JPS628522A - イオンビ−ムエツチング装置 - Google Patents

イオンビ−ムエツチング装置

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JPS628522A
JPS628522A JP14661685A JP14661685A JPS628522A JP S628522 A JPS628522 A JP S628522A JP 14661685 A JP14661685 A JP 14661685A JP 14661685 A JP14661685 A JP 14661685A JP S628522 A JPS628522 A JP S628522A
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JP
Japan
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ion
ion beams
ion beam
current density
draw
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JP14661685A
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Inventor
Yasue Sato
安栄 佐藤
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [発明の属する分野] 本発明は、イオンビームエツチング装置、特に、イオン
引き出し電極間の間隔を可変することにより照射イオン
ビームの電流密度および拡がり角を制御できるようにし
たイオンビームエツチング装置に関する。
[従来技術] 従来、この種の装置においては、イオンビームの電流密
度や拡がり角等のイオン引き出し条件を変更したい場合
は、イオン引き出し電圧を変更していた。ところが、従
来の装置はイオンビームを引き出すための複数の引き出
し電極がイオン源と被エツチング材例えばウェハとの間
に固定されて装備されており、これらのイオン源とイオ
ン引き出し電極または引き出し電極同士の間隔は可変で
なかった。このため、イオン引き出し電極に印加される
引き出し電圧が決まると、それにより、これらのイオン
引き出し条件が同時に決定されることとなる。
従って、例えば、イオンビームの電流密度はそのままと
し、拡がり角だけを変更したい等の要求には答えること
ができない。すなわち、従来の装置では、イオンビーム
の電流密度および拡がり角等の引き出し条件の細かな制
御ができないという欠点があった。
[発明の目的コ 本発明は、上述従来形の問題点に鑑み、イオンビームの
電流密度や拡がり角等のイオン引き出し条件を、それぞ
れ細かく制御することができるイオンど−ムエッチング
装置を提供することを目的とする。
[実施例の説明コ 以下、図面を用いて本発明の詳細な説明する。
第1図は、本発明の一実施例に係るイオンビームエツチ
ング装置の断面図を示す。なお、同図の装置はカウフマ
ン型であるが、本発明はこれに限ることなくECR型等
の他の型の装置にも適用できる。第1図において、1は
イ゛オン源、2はアノード電極、3は直流電源である。
また、4および5は引き出し電極、7は電極移動装置、
8は電極径!ll装置制御部、9は被エツチング材であ
るウェハ、10はウェハホルダである。11はウェハ9
に照射するイオンビームを示す。
エツチングは、イオン源1でプラズマを発生させ、引き
出し電極4および5によってエツチングイオンを引き出
し、イオンビーム11としてウェハ9に照射することに
より行なう。ここで、イオンのエネルギーは引き出し電
極4および5に加えられた電圧によって決定される。す
なわち、イオンビームの電流密度はこれらの電極に印加
される電圧により決定される。また、イオンビームの拡
がり角は引き出し電極5の位置によって決定される。
この引き出し電極5は、引き出し電極移動装置7により
適当な位置に移動することが可能である。
従って、イオンの電流密度とは独立にイオンビームの拡
がり角を制御することができる。さらに、イオンビーム
角の拡がり角を可変することによって、ウェハ9のエツ
チング表面へ入射するイオンビーム11の入射角を可変
することができるので、エツチング角も制御することが
できる。
第2図は、本発明の第二の実施例に係るイオンビームエ
ツチング装置の構成図を示す。なお、第1図と共通また
は対応する部分については同一の符号で示す。第2図に
おいて、6は第3の引き出し電極(アース電FM>であ
る。第1図の実施例との相違点は引き出し電極が3つ存
在することである。それに伴い、直流電源3および電極
移動装置7を複数設けている。本実施例においては、移
動することができる引き出し電極が2つあるので、第1
の実施例よりも、より木目細かな制御をすることができ
る。
[発明の効果] 以上説明したように、本発明によれば、イオン引き出し
電極のイオンビーム照射軸上の位置が可変であるため、
引き出し電極間の間隔を可変することができ、イオン加
速電圧により決定されるイオンビームの電流密度とは独
立にイオンビームの拡がり角を制御することができる。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例に係るイオンビームエツチ
ング装置の構成図、 第2図は、3つのイオン引き出し電極を持つイオンビー
ムエツチング装置の構成図である。 1:イオン源、2ニアノード電極、3:直流電源、4.
5.6:引き出し電極、7:電極移動装置、8:電極移
動装置制御部、 9:被エツチングウェハ、10:ウェハホルダ、11:
イオンビーム。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 イオン源から引き出し電極により引き出したイオンを試
    料に照射してエッチングを行なうイオンビームエッチン
    グ装置において、 上記イオン引き出し電極のイオンビーム照射軸方向の位
    置を可変する手段を設けたことを特徴とするイオンビー
    ムエッチング装置。
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