JPS6285419A - 還元再酸化型半導体磁器コンデンサ - Google Patents
還元再酸化型半導体磁器コンデンサInfo
- Publication number
- JPS6285419A JPS6285419A JP22562685A JP22562685A JPS6285419A JP S6285419 A JPS6285419 A JP S6285419A JP 22562685 A JP22562685 A JP 22562685A JP 22562685 A JP22562685 A JP 22562685A JP S6285419 A JPS6285419 A JP S6285419A
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- JP
- Japan
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- electrode
- reduction
- type semiconductor
- reoxidation
- internal
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
この発明は還元再酸化型半導体磁器コンデンサに関する
。
。
（従来技術）
この発明の興味ある従来の還元再酸化型半導体磁器コン
デンサの一例が、たとえば特開昭５７−１４４１１６号
に開示されている。第５図に示す従来の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサ１は、板状の還元再酸化型半導体磁
器ユニット２を含み、還元再酸化型半導体磁器ユニット
２は、その一端面で露出する半導体部分２ａとその両生
面および他端面で露出する再酸化層２ｂとを含む。さら
に、還元再酸化型半導体磁器ユニット２の半導体部分２
ａの表面には、第１の電極３が形成され、さらに、再酸
化層２ｂの表面には、第２の電極４が形成される。そし
て、第１の電極３および第２の電極４間に静電容量が形
成される。この還元再酸化型半導体磁器コンデンサ１で
は、その等価回路を第６図に示すように、その還元再酸
化型半導体磁器ユニット２の再酸化層２ｂによる容量Ｃ
ｓの２倍の容量のコンデンサが得られ、大容量化が期待
できる。
デンサの一例が、たとえば特開昭５７−１４４１１６号
に開示されている。第５図に示す従来の還元再酸化型半
導体磁器コンデンサ１は、板状の還元再酸化型半導体磁
器ユニット２を含み、還元再酸化型半導体磁器ユニット
２は、その一端面で露出する半導体部分２ａとその両生
面および他端面で露出する再酸化層２ｂとを含む。さら
に、還元再酸化型半導体磁器ユニット２の半導体部分２
ａの表面には、第１の電極３が形成され、さらに、再酸
化層２ｂの表面には、第２の電極４が形成される。そし
て、第１の電極３および第２の電極４間に静電容量が形
成される。この還元再酸化型半導体磁器コンデンサ１で
は、その等価回路を第６図に示すように、その還元再酸
化型半導体磁器ユニット２の再酸化層２ｂによる容量Ｃ
ｓの２倍の容量のコンデンサが得られ、大容量化が期待
できる。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、このような従来の還元再酸化型半導体磁
器コンデンサでは、還元再酸化型半導体ユニットの半導
体部分による抵抗すなわち等価直副抵抗が大きいため、
その高周波特性が劣るだけでなく、設計、５１算通りの
大容置が得られない。
器コンデンサでは、還元再酸化型半導体ユニットの半導
体部分による抵抗すなわち等価直副抵抗が大きいため、
その高周波特性が劣るだけでなく、設計、５１算通りの
大容置が得られない。
それゆえに、この発明の主たる目的は、小型で大容量の
還元再酸化型半導体磁器コンデンサを１に出することで
ある。
還元再酸化型半導体磁器コンデンサを１に出することで
ある。
（問題点を解決するための手段）
この発明は、半導体部分および表面に露出する再酸化層
を有する還元再酸化型半導体磁器ユニットと、前記半導
体部分の表面に形成される少なくとも２つの電極とを含
む還元再酸化型半導体磁気コンデンサにおいて、前記ユ
ニットの内部半導体部分に形成されかつ前記電極の１つ
に接続される内部電極を含むことを特徴とする、還元再
酸化型半導体磁器コンデンサである。
を有する還元再酸化型半導体磁器ユニットと、前記半導
体部分の表面に形成される少なくとも２つの電極とを含
む還元再酸化型半導体磁気コンデンサにおいて、前記ユ
ニットの内部半導体部分に形成されかつ前記電極の１つ
に接続される内部電極を含むことを特徴とする、還元再
