JPS627657B2 - - Google Patents

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JPS627657B2
JPS627657B2 JP53029053A JP2905378A JPS627657B2 JP S627657 B2 JPS627657 B2 JP S627657B2 JP 53029053 A JP53029053 A JP 53029053A JP 2905378 A JP2905378 A JP 2905378A JP S627657 B2 JPS627657 B2 JP S627657B2
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JP
Japan
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light
light guide
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JP53029053A
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JPS54121664A (en
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Hiroharu Kawai
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Sony Corp
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Sony Corp
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  • Vessels, Lead-In Wires, Accessory Apparatuses For Cathode-Ray Tubes (AREA)
  • Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えばカラーテレビジヨン受像管、
或いは、プロジエクタ用映像管等に用いられるビ
ームインデツクス型陰極線管のインデツクス信号
の取り出しに用いて好適な光検出装置に係わる。
先ず第1図及び第2図を参照して、ビームイン
デツクス型カラー陰極線管の構成を説明するに、
1はビームインデツクス型カラー陰極線管を全体
として示し、2はその管体、3は管体2のネツク
部2a内に配置された電子銃、4はこの電子銃3
より発射される電子ビーム、5はビーム4の水
平、垂直偏向用電磁偏向装置を示す。6は管体2
のフエースプレート2bの内面に被着形成された
螢光面を示す。この螢光面6は、第2図に示すよ
うに、フエースプレート2bの内面に例えば垂直
方向に延長するストライプ状の各色例えば赤、緑
及び青の螢光体R、G及びBが順次交互に配列さ
れてなる。各色の螢光体R、G及びB間には、光
吸収層所謂ガードバンド7が形成配置される。
又、この螢光面6上即ち内面にはメタルバツク層
8が被着される。そして、この螢光面上、即ちメ
タルバツク層8上に電子ビームの照射、即ち衝撃
によつてインデツクス光を発生する物質層9が被
着される。この物質層9としては、電子ビームの
衝撃によつて可視光又は紫外線等を発光する残光
性の短い螢光体が用いられる。そして、この螢光
体即ちインデツクス光を発生する物質層9は、各
色の螢光体R、G及びBの延長方向に沿うように
電子ビーム4の水平走査方向に所要の間隔を以つ
て例えばガードバンド7に対向する位置に配置さ
れる。
一方、管体2の例えばフアンネル壁2fに、こ
れに対してフリツト付けされて埋め込まれたレン
ズ系10を設け、その外側に物質層9よりのイン
デツクス光、例えば可視又は紫外線を検出して、
これを電気的信号に変換する光検出素子即ち、例
えばPINダイオード素子等の光電変換素子11が
配置されこれよりの電気信号を例えば増巾器等の
所要の回路12を通じ、これによつて電子ビーム
に対する色切換えの制御、或いは、電子ビームの
走査速度の変調を行なうようになされる。
このようにインデツクス光を検出する光検出装
置は、通常、前述したように、集光レンズ10を
用いることによつてできるだけ多くの光が光電変
