JPS6281704A - 厚膜抵抗体の形成方法 - Google Patents
厚膜抵抗体の形成方法Info
- Publication number
- JPS6281704A JPS6281704A JP60222234A JP22223485A JPS6281704A JP S6281704 A JPS6281704 A JP S6281704A JP 60222234 A JP60222234 A JP 60222234A JP 22223485 A JP22223485 A JP 22223485A JP S6281704 A JPS6281704 A JP S6281704A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- width
- nozzle
- film resistor
- paste
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- Granted
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- Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明はラジオ受信機、テレビ受像機２適信機。
計測機等に用いることのできるノ・イブリッドＩＣの厚
膜抵抗体を形成する方法に主として利用されるものであ
る。
膜抵抗体を形成する方法に主として利用されるものであ
る。
従来の技術
従来の厚膜抵抗体の形成法は、第５図のようにス子−１
・ン１ｎ１Ｖ壬ド払雪巧１０２づ；竪肋式り一た基板１
０３上にスクリーン１０４が配置され、スクリーン上に
抵抗ペースト１０６をスキージ１０６で導体上に抵抗体
を形成するスクリーン印刷法が多く用いられていた。し
かし、スクリーン印刷法ではスクリーン版が必要であり
、品種の切替え、まだは回路の変更のたびにスクリーン
版の作り替えが必要であり、更には、スキージの印刷圧
力の不均一や抵抗ペーストが印刷時に粘度変化をおこし
、その結果印刷膜厚バラツキが生じ、抵抗値バラツキの
原因となっていた。
・ン１ｎ１Ｖ壬ド払雪巧１０２づ；竪肋式り一た基板１
０３上にスクリーン１０４が配置され、スクリーン上に
抵抗ペースト１０６をスキージ１０６で導体上に抵抗体
を形成するスクリーン印刷法が多く用いられていた。し
かし、スクリーン印刷法ではスクリーン版が必要であり
、品種の切替え、まだは回路の変更のたびにスクリーン
版の作り替えが必要であり、更には、スキージの印刷圧
力の不均一や抵抗ペーストが印刷時に粘度変化をおこし
、その結果印刷膜厚バラツキが生じ、抵抗値バラツキの
原因となっていた。
一方、前述のスクリーン印刷法の欠点を解消する方法と
して、描画ノズルを用いた描画法が用いられつつある。
して、描画ノズルを用いた描画法が用いられつつある。
さて、従来の描画法では、第６図および第７図に示すよ
うに、厚膜ベース）１０２を吐出する円形のペースト吐
出口１０３を持った描画ノズル１０１を、基板１０４に
対して相対的に移動させて基板１０４０表面に厚膜ペー
スト１０２を塗布することにより所望の抵抗体を形成す
るものであり、細線を描画する場合に効果的である。
うに、厚膜ベース）１０２を吐出する円形のペースト吐
出口１０３を持った描画ノズル１０１を、基板１０４に
対して相対的に移動させて基板１０４０表面に厚膜ペー
スト１０２を塗布することにより所望の抵抗体を形成す
るものであり、細線を描画する場合に効果的である。
一般と径が１００〜３００μｍの円形のペースト吐出口
１０３をもった描画ノズル１０１が用いられるが、この
場合第８図に示すように表面粗さ計で測定した焼成後の
描画部断面は、半円状になり中央部の厚みが厚くなるだ
め、ノズル径を大きくして太線を描画すると厚みも厚く
なってしまい、太線を描画する際は細孔の描画ノズルで
スキャンさせて太線の描画を行なっていた。
１０３をもった描画ノズル１０１が用いられるが、この
場合第８図に示すように表面粗さ計で測定した焼成後の
描画部断面は、半円状になり中央部の厚みが厚くなるだ
め、ノズル径を大きくして太線を描画すると厚みも厚く
なってしまい、太線を描画する際は細孔の描画ノズルで
スキャンさせて太線の描画を行なっていた。
発明が解決しようとする問題点
前述の描画方法では、焼成後の描画部断面形状が半円状
