JPS626537Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本考案は、無接点式の回転数検出器に関し、特
に磁電変換素子の個々のスイツチング動作点のバ
ラツキに対し、多極着磁のリング状磁石の回転に
よる交番磁束密度のレベルを合わせることを可能
にしたものに関する。

〔従来の技術と問題点〕

従来この種の回転数検出器は第１図と第２図に
示すように、回転軸１に非磁性材の回転体２が固
定され、この回転体２の一側に多極着磁のリング
状磁石３が埋設してある。また、リング状磁石３
に対向する位置に合成樹脂製の円筒ブロツク４が
配置され、円筒ブロツク４のリング状磁石側にホ
ールIC等の磁電変換素子５が固定されている。
ここで、磁電変換素子５の出力電圧と検出する磁
束密度との関係は、一般的に第３図Ａに示すよう
なヒステリシス特性を有する。そして、Ｂに示す
多極着磁のリング状磁石３の回転による交番磁束
密度を検出し、出力としてＣに示す矩形パルスを
得ることにより、回転数及び回転速度を求めてい
る。

ところで、磁電変換素子５は製品個々のバラツ
キにより磁束密度におけるスイツチングの動作点
が異つているものが多い。そのため従来は磁電変
換素子５個々のバラツキに対し、多極着磁のリン
グ状磁石３の回転による交番磁束密度のレベルに
合つた製品を選別して組合わせているが、これに
より製品選別の工数が増して、価格の上昇につな
がつていた。また、磁電変換素子５個々のスイツ
チング動作点に合わせるため、磁電変換素子５と
多極着磁のリング状磁石３とギヤツプＬを細かく
調整しなければならず、この調整に非常に高度の
技術を必要としていた。

尚この種の無接点式回転数検出器として、従来
例えば実開昭54−88428号公報の先行技術があ
り、ここにおいては固定側の磁電変換素子に磁石
が組付けられ、回転体には磁気回路を構成する誘
電子が設けられる構造になつているが、この場合
でも磁電変換素子のスイツチング動作点及び磁石
の磁束密度が固定化されているため、上述のよう
な問題を生じる。

本考案はこのような事情に鑑み、多極着磁のリ
ング状磁石が磁電変換素子に及ぼす磁界の磁束密
度を調整可能にして、磁電変換素子の個々のバラ
ツキに対し製別選別、リング状磁石とのギヤツプ
の調整を不要にするようにした回転数検出器を提
供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

この目的のため本考案による回転数検出器は、
磁電変換素子の多極着磁リング状磁石と反対の側
に単極磁石を移動可能に付加して、リング状磁石
の磁電変換素子に及ぼす磁界を調整することで、
磁電変換素子の特性のバラツキに対しリング状磁
石の交番磁束密度の波形を合致させ得るようにし
たことを特徴とするものである。

〔実施例〕

以下、図面を参照して本考案の一実施例を具体
的に説明すると、第４図において、回転軸１、非
磁性の回転体２、多極着磁のリング状磁石３、非
磁性の円筒ブロツク４、磁電変換素子５は第１図
及び第２図と同様に構成されており、かかる円筒
ブロツク４において磁電変換素子５の裏側、即ち
リング状磁石３と反対の側に単極磁石６が設置さ
れる。単極磁石６はリング状磁石３から磁電変換
素子５へ及ぼす磁界の磁束密度を調整し得るよう
に、ねじ７により円筒ブロツク４に螺着されて、
磁電変換素子５との距離Ｍが可変にされ、単極磁
石６の端部には調整時に工具を差込むための溝８
が形成してある。

更に第５図に示すように、多極着磁のリング状
磁石３に対し磁電変換素子５がＮ極界でスイツチ
ング動作する場合は、単極磁石６のＳ極を対向さ
せて磁電変換素子５で検知する磁束密度量を増加
させ、あたかも多極着磁のリング状磁石３の交番
磁束密度の波形レベルが上つた状態にする。従つ
て、磁電変換素子５がＳ磁界でスイツチング動作
する場合は、単極磁石６のＮ極を対向するように
する。

