JPS628100A - 元素の生成方法とその装置 - Google Patents
元素の生成方法とその装置Info
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- JPS628100A JPS628100A JP14736185A JP14736185A JPS628100A JP S628100 A JPS628100 A JP S628100A JP 14736185 A JP14736185 A JP 14736185A JP 14736185 A JP14736185 A JP 14736185A JP S628100 A JPS628100 A JP S628100A
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Landscapes
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は元素の生成理論に関するものである。必要な
元素を必要な時に必要な量を入手できるようにすること
を目的とする。
元素を必要な時に必要な量を入手できるようにすること
を目的とする。
この発明の理論的基盤は万物一元素生成理論による。そ
の一元素とは水素Ｈである。
の一元素とは水素Ｈである。
Ｈは中性子を伴なっておらずＨｅになってはじめて中性
子を伴ない、そして原子量はＨの４倍となっている。こ
のことからＨは陽子にも中性子にもなると考えられる。
子を伴ない、そして原子量はＨの４倍となっている。こ
のことからＨは陽子にも中性子にもなると考えられる。
Ｈが４つ反応結合した時に２つは陽子的になり２つが中
性子的になったと考えられるのである。
性子的になったと考えられるのである。
それは原子量の計算が合うこと、そしてＨは中性子を伴
なっていなことからである。Ｈが中性子を伴なっていな
いということはＨは１つで３つの役割を果していると考
えられるのである。Ｈは時間的経過とともに陽子的であ
ったり中性子的であったり電子的であったりしていると
考えられるのである。それでＨは中性子を伴なっていな
いと考えるのである。不確定性原理がここで働くと考え
る。計測の段階では１つの元素が陽子的になったり中性
子的になったり電子的になるので確定できず、ただ陽子
は計測しやすいもので陽子としての反応が出たので陽子
と決めたものと考える。ここに水素の三変態性理論が成
り立つのである。Ｈは陽子となり中性子となり電子にな
るということである。化学的に見ると酸性となり中性と
なり塩基性となることであり、形態的に見ると金属とな
り半導体となり非金属となるということである。
なっていなことからである。Ｈが中性子を伴なっていな
いということはＨは１つで３つの役割を果していると考
えられるのである。Ｈは時間的経過とともに陽子的であ
ったり中性子的であったり電子的であったりしていると
考えられるのである。それでＨは中性子を伴なっていな
いと考えるのである。不確定性原理がここで働くと考え
る。計測の段階では１つの元素が陽子的になったり中性
子的になったり電子的になるので確定できず、ただ陽子
は計測しやすいもので陽子としての反応が出たので陽子
と決めたものと考える。ここに水素の三変態性理論が成
り立つのである。Ｈは陽子となり中性子となり電子にな
るということである。化学的に見ると酸性となり中性と
なり塩基性となることであり、形態的に見ると金属とな
り半導体となり非金属となるということである。
不確定性原理もこのＨの三変態性をずばりと当ていると
見ることが出来る。Ｈ４個でＨｅが生成され、Ｈｅ５個
でＮｅが生成され、Ｎｅ１個とＨｅ４個でＡｒが生成さ
れ、Ａｒ２個でＫｒが生成され、Ｋｒ１個とＡｒ１個か
らＸｅが生成され、Ｘｅ１個とＡｒ１個とＮｅ１個とＨ
ｅ２個からＲｎが生成されて、Ｈ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎが基本元素となって万物を作り出して
いると考える。
見ることが出来る。Ｈ４個でＨｅが生成され、Ｈｅ５個
でＮｅが生成され、Ｎｅ１個とＨｅ４個でＡｒが生成さ
れ、Ａｒ２個でＫｒが生成され、Ｋｒ１個とＡｒ１個か
らＸｅが生成され、Ｘｅ１個とＡｒ１個とＮｅ１個とＨ
ｅ２個からＲｎが生成されて、Ｈ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、
Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎが基本元素となって万物を作り出して
いると考える。
