JPS628510B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS628510B2 JPS628510B2 JP54062069A JP6206979A JPS628510B2 JP S628510 B2 JPS628510 B2 JP S628510B2 JP 54062069 A JP54062069 A JP 54062069A JP 6206979 A JP6206979 A JP 6206979A JP S628510 B2 JPS628510 B2 JP S628510B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- room
- evaporation source
- front door
- clean room
- wall
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Testing Of Devices, Machine Parts, Or Other Structures Thereof (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は清浄な雰囲気中で半導体ウエハースの
大量処理を可能ならしめた真空蒸着装置に関する
ものである。
大量処理を可能ならしめた真空蒸着装置に関する
ものである。
集積回路の配線形成のために蒸着工程で用いる
従来の真空蒸着装置を第１図及び第２図に示す。
第１のタイプ（ベルジヤータイプ）は、第１図に
示すようにベルジヤー１′の内部に、ウエハース
ホルダー２′及び電子銃３′が設置され、ゲートバ
ルブ４′を介してベルジヤー１′の下方に液体チツ
ソトラツプ５′及び水冷バルブ６′ならびに拡散ポ
ンプ７′などが設置され、拡散ポンプ７′にフオア
バルブ８′を介して油回転ポンプ９′が接続されて
いるものである。なお、図中１０′はベルジヤー
１′の昇降機、１１はフイードスルーポートを示
す。また、第２のタイプ（ハツチタイプ）は、第
２図に示すように、ウエハースホルダー２′を内
装したハツチ１２′と電子銃３′とが隔離バルブ１
３′によつて隔離されているものである。なお、
第２図中第１図と同一構成部分には同一番号符を
付してその説明を省略する。
従来の真空蒸着装置を第１図及び第２図に示す。
第１のタイプ（ベルジヤータイプ）は、第１図に
示すようにベルジヤー１′の内部に、ウエハース
ホルダー２′及び電子銃３′が設置され、ゲートバ
ルブ４′を介してベルジヤー１′の下方に液体チツ
ソトラツプ５′及び水冷バルブ６′ならびに拡散ポ
ンプ７′などが設置され、拡散ポンプ７′にフオア
バルブ８′を介して油回転ポンプ９′が接続されて
いるものである。なお、図中１０′はベルジヤー
１′の昇降機、１１はフイードスルーポートを示
す。また、第２のタイプ（ハツチタイプ）は、第
２図に示すように、ウエハースホルダー２′を内
装したハツチ１２′と電子銃３′とが隔離バルブ１
３′によつて隔離されているものである。なお、
第２図中第１図と同一構成部分には同一番号符を
付してその説明を省略する。
以上、いずれのタイプの場合にも資料となる半
導体ウエハースをベルジヤー１′またはハツチ１
２′を開いてウエハースホルダー２′にこれをセツ
トし、蒸着が終了した後、再びベルジヤー１′ま
たはハツチ１２を開いて資料を外部に取出すもの
である。この資料の汚染を防止をするため、いず
れのタイプのものも装置全体がクリーンルーム内
に設置されているのであるが、清掃が必要で、し
かも非常に高い清浄度を要求されるにもかかわら
ず、油回転ポンプや油拡散ポンプなどが用いられ
た装置本体をクリーンルームに設置すること自体
問題であり、集積回路の集積度が要求される昨今
では、従来タイプの蒸着装置では不十分であると
考えられている。
導体ウエハースをベルジヤー１′またはハツチ１
２′を開いてウエハースホルダー２′にこれをセツ
トし、蒸着が終了した後、再びベルジヤー１′ま
たはハツチ１２を開いて資料を外部に取出すもの
である。この資料の汚染を防止をするため、いず
れのタイプのものも装置全体がクリーンルーム内
に設置されているのであるが、清掃が必要で、し
かも非常に高い清浄度を要求されるにもかかわら
ず、油回転ポンプや油拡散ポンプなどが用いられ
た装置本体をクリーンルームに設置すること自体
問題であり、集積回路の集積度が要求される昨今
では、従来タイプの蒸着装置では不十分であると
考えられている。
次にウエハースの大型化による１バツチ当りの
処理枚数の低下が問題となつてきている。処理枚
数を上げるめには、第１のタイプが適している
が、このタイプでは蒸発源、すなわち電子銃３′
が毎回大気にさらされるという欠点があり、蒸発
物のコンタミネーシヨンが問題となる。
処理枚数の低下が問題となつてきている。処理枚