になり中央部の厚みが厚くなり、抵抗ペーストの場合は
焼成後抵抗値を調整するだめに行うレーザトリミング工
程において、膜厚が厚いとトリミングが困難になり、た
とえレーザーの出力を高くしたり、時間を長くしてトリ
ミングが可能になっても、高熱によって抵抗部にマイク
ロクラックが発生し、その結果抵抗値変化が発生するな
ど信頼性が低下してしまうＯ 通常抵抗ペーストの場合は焼成後の膜厚が１２μｍ以下
でかつ幅が１ｏａｕｎ前後であるが、円形のペースト吐
出口では膜厚を１２μｍ以下に保つためには幅が最大１
５０μｍの線しか描画できない。
になり中央部の厚みが厚くなり、抵抗ペーストの場合は
焼成後抵抗値を調整するだめに行うレーザトリミング工
程において、膜厚が厚いとトリミングが困難になり、た
とえレーザーの出力を高くしたり、時間を長くしてトリ
ミングが可能になっても、高熱によって抵抗部にマイク
ロクラックが発生し、その結果抵抗値変化が発生するな
ど信頼性が低下してしまうＯ 通常抵抗ペーストの場合は焼成後の膜厚が１２μｍ以下
でかつ幅が１ｏａｕｎ前後であるが、円形のペースト吐
出口では膜厚を１２μｍ以下に保つためには幅が最大１
５０μｍの線しか描画できない。
そのため従来はＭ線は何本か隣接することにより薄くて
幅の広い線を描画する方法が用いられている。しかし、
この方法では描画に時間を費し大量生産には適さないと
いう欠点があった。
幅の広い線を描画する方法が用いられている。しかし、
この方法では描画に時間を費し大量生産には適さないと
いう欠点があった。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するため、ノズルのスリット
状吐出口より基板上に抵抗ペーストを圧力をかけて吐出
させ厚膜抵抗体を形成する方法において、前記吐出口の
幅が０ 、５ Ｍ〜２，０．の範囲において、前記吐出
口の幅に対し抵抗体の描画幅が０．０２、〜０．２０
ａｍ大きくなるように、吐出圧力を調整して厚膜抵抗体
を形成することを特徴とするものである。
状吐出口より基板上に抵抗ペーストを圧力をかけて吐出
させ厚膜抵抗体を形成する方法において、前記吐出口の
幅が０ 、５ Ｍ〜２，０．の範囲において、前記吐出
口の幅に対し抵抗体の描画幅が０．０２、〜０．２０
ａｍ大きくなるように、吐出圧力を調整して厚膜抵抗体
を形成することを特徴とするものである。
作 用
この技術的手段による作用は次のようになる。
すなわち、ノズルのスリット状吐出口より基板上に抵抗
ペーストを圧力をかけて吐出する際、吐出圧力を調整し
、ノズルの吐出口の幅より一定範囲において広く描画す
るように構成しているため、ペーストのカスレア蛇行、
切れ等が発生しない適量のペースト吐出量が確保され、
極めて安定した厚膜抵抗体の描画が可能となる。
ペーストを圧力をかけて吐出する際、吐出圧力を調整し
、ノズルの吐出口の幅より一定範囲において広く描画す
るように構成しているため、ペーストのカスレア蛇行、
切れ等が発生しない適量のペースト吐出量が確保され、
極めて安定した厚膜抵抗体の描画が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例を図面にもとづいて説明する。
第１図、第２図、第３図及び第４図においてステンレス
製の描画ノズル１に抵抗ペースト２を吐出するスリット
状の吐出口３が設けてあり、スリット寸法はＩ ＨＸ
Ｏ，１ｍｍである。又、基板４の「ソリ」や「ねじれ」
があっても基板と吐出口３のギヤノブを一定に保ち描画
されたペーストの幅、膜厚を一定にする目的で４０μｍ
の高さのダイヤモンド製触片５が吐出口３の近くに設け
である。抵抗ペースト２は一般に酸化ルテニウムにガラ
スフリット、溶剤等で構成されており、昭栄化学工業（
株）のＲ−９３１ＯＮを用いて実験を行なった０ 抵抗ペーストの吐出方法はＡ方向よりｏ 、ｓ Ｋｙ／
ａｄ〜にＫｎ ／、Ｊ ／ギー、・ン笛）の工舘窃侑Ｖ
ｒって旧−出さｈ、第４図Ｋ １．ｏＫｙ／ｃｒｔｌ〜
２．４Ｋｔ／ｃｒｊ（ゲージ圧）の範囲で吐出圧力を変
化させたときの焼成後の断面形状と描画幅Ｗを示す。こ
れより、ノズル１の吐出口３０幅と等しい１．０画の描
画幅では形状が不安定でカスレが発生した。又、描画幅
１．０２ ｆｉから１．２１１１１１１までは形状も安
定しており、抵抗値バラツキ±１０〜±１６％の範囲で
