来技術の概略的な図である。 第2図は、不均等放射線源を使用している表面を均等に
例示するための他の従来技術の概略的な図である。 第3図は不均等な光源を使用している表面を均等に使用
名するための本発明のシステムの概略的な図である。 第4図及V第5図は本発明による光源及1楕円のリフレ
クターの配置を示しており、且つ楕円の表面に当たる光
線の通路を例示しているそれぞれ側面図及び正面図の概
略的な図である。 fJSe図及び第7図は、第4図及びjls図に示され
ているよりも中心に近い点でリフレクターに当たる光線
の通路を例示している本発明による光源及び関連する楕
円のリフレクターを示している、それぞれ側面図及び正
面図の概略的な図である。 18図はマイクロ波空洞内の光源の側面図の概略的な図
である。 第8a図はIr58図の光源の正面図の概略的な図であ
る。 第8b図はマイクロ波電場に垂直な方向から第8図のx
−X線に沿って源を見て測光器によって測定したとき第
8図の光源に対す°る光のg!iさの変化を示している
グラフである。 第8c図はマイクロ波電場に平行なうインに沿って電源
を見て測光器によって測定したと鰺の第8図の光源に対
する光の変化を示しているグラフである。 第8d図は第8a図のy−y#iに沿って電源を見て測
光器によって測定したときの第8図の光源に討覗する光
の強さの変化を示しているグラフである。 第9図乃至第14図は像平面内にあり、且つ第3図の点
A及びBを通過するラインに沿う光の強さの変化を例示
している。 第15図は赤道の近くの位置からの極、赤道、及び水平
線の相対位置を例示している。 10・・・源 16・・・コンデンサーレンズ 18・・・N吻しンズ 20・φ拳規準レンズ 22.40φ−・像平面 24m、24b、24c・・・視野レンズ28・・・集
光レンズ 30・・・放射線源 32・・・+77レクター 34・・・マイクロ波空洞 35・・・円筒状本体 36・・・スクリーン 図面の浄書(内容に変更なし) 対 !&S 狼之 鬼ζ 手続補正沓動式) 昭和61年10月3日
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、像平面上に均等で、且つテレセントリックな照明を
提供するために、不均等な光源を像平面上に映すための
光学的システムにおいて、 焦点合せリフレクターと; 該源のボリューム全体に亘り点対点からの光の空間的に
不均等な放射を有しており、該焦点合せリフレクターの
焦点において又はその近くに該焦点合せリフレクターの
前に配置されているボリューム光源と、 該像平面に平行であり、且つ該リフレクターの制限開口
が該レンズの焦点にあり、又は焦点の近くにあるように
、該光源からある距離における平面において、該像平面
と該光源との間に配置されている規準レンズであつて、
これによつて該光源から放射する光が該像平面上に均等
で、且つテレセントリックな照明を提供する規準レンズ
と、を具備することを特徴とするシステム。 2、該光源が球形である特許請求の範囲第1項記載のシ
ステム。 3、像平面上に均等な照明を提供するために不均等な光
源を該像平面上に映すための光学的システムにおいて: 光線を反射するための焦点合せリフレクターと;該焦点
合せリフレクターの軸線上に配置されており、且つ該焦
点合せリフレクターの焦点上に又はその近くに配置され
ている光源とを具備しており、 該源が発光ガスの囲まれた本体を具備しており、赤道の
平面の近くの位置から見たとき、該囲まれた本体の水平
線が、中心と比較して、極の近くでより明るく、そして
赤道の近くで薄暗く、又は赤道の近くでより明るく、極
の近くで薄暗い、但しこの場合該極は焦点合せリフレク
ターの軸線上にある源の点であり、該赤道が該源の幾何
学的中心を通り、且つ該焦点合せリフレクターの軸線に
垂直な平面における該源の表面上の点を表わしており、
該水平面が該源の外側の任意の点から見た源の周囲であ
る、 ことを特徴とする光学的システム。 4、該平面上に均等な照明を提供するために不均等な光
源を像平面上に映すための光学的システムにおいて: 光線を反射するための焦点合せリフレクターと;該焦点
合せリフレクターの軸線上に配置されており、且つ該焦
点合せリフレクターの焦点上に又はその近くに配置され
ている光源とを具備しており、 該源が球の外見を有しており、赤道の平面に近い位置か
ら見たとき該球の水平線が、中心に比較して、極の近く
でより明るく、該赤道の近くで薄暗く、又は該赤道の近
くでより明るく、該極の近くで薄暗い、但しこの場合該
極は該焦点合せリフレクターの軸線上にある該源の点で
あり、該赤道が該焦点合せリフレクターの軸線に垂直な
平面における該源の表面上の大きな円であり、該水平線
が該源の外側の任意の点から見た源の周囲であることを
特徴とする光学的装置。 5、該リフレクターの制限開口が該レンズの焦点に、又
はその近くにあるように該像平面に平行であり、且つ該
光源からのある距離における平面において像平面と光源
との間に配置された規準レンズを更に含んでおり、これ
によつて該源から放射する光が該像平面上に均等な、且
つテレセントリック照明を提供する特許請求の範囲第3
項及び第4項記載の光学的システム。 6、該光源が無電極ランプを具備している特許請求の範
囲第1項、第3項又は第4項記載の光学的システム。 7、該光源がジオ周波数からマイクロ波周波数の周波数
範囲で電磁放射線によつて付勢される特許請求の範囲第
1項、第3項又は第4項記載の光学的システム。 8、該光源がマイクロ波空洞内に配置されたプラズマ形
成媒体を含むバルブであり、そして該焦点合せリフレク
ターが該マイクロ波空洞を規定している表面の1部分を
形成している特許請求の範囲1項、第3項又は第4項記
載の光学的システム。 9、該焦点合せリフレクターが楕円のリフレクターであ
る特許請求の範囲第1項、第3項又は第4項記載の光学
的システム。 10、該焦点合せリフレクターが放物面のリフレクター
である特許請求の範囲第1項、第3項又は第4項記載の
光学的システム。 11、該焦点合せリフレクターが共通の軸線の周りに配
置された一連のリング又は平らなセグメントを具備して
いる特許請求の範囲第1項、第3項又は第4項記載の光
学的システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/757,976 US4812957A (en) | 1985-07-23 | 1985-07-23 | Optical system for uniform illumination of a plane surface |
| US757976 | 1985-07-23 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6265014A true JPS6265014A (ja) | 1987-03-24 |
Family
ID=25049958
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61171935A Pending JPS6265014A (ja) | 1985-07-23 | 1986-07-23 | 不均等な光源を像平面上に映すための光学的システム |
| JP1990088446U Expired - Lifetime JPH0542416Y2 (ja) | 1985-07-23 | 1990-08-27 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1990088446U Expired - Lifetime JPH0542416Y2 (ja) | 1985-07-23 | 1990-08-27 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4812957A (ja) |