換素子11に達するように、素子11が、第3図
に示すようにレンズ10の光軸上に配置される。
ところが、このような集光レンズ10を用いて
も、第4図に示すように、レンズ10の光軸より
ずれた拡散光に関しては、素子11に入らず他に
拡散してしまう。
更に、残光性の少い螢光体物質9よりの発光波
長、即ちインデツクス光の波長と光電変換素子1
1の高い光電変換効率を示す波長範囲とが、必ず
しも一致しない場合があり、素子11より十分満
足できる程度の出力が得られない場合もある。
本発明は、能率良く光信号を電気信号に変換す
ることができるようにした新規な光検出装置を提
供するものである。
即ち、本発明においては、導光体と光電変換素
子とを有し、導光体によつて上述したインデツク
ス信号のような、電気信号に変換する被検知光を
無駄なく受け、しかもこれによつて被検知光を光
電変換素子が比較的高い変換効率を示す波長範囲
の光に変換して光電変換素子に導くようにする。
第5図を参照して本発明の一例を説明するに、
本発明においては、基本的には板状の導光体13
とその一端面に接触若しくは近接対向して光電変
換素子11、例えばPINダイオードの受光面を配
置する。
導光体13は、透明担持体に有機螢光体が分散
されて成り、相対向する主面13a及び13b
は、できるだけ鏡面に、しかも平坦ないしは緩か
な曲面として構成される。この導光体13を構成
する透明担持体としては、透明樹脂、例えばアク
リル樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、ジ
アリルフタレート樹脂、ポリカーボネート樹脂、
フツ素樹脂、ポリプロピレン樹脂、ユリア・メラ
ミン樹脂、シリコン樹脂、ポリエステル樹脂、ポ
リアセタール樹脂、酢酸ビニル樹脂、フエノール
樹脂、ポリアミド樹脂、繊維素系樹脂等を用い得
る。また、これに分散する有機螢光体としてはロ
ーダミンを用い得る。またこの有機螢光体の透明
担持体中の濃度は、0.5〜2000ppm程度に選ぶ。
導光体13は、例えば帯状に構成され、その長
手方向の一端の一端面13cに光電変換素子11
を配置する。導光体13と光電変換素子11との
間には、導光体13と素子11とに屈折率が近い
液体、列えば水を導光体13と素子11との間に
両者に密着させて配し、導光体13の端面13c
及び素子11の受光面に夫々生ずる光学的界面に
おける導光体13よりの光の反射を防止し、導光
体13よりの光が能率良く素子11に導入される
ようにする。
そして、導光体13の一方の主面13a又は1
3b、或いは両主面13a及び13bに、被検出
光14、例えば第1図に説明したインデツクス光
のような、例えば信号光を照射する。これら主面
13a及び13bは、光電変換素子11の受光面
より十分大なる面積に選ばれる。
第6図を参照して、導光体13の作用を説明す
るに、今、説明の便宜上、導光体13中、即ち透
明担持体中に分散された1つの有機螢光体粒子を
符号15で示す黒点として示す。そして、実線矢
印14で示すように導光体13中に光が導入し、
これが粒子15を励起すると、これによつて入射
光14とは異なる波長、即ち入射光14より長い
波長の光を発生する。
この粒子15より発生する光は、等方的に放射
し、その一部の光は、光電変換素子11が配置さ
れた端面13c側へと向うが、他の一部の光は破
線16で示すように導光体13の他の端面或いは
主面13a及び13b、即ち導光体13とその周
囲の雰囲気との光学的界面に向う。例えば、導光
体13が空気中に配置される場合、空気の屈折率
をn1とすると、導光体13を構成する透明担持体
の屈折率n2は、n2>n1であるので、導光体13と
外気との光学的界面に導光体13側から向う光の
うち、この界面に垂直な線となす入射角θが、こ
の界面で全反射を生ずる臨界角θcより大の入射
角である光に関してはこれが外部に導出されず全
反射し、これが操返されて端面13cへと向う。
そして、屈折率n2がn1に比し大であればあるほ
ど、外光14の入射角θiが大きくても導光体1
3中に効率良く入り、螢光体15の励起を効率良
く行うことができ、また臨界角θcが小となるの
で螢光体15よりの光を効率良く端面13cへと
全反射させて導くことができる。
尚、導光体13の一方の主面13aを外光(被
検出光)の受光面とするときは、これを反対側の
