JPS6276144A - ビ−ムプラズマ型イオン銃 - Google Patents
ビ−ムプラズマ型イオン銃Info
- Publication number
- JPS6276144A JPS6276144A JP60215344A JP21534485A JPS6276144A JP S6276144 A JPS6276144 A JP S6276144A JP 60215344 A JP60215344 A JP 60215344A JP 21534485 A JP21534485 A JP 21534485A JP S6276144 A JPS6276144 A JP S6276144A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- target chamber
- target
- gun
- electron
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims abstract description 26
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims description 12
- 239000011148 porous material Substances 0.000 claims description 8
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 8
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 235000001018 Hibiscus sabdariffa Nutrition 0.000 description 1
- 235000005291 Rumex acetosa Nutrition 0.000 description 1
- 240000007001 Rumex acetosella Species 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 235000003513 sheep sorrel Nutrition 0.000 description 1
Landscapes
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
し産業上の利用分野J
この発明はエツチング、デポジション、スバ・ツタ等の
微細加工に使用されるイオンビーム装置のイオン銃に関
し、特に金属源用のビームプラズマ型イオン銃に関する
ものである。
微細加工に使用されるイオンビーム装置のイオン銃に関
し、特に金属源用のビームプラズマ型イオン銃に関する
ものである。
一般に安定なイオンの引出しを行わせる方法として電子
ビームの作る負の電位の谷にイオンを捕捉して引出しビ
ームプラズマ型イオン銃が用いられている。
ビームの作る負の電位の谷にイオンを捕捉して引出しビ
ームプラズマ型イオン銃が用いられている。
従来のビームプラズマ型イオン銃ては、カソードは金属
円筒からなり、外側に巻いたフィラメントからの電子衝
ゴ2によって電子ビームを発生し、アノードで電子ビー
ムを加速しアノードに続いて設けられたドリフトチュー
ブ5ダーゲ・ソl〜チェンバそれぞれの電位をアノード
より階段的に高くし、電位傾度をもなせプラズマ内のイ
オンとアノ−1一端へ加速してイオンビームを発生して
いた。
円筒からなり、外側に巻いたフィラメントからの電子衝
ゴ2によって電子ビームを発生し、アノードで電子ビー
ムを加速しアノードに続いて設けられたドリフトチュー
ブ5ダーゲ・ソl〜チェンバそれぞれの電位をアノード
より階段的に高くし、電位傾度をもなせプラズマ内のイ
オンとアノ−1一端へ加速してイオンビームを発生して
いた。
ト述した従束のビームプラズマ型、イオン銃は、カッ−
1−形状か加熱フィラメンl” + ’JL属円筒等そ
の構成要素が予〈なっていること、またアノード以降、
降のトリフl〜チューフクーゲッ1〜チェンバにち電圧
を印加するため、それぞれを絶縁する必や性らあること
等構造が複雑化するととらにターゲラ1、チェンバ内で
の操作性が悪くなること、史に電界領域でイオン化する
ためイオン初速度が揃わないことなとから細いイオンビ
ームを得るのか難しくkTL度が1−”らない等の欠点
を有していた。
1−形状か加熱フィラメンl” + ’JL属円筒等そ
の構成要素が予〈なっていること、またアノード以降、
降のトリフl〜チューフクーゲッ1〜チェンバにち電圧
を印加するため、それぞれを絶縁する必や性らあること
等構造が複雑化するととらにターゲラ1、チェンバ内で
の操作性が悪くなること、史に電界領域でイオン化する
ためイオン初速度が揃わないことなとから細いイオンビ
ームを得るのか難しくkTL度が1−”らない等の欠点
を有していた。
本発明の目的は、カソードに直熱形フィラメントを用い
、2段加速とし、初段加速用電極にイオン加速17!!
能をもたせ、アノード以降の後段加速電極を無くすこと
により電極構造を簡素化させ、且つ集束電子ビームによ
り長い距離をイオン化させ、高輝度のイオンビームを得
ることができるビームプラズマ型イオン銃を提供するに
ある。
、2段加速とし、初段加速用電極にイオン加速17!!