この理論は次の２つの事実から導きだしたものである。
その１つはラザフォードの行なった
からであ
る。もう１つはオットー・ハーンとフリッツ・ストラス
マンの行なったＵからＢａが生成された事実である。こ
れらと自論のｏ族中性元素理論が基盤となっている。Ｎ
は３つのＨｅと１つのＨから出来ており、そこへＨｅが
投入されたので軽いＨが飛び出し４つのＨｅの結合とな
ったと考えられ、４つのＨｅの結合はＯであり計算は合
うのである。また、ＵはＸｅ１個とＫｒ１個とＨｅ１個
から出来ており、そこへ放射線の照射により、まずＨｅ
が飛び出し、次に軽いＫｒが飛び出さされてＸｅが１つ
残ったと考えられ、そこへ放射線の中の１つであるＨｅ
がＸｅと結合しＢａが生成されたと考えたのである。こ
こでも計算は合うのである。
マンの行なったＵからＢａが生成された事実である。こ
れらと自論のｏ族中性元素理論が基盤となっている。Ｎ
は３つのＨｅと１つのＨから出来ており、そこへＨｅが
投入されたので軽いＨが飛び出し４つのＨｅの結合とな
ったと考えられ、４つのＨｅの結合はＯであり計算は合
うのである。また、ＵはＸｅ１個とＫｒ１個とＨｅ１個
から出来ており、そこへ放射線の照射により、まずＨｅ
が飛び出し、次に軽いＫｒが飛び出さされてＸｅが１つ
残ったと考えられ、そこへ放射線の中の１つであるＨｅ
がＸｅと結合しＢａが生成されたと考えたのである。こ
こでも計算は合うのである。
なお、Ｎの原子量の１３は、ＨｅＸ３は原子量で見ると
Ｈｅは４となるので４×３＝１２であり、それにＨの１
を足すと１３になるという計算方法である。また、反応
結合とは核同士の結合を言う。計測原子量とこの規定原
子量ともいえるものとの差は付加原子量と考えている。
Ｈｅは４となるので４×３＝１２であり、それにＨの１
を足すと１３になるという計算方法である。また、反応
結合とは核同士の結合を言う。計測原子量とこの規定原
子量ともいえるものとの差は付加原子量と考えている。
原子番号が大きくなる程、付加原子量は多くなるのであ
る。また、自然放射線が強いのはＰｕどまりであるが、
それはＰｕがＸｅ１個とＫｒ１個及びＨｅ２個から出来
ており、Ｘｅは５４とＫｒは３６と大きい元素を含んで
いるためと考える、ＵはＸｅ１個とＫｒ１個とＨｅ１個
で出来ており、ＴｈはＸｅ１個とＫｒ１個から出来てお
り、それぞれ大きな元素を２つ持っている。Ｐａ，Ｎｐ
、ＡｍはＨを含んでいるので、Ｈの三変態性のため弱く
なっていると考える。
る。また、自然放射線が強いのはＰｕどまりであるが、
それはＰｕがＸｅ１個とＫｒ１個及びＨｅ２個から出来
ており、Ｘｅは５４とＫｒは３６と大きい元素を含んで
いるためと考える、ＵはＸｅ１個とＫｒ１個とＨｅ１個
で出来ており、ＴｈはＸｅ１個とＫｒ１個から出来てお
り、それぞれ大きな元素を２つ持っている。Ｐａ，Ｎｐ
、ＡｍはＨを含んでいるので、Ｈの三変態性のため弱く
なっていると考える。
また安定も悪い。ＴｈからＡｍはＸｅとＲｎ系との２つ
の計算方法があるが元素数の少ない方を自然に選択して
いるようである。原子番号はＨとＨｅの１と２の二進法
をとっているようである。そのため原子量は１増と３増
のくりかえしとなっている。反応炉は融合炉と違いあら
ゆる条件を作りだし、その元素の生成に適した状態を作
る必要がある。元素の生成表は本論による反応元素の種
類と数をまとめたものであり、想定される元素表は未に
発見されていないのか、あるいは自然界には存在しない
のか、あるいは地球上には無くて宇宙にはあるのか、あ
るいは人工元素となるかの反応元素の種類と数をまとめ
たものである。この方法により必要な元素は作ることが
出来ると考える。
の計算方法があるが元素数の少ない方を自然に選択して
いるようである。原子番号はＨとＨｅの１と２の二進法
をとっているようである。そのため原子量は１増と３増
のくりかえしとなっている。反応炉は融合炉と違いあら
ゆる条件を作りだし、その元素の生成に適した状態を作
る必要がある。元素の生成表は本論による反応元素の種
類と数をまとめたものであり、想定される元素表は未に
発見されていないのか、あるいは自然界には存在しない
のか、あるいは地球上には無くて宇宙にはあるのか、あ
るいは人工元素となるかの反応元素の種類と数をまとめ
たものである。この方法により必要な元素は作ることが
出来ると考える。
第１図は反応炉の側面透視図である。第２図は平面図で
ある。左側より反応元素を投入し各段階で回収していく