酸化型半導体磁器コンデンサである。
（作用）
内部電極が還元再酸化型半導体ユニットの半導体部分内
に形成されているので、その内部抵抗と容量とが内部電
極および第２の電極間に並列接続された形となる。さら
に、内部電極は前記第２の電極とは別の第１の電極に接
続されているので、第１の電極および第２の電極間で並
列接続された内部抵抗と容量とが取り出される。
に形成されているので、その内部抵抗と容量とが内部電
極および第２の電極間に並列接続された形となる。さら
に、内部電極は前記第２の電極とは別の第１の電極に接
続されているので、第１の電極および第２の電極間で並
列接続された内部抵抗と容量とが取り出される。
（発明の効果）
この発明によれば、内部抵抗が並列接続された形で取り
出されるので、その等価直列抵抗を小さくできる。その
ため、高周波特性の劣化を抑制でき、計算通りの容量を
得ることができる。しかも、コンデンサを形成すべき電
極の対向面積が大きくなるので、小型大容量の還元再酸
化型半導体磁器コンデンサが得られる。
出されるので、その等価直列抵抗を小さくできる。その
ため、高周波特性の劣化を抑制でき、計算通りの容量を
得ることができる。しかも、コンデンサを形成すべき電
極の対向面積が大きくなるので、小型大容量の還元再酸
化型半導体磁器コンデンサが得られる。
この発明の上述の目的、その他の目的、特徴および利点
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなる・う。
は、図面を参照して行う以下の実施例の詳細な説明から
一層明らかとなる・う。
（実施例）
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。この
還元再酸化型半導体磁器コンデンサＩＯは、板状の還元
再酸化型半導体磁器ユニット１２を含む。この還元再酸
化型半導体磁器ユニット１２は、半導体部分１２ａおよ
び半導体部分１２ａの全周を被覆する再酸化層１２ｂを
含み、半導体部分１２ａは露出することなく、再酸化層
＋２ｂはその両生面および両端面で露出されている。な
お、この再酸化層１２ｂは、コンデンサを形成するため
に必要な誘電率を有する。
還元再酸化型半導体磁器コンデンサＩＯは、板状の還元
再酸化型半導体磁器ユニット１２を含む。この還元再酸
化型半導体磁器ユニット１２は、半導体部分１２ａおよ
び半導体部分１２ａの全周を被覆する再酸化層１２ｂを
含み、半導体部分１２ａは露出することなく、再酸化層
＋２ｂはその両生面および両端面で露出されている。な
お、この再酸化層１２ｂは、コンデンサを形成するため
に必要な誘電率を有する。
さらに、第１の電極１４が、還元再酸化型半導体磁器ユ
ニット１２の再酸化層１２ｂの表面に形成される。この
場合、第１の電極１４は、ユニット１２の一端部分の表
面に形成される。
ニット１２の再酸化層１２ｂの表面に形成される。この
場合、第１の電極１４は、ユニット１２の一端部分の表
面に形成される。
一方、第２の電極１６が、第１の電極１４から間隔を隔
てて、再酸化層！２ｂの表面に形成される。
てて、再酸化層！２ｂの表面に形成される。
また、還元再酸化型半導体磁器ユニット１２の半導体部
分１２ａの内部には、内部電極１８が形成され、この内
部電極１８の一端は、第１の電極１４に接続される。
分１２ａの内部には、内部電極１８が形成され、この内
部電極１８の一端は、第１の電極１４に接続される。
これによって、第１の電極１４および内部電極１８間に
は、還元再酸化型半導体磁器ユニット１２の内部抵抗と
容量とが並列接続された形となる。
は、還元再酸化型半導体磁器ユニット１２の内部抵抗と
容量とが並列接続された形となる。
さらに、その並列接続された内部抵抗と容量とが、第１
の電極１４および第２の電極１６間で取り出される。
の電極１４および第２の電極１６間で取り出される。
したがって、この還元再酸化型半導体磁器コンデンサ１
０では、第５図に示す従来例に比べて、内部抵抗が並列
に接続された形となり、その等価直列抵抗を小さくでき
、その結果、その高周波特性の劣化を少なくでき計算通
りの容量のものが得られる。しかも、従来例に比べて、
コンデンサを形成すべき電極の対向面積が大きくなるの
で、大容量となる。
０では、第５図に示す従来例に比べて、内部抵抗が並列
に接続された形となり、その等価直列抵抗を小さくでき
、その結果、その高周波特性の劣化を少なくでき計算通
りの容量のものが得られる。しかも、従来例に比べて、
コンデンサを形成すべき電極の対向面積が大きくなるの
で、大容量となる。
」■
まず、ＢａＴｉＯ３８７モル％、ＢａＺｒＯ３１３モル
％の組成比率からなる原料で、還元再酸化型半導体磁器