数を上げるめには、第１のタイプが適している
が、このタイプでは蒸発源、すなわち電子銃３′
が毎回大気にさらされるという欠点があり、蒸発
物のコンタミネーシヨンが問題となる。
これに対して、第２のタイプでは電子銃３′が
収容された蒸発源室と、資料室となるハツチ１
２′とが隔離バルブ１３′で仕切られており、いわ
ゆるロードロツク方式となつているために、電子
銃３′は常に真空中に保管され、第１のタイプに
みられるような問題点はないが、１バツチあたり
の処理枚数の点で第１タイプに劣るという欠点が
ある。
収容された蒸発源室と、資料室となるハツチ１
２′とが隔離バルブ１３′で仕切られており、いわ
ゆるロードロツク方式となつているために、電子
銃３′は常に真空中に保管され、第１のタイプに
みられるような問題点はないが、１バツチあたり
の処理枚数の点で第１タイプに劣るという欠点が
ある。
本発明は上記従来の蒸着装置にみられる欠点を
解消するもので、資料室と蒸発源室とが隔離バル
ブによつて仕切られたロードロツク式真空蒸着装
置において装置本体を壁によつてクリーンルーム
から隔離されたメンテナンスルーム内に設置し、
該装置本体に設けられた資料の出し入れ用の表扉
を前記壁に開口した窓孔を通してクリーンルーム
室内に臨ませ、前記資料室内に設置する資料ホル
ダをスライドガイドに支持させて、クリーンルー
ム側に出入可能とし、前記質料室の後面に表扉と
連動して自動的に開閉するラミナーフロー用裏扉
を設け、前記資料室の下方に設置された蒸発源室
を上下動ならびに資料室の下方から外部へ取出し
可能に設置されたベースプレート上に設置したこ
とを特徴とする真空蒸着装置である。
解消するもので、資料室と蒸発源室とが隔離バル
ブによつて仕切られたロードロツク式真空蒸着装
置において装置本体を壁によつてクリーンルーム
から隔離されたメンテナンスルーム内に設置し、
該装置本体に設けられた資料の出し入れ用の表扉
を前記壁に開口した窓孔を通してクリーンルーム
室内に臨ませ、前記資料室内に設置する資料ホル
ダをスライドガイドに支持させて、クリーンルー
ム側に出入可能とし、前記質料室の後面に表扉と
連動して自動的に開閉するラミナーフロー用裏扉
を設け、前記資料室の下方に設置された蒸発源室
を上下動ならびに資料室の下方から外部へ取出し
可能に設置されたベースプレート上に設置したこ
とを特徴とする真空蒸着装置である。
以下本発明の実施例を図面によつて説明する。
第３図イ，ロ，ハにおいて、メンテナスルーム１
とクリーンルーム２とが壁３によつて隔離されて
おり、メンテナンスルーム１内に装置本体が設置
されている。装置本体はゲートバルブ５、クライ
オポンプ６、資料室７及び、該資料室７の下方に
設置された蒸発源室８とからなり、資料室７と蒸
発源室８とは隔離バルブ９で仕切られている。蒸
発源室８内には電子銃１０が設置され、該電子銃
１０はベースプレート昇降スクリユー１１によつ
て上下動可能に保持されたベースプレート１２の
上面に保持されている。
第３図イ，ロ，ハにおいて、メンテナスルーム１
とクリーンルーム２とが壁３によつて隔離されて
おり、メンテナンスルーム１内に装置本体が設置
されている。装置本体はゲートバルブ５、クライ
オポンプ６、資料室７及び、該資料室７の下方に
設置された蒸発源室８とからなり、資料室７と蒸
発源室８とは隔離バルブ９で仕切られている。蒸
発源室８内には電子銃１０が設置され、該電子銃
１０はベースプレート昇降スクリユー１１によつ
て上下動可能に保持されたベースプレート１２の
上面に保持されている。
資料室７は大型の角型ボツクスで、裏面にラミ
ナーフロー用裏扉１３が設けられ、正面側に該資
料室７の前面を開閉する表扉１４が開閉自在に取
付けられ、該表扉１４は壁３に開口した窓孔内に
臨ませてある。なお、窓孔の開口部と資料室の正
面との間はシールされて、気密に保たれている。
資料室７の上部にはプラネタリー型ウエハースホ
ルダ１５がその両側に設けられたスライドガイド
１８にそつて摺動可能に設置され、さらに資料室
７内には基板加熱用ランプ１７が設けられてい
る。なお、図中１６は、表扉１４に設けたビユー
イングポートを示す。
ナーフロー用裏扉１３が設けられ、正面側に該資
料室７の前面を開閉する表扉１４が開閉自在に取
付けられ、該表扉１４は壁３に開口した窓孔内に
臨ませてある。なお、窓孔の開口部と資料室の正
面との間はシールされて、気密に保たれている。
資料室７の上部にはプラネタリー型ウエハースホ
ルダ１５がその両側に設けられたスライドガイド
１８にそつて摺動可能に設置され、さらに資料室
７内には基板加熱用ランプ１７が設けられてい
る。なお、図中１６は、表扉１４に設けたビユー
イングポートを示す。
なお、本実施例では換気スピード及び油の汚染
をさけるため、クライオポンプ６を用いたもので
ある。前記ラミナーフロー用裏扉１３は表扉１４
と連動して自動的に開閉するもので、表扉１４を