ことになる。 第２図はコイルの巻き方を説明している。 １・・・放射線発射装置 ２・・・耐食容器 ３・・・コイル ４・・・磁界調節器 ５・・・電位コントローラー ６・・・コンプレッサー ７・・・分離膜又は板 ８・・・電気放電器 ９・・・冷却器 １０・・・加熱器 １１・・・耐圧容器 １２・・・磁気の流れ １３・・・電流の流れる方向
ある。左側より反応元素を投入し各段階で回収していく
ことになる。 第２図はコイルの巻き方を説明している。 １・・・放射線発射装置 ２・・・耐食容器 ３・・・コイル ４・・・磁界調節器 ５・・・電位コントローラー ６・・・コンプレッサー ７・・・分離膜又は板 ８・・・電気放電器 ９・・・冷却器 １０・・・加熱器 １１・・・耐圧容器 １２・・・磁気の流れ １３・・・電流の流れる方向
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｈを４個反応結合させ、Ｈｅを生成する方法。 ２ Ｈｅ１個とＨ１個を反応結合させＬｉを生成する方
法。 ３ Ｈｅ２個を反応結合させＢｅを生成する方法。 ４ Ｈｅ２個とＨ１個を反応結合させＢを生成する方法
。 ５ Ｈｅ３個を反応結合させＣを生成する方法。 ６ Ｈｅ３個とＨ１個を反応結合させＮを生成する方法
。 ７ Ｈｅ４個を反応結合させてＯを生成する方法。 ８ Ｈｅ４個とＨ１個を反応結合させＦを生成する方法
。 ９ Ｈｅ５個を反応結合させＮｅを生成する方法。 １０ Ｎｅ１個とＨ１個とを反応結合させＮａを生成す
る方法。 １１ Ｎｅ１個とＨｅ１個を反応結合させＭｇを生成す
る方法。 １２ Ｎｅ１個とＨｅ１個及びＨ１個をＡｌを生成する
方法。 １３ Ｎｅ１個とＨｅ２個を反応結合させＳｉを生成す
る方法。 １４ Ｎｅ１個とＨｅ２個及びＨ１個を反応結合させＰ
を生成する方法。 １５ Ｎｅ１個とＨｅ３個を反応結合させＳを生成する
方法。 １６ Ｎｅ１個とＨｅ３個及びＨ１個を反応結合させＣ
ｌを生成する方法。 １７ Ｎｅ１個とＨｅ４個を反応結合させＡｒを生成す
る方法。 １８ Ａｒ１個とＨ１個を反応結合させＫを生成する方
法。 １９ ＡｒとＨｅを１個ずつ反応結合させＣａを生成す
る方法。 ２０ ＡｒとＨｅとＨをそれぞれ１個ずつ反応結合させ
Ｓｃを生成する方法。 ２１ Ａｒ１個とＨｅ２個を反応結合させＴｉを生成す
る方法。 ２２ Ａｒ１個とＨｅ２個及びＨ１個を反応結合させＶ
を生成する方法。 ２３ Ａｒ１個とＨｅ３個を反応結合させＣｒを生成す
る方法。 ２４ Ａｒ１個とＨｅ３個及びＨ１個を反応結合させＭ
ｎを生成する方法。 ２５ Ａｒ１個とＨｅ４個を反応結合させＦｅを生成す
る方法。 ２６ Ａｒ１個とＨｅ４個及びＨ１個を反応結合させＣ
ｏを生成する方法。 ２７ Ａｒ１個とＮｅ１個を反応結合させＮｉを生成す
る方法。 ２８ ＡｒとＮｅとＨを各１個ずつ反応結合してＣｕを
生成する方法。 ２９ ＡｒとＮｅとＨｅを各１個ずつ反応結合させＺｎ
を生成する方法。 ３０ ＡｒとＮｅとＨｅとＨを各１個ずつ計４個を反応
結合させＧａを生成する方法。 ３１ ＡｒとＮｅを１個ずつＨｅを２個で反応結合させ
Ｇａを生成する方法。 ３２ ＡｒとＮｅを１個ずつＨｅを２個そしてＨを１個
を反応結合してＡｓを生成する方法。 ３３ ＡｒとＮｅを各１個とＨｅ３個を反応結合してＳ
ｅを生成する方法。 ３４ ＡｒとＮｅを各１個とＨｅを３個そしてＨを１個
を反応結合してＢｒを生成する方法。 ３５ Ａｒ２個を反応結合してＫｒを生成する方法。 ３６ ＫｒとＨの各１個を反応結合してＲｂを生成する
方法。 ３７ ＫｒとＨｅの各１個を反応結合してＳｒを生成す
る方法。 ３８ ＫｒとＨｅとＨを各１個ずつを反応結合させＹを
生成する方法。 ３９ Ｋｒ１個とＨｅ２個を反応結合させＺｒを生成す
る方法。 ４０ Ｋｒ１個とＨｅ２個とＨ１個を反応結合してＮｂ
を生成する方法。 ４１ Ｋｒ１個とＨｅ３個を反応結合させＭｏを生成さ
せる方法。 ４２ Ｋｒ１個とＨｅ３個とＨ１個を反応結合させＴｃ
を生成させる方法。 ４３ Ｋｒ１個とＨｅ４個を反応結合させＲｕを生成さ
せる方法。 ４４ Ｋｒ１個とＨｅ４個とＨ１個を反応結合させＲｈ
を生成させる方法。 ４５ Ｋｒ１個とＮｅ１個を反応結合させＰｄを生成す
る方法。 ４６ ＫｒとＮｅとＨの各１個を反応結合してＡｇを生
成させる方法。 ４７ ＫｒとＮｅとＨｅの各１個を反応結合してＣｄを
生成させる方法。 ４８ ＫｒとＮｅとＨｅとＨを各１個にて反応結合させ
てＩｎを生成する方法。 ４９ ＫｒとＮｅを各１個Ｈｅを２個を反応結合させて
Ｓｎを生成する方法。 ５０ ＫｒとＮｅを各１個とＨｅ２個とＨ１個とを反応
結合してＳｂを生成させる方法。 ５１ ＫｒとＮｅを各１個とＨｅを３個で反応結合させ
