JPS6276677U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6276677U JPS6276677U JP16889385U JP16889385U JPS6276677U JP S6276677 U JPS6276677 U JP S6276677U JP 16889385 U JP16889385 U JP 16889385U JP 16889385 U JP16889385 U JP 16889385U JP S6276677 U JPS6276677 U JP S6276677U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- source
- drain
- field effect
- effect transistor
- level comparator
- Prior art date
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- Pending
Links
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
第１図はこの考案の一実施例を示す接続図、第
２図は可変抵抗素子の電気的な特性を説明するた
めのグラフ、第３図はこの考案の他の実施例を説
明するための接続図、第４図は従来技術を説明す
るための接続図である。 １：被検体、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…：出力端子、
３：レベル比較器、４：終端電圧源、５，５Ａ，
５Ｂ：可変抵抗素子、６：制御電圧源、７：定電
流源、８：演算増幅器。
２図は可変抵抗素子の電気的な特性を説明するた
めのグラフ、第３図はこの考案の他の実施例を説
明するための接続図、第４図は従来技術を説明す
るための接続図である。 １：被検体、２Ａ，２Ｂ，２Ｃ…：出力端子、
３：レベル比較器、４：終端電圧源、５，５Ａ，
５Ｂ：可変抵抗素子、６：制御電圧源、７：定電
流源、８：演算増幅器。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 Ａ 被験体の出力端子に接続されたレベル比較器
と、 Ｂ このレベル比較器の入力端子と共通電位点の
間にソース及びドレインを接続した電界効果トラ
ンジスタと、 Ｃ この電界効果トランジスタのゲート及びソー
ス間に接続され上記ソース、ドレイン間によつて
構成される抵抗の値を制御する制御電圧源と、 から成るＩＣテスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16889385U JPS6276677U (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16889385U JPS6276677U (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6276677U true JPS6276677U (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=31102196
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16889385U Pending JPS6276677U (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6276677U (ja) |
-
1985
- 1985-11-01 JP JP16889385U patent/JPS6276677U/ja active Pending
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