ユニット１２の材料となる肉厚５００μｍ、たて７ｍｍ
、よこ９ｍｍの大きさのセラミックグリーンシートを、
２枚形成した。
％の組成比率からなる原料で、還元再酸化型半導体磁器
ユニット１２の材料となる肉厚５００μｍ、たて７ｍｍ
、よこ９ｍｍの大きさのセラミックグリーンシートを、
２枚形成した。
そして、一方のセラミックグリーンシートの主表面中央
に、内部電極１８の材料となるパラジウムなどの高融点
金属材料を主体とする電極ペーストを、たて６ｍｍ、よ
こ８ｍｍの大きさで印刷した。
に、内部電極１８の材料となるパラジウムなどの高融点
金属材料を主体とする電極ペーストを、たて６ｍｍ、よ
こ８ｍｍの大きさで印刷した。
それから、電極ペーストの印刷面が内側になるように、
２枚のセラミックグリーンシー１・を積み重ねて、８０
℃、 ２０ ｔ ／ｃＪで圧着した。
２枚のセラミックグリーンシー１・を積み重ねて、８０
℃、 ２０ ｔ ／ｃＪで圧着した。
さらに、その圧着物の一端部を切断して、その一端から
電極ペーストを露出させ、１３５０℃で２時間焼成した
。
電極ペーストを露出させ、１３５０℃で２時間焼成した
。
次に、その焼成物を、水素１５容量％、窒素８５容量％
の還元雰囲気中で、１１００℃で１時間還元熱処理して
半導体化し、半導体部分１２ａを形成した。
の還元雰囲気中で、１１００℃で１時間還元熱処理して
半導体化し、半導体部分１２ａを形成した。
ついで、９００℃の空気中で１時間熱処理して半導体部
分１２ａの表面に再酸化層１２ｂを形成し、還元再酸化
型半導体磁器ユニット１２を形成した。
分１２ａの表面に再酸化層１２ｂを形成し、還元再酸化
型半導体磁器ユニット１２を形成した。
そして、還元再酸化型半導体磁器ユニット１２の表面に
、第１の電極Ｉ４および第２の電ＪＫ１６の材料となる
たとえば銀などの電極ペーストを、塗布して焼付けた。
、第１の電極Ｉ４および第２の電ＪＫ１６の材料となる
たとえば銀などの電極ペーストを、塗布して焼付けた。
なお、この場合、ユニソ１−１２内の電極ペーストが内
部電極】８として形成され、第１の電極１４はこの内部
電極１８に接続される。
部電極】８として形成され、第１の電極１４はこの内部
電極１８に接続される。
この還元再酸化型半導体磁器コンデンサ１０は、第２図
に示すように、たて５．３ｍ■、よこ６．５１、厚さ０
．７５ｍ５の寸法で形成された。また、この還元再酸化
型半導体磁器コンデンサ１０では、第１の電極１４がそ
の一端から中央に向けて０゜５１１＋の寸法で形成され
、第２の電極１６が第１の電極Ｉ４から０．８ｍｍのギ
ャップを隔てて形成され、さらに、内部電極１８がたて
４．６１．よこ５゜２１Ａ■の寸法で形成された。
に示すように、たて５．３ｍ■、よこ６．５１、厚さ０
．７５ｍ５の寸法で形成された。また、この還元再酸化
型半導体磁器コンデンサ１０では、第１の電極１４がそ
の一端から中央に向けて０゜５１１＋の寸法で形成され
、第２の電極１６が第１の電極Ｉ４から０．８ｍｍのギ
ャップを隔てて形成され、さらに、内部電極１８がたて
４．６１．よこ５゜２１Ａ■の寸法で形成された。
この還元再酸化型半導体磁器コンデンサ１０の電極１４
および第２の電極１６間の静電容量を測定したところ、
その容量は３００ｎＦであった。
および第２の電極１６間の静電容量を測定したところ、
その容量は３００ｎＦであった。
これは、この実施例と同じ大きさで内部電極のない従来
の還元再酸化型半導体磁器コンデンサに比べて、２〜４
倍の容量が得られたことになる。また、その等個直列抵
抗は、従来のものに比べて、小さかった。
の還元再酸化型半導体磁器コンデンサに比べて、２〜４
倍の容量が得られたことになる。また、その等個直列抵
抗は、従来のものに比べて、小さかった。
なお、上述の実験例では、第１の電極１４を非オーム性
電極で形成し、内部電極１８は高融点金属材料を主体と
する電極ペーストで形成したが、この発明では、第１の
電極１４をたとえばアルミニウムなどを主体とする電極
ペーストを焼き付けたオーム性焼付電極で形成してもよ
いし、内部電極１８を溶融金属を注入して形成してもよ
い。
電極で形成し、内部電極１８は高融点金属材料を主体と
する電極ペーストで形成したが、この発明では、第１の
電極１４をたとえばアルミニウムなどを主体とする電極
ペーストを焼き付けたオーム性焼付電極で形成してもよ
いし、内部電極１８を溶融金属を注入して形成してもよ
い。
また、第４図に示すように、複数個積層した積層型とし
て、大容量化を図ってもよい。
て、大容量化を図ってもよい。
さらに、還元再酸化型半導体磁器ユニットの形状や電極
の形状を任意に変更してもよい。
の形状を任意に変更してもよい。
第１図はこの発明の一実施例を示す断面図である。