てＴｅを生成させる方法。 ５２ ＫｒとＮｅを各１個とＨｅ３個とＨ１個を反応結
合させてＩを生成させる方法。 ５３ ＫｒとＡｒを各１個で反応結合させＸｅを生成さ
せる方法。 ５４ ＸｅとＨを各１個で反応結合させＣｓを生成させ
る方法。 ５５ ＸｅとＨｅ各１個を反応結合させＢａを生成する
方法。 ５６ ＸｅとＨｅとＨ各１個を反応結合させＬａを生成
する方法。 ５７ Ｘｅ１個Ｈｅ２個で反応結合させＣｅを生成させ
る方法。 ５８ Ｘｅ１個とＨｅ２個とＨ１個で反応結合させＰｒ
を生成させる方法。 ５９ Ｘｅ１個とＨｅ３個で反応結合させＮｄを生成さ
せる方法。 ６０ Ｘｅ１個とＨｅ３個とＨ１個で反応結合させＰｍ
を生成させる方法。 ６１ Ｘｅ１個とＨｅ４個で反応結合させＳｍを生成さ
せる方法。 ６２ Ｘｅ１個とＨｅ４個とＨ１個で反応結合させてＥ
ｕを生成させる方法。 ６３ Ｘｅ１個とＮｅ１個で反応結合させＧｄを生成さ
せる方法。 ６４ Ｘｅ１個とＮｅ１個とＨ１個で反応結合させＴｂ
を生成させる方法。 ６５ Ｘｅ１個とＮｅ１個Ｈｅ１個で反応結合させＤｙ
を生成させる方法。 ６６ Ｘｅ１個とＮｅ１個とＨｅ１個とＨ１個で反応結
合させＨｏを生成させる方法。 ６７ Ｘｅ１個とＮｅ１個とＨｅ２個の割り合いて反応
結合させＥｒを生成させる方法。 ６８ Ｘｅ１個とＮｅ１個とＨｅ２個とＨ１個で反応結
合させＴｍを生成させる方法。 ６９ Ｘｅ１個とＮｅ１個とＨｅ３個で反応結合させＹ
ｂを生成させる方法。 ７０ ＸｅとＮｅを各１個とＨｅ３個とＨ１個で反応結
合させてＬｕを生成させる方法。 ７１ Ｘｅ１個とＡｒ１個で反応結合させＨｆを生成さ
せる方法。 ７２ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨ１個で反応結合させＴａ
を生成させる方法。 ７３ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ１個で反応結合させＷ
を生成させる方法。 ７４ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ１個とＨ１個で反応結
合させＲｅを生成させる方法。 ７５ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ２個との割合で反応結
合させＯｓを生成させる方法。 ７６ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ２個とＨ１個で反応結
合させＩｒを生成させる方法。 ７７ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ３個で反応結合させＰ
ｔを生成させる方法。 ７８ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ３個とＨ１個で反応結
合させＡｕを生成させる方法。 ７９ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ４個で反応結合させＨ
ｇを生成させる方法。 ８０ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＨｅ４個とＨ１個で反応結
合させＴｌを生成させる方法。 ８１ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＮｅ１個で反応結合させＰ
ｂを生成させる方法。 ８２ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＮｅ１個とＨ１個で反応結
合させてＢｉを生成させる方法。 ８３ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＮｅ１個とＨｅ１個で反応
結合させてＰｏを生成させる方法。 ８４ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＮｅ１個とＨｅ１個とＨ１
個で反応結合させＡｔを生成させる方法。 ８５ Ｘｅ１個とＡｒ１個とＮｅ１個とＨｅ２個で反応
結合させＲｎを生成させる方法。 ８６ Ｒｎ１個とＨ１個で反応結合させＦｒを生成させ
る方法。 ８７ Ｒｎ１個とＨｅ１個で反応結合させＲａを生成さ
せる方法。 ８８ Ｒｎ１個とＨｅ１個とＨ１個で反応結合させＡｃ
を生成させる方法。 ８９ Ｘｅ１個とＫｒ１個で反応結合させＴｈを生成さ
せる方法。 ９０ Ｘｅ１個とＫｒ１個とＨ１個で反応結合させＰａ
を生成させる方法。 ９１ Ｘｅ１個とＫｒ１個とＨｅ１個で反応結合させＵ
