JPS6276441A - 粒体の流れ検出器 - Google Patents
粒体の流れ検出器Info
- Publication number
- JPS6276441A JPS6276441A JP21847985A JP21847985A JPS6276441A JP S6276441 A JPS6276441 A JP S6276441A JP 21847985 A JP21847985 A JP 21847985A JP 21847985 A JP21847985 A JP 21847985A JP S6276441 A JPS6276441 A JP S6276441A
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- JP
- Japan
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- electrode
- vibrator
- capacitance
- electrodes
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- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本Ｊｕ明は静電８吊式の流れ検出器に関する。
従来の技術
従来、この様の流れ検出器は第１９図と第２０図のよう
に構成されている。１は静電容吊検出用市極で、粉流体
２か通過する樹脂製バイブ３に差込まれており、バイブ
３とは別の位置に取付けられた電子回路〔図示せず］と
前記型１ｆｉ１とをコード４で接続し、前記電子回路に
よって電極１間の静電容量変化を測定して、粉粒体２の
流れの状態が判定されている。また、電極間隔Ｑは測定
り・１象扮粒体の粒子径に比べて十分に大さく設定され
ている。
に構成されている。１は静電容吊検出用市極で、粉流体
２か通過する樹脂製バイブ３に差込まれており、バイブ
３とは別の位置に取付けられた電子回路〔図示せず］と
前記型１ｆｉ１とをコード４で接続し、前記電子回路に
よって電極１間の静電容量変化を測定して、粉粒体２の
流れの状態が判定されている。また、電極間隔Ｑは測定
り・１象扮粒体の粒子径に比べて十分に大さく設定され
ている。
弁明が解決しようとする問題点
このＪ：うな従来の構成ては、電極１のバイブ３の内側
への突出量が多いため、粉粒体２の流れが妨げられてＪ
ｊす、粉粒体のスムースな落下を期待できない。
への突出量が多いため、粉粒体２の流れが妨げられてＪ
ｊす、粉粒体のスムースな落下を期待できない。
本考案は粉粒体の落下を妨けることがなく、しかも、よ
り高感度な測定を明ヤ１でさる流れ検出器を提出するこ
とを目的どづる。
り高感度な測定を明ヤ１でさる流れ検出器を提出するこ
とを目的どづる。
問題点を解決するための手段
本光明の粉粒体の流れ検出器は、わ）粒体通過経路形成
部材の内周面あるいは外周面に治ってクランド電極とホ
ット電極から成る一対以−ヒの静電容量検出用電極を設
け、静電容量検出電極間の容量変化からＶ）粒体の流れ
状態を検出する検出回路を設（）るど共に、前記静電容
Ｆ′ｆｉ検出用電皆のグランド電性の粉粒体通過方向の
幅と、ホット電極の粉粒体通過方向の幅と、グランド電
極とホット電極の粉粒体通過方向の間隔とのうちの少な
くとも何れかの長さを測定対象粉粒体の粒子径に略香し
く構成したことを特徴とする。
部材の内周面あるいは外周面に治ってクランド電極とホ
ット電極から成る一対以−ヒの静電容量検出用電極を設
け、静電容量検出電極間の容量変化からＶ）粒体の流れ
状態を検出する検出回路を設（）るど共に、前記静電容
Ｆ′ｆｉ検出用電皆のグランド電性の粉粒体通過方向の
幅と、ホット電極の粉粒体通過方向の幅と、グランド電
極とホット電極の粉粒体通過方向の間隔とのうちの少な
くとも何れかの長さを測定対象粉粒体の粒子径に略香し
く構成したことを特徴とする。