能をもたせ、アノード以降の後段加速電極を無くすこと
により電極構造を簡素化させ、且つ集束電子ビームによ
り長い距離をイオン化させ、高輝度のイオンビームを得
ることができるビームプラズマ型イオン銃を提供するに
ある。
・問題点を解決するための手段〕
本発明のビームプラズマ型イオン銃は、中心部に細孔を
有する直熱形リボンフィラメントからなるカソードとア
ノードとこのカソードとアノードの間に設けられ前記ア
ノードより負電位とした引出電極およびウニネルl〜を
有する電子銃と、ターゲラI・チェンバーと、前記電子
銃が発生する電子ビームを通して前記ターゲラ)・チェ
ンバー内に配置されたターゲットに照射させる細管と、
この細管の外周に配置され前記電子ビームを収束させる
ための電磁レンズと3含み、前記ターゲットからのイオ
ンビームが前記電子ビームの進路を遡り前記引出電極に
より加速されて前記細孔より出射されることを特徴とす
る。
有する直熱形リボンフィラメントからなるカソードとア
ノードとこのカソードとアノードの間に設けられ前記ア
ノードより負電位とした引出電極およびウニネルl〜を
有する電子銃と、ターゲラI・チェンバーと、前記電子
銃が発生する電子ビームを通して前記ターゲラ)・チェ
ンバー内に配置されたターゲットに照射させる細管と、
この細管の外周に配置され前記電子ビームを収束させる
ための電磁レンズと3含み、前記ターゲットからのイオ
ンビームが前記電子ビームの進路を遡り前記引出電極に
より加速されて前記細孔より出射されることを特徴とす
る。
本発明のビームプラズマ型イオン銃において、電子ビー
ムは直熱形フィラメントで発生され、引出電極、アノー
ドにより比較的高電圧で加速される。引出電極は、アノ
ードより負電位が印加されており初段加速を行う。この
加速された電子ビームは、電磁レンズにより集束されつ
つ細管を通過し、ターゲットチェンバに達する。このタ
ーゲットチェンバでは、金属をイオン化する際には金属
クーデ・/1〜に電−r−ビームを集束させて該金属を
局所IJ[1熱し徐々に蒸発させ電子ビームとの衝突電
膚によりイオン化する。
ムは直熱形フィラメントで発生され、引出電極、アノー
ドにより比較的高電圧で加速される。引出電極は、アノ
ードより負電位が印加されており初段加速を行う。この
加速された電子ビームは、電磁レンズにより集束されつ
つ細管を通過し、ターゲットチェンバに達する。このタ
ーゲットチェンバでは、金属をイオン化する際には金属
クーデ・/1〜に電−r−ビームを集束させて該金属を
局所IJ[1熱し徐々に蒸発させ電子ビームとの衝突電
膚によりイオン化する。
アノードからターゲットチェンバまでは全て同電位であ
り、無電界領域でイオン化され、発生したイオンは電子
ビームの進路を遡り、引出電極により加速され、カソー
ドのリボンフィラメン1−の中心部の細孔を通過し、イ
オンビームとして照射される。このように、77ノード
電極以降に電極を構成せず、無電界領域でイオン化する
ことによりイオンのm速度を揃えることかでき高輝度の
イオンビームを発生することができる。
り、無電界領域でイオン化され、発生したイオンは電子
ビームの進路を遡り、引出電極により加速され、カソー
ドのリボンフィラメン1−の中心部の細孔を通過し、イ
オンビームとして照射される。このように、77ノード
電極以降に電極を構成せず、無電界領域でイオン化する
ことによりイオンのm速度を揃えることかでき高輝度の
イオンビームを発生することができる。
1実施例]
次に本発明について図面を参照して説明する。
第1図は本発明の一実施例の構成図である。カソードl
は第2図に示すように細孔13を有するりボン7 (ラ
メ7 !−7’ll)らなり、2500 ” KfJ、
、hに直接加熱されると共にアノード2との間に100
K Vへ、150 K〜′の負の高電圧(加速電圧1
8)が印加され、電f−ビームを発生加速する。その際
のビーム電流の制御はウニネル1へ3にバイアス電圧1
6を印加して行う。引出電極・4にはアノード2とカソ
ードlの間の電圧、例えばカソード1に対し正の50K
Vを印加し、初段加速電圧17とする。カソード1.ア
ノード2.ウェネルト3および引出電極4を設けた電子
銃とターゲットチェンバ8の間には細管6が設けられ、
加速された電子ビーム5は、徐々に拡がりつつ細管6に
進入するが細管6の外側に配置した電磁レンズ7により
除々に集束されターゲラ1〜チエンバ8に導入される。
は第2図に示すように細孔13を有するりボン7 (ラ
メ7 !−7’ll)らなり、2500 ” KfJ、
、hに直接加熱されると共にアノード2との間に100
K Vへ、150 K〜′の負の高電圧(加速電圧1
8)が印加され、電f−ビームを発生加速する。その際
のビーム電流の制御はウニネル1へ3にバイアス電圧1
6を印加して行う。引出電極・4にはアノード2とカソ
ードlの間の電圧、例えばカソード1に対し正の50K
Vを印加し、初段加速電圧17とする。カソード1.ア
ノード2.ウェネルト3および引出電極4を設けた電子
銃とターゲットチェンバ8の間には細管6が設けられ、
加速された電子ビーム5は、徐々に拡がりつつ細管6に
進入するが細管6の外側に配置した電磁レンズ7により
除々に集束されターゲラ1〜チエンバ8に導入される。
電子銃とターゲットチェンバ8それぞれ(こは排気口9
.10に連なる専用の真空排気系を(荊疋ており(図示
せず)、電子銃内は電子ビー、ムを発生するに必要なI
X 10−″′Torr以゛ドの高真空に作詩される
一方、ターゲラI・チェンバ8は、同様に高真空に排気
されるが、クーデ・1トチェシバ8内の金属ターゲラ1