あった。又、描画幅１．２ｍｍを超えると、ノズル１の
両端よりはみ出すようになり形状が不安定で抵抗値バラ
ツキが大きくなった。又描画幅は１．０５１１１ｍ〜１
．１Ｍが好ましい範囲である。
製の描画ノズル１に抵抗ペースト２を吐出するスリット
状の吐出口３が設けてあり、スリット寸法はＩ ＨＸ
Ｏ，１ｍｍである。又、基板４の「ソリ」や「ねじれ」
があっても基板と吐出口３のギヤノブを一定に保ち描画
されたペーストの幅、膜厚を一定にする目的で４０μｍ
の高さのダイヤモンド製触片５が吐出口３の近くに設け
である。抵抗ペースト２は一般に酸化ルテニウムにガラ
スフリット、溶剤等で構成されており、昭栄化学工業（
株）のＲ−９３１ＯＮを用いて実験を行なった０ 抵抗ペーストの吐出方法はＡ方向よりｏ 、ｓ Ｋｙ／
ａｄ〜にＫｎ ／、Ｊ ／ギー、・ン笛）の工舘窃侑Ｖ
ｒって旧−出さｈ、第４図Ｋ １．ｏＫｙ／ｃｒｔｌ〜
２．４Ｋｔ／ｃｒｊ（ゲージ圧）の範囲で吐出圧力を変
化させたときの焼成後の断面形状と描画幅Ｗを示す。こ
れより、ノズル１の吐出口３０幅と等しい１．０画の描
画幅では形状が不安定でカスレが発生した。又、描画幅
１．０２ ｆｉから１．２１１１１１１までは形状も安
定しており、抵抗値バラツキ±１０〜±１６％の範囲で
あった。又、描画幅１．２ｍｍを超えると、ノズル１の
両端よりはみ出すようになり形状が不安定で抵抗値バラ
ツキが大きくなった。又描画幅は１．０５１１１ｍ〜１
．１Ｍが好ましい範囲である。
なお、ノズル１の移動方向は基板４に予じめ形成された
電極ｅａ、ａｂは、Ａｑ／Ｐｄからなる材料で高さが１
０〜１６μｍの膜厚になるよう形成されており、電極６
ａ、ｅｂ間の間隔は、０．５市〜２．０（財）が い。
電極ｅａ、ａｂは、Ａｑ／Ｐｄからなる材料で高さが１
０〜１６μｍの膜厚になるよう形成されており、電極６
ａ、ｅｂ間の間隔は、０．５市〜２．０（財）が い。
又、ノズル１の移動スピードは最大２５０１Ｗｌ／渡で
あるが触片５は遅い方が電極６ａの降下時又は電極６ａ
の乗シ上げ時に対して安定に吐出でき、好ましくは３
ｏ ｍｍ／ ｓｅｃである。
あるが触片５は遅い方が電極６ａの降下時又は電極６ａ
の乗シ上げ時に対して安定に吐出でき、好ましくは３
ｏ ｍｍ／ ｓｅｃである。
次に、ノズル幅を０．６ｍｌ１１として前述と同じよう
に描画を行なった結果、描画幅０．５２〜０．７ｍｍの
範囲において安定した描画形状が得られ、その時の抵抗
値バラツキは±１０〜±１６係であった。
に描画を行なった結果、描画幅０．５２〜０．７ｍｍの
範囲において安定した描画形状が得られ、その時の抵抗
値バラツキは±１０〜±１６係であった。
又、ノズル幅を２．０ｍｍとした時にも描画幅２．０２
．〜２．２．の範囲で前述と同じような結果が得られた
。
．〜２．２．の範囲で前述と同じような結果が得られた
。
又、ノズル幅が２．０ｍｍを超えると吐出口の中央部と
両端部の吐出量の変化が著しくなり、中央部が厚い断面
形状が得られ抵抗値バラツキが±２０係以上であった。
両端部の吐出量の変化が著しくなり、中央部が厚い断面
形状が得られ抵抗値バラツキが±２０係以上であった。
発明の効果
以上、説明したように、本発明によれば、抵抗ペースト
をスリット状吐出口を持つ広幅ノズルで一括描画が可能
であり、又吐出圧力を調整してノズル吐出口に対する描
画幅を所定範囲に保つことによって安定した膜厚及び断
面形状の厚膜抵抗体が得られ、厚膜抵抗体の抵抗値のバ
ラツキを小さくすることができる。
をスリット状吐出口を持つ広幅ノズルで一括描画が可能
であり、又吐出圧力を調整してノズル吐出口に対する描
画幅を所定範囲に保つことによって安定した膜厚及び断
面形状の厚膜抵抗体が得られ、厚膜抵抗体の抵抗値のバ
ラツキを小さくすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示すノズル部の斜視図、第
２図は本発明の一実施例の断面図、第３図は本発明によ
って形成された厚膜抵抗体の斜視図、第４図は本発明の
一実施例における焼成後の厚膜抵抗体の断面形状を測定
した測定図、第５図は従来のスクリーン印刷法の断面図
、第６図は従来の描画法の斜視図、第７図は従来の描画
ノズル部の斜視図、第８図は従来例の描画結果の説明図
である。 １・・・・・ノズノペ２・・・・・・抵抗ペースト、３