このように構成されることから、磁電変換素子
５が検知する磁束密度は多極着磁のリング状磁石
３による磁界の磁束密度Byと、円筒ブロツク４
の単極磁石６による磁界の磁束密度Bxになる。
一般に磁束密度はベクトル量であり、加法の定義
が成り立つので、磁電変換素子５で検知する磁束
密度Bzは、 Bz＝Bx＋By である。ここで、磁束密度Byは多極着磁のリン
グ状磁石３の回転角θの関数であり、このためそ
の回転により発生する交番磁束密度波形である。
一方、磁束密度Bxはは磁電変換素子５と単極磁
石６との距離Ｍを可変にすることにより、任意に
設定することができる。従つて、磁電変換素子５
で検知される磁束密度は、リング状磁石３の交番
磁束密度の波形が磁電変換素子５と単極磁石６の
距離に応じた磁束密度分だけレベルアツプしたも
のになる。

そこで、磁電変換素子５のスイツチング動作の
特性が第６図のイのように低い場合は、リング状
磁石３の交番磁束密度の波形もハのようにイと同
じレベルのもので良く、ここでは単極磁石６を遠
ざけそれによる磁束密度の調整は不要である。し
かるに、磁電変換素子５の特性がロのようにスイ
ツチング動作点の高いものである場合は、リング
状磁石３の交番磁束密度が上述のハのように低い
レベルであるとスイツチング動作しない。そのた
め、単極磁石６において磁電変換素子５との距離
Ｍを縮め、磁電変換素子５で検知される磁束密度
量を相対的に増加させ、交番磁束密度の波形がロ
の特性と同じレベルのニの位置になるように引上
げることで、マツチングしてスイツチ動作を行う
ことが可能になる。

〔考案の効果〕

以上の説明から明らかなように本考案による
と、多極着磁のリング状磁石３の交番磁束密度に
対し、磁電変換素子５で検知される磁束密度を調
整して両者のマツチングをとることができるの
で、磁電変換素子５の特性にバラツキがあつて
も、製品選別が不要で組立て工数を節減すること
ができ、且つ磁電変換素子５とリング状磁石３の
ギヤツプの調整が不要で取付けが簡単になる。磁
電変換素子５の裏側に単極磁石６を移動可能に設
け、リング状磁石３の磁界を利用して磁束密度の
調整を行うので、構造が簡単で動作も確実であ
る。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の回転数検出器の側断面図、第２
図は同検出器の平面図、第３図のＡは磁電変換素
子のヒステリシス特性図、Ｂは多極着磁の回転に
よる交番磁束密度波形図、Ｃは磁電変換素子Ａで
Ｂの交番磁束密度を検出した時の矩形パルス図、
第４図は本考案の実施例の側断面図、第５図は本
考案の実施例の磁石間の磁束密度分布を示す図、
第６図は磁電変換素子のバラツキによる多極磁石
の交番磁束密度波形の調整解設図で、イ、ロは磁
電変換素子、ハは正規な設定位置関係にある時の
多極磁石の交番磁束密度波形図、ニは本考案によ
る作用を用いて多極磁石の交番磁束密度波形を移
動させた時の波形図である。 １……回転軸、２……回転体、３……リング状
磁石、４……円筒ブロツク、５……磁電変換素
子、６……単極磁石、７……ねじ、８……溝。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 回転軸に固定した非磁性回転体に多極着磁のリ
   ング状磁石を取付け、該リング状磁石に固定側で
   磁電変換素子を近接して対向設置するものにおい
   て、上記磁電変換素子を挾んでリング状磁石と反
   対の側に単極磁石を、上記磁電変換素子との距離
   を調整可能に設けたことを特徴とする回転数検出
   器。