JPS6281019A - 縦形気相化学生成装置 - Google Patents
縦形気相化学生成装置Info
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- JPS6281019A JPS6281019A JP22017685A JP22017685A JPS6281019A JP S6281019 A JPS6281019 A JP S6281019A JP 22017685 A JP22017685 A JP 22017685A JP 22017685 A JP22017685 A JP 22017685A JP S6281019 A JPS6281019 A JP S6281019A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は、主として半導体基板に気相化学生成膜を形
成する縦形気相化学生成装置に関するものである。
成する縦形気相化学生成装置に関するものである。
（従来の技術）
半導体装置の製造過程において、半導体基板上にエピタ
キシャル膜、窒化膜及びポリシリコン膜等のＣＶＤ膜を
形成する際に用いられる気相化学生成装置は、一般に反
応管の形状によシ縦形と横形とに分けられる。このうち
縦形装置は第３図に示スごとく、ペルジャーｌと称せら
れる釣鐘状の外形を有する反応炉の中央部にガス供給部
２が設けられ、ここからペルジャー１内に反応ガスを供
給し、一方ペルジャー１底部にサセプタ（ウェハ載置台
）４を設け、この上に載置した半導体ウェハ３の上面に
上記反応ガスにより気相化学反応させた物質を気相化学
生成膜として生成させるものでらる。
キシャル膜、窒化膜及びポリシリコン膜等のＣＶＤ膜を
形成する際に用いられる気相化学生成装置は、一般に反
応管の形状によシ縦形と横形とに分けられる。このうち
縦形装置は第３図に示スごとく、ペルジャーｌと称せら
れる釣鐘状の外形を有する反応炉の中央部にガス供給部
２が設けられ、ここからペルジャー１内に反応ガスを供
給し、一方ペルジャー１底部にサセプタ（ウェハ載置台
）４を設け、この上に載置した半導体ウェハ３の上面に
上記反応ガスにより気相化学反応させた物質を気相化学
生成膜として生成させるものでらる。
（発明が解決しようとする問題点）
上述の縦形気相化学生成装置は横形装置に比較してパッ
チ当たりのウェハ処理枚数が少ないため、従来よシ、１
回の処理で大量のウエノ１処理を可能とする装置が待望
されていた。
チ当たりのウェハ処理枚数が少ないため、従来よシ、１
回の処理で大量のウエノ１処理を可能とする装置が待望
されていた。
そこで、大量処理の手段として前記ペルジャーを大型化
し、これにより同時に処理可能な半導体ウェハ枚数を増
加せしめることが考えられている。
し、これにより同時に処理可能な半導体ウェハ枚数を増
加せしめることが考えられている。
しかし、この場合にはペルジャーの大型化に伴って、前
記サセプタも大型化する必要があるため、サセプタ外局
部に配置されたウェハは必然的に中央部の前記ガス供給
孔から遠くなる。したがって、サセプタ外周部付近に到
達する反応ガスが希薄化したシ、外周部に配置されたウ
ニ／Ｎに到達する以前に化学反応が終了したシして、反
応ガス成分が変化してしまい、すべてのウニノー上面に
対して均一な厚さの化学生成膜が得られないという事態
を招くおそれがある。
記サセプタも大型化する必要があるため、サセプタ外局
部に配置されたウェハは必然的に中央部の前記ガス供給
孔から遠くなる。したがって、サセプタ外周部付近に到
達する反応ガスが希薄化したシ、外周部に配置されたウ
ニ／Ｎに到達する以前に化学反応が終了したシして、反
応ガス成分が変化してしまい、すべてのウニノー上面に
対して均一な厚さの化学生成膜が得られないという事態
を招くおそれがある。
よって、従来の縦形気相化学生成装置を単にその１ま大
型化するという手段では、半導体ウェハを同時に大量に
処理することは困難であった。
型化するという手段では、半導体ウェハを同時に大量に
処理することは困難であった。
この発明は以上のような装置の大型化に伴って生ずる問
題点を解消するためになされたものである。
題点を解消するためになされたものである。
（問題点を解決するための手段）
この発明の縦形気相化学生成装置においては、ガス供給
部内に断面矩形ドーナッツ形管状体の複数のガス供給室
が配置され、該ガス供給室は夫々複数のガス供給孔を有
し、該ガス供給孔の開孔部は多孔質炭化ケイ素で形成さ
れ、さらに前記ガス供給室には流量計を具備したガス流
入管を設置した・ことを特徴とする。
部内に断面矩形ドーナッツ形管状体の複数のガス供給室
が配置され、該ガス供給室は夫々複数のガス供給孔を有
し、該ガス供給孔の開孔部は多孔質炭化ケイ素で形成さ
れ、さらに前記ガス供給室には流量計を具備したガス流
入管を設置した・ことを特徴とする。
（作用）
上記のように構成された本発明装置においては、ガス供
給部を複数のガス供給室に分けたこと、各ガス供給室に
独立したガス供給管を設置したこと、各ガス供給管に流
量計を備えたこと及びガス供給孔に多孔質炭化ケイ素を
用いたことにより、半導体ウェハに対しその置かれた位
置によらず、反応ガスが均一に供給されることとなる。
給部を複数のガス供給室に分けたこと、各ガス供給室に
独立したガス供給管を設置したこと、各ガス供給管に流
量計を備えたこと及びガス供給孔に多孔質炭化ケイ素を
用いたことにより、半導体ウェハに対しその置かれた位
置によらず、反応ガスが均一に供給されることとなる。
