JPS6270837A - ポジ型レジスト及びその形成方法 - Google Patents
ポジ型レジスト及びその形成方法Info
- Publication number
- JPS6270837A JPS6270837A JP60210860A JP21086085A JPS6270837A JP S6270837 A JPS6270837 A JP S6270837A JP 60210860 A JP60210860 A JP 60210860A JP 21086085 A JP21086085 A JP 21086085A JP S6270837 A JPS6270837 A JP S6270837A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- crosslinking agent
- agent
- photosensitive
- heat resistance
- resist
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
- G03C1/00—Photosensitive materials
- G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、ポジ型レジストに関し、またポジ型レジスト
の形成方法に関する。この技術は、例えば半導体装置の
際のフォトリソグラフィ工程に用いるフォトレジストの
分野で利用できる。
の形成方法に関する。この技術は、例えば半導体装置の
際のフォトリソグラフィ工程に用いるフォトレジストの
分野で利用できる。
本発明は、ポジ型レジストに架橋剤を含有させ、該架橋
剤を反応させることにより、該レジストの耐熱性を向上
させたものである。
剤を反応させることにより、該レジストの耐熱性を向上
させたものである。
半導体装置工程のフォトリソグラフィ工程などで用いる
レジストは、耐熱性が高いことが要請される。耐熱性が
低いと、ドライエツチング時やイオン注入時の発熱でレ
ジストが軟化し、パターン変形を生じてしまい、その為
所定の線幅が得られず、加工精度劣化の主要因となる場
合があるからである。
レジストは、耐熱性が高いことが要請される。耐熱性が
低いと、ドライエツチング時やイオン注入時の発熱でレ
ジストが軟化し、パターン変形を生じてしまい、その為
所定の線幅が得られず、加工精度劣化の主要因となる場
合があるからである。
例えば第３図に示すように、被エツチング体１上に所定
の線幅Ｗのパターンでレジスト２が形成されても、レジ
スト２の耐熱性が悪く、ボストベーク（レジストベーキ
ングの前段階のベータ）の熱ですでに変形して図の２ａ
の如き形状になると、その後ＲＩＥなどでエツチングし
ても、Ｗよりも大きい線幅Ｗ′でエツチングされた加工
物３ａができてしまい、所期の形状は得られない。ポス
トベーク時には変形せず、２ｂ、２ｃの如く元の形状を
保っていても、ＲＩＥ時の発熱でレジストが変形して裾
を引く如くだれると、３ｂ、３ｃで示す如き加工物がで
きて、やはり所望のものは得られない。またポストベー
ク時に変化がなくても、ベーキング時に変形すれば同し
問題が生じる。この結果、ベーキング温度を高くできな
いという問題もある。
の線幅Ｗのパターンでレジスト２が形成されても、レジ
スト２の耐熱性が悪く、ボストベーク（レジストベーキ
ングの前段階のベータ）の熱ですでに変形して図の２ａ
の如き形状になると、その後ＲＩＥなどでエツチングし
ても、Ｗよりも大きい線幅Ｗ′でエツチングされた加工
物３ａができてしまい、所期の形状は得られない。ポス
トベーク時には変形せず、２ｂ、２ｃの如く元の形状を
保っていても、ＲＩＥ時の発熱でレジストが変形して裾
を引く如くだれると、３ｂ、３ｃで示す如き加工物がで
きて、やはり所望のものは得られない。またポストベー
ク時に変化がなくても、ベーキング時に変形すれば同し
問題が生じる。この結果、ベーキング温度を高くできな
いという問題もある。
一方最近、高解像度を狙ってレジストが低分子量化され
る傾向がある為、この問題は一層重要になっている。低
分子量化すると耐熱性はより悪くなるからである。
る傾向がある為、この問題は一層重要になっている。低
分子量化すると耐熱性はより悪くなるからである。
かつ、ドライエツチングやイオン注入など、フォトリソ
グラフィの次の工程で、レジストにさらに高い耐熱性を
要求する動きがある。
グラフィの次の工程で、レジストにさらに高い耐熱性を
要求する動きがある。
そこで、解像力を落とす事なく耐熱性を向上させる技術
が切望されている。
が切望されている。