作用
この構成によると、静電容量検出用電極を粉粒体通過経
路形成部材の内周面あるいは外周面に泊って設けたため
、内周面に治って設Ｃプだ場合には従来に比べて粉粒体
通過経路中への突出吊がわずかであり、外周面に泊って
設【プた場合にはその突出吊を零に出来、粉粒体のスム
ースな落下を期待できる。また、測定対象粉粒体の粒径
に応して静電容量検出電極の幅と間隔の少なくとも一方
を設定したため、従来よりも高！１ｉｌｔ度の測定が可
能である。
路形成部材の内周面あるいは外周面に泊って設けたため
、内周面に治って設Ｃプだ場合には従来に比べて粉粒体
通過経路中への突出吊がわずかであり、外周面に泊って
設【プた場合にはその突出吊を零に出来、粉粒体のスム
ースな落下を期待できる。また、測定対象粉粒体の粒径
に応して静電容量検出電極の幅と間隔の少なくとも一方
を設定したため、従来よりも高！１ｉｌｔ度の測定が可
能である。
実施例
以下、ホラと明の実施例を第１図〜第１８図に１．（づ
いて説明づる。
いて説明づる。
第１図は樹脂製バイブ３の外周面Ａに鋼部等の４電部を
直接に貼着してホット電極５とグランド電極６ｔ 、６
２が形成されており、ホット電極５どグランド電極６＋
、６２間の静電容量変化を検出回路〔図示せり゛）で
測定して、バイブ３中を通過づる粉粒体２の流れ状態が
判定される。
直接に貼着してホット電極５とグランド電極６ｔ 、６
２が形成されており、ホット電極５どグランド電極６＋
、６２間の静電容量変化を検出回路〔図示せり゛）で
測定して、バイブ３中を通過づる粉粒体２の流れ状態が
判定される。
このように構成したため、静電容φ極出用電極としての
ｆｆ１ｌ１５．６ｔ 、 ６２はバイブ３の内部通路Ｂ
１には突部として表われないため、粉：粒体２の通過を
妨げない。
ｆｆ１ｌ１５．６ｔ 、 ６２はバイブ３の内部通路Ｂ
１には突部として表われないため、粉：粒体２の通過を
妨げない。
第１図ではバイブ３の外周面Ａに電４ｆｉ５，６ｔ。
６２を設けたが、これは第２図の一部切欠き図に承りよ
うに、バイブ３の内周面Ｃに銅Ａ５等の導電部を直接に
貼着して電極５．６＋ 、６２を形成しても同様である
。但し、この場合にはバイブ３の内部通路Ｂ１に導電部
の〃み分の突出部がブて生するが、ごく僅かであるため
粉粒体２の通過を妨げるものでない。
うに、バイブ３の内周面Ｃに銅Ａ５等の導電部を直接に
貼着して電極５．６＋ 、６２を形成しても同様である
。但し、この場合にはバイブ３の内部通路Ｂ１に導電部
の〃み分の突出部がブて生するが、ごく僅かであるため
粉粒体２の通過を妨げるものでない。
なお、第１図と第２図の実施例では導電部を貼着して電
極５．６１．６２を形成したが、これは貼着によらずに
４電性塗料を印刷することによってし同様の効果が得ら
れる。
極５．６１．６２を形成したが、これは貼着によらずに
４電性塗料を印刷することによってし同様の効果が得ら
れる。
第１図と第２図では筒状のバイブ３の外周あるいは内周
に電極５，６１．６２を形成したが、これはバイブ３を
用いずに第３図、第４図のようにしても構成できる。
に電極５，６１．６２を形成したが、これはバイブ３を
用いずに第３図、第４図のようにしても構成できる。
第３図は電Ｋｉ５．６１．６２のパターンが形成された
フレキシブル配置腺基板７を、ぞのパターン面りを外側
にして筒状にさき上げた・乙ので、粉粒体２はパターン
面りの裏面にで囲まれた内部通路Ｂ２を通過づる。
フレキシブル配置腺基板７を、ぞのパターン面りを外側
にして筒状にさき上げた・乙ので、粉粒体２はパターン
面りの裏面にで囲まれた内部通路Ｂ２を通過づる。
第４図はパターン面りを内側にして筒状に巻き一部げた
もので、粉粒体２はパターン面りで囲まれた内部通路［
３２を通過ザる。
もので、粉粒体２はパターン面りで囲まれた内部通路［
３２を通過ザる。
第５図と第６図はバイブ３どフレキシブル配線基板７を
相合せた実施例を示し、フレキシブル配線基板７がバイ