〜12が電子ビーム照射によ蒸発しガス化する際に圧力
上洋を招き、真空度が低]マし、L X 10 ”〜1
0−’Torr程度の雰囲気になっても運転することが
できる。細管6は電子銃とターゲットチェンバ8間の差
圧を保持できるよう、その口径を定めである。本実施例
では、その口径を15ミリメー1〜りとしている。 金
属ターゲラ1〜12をイオン化する際には、一旦ターゲ
ットチェンバS内を十分に真空排気後、金属ターゲット
12に電子ビームを電磁レンズ7により集束して照射し
金属を溶かして蒸発させ、蒸発金属と電子ビームの衝突
電離により行う。
.10に連なる専用の真空排気系を(荊疋ており(図示
せず)、電子銃内は電子ビー、ムを発生するに必要なI
X 10−″′Torr以゛ドの高真空に作詩される
一方、ターゲラI・チェンバ8は、同様に高真空に排気
されるが、クーデ・1トチェシバ8内の金属ターゲラ1
〜12が電子ビーム照射によ蒸発しガス化する際に圧力
上洋を招き、真空度が低]マし、L X 10 ”〜1
0−’Torr程度の雰囲気になっても運転することが
できる。細管6は電子銃とターゲットチェンバ8間の差
圧を保持できるよう、その口径を定めである。本実施例
では、その口径を15ミリメー1〜りとしている。 金
属ターゲラ1〜12をイオン化する際には、一旦ターゲ
ットチェンバS内を十分に真空排気後、金属ターゲット
12に電子ビームを電磁レンズ7により集束して照射し
金属を溶かして蒸発させ、蒸発金属と電子ビームの衝突
電離により行う。
尚、金属ターゲット12の交換はターゲットチェンバ8
に設けられたサービス口11により行なわれる。
に設けられたサービス口11により行なわれる。
このイオン化を生じる領域はクーゲ・11〜チエンバ8
のみでなく細管部6に於ても生じる7発生した一イオン
は発生部位では周囲がアノード2と同じ;11位であり
電界の影響を受けないので、拡散により軸方向に細管6
を電子ビームと逆方向に遡りアノード2に達し、引出電
極4の負電位により引っ張られ加速される。加速された
イオンは第2図に示すカソード1をなすリボンフィラメ
ントの中心部に設けられた刑r113を通過し、イオン
ビームト1として射出される。
のみでなく細管部6に於ても生じる7発生した一イオン
は発生部位では周囲がアノード2と同じ;11位であり
電界の影響を受けないので、拡散により軸方向に細管6
を電子ビームと逆方向に遡りアノード2に達し、引出電
極4の負電位により引っ張られ加速される。加速された
イオンは第2図に示すカソード1をなすリボンフィラメ
ントの中心部に設けられた刑r113を通過し、イオン
ビームト1として射出される。
本実施例では、カソード1のリボンフィラメントの幅W
を2ミリメートルとし、細孔13の直径を0.5ミリメ
ー1〜ルとしである。
を2ミリメートルとし、細孔13の直径を0.5ミリメ
ー1〜ルとしである。
!′発明の効果1
以上述べたとおり本発明は、電子ビームを発生ずる電極
部の構造を争純化でき、イオン化域の’tL極に複数の
電圧を加えることがないため構造を簡素化でき無電界領
域でイオン化することにより、指向性のよい高輝度のイ
オンビームを射出することができ、微細加工を高効率に
実現することができる4 14゛1而の筒中、な説明 第1図は本発明一実施例の構成図、第2図は第1図に於
けるカソード1の主要部を示す斜視図である5 ■・・・カソード、2・・・アノード、3・・・ウニネ
ル何〜24・・・引出電極、5・・電子ビーム、6・・
・細管、7・・・tmレンズ、8・・・ターゲットチェ
ンバ、9,10・・°排気、11・・・サービス口、1
3・・・細孔、14・・・イオンビーム、16・・・バ
イアス電圧、17・・・初段加速電圧、18・・・加速
電圧。
部の構造を争純化でき、イオン化域の’tL極に複数の
電圧を加えることがないため構造を簡素化でき無電界領
域でイオン化することにより、指向性のよい高輝度のイ
オンビームを射出することができ、微細加工を高効率に
実現することができる4 14゛1而の筒中、な説明 第1図は本発明一実施例の構成図、第2図は第1図に於
けるカソード1の主要部を示す斜視図である5 ■・・・カソード、2・・・アノード、3・・・ウニネ
ル何〜24・・・引出電極、5・・電子ビーム、6・・
・細管、7・・・tmレンズ、8・・・ターゲットチェ
ンバ、9,10・・°排気、11・・・サービス口、1
3・・・細孔、14・・・イオンビーム、16・・・バ
イアス電圧、17・・・初段加速電圧、18・・・加速
電圧。
代理人 弁理士 内 原 昔゛′。
子 l 阿
第 2 図
Claims (1)
- 中心部に細孔を有する直熱型リボンフィラメントからな
るカソードとアノードとこのカソードとアノードの間に
設けられ前記アノードより負電位とした引出電極および
ウェネルトを有する電子銃と、ターゲットチェンバーと
、前記電子銃が発生する電子ビームを通して前記ターゲ
ットチェンバー内に配置されたターゲットに照射させる
細管と、この細管の外周に配置され前記電子ビームを収
束させるための電磁レンズとを含み、前記ターゲットか
らのイオンビームが前記電子ビームの進路を遡り前記引
出電極により加束されて前記細孔より出射されることを