上述の如く、従来のレジストには、レジストとしての他
の性能を落とさずに耐熱性を向上させなければならない
という問題点がある。
の性能を落とさずに耐熱性を向上させなければならない
という問題点がある。
本発明はこの様な背景のもとになされたもので、本発明
の目的は、レジストの性能例えば解像度、感度などを劣
化させる事なく耐熱性を向上させる事ができる技術を提
供することであり、これにより耐熱性を向上させる事に
よって、各種プロセス例えばＳ ｉ Ｏｚ ドライエ
ツチングなどのプロセス安定性を良好ならしめることで
ある。
の目的は、レジストの性能例えば解像度、感度などを劣
化させる事なく耐熱性を向上させる事ができる技術を提
供することであり、これにより耐熱性を向上させる事に
よって、各種プロセス例えばＳ ｉ Ｏｚ ドライエ
ツチングなどのプロセス安定性を良好ならしめることで
ある。
本発明は、感光主剤と架橋剤とを含有するポジ型レジス
トであって、かつ該架橋剤は該感光主剤の露光波長では
感光しない感光性架橋剤または露光によっては反応しな
い感熱性架橋剤であるものにより、上記問題点を解決す
る。
トであって、かつ該架橋剤は該感光主剤の露光波長では
感光しない感光性架橋剤または露光によっては反応しな
い感熱性架橋剤であるものにより、上記問題点を解決す
る。
また、本発明において上記ポジ型レジストは、感光主剤
を含有するポジ型レジストをパターニングする工程と、
該感光主剤の露光波長では感光しない感光性架橋剤また
は露光によっては反応しない感熱性架橋剤を、上記パタ
ーニング工程の前または後において添加する工程と、上
記パターニング工程の後に該架橋剤を反応させる工程を
有する方法により、形成できる。
を含有するポジ型レジストをパターニングする工程と、
該感光主剤の露光波長では感光しない感光性架橋剤また
は露光によっては反応しない感熱性架橋剤を、上記パタ
ーニング工程の前または後において添加する工程と、上
記パターニング工程の後に該架橋剤を反応させる工程を
有する方法により、形成できる。
また、レジストのパターニング後に架橋剤を添加する場
合、レジストの感光波長で架橋する架橋剤も使用でき、
この場合架橋剤は任意である。
合、レジストの感光波長で架橋する架橋剤も使用でき、
この場合架橋剤は任意である。
本発明は上記構成であるので、例えば第１図に実施例と
して例示するように、ポジ型レジストのパターニングの
前または後に架橋剤を添加したものを用い、第１図のへ
の状態とし、これを架橋剤の種類に応じ熱または光によ
り処理して中の架橋剤を架橋させ、Ｃの如く耐熱性に富
む重合体を含む状態とし、これを適宜りに示す様なＲＩ
Ｅその他の処理にかけるように用いることができる。
して例示するように、ポジ型レジストのパターニングの
前または後に架橋剤を添加したものを用い、第１図のへ
の状態とし、これを架橋剤の種類に応じ熱または光によ
り処理して中の架橋剤を架橋させ、Ｃの如く耐熱性に富
む重合体を含む状態とし、これを適宜りに示す様なＲＩ
Ｅその他の処理にかけるように用いることができる。
架橋剤により低分子量のものも高分子化し、耐熱性は向
上する。よってパターニングのずれがなく、これはイオ
ン注入やドライエツチングを施しても同様である。
上する。よってパターニングのずれがなく、これはイオ
ン注入やドライエツチングを施しても同様である。
かつ、架橋剤は、感光主剤が反応する波長の光には感光
しないので、フォトレジストとしての機能は何ら阻害し
ない。
しないので、フォトレジストとしての機能は何ら阻害し
ない。
本発明の実施に際しては、感光主剤を含有するポジレジ
ストに、予め架橋剤を添加してからパターニングするこ
ともできるし、感光主剤を含有するポジレジストをパタ
ーニングした後に、架橋剤を塗布（あるいは塗布後洗浄
）して該レジストにのみこの架橋剤を含浸させ、その後
熱または光で反応させて架橋重合させることもできる。
ストに、予め架橋剤を添加してからパターニングするこ
ともできるし、感光主剤を含有するポジレジストをパタ
ーニングした後に、架橋剤を塗布（あるいは塗布後洗浄
）して該レジストにのみこの架橋剤を含浸させ、その後
熱または光で反応させて架橋重合させることもできる。
後者の場合には、架橋剤として、レジストと同じ波長に
感光するものを用いることができる。
感光するものを用いることができる。
以下本発明の一実施例を説明する。なお当然のことでは
あるが、本発明は以下の実施例、その他の例示により限
定されるものではない。
あるが、本発明は以下の実施例、その他の例示により限
定されるものではない。
本実施例においては、フェノール樹脂系ＵＶポジレジス