ブ３の外周面Ａに被けられている。
相合せた実施例を示し、フレキシブル配線基板７がバイ
ブ３の外周面Ａに被けられている。
なお、この場合にはフレキシブル配線基板７のパターン
面りをバイブ３の外周面Ａ側に配設して巻き上げるか、
または裏面Ｅをバイブ３の外周面Ａ側に配設して巻き上
けられる。第７図は第５図の具体例を示し、フレキシブ
ル配線基板７は環状のキャップ８１．８２でバイブ３の
外周面Ａに押付けられており、キャップ８１．８２の外
側にバイブ３を囲むように筒状シールドケース９が被せ
られている。１０は中空部で、浮遊容量の低減に役立っ
ている。
面りをバイブ３の外周面Ａ側に配設して巻き上げるか、
または裏面Ｅをバイブ３の外周面Ａ側に配設して巻き上
けられる。第７図は第５図の具体例を示し、フレキシブ
ル配線基板７は環状のキャップ８１．８２でバイブ３の
外周面Ａに押付けられており、キャップ８１．８２の外
側にバイブ３を囲むように筒状シールドケース９が被せ
られている。１０は中空部で、浮遊容量の低減に役立っ
ている。
第５図の実施例ではバイブ３の外周にフレキシブル配線
基板７を被せたが、これは第８図と第９図のようにバイ
ブ３の内側にフレキシブル配ｐＨイ板７を挿入しても同
様である。なお、この相合には、バイブ３の内部通路Ｂ
１にフレキシブル配線基板７の厚み分の突部が光生ずる
が、ごく僅がであるため粉粒体２の通過を妨げるもので
ない。第８図と第９図の実施例では、パターン面りをバ
イブ３の内周面Ｃ側にして挿入されるが、あるいは裏面
Ｅをバイブ３の内周面Ｃ側にして挿入される。
基板７を被せたが、これは第８図と第９図のようにバイ
ブ３の内側にフレキシブル配ｐＨイ板７を挿入しても同
様である。なお、この相合には、バイブ３の内部通路Ｂ
１にフレキシブル配線基板７の厚み分の突部が光生ずる
が、ごく僅がであるため粉粒体２の通過を妨げるもので
ない。第８図と第９図の実施例では、パターン面りをバ
イブ３の内周面Ｃ側にして挿入されるが、あるいは裏面
Ｅをバイブ３の内周面Ｃ側にして挿入される。
第１０図は静電容量変化から粉粒体の流れ状態を判定づ
る検出回路１１と通路形成部材としてのバイブ３どの位
置関係を示す。ここでは第１図にお（プる実施例のバイ
ブ３に隣接した近傍位置に検出回路１１を配設して、長
いコードを介さずに検出回路１１と電極５．６１．６２
を接続づることによって？″’１７Ｂ’１７Ｂ容量来る
と共に、全体をコンパクトイヒできる。１２は電源電圧
の印加Ｊ＞よび流れ状態判定信号の出力などに使用きれ
るケーブルである。
る検出回路１１と通路形成部材としてのバイブ３どの位
置関係を示す。ここでは第１図にお（プる実施例のバイ
ブ３に隣接した近傍位置に検出回路１１を配設して、長
いコードを介さずに検出回路１１と電極５．６１．６２
を接続づることによって？″’１７Ｂ’１７Ｂ容量来る
と共に、全体をコンパクトイヒできる。１２は電源電圧
の印加Ｊ＞よび流れ状態判定信号の出力などに使用きれ
るケーブルである。
第１１図は通路形成部材としてのバイブ３を１１１直方
向に対して角度０だけ傾斜させた使用状態を示づ。この
ようにすれば、粉粒体２は確実にバイブ３の内周底部１
３上で、電極５，６１．６２に近い位置を確実に通過す
るようになるため、第１４図のようにバイブ３を真直す
ぐに鉛直方向に取付けて粉粒体２を流した場合に比べて
検出感度が大幅に向上づる。
向に対して角度０だけ傾斜させた使用状態を示づ。この
ようにすれば、粉粒体２は確実にバイブ３の内周底部１
３上で、電極５，６１．６２に近い位置を確実に通過す
るようになるため、第１４図のようにバイブ３を真直す
ぐに鉛直方向に取付けて粉粒体２を流した場合に比べて
検出感度が大幅に向上づる。
なお、第１０図のような検出回路１１の取付り位置と第
１１図のＪ、うな傾斜取イｑけによって得られる効果は
、第１図の実施例のみならず、第２図、第３図、第４図