開いたときに資料室７が密閉されていると、クリ
ーンルーム側のラミナーフローが蒸発源室８内に
流れ込んで渦をひき起し、資料室７内のゴミを巻
き上げるのを防止するものである。
をさけるため、クライオポンプ６を用いたもので
ある。前記ラミナーフロー用裏扉１３は表扉１４
と連動して自動的に開閉するもので、表扉１４を
開いたときに資料室７が密閉されていると、クリ
ーンルーム側のラミナーフローが蒸発源室８内に
流れ込んで渦をひき起し、資料室７内のゴミを巻
き上げるのを防止するものである。
本発明では表扉１４を開いてプラネタリー型ウ
エハースホルダ１５を資料室７内より引き出し、
該ホルダ１５に半導体基板を保持させて資料室７
内に戻し、表扉１４を閉鎖して通常の如く蒸着処
理を行なうものであるが、ここに装置本体が壁３
で、クリーンルーム２から隔離されたメンテナン
スルーム１内に設置され、資料室７内の操作は壁
３にあけられた窓孔を通して表扉１４開閉によつ
てのみ行なうために、従来のようなクリーンルー
ムの汚染の問題は完全に解消され、また、資料室
７と蒸発源室８とを隔離バルブ９によつて分けら
れたロードロツク方式を採ることにより、蒸発物
のコンタミネーシヨンの問題がなくなり、しかも
資料室７として大型のボツクスを用いたため、一
度に大量の基板を処理することができる。また資
料室７内への半導体基板の出し入れはスライドガ
イド１８にそつてウエハースホルダ１５をクリー
ンルーム側引出すことによつて行なうために、ロ
ーデイングアンローデイングの作業をきわめて容
易に行なうことができる。さらに本発明によれ
ば、蒸発源室８内及びその周囲の清掃を行なう場
合に、この蒸発源室８を下降させ、そのまま後方
に引出すことによつて容易に行なうことができ
る。
エハースホルダ１５を資料室７内より引き出し、
該ホルダ１５に半導体基板を保持させて資料室７
内に戻し、表扉１４を閉鎖して通常の如く蒸着処
理を行なうものであるが、ここに装置本体が壁３
で、クリーンルーム２から隔離されたメンテナン
スルーム１内に設置され、資料室７内の操作は壁
３にあけられた窓孔を通して表扉１４開閉によつ
てのみ行なうために、従来のようなクリーンルー
ムの汚染の問題は完全に解消され、また、資料室
７と蒸発源室８とを隔離バルブ９によつて分けら
れたロードロツク方式を採ることにより、蒸発物
のコンタミネーシヨンの問題がなくなり、しかも
資料室７として大型のボツクスを用いたため、一
度に大量の基板を処理することができる。また資
料室７内への半導体基板の出し入れはスライドガ
イド１８にそつてウエハースホルダ１５をクリー
ンルーム側引出すことによつて行なうために、ロ
ーデイングアンローデイングの作業をきわめて容
易に行なうことができる。さらに本発明によれ
ば、蒸発源室８内及びその周囲の清掃を行なう場
合に、この蒸発源室８を下降させ、そのまま後方
に引出すことによつて容易に行なうことができ
る。
第１図、第２図は従来の真空蒸着装置の例を示
す正面図、第３図イ，ロ，ハは本発明装置の一実
施例を示すもので、イは平面図、ロは側面図、ハ
は正面図である。 １……メンテナンスルーム、２……クリーンル
ーム、３……壁、７……資料室、８……蒸発源
室、９……隔離バルブ、１０……電子銃、１３…
…ラミナーフロー用裏扉、１４……表扉、１５…
…ウエハースホルダ、１８……スライドガイド。
す正面図、第３図イ，ロ，ハは本発明装置の一実
施例を示すもので、イは平面図、ロは側面図、ハ
は正面図である。 １……メンテナンスルーム、２……クリーンル
ーム、３……壁、７……資料室、８……蒸発源
室、９……隔離バルブ、１０……電子銃、１３…
…ラミナーフロー用裏扉、１４……表扉、１５…
…ウエハースホルダ、１８……スライドガイド。
Claims (1)
- １ 資料室と蒸発源室とが隔離バルブによつて仕
切られたロードロツク式真空蒸着装置において、
装置本体を壁によつてクリーンルームから隔離さ
れたメンテナンスルーム内に設置し、該装置本体
に設けられた資料の出し入れ用の表扉を前記壁に
開口した窓孔を通してクリーンルーム室内に臨ま
せ、前記資料室内に設置する資料ホルダをスライ
ドガイドに支持させて、クリーンルーム側に出入
可能とし、前記資料室の後面に表扉と連動して自
動的に開閉するラミナーフロー用裏扉を設け、前
記資料室の下方に設置された蒸発源室を上下動な
らびに資料室の下方から外部へ取出し可能に設置
されたベースプレート上に設置したことを特徴と