特徴とするビームプラズマ型イオン銃。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215344A JP2637948B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ビームプラズマ型イオン銃 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60215344A JP2637948B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ビームプラズマ型イオン銃 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276144A true JPS6276144A (ja) | 1987-04-08 |
| JP2637948B2 JP2637948B2 (ja) | 1997-08-06 |
Family
ID=16670744
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60215344A Expired - Lifetime JP2637948B2 (ja) | 1985-09-27 | 1985-09-27 | ビームプラズマ型イオン銃 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2637948B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206543A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Teruhiko Tajima | パルスイオンビーム発生装置 |
| JPH01248451A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-04 | Nissin Electric Co Ltd | 多価イオン注入装置 |
| JP2012004012A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Nachi Fujikoshi Corp | ガスクラスターイオンビーム装置 |
| JP7672761B1 (ja) * | 2024-12-27 | 2025-05-08 | イオンラボ株式会社 | 金属イオン源 |
-
1985
- 1985-09-27 JP JP60215344A patent/JP2637948B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01206543A (ja) * | 1988-02-15 | 1989-08-18 | Teruhiko Tajima | パルスイオンビーム発生装置 |
| JPH01248451A (ja) * | 1988-03-29 | 1989-10-04 | Nissin Electric Co Ltd | 多価イオン注入装置 |
| JP2012004012A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Nachi Fujikoshi Corp | ガスクラスターイオンビーム装置 |
| JP7672761B1 (ja) * | 2024-12-27 | 2025-05-08 | イオンラボ株式会社 | 金属イオン源 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2637948B2 (ja) | 1997-08-06 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101156505B (zh) | 用于生成、加速和传播电子束和等离子体束的设备和方法 | |
| JP6983012B2 (ja) | イオンポンプ内のイオン軌道操作アーキテクチャ | |
| JPS63503022A (ja) | プラズマ陽極電子銃 | |
| JPWO2019155530A1 (ja) | イオン化装置及び質量分析装置 | |
| JPS6276144A (ja) | ビ−ムプラズマ型イオン銃 | |
| JP2637947B2 (ja) | ビームプラズマ型イオン銃 | |
| US4939425A (en) | Four-electrode ion source | |
| WO2024164857A1 (zh) | 电子束电离式离子风装置 | |
| JPH01109648A (ja) | ビームプラズマ型イオン銃 | |
| JPH0557691B2 (ja) | ||
| GB1398167A (en) | High pressure ion sources | |
| JP2778227B2 (ja) | イオン源 | |
| JP3076176B2 (ja) | 複合型イオン源装置 | |
| JPS5910019B2 (ja) | 質量分析装置におけるイオン源装置 | |
| JPH02121233A (ja) | イオン源 | |
| JPH02199743A (ja) | 金属イオン源 | |
| JP3152759B2 (ja) | イオン銃 | |
| JP2814084B2 (ja) | デュオピガトロンイオン源 | |
| JPS594045Y2 (ja) | 薄膜生成用イオン化装置 | |
| SU995151A1 (ru) | Электронно-лучева лампа | |
| JPH04181636A (ja) | 金属イオン源 | |
| JPH02199742A (ja) | イオン源 | |
| JPS5927383B2 (ja) | イオンビ−ム薄膜作成装置 | |
| JP2000294158A (ja) | イオン発生方法およびイオン源 | |
| JP2007317491A (ja) | クラスターのイオン化方法及びイオン化装置 |