第２図はこの発明の実験例を示す平面図である。
第３図は第１図実施例の変形例を示す断面図である。
第４図は、第１図実施例のさらに別の変形例を示す断面
図である。 第５図は従来の還元再酸化型半導体磁器コンデンサを示
す断面図である。 第６図は第５図に示す従来例の等価回路図である。 図において、１０は還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
、１２は還元再酸化型半導体磁器ユニット、１２ａは半
導体部分、１２ｂは再酸化層、１４は第１の電極、１６
は第２の電極、１８は内部電極を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 （ばか１名）
図である。 第５図は従来の還元再酸化型半導体磁器コンデンサを示
す断面図である。 第６図は第５図に示す従来例の等価回路図である。 図において、１０は還元再酸化型半導体磁器コンデンサ
、１２は還元再酸化型半導体磁器ユニット、１２ａは半
導体部分、１２ｂは再酸化層、１４は第１の電極、１６
は第２の電極、１８は内部電極を示す。 特許出願人 株式会社 村田製作所 代理人 弁理士 岡 １） 全 啓 （ばか１名）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体部分および表面に露出する再酸化層を有する還
元再酸化型半導体磁器ユニットと、前記半導体部分の表
面に形成される少なくとも２つの電極とを含む還元再酸
化型半導体磁気コンデンサにおいて、 前記ユニットの内部半導体部分に形成されかつ前記電極
の１つに接続される内部電極を含むことを特徴とする、
還元再酸化型半導体磁器コンデンサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22562685A JPS6285419A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22562685A JPS6285419A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285419A true JPS6285419A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16832254
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22562685A Pending JPS6285419A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 還元再酸化型半導体磁器コンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285419A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009252790A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 圧電材料および圧電素子 |
| JP2009252789A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 圧電材料および圧電素子 |
-
1985
- 1985-10-09 JP JP22562685A patent/JPS6285419A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009252790A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 圧電材料および圧電素子 |
| JP2009252789A (ja) * | 2008-04-01 | 2009-10-29 | Seiko Epson Corp | 圧電材料および圧電素子 |
| US8102100B2 (en) * | 2008-04-01 | 2012-01-24 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric material and piezoelectric element |
| US8395302B2 (en) | 2008-04-01 | 2013-03-12 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric material and piezoelectric element |
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