主面13bには、導光体13を透過した外光を再
び導光体13中に反射させる反射面を例えばアル
ミニウム等の金属箔の被着等によつて形成し得
る。
導光体13の一例を詳細に説明するに、透面ア
クリル樹脂(透明担持体)30gに、ローダミンB
染料(有機螢光体)7mgを添加し、溶剤として2
塩化メチレンを約300g加えてシロツプ状にす
る。これを100mm×100mmの大きさの枠付きのガラ
ス面上に流し静置した状態で溶剤を蒸発させ、乾
燥後の厚さが2mmの板状導光板を得た。これを第
7図に示すように、帯状に切断し、その長手方向
の一端面13cより中応線に沿う切込み17を形
成し、第8図に示すように切込み17によつて分
割された端部を例えば温めながら重ね合せ、この
重ね合せられた端面13cに光電変換素子として
PINダイオード11を配置する。この構造におい
て、導光体13の幅Wを10mm、長さLを13mmに
し、重ね合せられた端面13cの全体の厚さを4
mm、幅4mmとした。この導光体13の一方の主面
13a側の上方2mで45゜ずれた位置に光源とし
ての螢光灯を配置して、素子11の光出力を測定
し、次に導光体13を排除して同様の光出力を測
定したところ導光体13を設けた場合は、設けな
い場合の約3.3倍の出力増加をみた。そして、更
に、導光体13の受光面13aと端面13cを除
く他の主面13b及び周端面にアルミニウム箔を
コートさせたところ、更に3割の出力増加をみ
た。
導光体13の形状や、光電変換素子11の配置
等は、種々選び得るものであり、例えば第9図に
示すように、第8図に説明した同様に一端面13
c側において重ね合せた導光体13を2枚用意
し、更に夫々重ね合せられた端面13cが共通の
面を形成するよう重ね合せて光電変換素子11を
対向させて受光能率を高めるようになし得る。
更に、他の例としては、第10図にその上面図
を示し、第11図に断面図を示すように中心孔1
8を有するラツパ状の導光体13を設け、その中
心孔18と、導光体13の中央端面13cとに対
向して光電変換素子11を、配置して被検出光を
中心孔18を通じて素子11に直接導入すると共
に、導光体13を通じて導くようにすることもで
きる。この構造のものにおいてラツパ状導光体1
3の外径を40mm、内径を8mmとしたものにおいて
素子11の光出力を測定したところ、この導光体
13の存在によつてその出力は1.6倍増加した。
尚、本発明による光検出装置を、例えば第1図
に説明したインデツクス管型陰極線管1に用いる
場合は、例えば、第12図に示すように陰極線管
1のそのフアンネル部2fに沿つて導光体13の
受光面が、フアンネル壁を通じてインデツクス光
の発光源に対向するようにする。この場合、フア
ンネル部2fの導光体13が配置される部分は、
インデツクス光の波長の光を透過するようになさ
れることは云うまでもないところであろう。
第13図は、アクリル樹脂中にローダミンB染
料を分散させたものにおいて、その分散濃度を夫
夫0ppm、3ppm、30ppm、100ppm、300ppm、
10000ppmに変化させて測定した各波長に対する
吸収スペクトル曲線である。これより明らかなよ
うに約500nm〜600nmで吸収が生じていて、こ
の波長の光によつてローダミンBが励起されてこ
れより長い波長の光を発していることが分る。
第14図はローダミンBの発光スペクトルで、
これより明らかなように約600nm〜650nmでピ
ークを示す発光を生ずる。尚、同図中破線曲線
は、ローダミンBの分散濃度が高い場合の発光ス
ペクトルで、この場合、外光で励起されて発光し
た光が他のローダミンを励起して更に長波長の2
次の長波長光を発光するためのものと思われる。
これら吸収スペクトル及び発光スペクトルをみ
ることによつて明らかなように、ローダミンBが
分散された導光体13に、500nm〜600nm程度
の波長の光を導入すると、これより長波長の600
以上の光が端面13cよりとり出されて光電変換
素子11に導入されることになる。したがつて、
例えば被検出光としてのインデツクス光の発光物
質としてY3Al5O12:Ceを用いる場合、その発光
波長は約515nmであるが、この波長の光に対し
殆んど感度を示さず、長波長側で感度を示のPIN
ダイオードのような一般の検出素子を光電変換素
子として用いても、導光体13を介存させた本発
明装置によれば、これより長波長の光を素子11