、第５図および第８図の何れの実施例においでも同様に
竪？られる。
１１図のＪ、うな傾斜取イｑけによって得られる効果は
、第１図の実施例のみならず、第２図、第３図、第４図
、第５図および第８図の何れの実施例においでも同様に
竪？られる。
第１２図〜第１４図は電極間隔と測定対象粉粒体の粒径
ｄの関係を承り。第１２図（ａ）のようにバイブ３にホ
ラ１−電極５どグランド雷１１６を設けた場合、粉粒体
２が通過しない状態での電極５と６の静電容量値〔基本
容量値Ｃｏ ）は、第１３図のように電極間隔１−１が
大きくなるほど小さくなる。粉流体２が通過ザると静雷
容吊がΔＧ変化して、Ｃｏ ＋ΔＣの容ｆｆ１ｌｉｒｉ
を示ゴ。ΔＣは電極間隔Ｌ１が小さい程大さいが、検出
できる粉粒体粒子２′ と電極との距ｔｈ（［ｈは、第
１４図に示すように電極間隔Ｌ１が大きくなる程大きく
なって広い範囲を監視てきる。そのため、ΔＣ，ｈとも
に良好にするためには、電極間隔を第１２図（ｂ）のよ
うに粒子径（ｄ）と略等しく１２に設定することが好ま
しい。
ｄの関係を承り。第１２図（ａ）のようにバイブ３にホ
ラ１−電極５どグランド雷１１６を設けた場合、粉粒体
２が通過しない状態での電極５と６の静電容量値〔基本
容量値Ｃｏ ）は、第１３図のように電極間隔１−１が
大きくなるほど小さくなる。粉流体２が通過ザると静雷
容吊がΔＧ変化して、Ｃｏ ＋ΔＣの容ｆｆ１ｌｉｒｉ
を示ゴ。ΔＣは電極間隔Ｌ１が小さい程大さいが、検出
できる粉粒体粒子２′ と電極との距ｔｈ（［ｈは、第
１４図に示すように電極間隔Ｌ１が大きくなる程大きく
なって広い範囲を監視てきる。そのため、ΔＣ，ｈとも
に良好にするためには、電極間隔を第１２図（ｂ）のよ
うに粒子径（ｄ）と略等しく１２に設定することが好ま
しい。
なお、１２Ｎｄに設定することによフて工感度に測定で
さるという効果は、第２図、第３図、第４図、第５図Ｊ
３よび第８図の実施例において６同様である。
さるという効果は、第２図、第３図、第４図、第５図Ｊ
３よび第８図の実施例において６同様である。
第１５図は検出回路１１の具体構成を示す。１６は発振
部で、第１６図（ａ）のように定電圧Ｖｏの交流信号を
発生するａ１７は鎖振部１６の信号を抽出する共振部で
、基本中心周波数が発振部１６の信号周波数あるいはそ
の近傍に設定されており、前記ΔＣ成分に応じて共振周
波数が変化する。ここでは、電極間容量がＣＯの場合〔
空の場合〕には第１６図（ｂ）のように信ｑ周波教が同
じで波高値がＶａよりも低い交流信号が共振部１７の出
力に発生じ、通路形成部材中に粉粒体２が存在しかつ粉
粒体２で移動しない（Ｃｏ十△Ｃ１ａｘ）Ｊ場合〔詰ま
っている場合）には第１６図ｆｃ）のように信号周波数
が同じで波高（的が第１６図（ｂ）より低い交流信号が
共振部１７の出力に発生し、通路形成部材中で粉粒体２
が移動しているＣＣｏ十ΔＣ）場合（流れ中］に略よ、
第１６図（（１）のＪ、うに信号周波数が同じでその流
れ状態に応じて波高値が第１６図（（１）と（Ｃ）の間
で変化する交流信号が共振部１７の出力にＲ１する。
部で、第１６図（ａ）のように定電圧Ｖｏの交流信号を
発生するａ１７は鎖振部１６の信号を抽出する共振部で
、基本中心周波数が発振部１６の信号周波数あるいはそ
の近傍に設定されており、前記ΔＣ成分に応じて共振周
波数が変化する。ここでは、電極間容量がＣＯの場合〔
空の場合〕には第１６図（ｂ）のように信ｑ周波教が同
じで波高値がＶａよりも低い交流信号が共振部１７の出
力に発生じ、通路形成部材中に粉粒体２が存在しかつ粉
粒体２で移動しない（Ｃｏ十△Ｃ１ａｘ）Ｊ場合〔詰ま
っている場合）には第１６図ｆｃ）のように信号周波数
が同じで波高（的が第１６図（ｂ）より低い交流信号が
共振部１７の出力に発生し、通路形成部材中で粉粒体２
が移動しているＣＣｏ十ΔＣ）場合（流れ中］に略よ、
第１６図（（１）のＪ、うに信号周波数が同じでその流
れ状態に応じて波高値が第１６図（（１）と（Ｃ）の間