トに、ＵＶ光に感光しない感熱性もしくは感光性架橋剤
を０．５〜１０ｗｔ％混入する。
トに、ＵＶ光に感光しない感熱性もしくは感光性架橋剤
を０．５〜１０ｗｔ％混入する。
この架橋剤は、レジストを重合させて高分子化するもの
である。
である。
例えば、０ＦＰＲ８００（商品名、東京応化■製）に下
記式に示す３，３′−ジアジドジフェニルスルホンを２
ｗｔ％混入すると、耐熱性は１２０℃から１３０℃以上
に向上した。
記式に示す３，３′−ジアジドジフェニルスルホンを２
ｗｔ％混入すると、耐熱性は１２０℃から１３０℃以上
に向上した。
３．３′−ジアジドジフェニルスルホンまた、使用した
ポジレジストである０ＦＰＲ８００のデータは次のとお
りである。
ポジレジストである０ＦＰＲ８００のデータは次のとお
りである。
重量平均分子量 Ｍ。＝ １２，１９０数平均分
子量 ＭＮ＝ ９１７分散層 Ｍ、
／ＭＮ ＝ １３．３最高高分子量 １
６６．０００この実施例では上記の如く、耐熱性が１３
Ｑ’Ｃ以上に向上したのであるが、後工程では１３０℃
位に昇温する程度であるから、上記で充分目的は達せら
れる。なお、第２図に示すように、混入量を変えること
で、温度３０℃位の耐熱性向上が達成される。
子量 ＭＮ＝ ９１７分散層 Ｍ、
／ＭＮ ＝ １３．３最高高分子量 １
６６．０００この実施例では上記の如く、耐熱性が１３
Ｑ’Ｃ以上に向上したのであるが、後工程では１３０℃
位に昇温する程度であるから、上記で充分目的は達せら
れる。なお、第２図に示すように、混入量を変えること
で、温度３０℃位の耐熱性向上が達成される。
３．３′−ジアジドジフェニルスルホンとフェノール樹
脂の熱架橋は、次式の■、■で進行すると考えられる。
脂の熱架橋は、次式の■、■で進行すると考えられる。
■
フェノール樹脂
即ち、■加熱によってＮ３−からＮ２が解離し、３．３
′−ジアジドジフェニルスルホンは励起状態となる。そ
して、■フェノール樹脂と脱水素反応を起こして架橋す
る。
′−ジアジドジフェニルスルホンは励起状態となる。そ
して、■フェノール樹脂と脱水素反応を起こして架橋す
る。
Ｊ２ この反応、及びその他前述の耐熱性向上は、
遠紫外線光（Ｄｅｅｐ ＵＶ光フン照射よっても良い。
遠紫外線光（Ｄｅｅｐ ＵＶ光フン照射よっても良い。
この反応はレジストのポストベーク時に進行させること
ができ、第２図に示した工程で実施できる。これにより
爾後の耐熱性が向上する。
ができ、第２図に示した工程で実施できる。これにより
爾後の耐熱性が向上する。
尚、３．３′−ジアジドジフェニルスルホンはＵＶ光に
感光しない為、パターニングには影響しなかった。（Ｕ
Ｖ光の吸収は無い）。
感光しない為、パターニングには影響しなかった。（Ｕ
Ｖ光の吸収は無い）。
本実施例は、υＶＶポジ型レジストに、上記の怒光剤を
添加する以外全くプロセス上の変更はなく、容易に採用
できる。
添加する以外全くプロセス上の変更はなく、容易に採用
できる。
また本実施例によれば、上記の様に、通常では１２０℃
までしか用いる事の出来ない（それ以上ではレジストパ
ターンが変形してしまう）レジストにおいて、そのベー
キング温度を容易に１３０℃以上に上げる事が可能とな
る。
までしか用いる事の出来ない（それ以上ではレジストパ
ターンが変形してしまう）レジストにおいて、そのベー
キング温度を容易に１３０℃以上に上げる事が可能とな
る。
上述の如く本発明によれば、ポジレジストの他の性能に
影響を与えることなく、その耐熱性を向上させることが
でき、所望ハターンの形成に有利であり、かつ各種のプ
ロセスにおいての安定化を達成することができる。
影響を与えることなく、その耐熱性を向上させることが
でき、所望ハターンの形成に有利であり、かつ各種のプ
ロセスにおいての安定化を達成することができる。
第１図は本発明の一実施例の工程前説明図である。第２
図は実施例の効果説明図である。第３図は従来技術を示
す。 １・−・・−・−被エツチング体、 ２− レジスト
。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人弁理士 高 月 亨ポストベーク 夜束 ＩＥ 攻市 手 続 主車 正 書 （方式） 昭和６０年１２月３日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２１０８６０号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用図化品用６丁目７番３５号名称
（２１８） ソニー株式会社４、代 理 人 （１） 明細書中、第３頁１２行の「（レジストベー
キングの前段階のベータ）」を「（レジスト現像後のベ
