JPS6271233A - エツチング終点検出方法 - Google Patents
エツチング終点検出方法Info
- Publication number
- JPS6271233A JPS6271233A JP21001985A JP21001985A JPS6271233A JP S6271233 A JPS6271233 A JP S6271233A JP 21001985 A JP21001985 A JP 21001985A JP 21001985 A JP21001985 A JP 21001985A JP S6271233 A JPS6271233 A JP S6271233A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- end point
- wavelength
- gas
- emission
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、エツチング終点検出方法に係り、特にガスプ
ラズマを利用してエツチングされる窒化シリコン等の窒
化物のエツチングガスを検出するのに好適なエツチング
終点検出方法に関するものである。
ラズマを利用してエツチングされる窒化シリコン等の窒
化物のエツチングガスを検出するのに好適なエツチング
終点検出方法に関するものである。
窒化物のエツチング終点検出技術としては、例えば、特
開昭５８−２６０１３号公報に記載のような、フレオン
系ガス（ＣＦ４−（ｈ等）プラズマ中で窒化シリコン膜
をエツチングし、プラズマの発光のうち波長３８８面の
窒化炭素ＣＮの発光強度の経時変化をモニタすることで
、Ｎ化シリコン膜のエツチングの終点を検出するように
したものが知られている。
開昭５８−２６０１３号公報に記載のような、フレオン
系ガス（ＣＦ４−（ｈ等）プラズマ中で窒化シリコン膜
をエツチングし、プラズマの発光のうち波長３８８面の
窒化炭素ＣＮの発光強度の経時変化をモニタすることで
、Ｎ化シリコン膜のエツチングの終点を検出するように
したものが知られている。
このような技術では、プラズマの発光のうち波長３８８
ｎｍのＣＮの発光強度の経時変化をモニタフ するため、エツチングガスとしてフレオン系ガス等のＣ
を含むガスに限定されるといった問題かある。
ｎｍのＣＮの発光強度の経時変化をモニタフ するため、エツチングガスとしてフレオン系ガス等のＣ
を含むガスに限定されるといった問題かある。
本発明の目的は、ガスプラズマを利用してエツチングさ
ｎる窒化物のエツチングの終点検出なエツチングガス種
によらず行うことができるエツチング終点検出方法を提
供することにある。
ｎる窒化物のエツチングの終点検出なエツチングガス種
によらず行うことができるエツチング終点検出方法を提
供することにある。
本発明は、ガスプラズマを利用して窒化物をエツチング
するステップと、前記エツチング時に生じる発光の中よ
り波長３３７ｎｍのＮの発光を選択するステツプと、Ｗ
記選択された発光の強度の経時変化をモニタして訂記寅
化物のエツチングの終点ヲ検出するステフプとを有する
ことを特徴とするもので、窒化物のガスプラズマによる
エツチング時番こ生じる発光の中から波長３３７ｎｍの
Ｎの発光を選択し該発光の強度の経時変化をモニタする
ことで、ガスプラズマを利用してエツチングされる窒化
物のエツチングの終点検出をエツチングガス種によらず
行えるようにするものである。
するステップと、前記エツチング時に生じる発光の中よ
り波長３３７ｎｍのＮの発光を選択するステツプと、Ｗ
記選択された発光の強度の経時変化をモニタして訂記寅
化物のエツチングの終点ヲ検出するステフプとを有する
ことを特徴とするもので、窒化物のガスプラズマによる
エツチング時番こ生じる発光の中から波長３３７ｎｍの
Ｎの発光を選択し該発光の強度の経時変化をモニタする
ことで、ガスプラズマを利用してエツチングされる窒化
物のエツチングの終点検出をエツチングガス種によらず
行えるようにするものである。
本発明の一実施例を図面により説明する。
図面で、処理室１０には、対向電極１１と試料電極臣と
が対向して略平行に内股さｎでいる。対向電極１１はア
ースされている。試料電［１１２は１例えば。
が対向して略平行に内股さｎでいる。対向電極１１はア
ースされている。試料電［１１２は１例えば。
高周波電源１３に接続さｎ、襄周波電源Ｂはアースさｎ
ている。処理室１０の側壁には、対向側１１と試料電極
ｎとの間の窒間に対応して採光窓１４が設けられている
。処理室１０外には、採光窓１４１こ対応してフィルタ
２０が設けらｎている。光電変換器４はフィルタ美に対
応して採光窓の反対側に設けらｎている。光電変換器ム
には、電気信号増幅器ｎが接続さｎている。電気信号増
幅器２２ｉこは、信号変換器Ｚが接続されている。信号
変換器２は、制御装置スに接続され、制御＊ｔｚ４には
、ベンレフーダ等の出力値ｊ１２５が接続されている。
ている。処理室１０の側壁には、対向側１１と試料電極
ｎとの間の窒間に対応して採光窓１４が設けられている
。処理室１０外には、採光窓１４１こ対応してフィルタ
２０が設けらｎている。光電変換器４はフィルタ美に対