に送り込むことができ、高い出力を得ることがで
きることになる。
第15図は第8図に説明した構造の導光体13
の端面13cにPINダイオード11を配置し、第
8図に示すように端部の重ね合せ部以外の導光体
長さLeを18cmに、幅Wを1.3cmとした場合におい
て、導光体13の真上2m上方に螢光灯を配置し
た場合と、これを排除してPINダイオードで直接
光を受けた場合の各出力の比を、ローダミンBの
分散濃度を変えて測定した出力曲線である。この
場合、導光体13の端面13aより光を受け、他
の面等には、何ら反射面を設けなかつたものであ
るが、他方の主面13bに例えばアルミ箔による
反射面を設け、導光体13を通過する入射外光が
効率良く導光体13中に反射して導入するように
なすときは、第15図の出力比の約3割の増加を
みることができ、更に前述したように導光体13
の光導出端としての端面13cと光電変換素子1
1との間に水を介在させるときは、更に3〜4割
の出力増加をみることができた。したがつて、反
射面の形成、水の介存等を施すことによつて第1
5図において出力比が約0.5以上であれば、導光
体13を設けたことによる出力増加の効果を得る
ことができることになり、したがつて、螢光体の
分散濃度は0.5ppm〜2000ppmが望ましいという
ことがわかる。また、この場合、導光体13は入
力光、即ち被検出光、例えばインデツクス光に対
し、数ナノ秒という極めて速い応答速度を示す。
これは、分散された有機螢光体の励起に要する時
間が短いこと、更に殆んど1次励起による光のみ
がとり出され、螢光体より発光した光が再び他の
螢光体粒子を励起して2次発光が生ずることがな
いようになし得ることに因ると考えられる。
上述したように、本発明による光検出装置によ
れば、第3図及び第4図に説明したように集光レ
ンズ系を用いる場合のような被検出光の無駄を回
避でき、入射角が大きな光線でも、効率よく導光
体13中に導入し、導光体13中に分散させた有
機螢光体によつて長波長の光に変換して長波長に
対し高い感度を示す光電変換素子11に導くの
で、高感度の光検出を大きな出力で検出すること
ができる。
したがつて冒頭に述べたインデツクス管のイン
デツクス信号の検出装置として用いて好適なもの
であるが、他の各種光検出に用いて有益なもので
ある。
【図面の簡単な説明】
第1図はインデツクス型陰極線管の構成図、第
2図はその要部の拡大断面図、第3図及び第4図
はその光検出部の説明図、第5図は本発明装置の
一例の斜視図、第6図はその原理図、第7図及び
第8図は本発明装置の他の例の製造過程を示す
図、第9図は本発明装置の更に他の例の斜視図、
第10図は本発明装置の更に他の例の上面図、第
11図はその縦断面図、第12図は本発明装置を
インデツクス型陰極線管に適用した場合の一例の
側面図、第13図は吸収スペクトル図、第14図
は発光スペクトル図、第15図は螢光体の分散濃
度−出力比曲線図である。 13は導光体、11は光電変換素子である。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 透明担持体に有機螢光体が分散された導光体
    と、光電変換素子とを有し、上記導光体には外部
    より上記有機螢光体を励起する波長域の光を導入
    し、この励起によつて上記有機螢光体より発生し
    た光を上記光電変換素子に導くようにして成り、
    上記光電変換素子は上記発生した光の波長に感度
    を示ようになされた光検出装置。
JP2905378A 1978-03-14 1978-03-14 Optical detecting device Granted JPS54121664A (en)

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JP2905378A JPS54121664A (en) 1978-03-14 1978-03-14 Optical detecting device

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JPS54121664A JPS54121664A (en) 1979-09-20
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