ーキング）」と補正する。 （２） 同、第４頁１行から４行の「またポストベー
ク時に・・・もある。」を削除する。 （３） 同、第７頁４行から６行の「架橋剤を・・・
レジストにのみ」を削除する。 （４） 同、第７頁下から６行の「フェノール樹脂」
を「フェノールノボラック樹脂」と補正する。 （５） 同、第８頁下から７行の「後工程では」を「
後工程は」と補正する。 （６） 同、第８真下から６行の「位に昇温する」を
「以下に昇温する」と補正する。 （７） 同、第８真下から４行の「温度３０」を「１
５」と補正する。 （８） 同、第９頁を添付別紙の第９頁の通り補正す
る。 （９） 同、第１０頁３行の「応を起こして」を「応
等を起こして」と補正する。 （１０）第２図及び第３図を別紙補正図面の通り補正す
る。 以上 と考えられる。 ■ フェノール樹脂 ÷生戊袴
図は実施例の効果説明図である。第３図は従来技術を示
す。 １・−・・−・−被エツチング体、 ２− レジスト
。 特許出願人 ソニー株式会社 代理人弁理士 高 月 亨ポストベーク 夜束 ＩＥ 攻市 手 続 主車 正 書 （方式） 昭和６０年１２月３日 特許庁長官 宇 賀 道 部 殿 １、事件の表示 昭和６０年特許願第２１０８６０号 ３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 住所 東京部品用図化品用６丁目７番３５号名称
（２１８） ソニー株式会社４、代 理 人 （１） 明細書中、第３頁１２行の「（レジストベー
キングの前段階のベータ）」を「（レジスト現像後のベ
ーキング）」と補正する。 （２） 同、第４頁１行から４行の「またポストベー
ク時に・・・もある。」を削除する。 （３） 同、第７頁４行から６行の「架橋剤を・・・
レジストにのみ」を削除する。 （４） 同、第７頁下から６行の「フェノール樹脂」
を「フェノールノボラック樹脂」と補正する。 （５） 同、第８頁下から７行の「後工程では」を「
後工程は」と補正する。 （６） 同、第８真下から６行の「位に昇温する」を
「以下に昇温する」と補正する。 （７） 同、第８真下から４行の「温度３０」を「１
５」と補正する。 （８） 同、第９頁を添付別紙の第９頁の通り補正す
る。 （９） 同、第１０頁３行の「応を起こして」を「応
等を起こして」と補正する。 （１０）第２図及び第３図を別紙補正図面の通り補正す
る。 以上 と考えられる。 ■ フェノール樹脂 ÷生戊袴
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、感光主剤と架橋剤とを含有し、 該架橋剤は該感光主剤の露光波長では感光 しない感光性架橋剤または露光によっては反応しない感
熱性架橋剤である、 ポジ型レジスト。 ２、感光主剤を含有するポジ型レジストをパターニング
する工程と、 該感光主剤の露光波長では感光しない感光 性架橋剤、または露光によっては反応しない感熱性架橋
剤を、上記パターニング工程の前または後において添加
する工程と、 上記パターニング工程の後に該架橋剤を反 応させる工程 を有することを特徴とするポジ型レジストの形成方法。 ３、感光主剤を含有するポジ型レジストをパターニング
する工程と、 その後該ポジ型レジストに架橋剤を添加す る工程と、 該架橋剤を反応させる工程 を有することを特徴とするポジ型レジストの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210860A JPS6270837A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ポジ型レジスト及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60210860A JPS6270837A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ポジ型レジスト及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6270837A true JPS6270837A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16596296