応して採光窓の反対側に設けらｎている。光電変換器ム
には、電気信号増幅器ｎが接続さｎている。電気信号増
幅器２２ｉこは、信号変換器Ｚが接続されている。信号
変換器２は、制御装置スに接続され、制御＊ｔｚ４には
、ベンレフーダ等の出力値ｊ１２５が接続されている。
図面で、窒化物、例えば、窒化シリコン展を有する試料
は処理室ｌＯ内に搬入され試料電極戎に被処理面上向姿
勢にて設置される。処理室１０内は。
は処理室ｌＯ内に搬入され試料電極戎に被処理面上向姿
勢にて設置される。処理室１０内は。
排気装置（図示省略）により所定圧力まで減圧排気され
る。このように排気さｎた処理室１０には。
る。このように排気さｎた処理室１０には。
フレオン系ガス等のＣを含むガスやｓｐ６等のＣを含ま
ないガスがエツチングガスとして所定流量で導入される
。これと共に、この導入されたエツチングガスの一部は
排気ｇ！置により排気され、こｎにより、処理室ｌＯ内
の圧力は、所定のエツチング圧力（０，０５〜０．２Ｔ
ｏｒ ｒ ）に調整さｎる。この時点で、高周波側Ｉ３
から所定の高周波電力が印加さｎ、対向電極Ｕと試料電
極戎との間でグロー放電が生じる。このグロー放電によ
りエツチングガスはプラズマ化され、このプラズマを利
用して試料ノ窒化シリコン膜はエツチングされろ。この
エツチング時に発光が生じる。フィルタ美では、Ｊ！Ａ
光の中から波長３３７ｎｍのＮの発光が選択さｎ、二の
選択さｎた発光の量は、光電変換器４で電気信号、例え
ば、アナログ電気信号に変換さ１．る。このアナログ電
気信号は、電気信号増幅器ηで増幅され電気信号変換器
Ｚ３ （Ａ／Ｄｙｅ換器）でディジタルデータ値に変換
される。二のディジタルデータ値は、制御！１１２４に
入力され出力装置５に出力される。
ないガスがエツチングガスとして所定流量で導入される
。これと共に、この導入されたエツチングガスの一部は
排気ｇ！置により排気され、こｎにより、処理室ｌＯ内
の圧力は、所定のエツチング圧力（０，０５〜０．２Ｔ
ｏｒ ｒ ）に調整さｎる。この時点で、高周波側Ｉ３
から所定の高周波電力が印加さｎ、対向電極Ｕと試料電
極戎との間でグロー放電が生じる。このグロー放電によ
りエツチングガスはプラズマ化され、このプラズマを利
用して試料ノ窒化シリコン膜はエツチングされろ。この
エツチング時に発光が生じる。フィルタ美では、Ｊ！Ａ
光の中から波長３３７ｎｍのＮの発光が選択さｎ、二の
選択さｎた発光の量は、光電変換器４で電気信号、例え
ば、アナログ電気信号に変換さ１．る。このアナログ電
気信号は、電気信号増幅器ηで増幅され電気信号変換器
Ｚ３ （Ａ／Ｄｙｅ換器）でディジタルデータ値に変換
される。二のディジタルデータ値は、制御！１１２４に
入力され出力装置５に出力される。
エツチング開始後、波長３３７ｎｍのＮの発光強度は急
激に増加し、その後、エツチングが終了に近づくと急激
）こ減少する。従って、波長３３７ｎｍのＮの発光強度
のこのような経時変化をモニタすることで試料の窒化シ
リコン膜のエツチングの終点が検出される。
激に増加し、その後、エツチングが終了に近づくと急激
）こ減少する。従って、波長３３７ｎｍのＮの発光強度
のこのような経時変化をモニタすることで試料の窒化シ
リコン膜のエツチングの終点が検出される。
尚、この他に、波長３９４ｎｍの５ｉＦ１の発光の強度
の経時変化をモニタすることて、窒化シ１；コン膜のエ
ツチングの終点を検出できる。
の経時変化をモニタすることて、窒化シ１；コン膜のエ
ツチングの終点を検出できる。
本実施例では１次のような効果を得ることができる。
（１）波長３３７ｎｍのＮの発光の強度の経時変化をモ
ニタすることで、エツチングガス種によらず窒化シリコ
ン膜のエツチングの終点を検出できる。
ニタすることで、エツチングガス種によらず窒化シリコ
ン膜のエツチングの終点を検出できる。
（２）波長３３７ｎｍのＮでは、波長３８８ｎｍのＣＮ
＋こ比べてＳ／Ｎ比を太き（とれるので、窒化シリコン
膜のエツチングの終点の検出精度が更に向上する。
＋こ比べてＳ／Ｎ比を太き（とれるので、窒化シリコン
膜のエツチングの終点の検出精度が更に向上する。
尚、本実施例では、窒化物として窒化シリコンを例にと
り説明したかでこの他暑二波長３３７ｎｍのＮの発光を
エツチングＮｌこ生じるものであｎば、問題なく適用で
きる。
り説明したかでこの他暑二波長３３７ｎｍのＮの発光を
エツチングＮｌこ生じるものであｎば、問題なく適用で
きる。
〔発明の効果〕
本発明は１以上説明したように、窒化物のガスプラズマ
によるエツチング時に生じる発光の中から波長３３７ｎ
ｍのＮの発光を選択し該発光の強度の経時変化をモニタ
することで、ガスプラズマを利用してエツチングさｎる
窒化物のエツチングの終点検出をエツチングカス橿によ
らず行えるという効果がある。
によるエツチング時に生じる発光の中から波長３３７ｎ
ｍのＮの発光を選択し該発光の強度の経時変化をモニタ
することで、ガスプラズマを利用してエツチングさｎる
窒化物のエツチングの終点検出をエツチングカス橿によ
らず行えるという効果がある。
図面は大発明の一災施例を説明するためのエツチング終
点検出装置のブロリク構成図である。
点検出装置のブロリク構成図である。