を生成させる方法。 ９２ Ｘｅ１個とＫｒ１個とＨｅ１個とＨ１個で反応結
合させＮｐを生成させる方法。 ９３ Ｘｅ１個とＫｒ１個とＨｅ２個で反応結合させＰ
ｕを生成させる方法。 ９４ Ｘｅ１個とＫｒ１個とＨｅ２個とＨ１個で反応結
合させＡｍを生成させる方法。 ９５ Ｒｎ１個とＮｅ１個で反応結合させＣｍを生成さ
せる方法。 ９６ Ｒｎ１個とＮｅ１個とＨ１個で反応結合させＢｋ
を生成させる方法。 ９７ Ｒｎ１個とＮｅ１個とＨｅ１個で反応結合させＣ
ｆを生成させる方法。 ９８ Ｒｎ１個とＮｅ１個とＨｅ１個とＨ１個で反応結
合させＥｓを生成させる方法。 ９９ Ｒｎ１個とＮｅ１個とＨｅ２個で反応結合させＦ
ｍを生成させる方法。 １００ Ｒｎ１個とＮｅ１個とＨｅ２個とＨ１個で反応
結合させＭｄを生成させる方法。 １０１ Ｒｎ１個とＮｅ１個とＨｅ３で反応結合させＮ
ｏを生成させる方法。 １０２ Ｒｎ１個とＮｅ１個とＨｅ３個とＨ１個で反応
結合させＬｒを生成させる方法。 １０３ Ｈ、Ｈｅ、Ｎｅ、Ａｒ、Ｋｒ、Ｘｅ、Ｒｎの基
本７元素のいろいろな反応結合あるいは反応分離 によって、それなりの元素を生成させる方 法。 １０４ 反応結合あるいは反応分離の装置において磁気
拘束、磁気泳動、電位、磁界、放射 線、電気放電、高圧、負圧、高温、低温、 等の創出機能とその調節装置からなる反応 炉の方法。 １０５ 特許請求の範囲１０４の方法による反応炉にお
いて磁気拘束、磁気泳動、電位、磁 界、放射線、電気放電、高圧、負圧、高温、低温、等の
創出機能とその調節装置から なる反応炉の装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736185A JPS628100A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 元素の生成方法とその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14736185A JPS628100A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 元素の生成方法とその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS628100A true JPS628100A (ja) | 1987-01-16 |
Family
ID=15428462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14736185A Pending JPS628100A (ja) | 1985-07-04 | 1985-07-04 | 元素の生成方法とその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS628100A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342433B1 (en) | 1998-02-18 | 2002-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Composite member its separation method and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof |
-
1985
- 1985-07-04 JP JP14736185A patent/JPS628100A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6342433B1 (en) | 1998-02-18 | 2002-01-29 | Canon Kabushiki Kaisha | Composite member its separation method and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof |
| US6597039B2 (en) | 1998-02-18 | 2003-07-22 | Canon Kabushiki Kaisha | Composite member, its separation method, and preparation method of semiconductor substrate by utilization thereof |
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