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60210860A Pending JPS6270837A (ja) | 1985-09-24 | 1985-09-24 | ポジ型レジスト及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6270837A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442649A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Pattern forming method |
| JPH01243052A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| US5659450A (en) * | 1993-12-27 | 1997-08-19 | Nec Corporation | Thin film recording head having enhanced electrical insulative properties |
| WO1999032935A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Kansai Research Institute | Composition a base de resine photosensible et procede de fabrication correspondant |
| US7257862B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-08-21 | Itw Industrial Components S.R.L. | Decelerating device for insertion between two relatively rotating members, in particular a drum and an oscillating door for loading the drum in a top-loaded washing machine |
-
1985
- 1985-09-24 JP JP60210860A patent/JPS6270837A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6442649A (en) * | 1987-08-10 | 1989-02-14 | Hitachi Ltd | Pattern forming method |
| JPH01243052A (ja) * | 1988-03-24 | 1989-09-27 | Matsushita Electron Corp | レジストパターン形成方法 |
| US5659450A (en) * | 1993-12-27 | 1997-08-19 | Nec Corporation | Thin film recording head having enhanced electrical insulative properties |
| US6024845A (en) * | 1993-12-27 | 2000-02-15 | Nec Corporation | Method for manufacturing a thin film recording head |
| WO1999032935A1 (fr) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Kansai Research Institute | Composition a base de resine photosensible et procede de fabrication correspondant |
| US6440632B2 (en) | 1997-12-19 | 2002-08-27 | Kansai Research Institute | Photosensitive resin composition and process for producing the same |
| US7257862B2 (en) * | 2003-06-26 | 2007-08-21 | Itw Industrial Components S.R.L. | Decelerating device for insertion between two relatively rotating members, in particular a drum and an oscillating door for loading the drum in a top-loaded washing machine |
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