する真空蒸着装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206979A JPS55154571A (en) | 1979-05-19 | 1979-05-19 | Vacuum vapor deposition apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6206979A JPS55154571A (en) | 1979-05-19 | 1979-05-19 | Vacuum vapor deposition apparatus |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS55154571A JPS55154571A (en) | 1980-12-02 |
| JPS628510B2 true JPS628510B2 (ja) | 1987-02-23 |
Family
ID=13189428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6206979A Granted JPS55154571A (en) | 1979-05-19 | 1979-05-19 | Vacuum vapor deposition apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS55154571A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01161262U (ja) * | 1989-03-23 | 1989-11-09 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5421564U (ja) * | 1977-07-14 | 1979-02-13 |
-
1979
- 1979-05-19 JP JP6206979A patent/JPS55154571A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS55154571A (en) | 1980-12-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100343950C (zh) | 衬底加热装置和多室衬底处理系统 | |
| US5772386A (en) | Loading and unloading station for semiconductor processing installations | |
| KR100932961B1 (ko) | 기판 처리 장치 및 반도체 장치의 제조 방법 | |
| US11404297B2 (en) | Systems, apparatus, and methods for an improved load port | |
| JPH1163604A (ja) | 処理装置及び処理装置内の気体の制御方法 | |
| JP2003007800A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JPH04504929A (ja) | 基板上の層の蒸着方法及びこのための処理用システム | |
| JP2014239096A (ja) | ロードポートユニット及びｅｆｅｍシステム | |
| US11527426B2 (en) | Substrate processing device | |
| JP2005026513A (ja) | 処理装置 | |
| JP2009266962A (ja) | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 | |
| JP3543995B2 (ja) | 処理装置 | |
| US20170025308A1 (en) | Method of cleaning bottom of via hole and method of manufacturing semiconductor device | |
| JPS628510B2 (ja) | ||
| TW202008493A (zh) | 基板處理裝置及半導體裝置的製造方法以及記錄媒體 | |
| JPH0215632B2 (ja) | ||
| JP5279576B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH042147A (ja) | 半導体基板の保管装置 | |
| JP2005347667A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP3395180B2 (ja) | 基板処理装置 | |
| JP2002246436A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPS5994435A (ja) | 真空処理装置 | |
| JP3787755B2 (ja) | 処理システム | |
| JPH09143674A (ja) | 成膜装置及びその使用方法 | |
| JPH02282474A (ja) | スパッタリング成膜装置 |