| JP (2) | JPS6265014A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4975625A (en) * | 1988-06-24 | 1990-12-04 | Fusion Systems Corporation | Electrodeless lamp which couples to small bulb |
| US6797971B2 (en) * | 2002-07-18 | 2004-09-28 | Fusion Uv Systems, Inc. | Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation |
| US6649921B1 (en) | 2002-08-19 | 2003-11-18 | Fusion Uv Systems, Inc. | Apparatus and method providing substantially two-dimensionally uniform irradiation |
| US6717161B1 (en) | 2003-04-30 | 2004-04-06 | Fusion Uv Systems, Inc. | Apparatus and method providing substantially uniform irradiation of surfaces of elongated objects with a high level of irradiance |
| US6967342B2 (en) * | 2003-07-31 | 2005-11-22 | Fusion Uv Systems, Inc. | Method and apparatus for improved ultraviolet (UV) treatment of large three-dimensional (3D) objects |
| CN105223681A (zh) * | 2015-11-11 | 2016-01-06 | 沈阳理工大学 | 一种医用电子内窥镜聚光系统 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843416A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ミラ−集光型逆エキスパンドアフオ−カル照明光学系 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE305151C (ja) * | ||||
| US3296432A (en) * | 1962-08-13 | 1967-01-03 | Trw Inc | Radiation beam forming apparatus |
| US3296923A (en) * | 1965-01-04 | 1967-01-10 | Gen Electric | Lenticulated collimating condensing system |
| US3720460A (en) * | 1971-04-19 | 1973-03-13 | Optical Radiation Corp | Projection light source and optical system |
| US3911318A (en) * | 1972-03-29 | 1975-10-07 | Fusion Systems Corp | Method and apparatus for generating electromagnetic radiation |
| US3872349A (en) * | 1973-03-29 | 1975-03-18 | Fusion Systems Corp | Apparatus and method for generating radiation |
| US3941475A (en) * | 1974-07-01 | 1976-03-02 | Tamarack Scientific Co., Inc. | Optical microcircuit printing system |
| US4001632A (en) * | 1975-04-21 | 1977-01-04 | Gte Laboratories Incorporated | High frequency excited electrodeless light source |
| US4042850A (en) * | 1976-03-17 | 1977-08-16 | Fusion Systems Corporation | Microwave generated radiation apparatus |
| JPS5760695A (en) * | 1980-09-27 | 1982-04-12 | Mitsubishi Electric Corp | Microwave discharge light source |
| US4427921A (en) * | 1981-10-01 | 1984-01-24 | Gte Laboratories Inc. | Electrodeless ultraviolet light source |
| DE3226580A1 (de) * | 1981-12-08 | 1983-06-16 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Scheinwerfer fuer kraftfahrzeuge |
| US4485332A (en) * | 1982-05-24 | 1984-11-27 | Fusion Systems Corporation | Method & apparatus for cooling electrodeless lamps |
| US4480213A (en) * | 1982-07-26 | 1984-10-30 | Gte Laboratories Incorporated | Compact mercury-free fluorescent lamp |
| US4673846A (en) * | 1984-03-02 | 1987-06-16 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Microwave discharge light source apparatus |
-
1985
- 1985-07-23 US US06/757,976 patent/US4812957A/en not_active Expired - Lifetime
-
1986
- 1986-07-23 JP JP61171935A patent/JPS6265014A/ja active Pending
-
1990
- 1990-08-27 JP JP1990088446U patent/JPH0542416Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5843416A (ja) * | 1981-09-10 | 1983-03-14 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | ミラ−集光型逆エキスパンドアフオ−カル照明光学系 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4812957A (en) | 1989-03-14 |
| JPH0345510U (ja) | 1991-04-26 |
| JPH0542416Y2 (ja) | 1993-10-26 |
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