で変化する交流信号が共振部１７の出力にＲ１する。
１８は共振部１７の出力に弁士づ−る時々の交流信号を
直流レベルの信号Ｓ１に変換づる検波部で、第１６図（
ｂ）、 ｆｃ）、 （ｄ）の各信号波形はそれぞれＶｔ
。
直流レベルの信号Ｓ１に変換づる検波部で、第１６図（
ｂ）、 ｆｃ）、 （ｄ）の各信号波形はそれぞれＶｔ
。
Ｖ２ 、Ｖ３１．：、変換さレル。なａ３． Ｖｌ＞Ｖ
ｘ ＞Ｖ２である。１９．２０は増幅器で、ここでは増
幅率が１″であるどする。２１は第１のコンパレータで
、増幅器１９を介した検波部１８の時々の信号Ｓｔと直
流レベルｖ１の基準信号Ｒ１とのレベル比較を行う。２
２は第２のコンパレータで、前記（ｇ号Ｓ（と直流レベ
ル■２の基準信号Ｒ２どのレベル比較を行う。ここでは
説明の都合、［、第１のコンパレータ２１は信号Ｓｔの
レベルがｖｌに達した状態で出力０１が“’ １」”レ
ベルに反転し、第２のコンパレータ２２は（、ｍ 号Ｓ
ｔのレベルがＶ２に達した状態で出力０２が゛）−ｒ
ルベルに反転するものとし以下の説明を続Ｃプる。２３
は出力（ｈ 、０２の信号が入力に印加されたゲート部
で、出力０１が” ｌ−ドルベルで端子Ｔ１を°’Ｉ＋
”レベルにし、出力０２が’Ｈ”レベルで端子］゛３を
“’ Ｈ”レベルにし、出力０１ と０２が共に゛′Ｌ
″レベルで端子Ｔ２を’ Ｈ”レベルにｌるよう構成さ
れてＪ５す、端子Ｔ１が″トビルベルに反転づるど空状
態、端子Ｔ２が’ ｌ−１”レベルに反転ηると流れ生
状態、端子「３が″）ドルベルに反転すると詰まり状態
であることがわかる。
ｘ ＞Ｖ２である。１９．２０は増幅器で、ここでは増
幅率が１″であるどする。２１は第１のコンパレータで
、増幅器１９を介した検波部１８の時々の信号Ｓｔと直
流レベルｖ１の基準信号Ｒ１とのレベル比較を行う。２
２は第２のコンパレータで、前記（ｇ号Ｓ（と直流レベ
ル■２の基準信号Ｒ２どのレベル比較を行う。ここでは
説明の都合、［、第１のコンパレータ２１は信号Ｓｔの
レベルがｖｌに達した状態で出力０１が“’ １」”レ
ベルに反転し、第２のコンパレータ２２は（、ｍ 号Ｓ
ｔのレベルがＶ２に達した状態で出力０２が゛）−ｒ
ルベルに反転するものとし以下の説明を続Ｃプる。２３
は出力（ｈ 、０２の信号が入力に印加されたゲート部
で、出力０１が” ｌ−ドルベルで端子Ｔ１を°’Ｉ＋
”レベルにし、出力０２が’Ｈ”レベルで端子］゛３を
“’ Ｈ”レベルにし、出力０１ と０２が共に゛′Ｌ
″レベルで端子Ｔ２を’ Ｈ”レベルにｌるよう構成さ
れてＪ５す、端子Ｔ１が″トビルベルに反転づるど空状
態、端子Ｔ２が’ ｌ−１”レベルに反転ηると流れ生
状態、端子「３が″）ドルベルに反転すると詰まり状態
であることがわかる。
上記各実施例にｊ＞いては、静電容量検出用電極とし、
て１つのホット電極５と２つのグランド電極ｆ３＋、６
２とを設けたが、電極の数量および電極形状は上記実施
例に限定されるものではなく、静電容量検出用電極はホ
ット電極とグランド電極が一対以上設Ｃノられでいれば
よい。
て１つのホット電極５と２つのグランド電極ｆ３＋、６
２とを設けたが、電極の数量および電極形状は上記実施
例に限定されるものではなく、静電容量検出用電極はホ
ット電極とグランド電極が一対以上設Ｃノられでいれば
よい。
第１７図と第１８図はそれぞれ第３図、第４図、第す図
Ｊｊ Ｊ： （ｊ第８図の実施例に使用してイ１幼なフ
レ４シブル配線基板７の展開図で゛、矢印Ｆ方向が粉粒
体２の通過方向である。口こては、５ｔ 、 ５２か・
ｔ・ツ１−電極、６＋ 、６２．６３がグランド電極て
−あり、第１７図ではホット電極相瓦間、グランド電）
ル相η間がそれぞれフレキシブル配、腺阜仮７のパター
ン１４１ ｙｔ４２で連結されている。また、第１８
図では外部リード棟１５１ にＪ、つてホラ（−電慢相
ｎ間が接続され、グランド電極相互間が外部リードＦＷ
１５２ ．１５３によって接１続されている。電極間隔