（実施例）
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す縦形気相化学生
成装置の構造概略図であり、図中、ガス供給部２はサセ
プタ４上のウェハ３と平行に対面する。
成装置の構造概略図であり、図中、ガス供給部２はサセ
プタ４上のウェハ３と平行に対面する。
該ガス供給部２の細部が第１図（ｂ）および（ｅ）によ
って示される。この図において、ガス供給部２の構造部
には炭化ケイ素に金属シリコンを含浸させた素材が用い
られ、該ガス供給部２内に、断面矩形ドーナッツ形管状
体のガス供給室５が形成される。
って示される。この図において、ガス供給部２の構造部
には炭化ケイ素に金属シリコンを含浸させた素材が用い
られ、該ガス供給部２内に、断面矩形ドーナッツ形管状
体のガス供給室５が形成される。
該ガス供給室５は半径の異なるものが複数個、同心円状
に設けられる。また、該ガス供給室５はその底部におい
て、ウェハ径と同一径の断面円形のガス供給孔６を複数
個有しておシ、このガス供給孔６は多孔質素材である炭
化ケイ素によって形成される。さらに、前記ガス供給室
５には夫々独立したガス供給管７が設置され、流量計８
によシ反応ガスの濃度及び流量を各供給室毎に制御する
ことが可能となっている。
に設けられる。また、該ガス供給室５はその底部におい
て、ウェハ径と同一径の断面円形のガス供給孔６を複数
個有しておシ、このガス供給孔６は多孔質素材である炭
化ケイ素によって形成される。さらに、前記ガス供給室
５には夫々独立したガス供給管７が設置され、流量計８
によシ反応ガスの濃度及び流量を各供給室毎に制御する
ことが可能となっている。
なお、前記炭化ケイ素は第２図に示すように、炭化ケイ
素１０及び炭化ケイ素間の気孔１１から構成されておシ
、気孔径を変えることにより半導体気相化学生成に使用
する反応ガスを容易に通し得る構造となっている。また
、耐熱性にもすぐれ、１６００℃まで使用可能である。
素１０及び炭化ケイ素間の気孔１１から構成されておシ
、気孔径を変えることにより半導体気相化学生成に使用
する反応ガスを容易に通し得る構造となっている。また
、耐熱性にもすぐれ、１６００℃まで使用可能である。
（発明の効果）
以上説明したように本発明によれば、縦形気相化学生成
装置の大型化に伴って生ずる最も大きな問題点である反
応ガスの不均一供給を克服することが可能となる。すな
わち、本発明の装置ではサセプタ上の位置によらず、反
応ガスが均一にかつ垂直に全ウェハ上に供給されるため
、装置が大型化した場合にも、谷ウェハ上面に等質等厚
の気相化学生成膜を形成することが可能となるのである
。
装置の大型化に伴って生ずる最も大きな問題点である反
応ガスの不均一供給を克服することが可能となる。すな
わち、本発明の装置ではサセプタ上の位置によらず、反
応ガスが均一にかつ垂直に全ウェハ上に供給されるため
、装置が大型化した場合にも、谷ウェハ上面に等質等厚
の気相化学生成膜を形成することが可能となるのである
。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ）は本発明の一実施例を示す縦形気相化学生
成装置の構造概略図、第１図（ｂ）および（ｃ）は前記
装置におけるガス供給部の構造を示す正面図お気相化学
生成装置の得造概略図である。 １・・・ベルツヤ−１２・・・ガス供給部、３・・・ウ
エノ１．４・・・サセプタ、５・・・ガス供給室、６・
・・ガス供給孔、７・・・ガス供給管、８・・・流量計
、ｌＯ・・・炭化ケイ素、１１・・・気孔。 第１凶 カ゛スイ共＆合苔関＾鼻蓼しを示オ〕円面図第１図 第３り１
成装置の構造概略図、第１図（ｂ）および（ｃ）は前記
装置におけるガス供給部の構造を示す正面図お気相化学
生成装置の得造概略図である。 １・・・ベルツヤ−１２・・・ガス供給部、３・・・ウ
エノ１．４・・・サセプタ、５・・・ガス供給室、６・
・・ガス供給孔、７・・・ガス供給管、８・・・流量計
、ｌＯ・・・炭化ケイ素、１１・・・気孔。 第１凶 カ゛スイ共＆合苔関＾鼻蓼しを示オ〕円面図第１図 第３り１
Claims (2)
- （１）ガス供給部が半導体ウェハに対して平行に位置し
、反応ガスは半導体ウェハに対して垂直に流れるように
構成された縦形気相化学生成装置において、 ａ）前記ガス供給部内には断面矩形ドーナッツ形管状体
の複数のガス供給室が同心円状に配置され、 ｂ）前記ガス供給室は夫々複数のガス供給孔を有し、 ｃ）半導体ウェハに対向する前記ガス供給孔の開孔部は
多孔質炭化ケイ素で形成され、 ｄ）前記ガス供給室には夫々に独立したガス流入管を具
備させた ことを特徴とする縦形気相化学生成装置。 - （２）前記ガス流入管には、夫々のガス供給室に流入す
る反応ガスの流量を制御する流量計を具備させたことを
特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の縦形気相化
学生成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22017685A JPS6281019A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 縦形気相化学生成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22017685A JPS6281019A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 縦形気相化学生成装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281019A true JPS6281019A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16747076