・・・・・・吐出口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 男 ３ 図 第 ４ 図
２図は本発明の一実施例の断面図、第３図は本発明によ
って形成された厚膜抵抗体の斜視図、第４図は本発明の
一実施例における焼成後の厚膜抵抗体の断面形状を測定
した測定図、第５図は従来のスクリーン印刷法の断面図
、第６図は従来の描画法の斜視図、第７図は従来の描画
ノズル部の斜視図、第８図は従来例の描画結果の説明図
である。 １・・・・・ノズノペ２・・・・・・抵抗ペースト、３
・・・・・・吐出口。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第
１ 図 男 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- ノズルのスリット状吐出口より基板上に抵抗ペーストを
圧力をかけて吐出させ厚膜抵抗体を形成する方法におい
て、前記吐出口の幅が０．５ｍｍ〜２．０ｍｍの範囲に
おいて、前記吐出口の幅に対し抵抗体の描画幅が０．０
２ｍｍ〜０．２０ｍｍ大きくなるように、吐出圧力を調
整して厚膜抵抗体を形成することを特徴とする厚膜抵抗
体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222234A JPS6281704A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60222234A JPS6281704A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6281704A true JPS6281704A (ja) | 1987-04-15 |
| JPH0528481B2 JPH0528481B2 (ja) | 1993-04-26 |
Family
ID=16779213
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60222234A Granted JPS6281704A (ja) | 1985-10-04 | 1985-10-04 | 厚膜抵抗体の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6281704A (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831448A (ja) * | 1971-08-12 | 1973-04-25 | ||
| JPS582472A (ja) * | 1981-06-01 | 1983-01-08 | Aisin Seiki Co Ltd | 内燃機関用点火システム |
| JPS58140279A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 感熱ヘツドの製造方法 |
| JPS59113686A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜回路の形成方法 |
-
1985
- 1985-10-04 JP JP60222234A patent/JPS6281704A/ja active Granted
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4831448A (ja) * | 1971-08-12 | 1973-04-25 | ||
| JPS582472A (ja) * | 1981-06-01 | 1983-01-08 | Aisin Seiki Co Ltd | 内燃機関用点火システム |
| JPS58140279A (ja) * | 1982-02-16 | 1983-08-19 | Mitsubishi Electric Corp | 感熱ヘツドの製造方法 |
| JPS59113686A (ja) * | 1982-12-20 | 1984-06-30 | 松下電器産業株式会社 | 厚膜回路の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528481B2 (ja) | 1993-04-26 |
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