は第１２図（ｂ）で説明したようにｌ ２ 、 ｄにパ
ターンが形成されている。
Ｊｊ Ｊ： （ｊ第８図の実施例に使用してイ１幼なフ
レ４シブル配線基板７の展開図で゛、矢印Ｆ方向が粉粒
体２の通過方向である。口こては、５ｔ 、 ５２か・
ｔ・ツ１−電極、６＋ 、６２．６３がグランド電極て
−あり、第１７図ではホット電極相瓦間、グランド電）
ル相η間がそれぞれフレキシブル配、腺阜仮７のパター
ン１４１ ｙｔ４２で連結されている。また、第１８
図では外部リード棟１５１ にＪ、つてホラ（−電慢相
ｎ間が接続され、グランド電極相互間が外部リードＦＷ
１５２ ．１５３によって接１続されている。電極間隔
は第１２図（ｂ）で説明したようにｌ ２ 、 ｄにパ
ターンが形成されている。
上記各実施例では、Ｌ２梠ｄの電極間隔について説明し
たが、ホラ］・電極の電・慢幅Ｌ３をｄに略等しく形成
したり、グランド電極の電極幅Ｌ４をｄにＩ８等しく形
成することによっても粒子２′を効率よく検出できる。
たが、ホラ］・電極の電・慢幅Ｌ３をｄに略等しく形成
したり、グランド電極の電極幅Ｌ４をｄにＩ８等しく形
成することによっても粒子２′を効率よく検出できる。
花明の効果
以上説明のように本発明の粉粒体の流れ検出器は、粉粒
体通過経路形成部材の内周面あるいは外周面に治ってグ
ランド電極とホット電極から成る一対以上の静電容量検
出用電極を設けたため、粉粒体通過経路中への検出用電
極の突出量が零あるいは微小であるため、粉粒体の流れ
を妨げることなくその流れ状態を判定できる。
体通過経路形成部材の内周面あるいは外周面に治ってグ
ランド電極とホット電極から成る一対以上の静電容量検
出用電極を設けたため、粉粒体通過経路中への検出用電
極の突出量が零あるいは微小であるため、粉粒体の流れ
を妨げることなくその流れ状態を判定できる。
更に本発明では、静電容量検出用電極のグランド電極の
粉粒体通過方向の幅と、ホット電梅の粉粒体通過方向の
幅と、グランド電極とホット電他の粉粒体通過方向の間
隔とのうちの少なくとも何れかの長さを測定対象粉粒体
の粒子径に略等しく構成したため、従来に比べて高感度
で微小な粉粒体てあってｂこの流れ状態を検出判定でさ
るもの（゛ある。
粉粒体通過方向の幅と、ホット電梅の粉粒体通過方向の
幅と、グランド電極とホット電他の粉粒体通過方向の間
隔とのうちの少なくとも何れかの長さを測定対象粉粒体
の粒子径に略等しく構成したため、従来に比べて高感度
で微小な粉粒体てあってｂこの流れ状態を検出判定でさ
るもの（゛ある。
第１図は本発明の第１の実施例の東部斜視図、第２図は
第２の実施例の一部切欠き斜視図、第３図（よ第３の実
施例の東部斜視図、第４図は第４の実施例の一部切欠さ
゛斜視図、第５図は第５の実施例と第６の実施例のＷ、
略斜視図、第６図は第５図の平面図、第７図は第５図の
具体例を承り一部切欠き正面図、第８図は第７の実施例
と第８の実施例の慨１１１６斜視図、第９図は第８図の
平面図、第１０図（よ通路形成部斗４と検出回路との１
１″ＬＩＮ関係を示Ｊ斜視図、第１１図は通路形成部祠
の取付姿勢を示す一部切欠さ゛斜視図、第１２図と第１
３図Ｊｊ Ｊ：ひ第１４図はね粒体粒子径と静電容串検
出用電（４１寸？人の説明図、第１５図は検出回路の４
＋１５ 、戊図、９１１６図は流れ状態に応じた第１５
図の要部波形図、第１７図と第１８図はぞれそれフレ＼
シツル配、腺２５１仮の展開図、第１９図は従来の流れ
検出器の要部斜視図、第２０図は第１９図の水゛１′所
面図である。 ２・・・粉粒体、３・・・パイプ、５・・・ホット電極
、６１．６２・・・グランド電極、７・・・フレキシブ
ル配線基板、９・・・シールドケース、１１・・・検出
回路、ｄ・・・粉粒体粒子径、Ｌ２・・・電極間隔、し
３・・・ホット電極幅、Ｌ４・・・グランド電極幅 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 第３図 第４図 第Ｓ図 卜２ 第７図 第θ図 第１１）図 第１／図 第１２図 第７３図 第１４図 鬼、蘭騰 覧種即砲 第１７図 第１メ図 胎肴キ 第２θ図