Claims (1)
- １ ガスプラズマを利用して窒化物をエッチングするス
テップと、前記エッチング時に生じる発光の中より波長
３３７ｎｍのＮの発光を選択するステップと、前記選択
された発光の強度の経時変化をモニタして前記窒化物の
エッチングの終点を検出するステップとを有することを
特徴とするエッチング終点検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001985A JPS6271233A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | エツチング終点検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21001985A JPS6271233A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | エツチング終点検出方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6271233A true JPS6271233A (ja) | 1987-04-01 |
Family
ID=16582475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21001985A Pending JPS6271233A (ja) | 1985-09-25 | 1985-09-25 | エツチング終点検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6271233A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189305A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies Inc | 無酸素プラズマ処理における終了点の決定方法およびアッシング方法 |
-
1985
- 1985-09-25 JP JP21001985A patent/JPS6271233A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001189305A (ja) * | 1999-11-05 | 2001-07-10 | Axcelis Technologies Inc | 無酸素プラズマ処理における終了点の決定方法およびアッシング方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR850008559A (ko) | 에칭 모니터방법 및 장치 | |
| JPS54104584A (en) | Gas insulated electric device and method of inspecting partial discharge thereof | |
| JPS6153728A (ja) | エツチング終点判定方法 | |
| JPS5884431A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH05179467A (ja) | エッチング終点検出方法 | |
| JP3015540B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPS6159834A (ja) | エツチング終点検出方法 | |
| JPS62122220A (ja) | エツチング終点検出方法 | |
| JPH0263535U (ja) | ||
| JP3137810B2 (ja) | マイクロ波プラズマ放電停止検知方法、マイクロ波プラズマ処理方法及びマイクロ波プラズマ処理装置 | |
| JPS6293941A (ja) | エツチング終点判定装置 | |
| JPS61145825A (ja) | プラズマ化学気相堆積装置のクリ−ニング終点検出方法 | |
| JPH02170981A (ja) | Ｃｖｄ装置 | |
| JPH0261140B2 (ja) | ||
| JPH066797B2 (ja) | エツチングの終点検出方法 | |
| JPH0290613A (ja) | 半導体装置の製造方法及びその製造装置 | |
| JPS61264728A (ja) | ドライエツチング終点検出方法 | |
| JPS63107026A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPS63210751A (ja) | グロ−放電発光分析装置 | |
| JPS58216423A (ja) | エツチング終点検出装置 | |
| JPS63211633A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JPH0922900A (ja) | プラズマ処理方法 | |
| JPH0628252B2 (ja) | プラズマ処理終点判定方法及び装置 | |
| JPS6342124A (ja) | 終点検出方法 | |
| JP2000040690A5 (ja) |