JPS6281056A - レンズレス密着形イメ−ジセンサ - Google Patents
レンズレス密着形イメ−ジセンサInfo
- Publication number
- JPS6281056A JPS6281056A JP60221207A JP22120785A JPS6281056A JP S6281056 A JPS6281056 A JP S6281056A JP 60221207 A JP60221207 A JP 60221207A JP 22120785 A JP22120785 A JP 22120785A JP S6281056 A JPS6281056 A JP S6281056A
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- JP
- Japan
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- light
- sensor
- slit
- image sensor
- ladder
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＣＯＤなどＩＣ技術による薄膜化光センサ、例えばファ
クシミリ装置に用いられる等倍像読みだしをなす光セン
サに係り、特にセンサヘッド部の小型化を意図するＣｄ
Ｓｅ、またはＣｄＳよりなる光電変換用導電膜の一構成
方法について提示するものである。
クシミリ装置に用いられる等倍像読みだしをなす光セン
サに係り、特にセンサヘッド部の小型化を意図するＣｄ
Ｓｅ、またはＣｄＳよりなる光電変換用導電膜の一構成
方法について提示するものである。
本発明は文字・画像などの印刷原稿に密着させて等倍像
読みだしをなすレンズレス密着形イメージセンサに関す
る。
読みだしをなすレンズレス密着形イメージセンサに関す
る。
原稿と１：ｌでパターン読み出しのレンズレス密着形イ
メージセンサは、既に例えば密着形イメージセンサ（特
公昭５７−７８２６３＞あるいは光セン号アレイ （特
公昭５Ｂ−４０８５６）として提案されている。
メージセンサは、既に例えば密着形イメージセンサ（特
公昭５７−７８２６３＞あるいは光セン号アレイ （特
公昭５Ｂ−４０８５６）として提案されている。
該センサは読みだしにあたり透明窓を介して光を斜めよ
り入射させ像からの反射光もしくは散乱光をＣｄＳなど
の光導電膜よりなる直線状のドツトアレイ素子で受けて
画像情報が得られる。該センサは、従来のレンズ光学系
に代わり、集束性ファイバ素子などの簡単を導光系を使
用しうるのでセンサ系の体積が１／８程度に小さく出来
る等の利点があることから実用化が着目されている。
り入射させ像からの反射光もしくは散乱光をＣｄＳなど
の光導電膜よりなる直線状のドツトアレイ素子で受けて
画像情報が得られる。該センサは、従来のレンズ光学系
に代わり、集束性ファイバ素子などの簡単を導光系を使
用しうるのでセンサ系の体積が１／８程度に小さく出来
る等の利点があることから実用化が着目されている。
本発明は係るイメージセンサにおける散乱光を効率よく
光電変換するための一構成を実現する要請に基づき提示
されたものである。
光電変換するための一構成を実現する要請に基づき提示
されたものである。
第７図と第８図は前記提案になるイメージセンサの側断
面図、及び正面図である。
面図、及び正面図である。
図に従ってその構成と動作を説明する。
両図において、ガラス基板２３上に、透明窓２２の部分
を除いて絶縁性の遮光層２１を配置し、その上にＣｄＳ
ｅ、またはＣｄＳよりなる光電効果形の光導電膜ドツト
素子２５が形成される。また、前記光導電膜ドツト素子
２５に対して光に不透明なリード電極２６が梯子状に形
成されセンサ素子が形成される。
を除いて絶縁性の遮光層２１を配置し、その上にＣｄＳ
ｅ、またはＣｄＳよりなる光電効果形の光導電膜ドツト
素子２５が形成される。また、前記光導電膜ドツト素子
２５に対して光に不透明なリード電極２６が梯子状に形
成されセンサ素子が形成される。
また、前記ドツト素子２５．及びリード電極２６が形成
されたトンドアレイの表面は透明保護層２７を被覆して
、読み取り原稿２０に対するセンサ素子の擦傷保護並び
に電気的劣化の保護膜が形成されている。
されたトンドアレイの表面は透明保護層２７を被覆して
、読み取り原稿２０に対するセンサ素子の擦傷保護並び
に電気的劣化の保護膜が形成されている。
前記基板２３上の光電変換素子２５は、固体光源または
螢光灯照射の光束２４による原稿２０からの反射光を受
けてこれを光電変換するようにしたものである。
螢光灯照射の光束２４による原稿２０からの反射光を受
けてこれを光電変換するようにしたものである。
〔発明が解決しようとする問題点〕
前記従来の密着形イメージセンサは、原稿２０からの反
射散乱光を受光するものであるが９図示の如く透明窓２
２の片側のみの散乱光を利用するに過ぎず、このため受
光効率が悪くファクシミリ動作にｌ・要とする光電変換
出力が十分でないことが問題である。