第２の実施例の一部切欠き斜視図、第３図（よ第３の実
施例の東部斜視図、第４図は第４の実施例の一部切欠さ
゛斜視図、第５図は第５の実施例と第６の実施例のＷ、
略斜視図、第６図は第５図の平面図、第７図は第５図の
具体例を承り一部切欠き正面図、第８図は第７の実施例
と第８の実施例の慨１１１６斜視図、第９図は第８図の
平面図、第１０図（よ通路形成部斗４と検出回路との１
１″ＬＩＮ関係を示Ｊ斜視図、第１１図は通路形成部祠
の取付姿勢を示す一部切欠さ゛斜視図、第１２図と第１
３図Ｊｊ Ｊ：ひ第１４図はね粒体粒子径と静電容串検
出用電（４１寸？人の説明図、第１５図は検出回路の４
＋１５ 、戊図、９１１６図は流れ状態に応じた第１５
図の要部波形図、第１７図と第１８図はぞれそれフレ＼
シツル配、腺２５１仮の展開図、第１９図は従来の流れ
検出器の要部斜視図、第２０図は第１９図の水゛１′所
面図である。 ２・・・粉粒体、３・・・パイプ、５・・・ホット電極
、６１．６２・・・グランド電極、７・・・フレキシブ
ル配線基板、９・・・シールドケース、１１・・・検出
回路、ｄ・・・粉粒体粒子径、Ｌ２・・・電極間隔、し
３・・・ホット電極幅、Ｌ４・・・グランド電極幅 代理人 森 本 義 弘 第１図 第２図 第３図 第４図 第Ｓ図 卜２ 第７図 第θ図 第１１）図 第１／図 第１２図 第７３図 第１４図 鬼、蘭騰 覧種即砲 第１７図 第１メ図 胎肴キ 第２θ図
Claims (1)
- １、粉粒体通過経路形成部材の内周面あるいは外周面に
沿ってグランド電極とホット電極から成る一対以上の静
電容量検出用電極を設け、静電容量検出用電極間の容量
変化から粉粒体の流れ状態を検出する検出回路を設ける
と共に、前記静電容量検出用電極のグランド電極の粉粒
体通過方向の幅と、ホット電極の粉粒体通過方向の幅と
、グランド電極とホット電極の粉粒体通過方向の間隔と
のうちの少なくとも何れかの長さを測定対象粉粒体の粒
子径に略等しく構成した粉粒体の流れ検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218479A JPH0656386B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 粒体の流れ検出器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60218479A JPH0656386B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 粒体の流れ検出器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276441A true JPS6276441A (ja) | 1987-04-08 |
| JPH0656386B2 JPH0656386B2 (ja) | 1994-07-27 |
Family
ID=16720574
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60218479A Expired - Lifetime JPH0656386B2 (ja) | 1985-09-30 | 1985-09-30 | 粒体の流れ検出器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0656386B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5208544A (en) * | 1990-09-26 | 1993-05-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Noninvasive dielectric sensor and technique for measuring polymer properties |
