JPS6271232A - エツチング終点検出方法 - Google Patents
エツチング終点検出方法Info
- Publication number
- JPS6271232A JPS6271232A JP21001785A JP21001785A JPS6271232A JP S6271232 A JPS6271232 A JP S6271232A JP 21001785 A JP21001785 A JP 21001785A JP 21001785 A JP21001785 A JP 21001785A JP S6271232 A JPS6271232 A JP S6271232A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- end point
- point detection
- sample
- detection method
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- Pending
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- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、エツチング終点検出方法に係り、特に下地が
２種類以上の材料でなる試料をプラズマを利用してエツ
チングする場合に好適なエツチング終点検出方法に関す
るものである。
２種類以上の材料でなる試料をプラズマを利用してエツ
チングする場合に好適なエツチング終点検出方法に関す
るものである。
プラズマを利用してエツチングされる試料のエツチング
終点を検出する技術としては、例えば、特開昭５８−４
３５２１号公報に記載のようなものが知られている。
終点を検出する技術としては、例えば、特開昭５８−４
３５２１号公報に記載のようなものが知られている。
しかし、この技術では、下地が２種類以上の材料でなる
試料をプラズマを利用してエツチングする場合の終点検
出についての認識を有していない。
試料をプラズマを利用してエツチングする場合の終点検
出についての認識を有していない。
本発明の目的は、下地が２種類以上の材料でなる試料を
プラズマを利用してエツチングする場合の終点検出を精
度良丸打うことができろエツチング終点検出方法を提供
することにある。
プラズマを利用してエツチングする場合の終点検出を精
度良丸打うことができろエツチング終点検出方法を提供
することにある。
本発明は、エツチング終点検出方法を、下地が２種類以
上の材料でなる試料をプラズマを利用してエツチングす
るステップと、前記下地からの発光スペクトルの中で特
定波長の発光の強度の経時変化をモニタするステップと
を有する方法とするもので、下地が２種類以上の材料で
なる試料をプラズマを利用してエツチングする場合の終
点検出を精度良く行えるようにしたものである。
上の材料でなる試料をプラズマを利用してエツチングす
るステップと、前記下地からの発光スペクトルの中で特
定波長の発光の強度の経時変化をモニタするステップと
を有する方法とするもので、下地が２種類以上の材料で
なる試料をプラズマを利用してエツチングする場合の終
点検出を精度良く行えるようにしたものである。
集積回路の複雑化にともない試料の下地材料も数種類使
用される。このような試料をプラズマな利用してエツチ
ングする場合、下地材料が１種類の場合での発光スペク
トルによる終点検出では、試料の被処理面内のエツチン
グ速度の不均一および異種下地材料の特定発光スペクト
ルの影響、試料の被処理面積などにより精度良畷エツチ
ングの終点を機出することは困建である。そこで、本発
明では、試料の下地材料数種類の特定発光スペクトルの
強度の経時変化をモニタすることでエツチングの終点検
出を行うようにした。
用される。このような試料をプラズマな利用してエツチ
ングする場合、下地材料が１種類の場合での発光スペク
トルによる終点検出では、試料の被処理面内のエツチン
グ速度の不均一および異種下地材料の特定発光スペクト
ルの影響、試料の被処理面積などにより精度良畷エツチ
ングの終点を機出することは困建である。そこで、本発
明では、試料の下地材料数種類の特定発光スペクトルの
強度の経時変化をモニタすることでエツチングの終点検
出を行うようにした。
以下、本発明の一実施例を第１図〜！４１！Ｉにより説
明する。
明する。
第１Ｉ！Ｉにおいて、ドライエツチングｌＩ／１置７に
設置された試料８より、プラズマ放電中に特定の原子発
光スペクトルが観測される。特定の原子発光スペクトル
を回折格子又はフィルタ１．２により分光し、フォトマ
ル３．４によつて電気信号に変換する。その後電気信号
をアンプ回路５．６によって増幅する。
設置された試料８より、プラズマ放電中に特定の原子発
光スペクトルが観測される。特定の原子発光スペクトル
を回折格子又はフィルタ１．２により分光し、フォトマ
ル３．４によつて電気信号に変換する。その後電気信号
をアンプ回路５．６によって増幅する。
第２因において時間Ｔｌより放電が開始され第３図のよ
うにレジスト９がない部分の酸化Ｎ１ｏがエツチングさ