射散乱光を受光するものであるが９図示の如く透明窓２
２の片側のみの散乱光を利用するに過ぎず、このため受
光効率が悪くファクシミリ動作にｌ・要とする光電変換
出力が十分でないことが問題である。
第１図は本発明の密着形イメージセンサの基本的構成を
示す素子正面図である。また、第２図は第１図の指標線
Ａ−Ａ、及び指標線Ｂ−８で切断したそれぞれ素子断面
図である。
示す素子正面図である。また、第２図は第１図の指標線
Ａ−Ａ、及び指標線Ｂ−８で切断したそれぞれ素子断面
図である。
ガラス等の透明基板ｌにセンサ光を導光するスリット２
形成の光遮蔽層３と、該遮蔽層３の一ヒに絶縁保護層５
を介して前記スリット２で二分割される帯状の光導電膜
４をそれぞれ被着し、前記被着の光導電膜４を分割溝８
で分離して直線状配列される構成の光電変換素子７を形
成し、更に前記光電変換素子７に対する梯子状のリード
電極６を順次、形成してなるレンズレス密着形イメージ
センサとしたものである。
形成の光遮蔽層３と、該遮蔽層３の一ヒに絶縁保護層５
を介して前記スリット２で二分割される帯状の光導電膜
４をそれぞれ被着し、前記被着の光導電膜４を分割溝８
で分離して直線状配列される構成の光電変換素子７を形
成し、更に前記光電変換素子７に対する梯子状のリード
電極６を順次、形成してなるレンズレス密着形イメージ
センサとしたものである。
光スリット２を中心として分断された光導電膜４は、ス
リット２からの入射する図示されない原稿反射散乱光（
センサ読み取りの信号光）が左右または前後で捕捉され
る構成となっているので分割溝８で分離された光電変換
素子７の受光感度が顕著に向上する。
リット２からの入射する図示されない原稿反射散乱光（
センサ読み取りの信号光）が左右または前後で捕捉され
る構成となっているので分割溝８で分離された光電変換
素子７の受光感度が顕著に向上する。
そして前記光電変換素子７に対する梯子状のリード電極
６の配列方向（図の上下方向）に該センサ読み取りの電
極走査をすれば光出力電圧の高いセンサ出力が取り出さ
れることになる。
６の配列方向（図の上下方向）に該センサ読み取りの電
極走査をすれば光出力電圧の高いセンサ出力が取り出さ
れることになる。
以下１本発明の密着形イメージセンサを構成する一実施
例を第３図乃至第６図に従って説明する。
例を第３図乃至第６図に従って説明する。
第３図は、透明基板ｌ上９幅１０のスリット２部分を除
いた基板全面に例えばクロム（Ｃｒ）蒸着層よりなる遮
蔽層３を予成層したる後、クロム遮蔽層３に対する例え
ば酸化シリコンＳｉ Ｏｚ Ｆｔ 、窒化シリコンＳｉ
Ｎ２層あるいは酸化アルミナ八１２０３屓など何れかの
絶縁性のよい光透過Ｎ５が形成される。
いた基板全面に例えばクロム（Ｃｒ）蒸着層よりなる遮
蔽層３を予成層したる後、クロム遮蔽層３に対する例え
ば酸化シリコンＳｉ Ｏｚ Ｆｔ 、窒化シリコンＳｉ
Ｎ２層あるいは酸化アルミナ八１２０３屓など何れかの
絶縁性のよい光透過Ｎ５が形成される。
続いて、ＣｄＳまたはＣｄＳｅを主成分とする何れかの
光導電膜４をマスク蒸着法またはマスクスパッタ法によ
り、順次成膜した段階の基板平面図である。
光導電膜４をマスク蒸着法またはマスクスパッタ法によ
り、順次成膜した段階の基板平面図である。
第３図スリット２の幅ＩＯは例えば２２０μｍ程度。
及び光導電膜４は前記スリット２で略二等分されかつ左
右それぞれの膜幅が等しく設けられ、その全幅１１は５
００〜１０００ ｐ ｍ程度に形成される。
右それぞれの膜幅が等しく設けられ、その全幅１１は５
００〜１０００ ｐ ｍ程度に形成される。
次いで、前記光導電膜４を、第６図に示す検知窓１２′
、及び該導電膜をドツト分割とする溝８′を有する光レ
ジストマスクパターンによって露光。
、及び該導電膜をドツト分割とする溝８′を有する光レ
ジストマスクパターンによって露光。
並びに露光後のエツチング処理をすることにより。
第４図に示す如き溝８でドツト分割された光導電素子７
と該素子７の複数の光検知窓１２が同時に生成される。
と該素子７の複数の光検知窓１２が同時に生成される。
前記光検知窓１２の配列ピッチは約１３０μｍとされる
。即ち、 １６４．７ ）４さ当たり８個のセンサドツ
トが配列されることになる。
。即ち、 １６４．７ ）４さ当たり８個のセンサドツ
トが配列されることになる。
第５図は前記光検知窓１２等が生成された第４図センサ
形成基板に対して梯子状のリード電極が形成された基板
正面図である。
形成基板に対して梯子状のリード電極が形成された基板
正面図である。
リード電極６及び６′はレジストパターン形成の基板表
面に導体膜を蒸着した後、レジスト剥離をなす所謂リフ
トオフ手段により容易に形成することが出来る。
面に導体膜を蒸着した後、レジスト剥離をなす所謂リフ
トオフ手段により容易に形成することが出来る。
第５図のリード電極が被着された基板は、最後に第二の
絶縁保護層９（第２図参照）を被着すれば本発明の密着
形イメージセンサとなる。
絶縁保護層９（第２図参照）を被着すれば本発明の密着
形イメージセンサとなる。