| JPH08271301A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Chichibu Onoda Cement Corp | 粉粒体の流量測定装置 |
| JP2013533971A (ja) * | 2010-07-06 | 2013-08-29 | ブリ−エア・プロコン・エスアーゲーエル | 水分を測定するための容量電極構造 |
| JP2018194482A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 長岡産業株式会社 | 静電センサ、電荷測定器、流体製造装置、流体の電荷量の測定方法及び流体の製造方法。 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160149898A (ko) | 2015-06-19 | 2016-12-28 | 현대자동차주식회사 | 입자상 물질 센서 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748617A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Hitachi Ltd | Level detector for finely divided particles |
| JPS6059120U (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-24 | サンクス株式会社 | 静電容量式センサ |
-
1985
- 1985-09-30 JP JP60218479A patent/JPH0656386B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5748617A (en) * | 1980-09-08 | 1982-03-20 | Hitachi Ltd | Level detector for finely divided particles |
| JPS6059120U (ja) * | 1983-09-27 | 1985-04-24 | サンクス株式会社 | 静電容量式センサ |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5208544A (en) * | 1990-09-26 | 1993-05-04 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Noninvasive dielectric sensor and technique for measuring polymer properties |
| JPH08271301A (ja) * | 1995-03-30 | 1996-10-18 | Chichibu Onoda Cement Corp | 粉粒体の流量測定装置 |
| JP2013533971A (ja) * | 2010-07-06 | 2013-08-29 | ブリ−エア・プロコン・エスアーゲーエル | 水分を測定するための容量電極構造 |
| JP2018194482A (ja) * | 2017-05-19 | 2018-12-06 | 長岡産業株式会社 | 静電センサ、電荷測定器、流体製造装置、流体の電荷量の測定方法及び流体の製造方法。 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0656386B2 (ja) | 1994-07-27 |
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