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22017685A Pending JPS6281019A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 縦形気相化学生成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281019A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
| US5054420A (en) * | 1989-09-29 | 1991-10-08 | Alcan International Limited | Use of a particulate packed bed at the inlet of a vertical tube MOCVD reactor to achieve desired gas flow characteristics |
| WO1992021789A1 (en) * | 1991-05-31 | 1992-12-10 | Stauffer Craig M | Integrated delivery system for chemical vapor from non-gaseous sources for semiconductor processing |
| US5268034A (en) * | 1991-06-25 | 1993-12-07 | Lsi Logic Corporation | Fluid dispersion head for CVD appratus |
| US5286519A (en) * | 1991-06-25 | 1994-02-15 | Lsi Logic Corporation | Fluid dispersion head |
| US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
| US6080642A (en) * | 1997-04-10 | 2000-06-27 | Jds Uniphase Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and a device for applying such a method |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP22017685A patent/JPS6281019A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4993358A (en) * | 1989-07-28 | 1991-02-19 | Watkins-Johnson Company | Chemical vapor deposition reactor and method of operation |
| US5054420A (en) * | 1989-09-29 | 1991-10-08 | Alcan International Limited | Use of a particulate packed bed at the inlet of a vertical tube MOCVD reactor to achieve desired gas flow characteristics |
| WO1992021789A1 (en) * | 1991-05-31 | 1992-12-10 | Stauffer Craig M | Integrated delivery system for chemical vapor from non-gaseous sources for semiconductor processing |
| US5268034A (en) * | 1991-06-25 | 1993-12-07 | Lsi Logic Corporation | Fluid dispersion head for CVD appratus |
| US5286519A (en) * | 1991-06-25 | 1994-02-15 | Lsi Logic Corporation | Fluid dispersion head |
| US5453124A (en) * | 1992-12-30 | 1995-09-26 | Texas Instruments Incorporated | Programmable multizone gas injector for single-wafer semiconductor processing equipment |
| US6080642A (en) * | 1997-04-10 | 2000-06-27 | Jds Uniphase Corporation | Method of manufacturing a semiconductor device and a device for applying such a method |
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