前記手段により形成されたセンサは、スリット２の光検
知窓１２を通して、第２図基！Ｆｊ、１の下方から垂直
方向に光が導入される。光導電膜４は３図示されない原
稿の白黒に応じて変化する反射散乱光を受光するが、こ
れによって膜４の導電率また抵抗値が変化することより
センサ出力が取得される。
知窓１２を通して、第２図基！Ｆｊ、１の下方から垂直
方向に光が導入される。光導電膜４は３図示されない原
稿の白黒に応じて変化する反射散乱光を受光するが、こ
れによって膜４の導電率また抵抗値が変化することより
センサ出力が取得される。
即ち１本発明は光検知窓の左右両側に配置する光導電膜
４の抵抗変化をリード電極６及び６′で検知するように
したものである。
４の抵抗変化をリード電極６及び６′で検知するように
したものである。
そして光電変換素子７に対する梯子状のリード電極６の
配列方向（図の上下方向）に該センサ読み取りの電極走
査をすれば先出力変化の大きいセンサ出力が取り出され
ることになる。
配列方向（図の上下方向）に該センサ読み取りの電極走
査をすれば先出力変化の大きいセンサ出力が取り出され
ることになる。
本発明の前記密着形イメージセンサによれば。
光スリットの両側にｉｆ＾読みだしの反射散乱光を捕捉
する光導電膜が極めて簡易な構成で形成されることから
、従来問題とされたセンサの受光効率が改善され従って
光電変換出力の高い光センサが実現されることになる。
する光導電膜が極めて簡易な構成で形成されることから
、従来問題とされたセンサの受光効率が改善され従って
光電変換出力の高い光センサが実現されることになる。
かがる観点から本発明の工業的効果は大きいものがある
。
。
第１図は本発明のイメージセンナ基本的構成を示す素子
正面図。 第２図は第１図のＡ−へ線、Ｂ−Ｂ線で切断した断面図
。 第３図は光導電膜を形成する平面図。 第４図はドツト分割溝及び光検知窓形成の平面図。 第５図は梯子状リード電極形成の平面図・・ 第６図は
第４図光検知窓等打抜きマスクパターンを示す正面図。 第７図は従来のイメージセンサの側面図。 第８図は第７図のイメージセンサの正面図である。 図中、１は透明基板、 ２はスリット。 ３は遮蔽層、 ４は光導電膜。 ５は絶縁保護層、 ６はリード電極。 ７は光導電素子及び８は素子分割溝である。 Ａメージセ、ンブ清成助″面図 第２凹 ！！ｉ５図
正面図。 第２図は第１図のＡ−へ線、Ｂ−Ｂ線で切断した断面図
。 第３図は光導電膜を形成する平面図。 第４図はドツト分割溝及び光検知窓形成の平面図。 第５図は梯子状リード電極形成の平面図・・ 第６図は
第４図光検知窓等打抜きマスクパターンを示す正面図。 第７図は従来のイメージセンサの側面図。 第８図は第７図のイメージセンサの正面図である。 図中、１は透明基板、 ２はスリット。 ３は遮蔽層、 ４は光導電膜。 ５は絶縁保護層、 ６はリード電極。 ７は光導電素子及び８は素子分割溝である。 Ａメージセ、ンブ清成助″面図 第２凹 ！！ｉ５図
Claims (1)
- 透明基板（１）上にスリット（２）を形成せる遮蔽層（
３）、該遮蔽層（３）にたいする絶縁保護層（５）、及
び前記スリット（２）を中心として左右に分割された光
電変換素子（７）と前記光電変換素子（７）に対する梯
子状のリード電極（６）を形成したことを特徴とするレ
ンズレス密着形イメージセンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221207A JPS6281056A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | レンズレス密着形イメ−ジセンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60221207A JPS6281056A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | レンズレス密着形イメ−ジセンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281056A true JPS6281056A (ja) | 1987-04-14 |
Family
ID=16763140
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60221207A Pending JPS6281056A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | レンズレス密着形イメ−ジセンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281056A (ja) |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60221207A patent/JPS6281056A/ja active Pending
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