れる。二の時、下地材である多結晶シリコンＨｕとモリ
ブデンｇ認の特定発光スペクトルは検出されない。その
後、第４図に示すように酸化膜１０がエツチングされ下
地材料の多結晶シリコン膜１１からの特定発光スペクト
ルＡとモリブデン膜νからの特定発光スペクトルＢが観
測される。
うにレジスト９がない部分の酸化Ｎ１ｏがエツチングさ
れる。二の時、下地材である多結晶シリコンＨｕとモリ
ブデンｇ認の特定発光スペクトルは検出されない。その
後、第４図に示すように酸化膜１０がエツチングされ下
地材料の多結晶シリコン膜１１からの特定発光スペクト
ルＡとモリブデン膜νからの特定発光スペクトルＢが観
測される。
この時、試料８において被処理面内でのエツチング速度
のばらつきおよび下地材である多結晶シリコン膜Ｕ、モ
リブデン膜鵞のエツチング速度の違いにより、試料δ内
で下地材であるポリシリコン膜とモリブデン膜とが被処
理面内で全てエツチングされ始める時間が異なってくる
。このような状態において、多結晶シリコン膜１１のエ
ツチング開始時間Ｔｓとモリブデン膜認のエツチング開
始時間Ｔ２を検出し、’ｒ２．Ｔ３のいずれかを酸化Ｉ
ｘ１０の終点とすることにより、下地材料が異種の試料
でも、精度よ曵終点検出ができる。
のばらつきおよび下地材である多結晶シリコン膜Ｕ、モ
リブデン膜鵞のエツチング速度の違いにより、試料δ内
で下地材であるポリシリコン膜とモリブデン膜とが被処
理面内で全てエツチングされ始める時間が異なってくる
。このような状態において、多結晶シリコン膜１１のエ
ツチング開始時間Ｔｓとモリブデン膜認のエツチング開
始時間Ｔ２を検出し、’ｒ２．Ｔ３のいずれかを酸化Ｉ
ｘ１０の終点とすることにより、下地材料が異種の試料
でも、精度よ曵終点検出ができる。
本発明は１以上説明したように、異種材料でなる下地で
のいずれかの材料のエツチング開始時間によりエツチン
グ終点を検出できるので、下地が２種類以上の材料でな
る試料をプラズマを利用してエツチングする場合の終点
検出を精度良く行うことができるという効果がある。
のいずれかの材料のエツチング開始時間によりエツチン
グ終点を検出できるので、下地が２種類以上の材料でな
る試料をプラズマを利用してエツチングする場合の終点
検出を精度良く行うことができるという効果がある。
第１図は、本発明を実施したエツチング終点検出！ＩＭ
のブロック構成図、１ｇ２図は、第３図に示す試料をエ
ツチングして第１図の＊ａで得られる発光スペクトル特
性図、第３図は、第１図の試料のエツチング前の縦断面
図、９Ｊ４図は、同じくエツチング後の縦断面図である
。 １．２・…・・フィルタ、３，４・・−・・フォトマル
、！Ｉ、６・・−・・アンプ回路、７・・・・・・ドラ
イエツチングｍｌ、８・・−・・試料 オ １口 才３図 才４図
のブロック構成図、１ｇ２図は、第３図に示す試料をエ
ツチングして第１図の＊ａで得られる発光スペクトル特
性図、第３図は、第１図の試料のエツチング前の縦断面
図、９Ｊ４図は、同じくエツチング後の縦断面図である
。 １．２・…・・フィルタ、３，４・・−・・フォトマル
、！Ｉ、６・・−・・アンプ回路、７・・・・・・ドラ
イエツチングｍｌ、８・・−・・試料 オ １口 才３図 才４図
Claims (1)
- １、下地が２種類以上の材料でなる試料をプラズマを利
用してエッチングするステップと、前記下地からの発光
スペクトルの中で特定波長の発光の強度の経時変化をモ
ニタするステップとを有することを特徴とするエッチン
グ終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001785A JPS6271232A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | エツチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001785A JPS6271232A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | エツチング終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271232A true JPS6271232A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16582442
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21001785A Pending JPS6271232A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | エツチング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271232A (ja) |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21001785A patent/JPS6271232A/ja active Pending
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