JPS6285496A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPS6285496A JPS6285496A JP22650285A JP22650285A JPS6285496A JP S6285496 A JPS6285496 A JP S6285496A JP 22650285 A JP22650285 A JP 22650285A JP 22650285 A JP22650285 A JP 22650285A JP S6285496 A JPS6285496 A JP S6285496A
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- conductor layer
- conductor
- plating
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は回路基板の製造方法、特に抵抗体を備え、多
層、高密度な回路基板の製造方法に関するものである。
層、高密度な回路基板の製造方法に関するものである。
従来、この種の回路基板としては、アルミナセラミック
基板などの絶縁性＃４熱基板上に、厚膜導体ペース】・
、厚膜抵抗ペーストを印刷、焼成する厚膜形成技術を用
いて形成される厚膜混成集積回路基板、蒸着、スパッタ
リングなどの薄膜形成技術を用いて形成される薄膜混成
集積回路基板、厚膜、薄膜両者を組み合わせたものなど
が主として用いられてきた。
基板などの絶縁性＃４熱基板上に、厚膜導体ペース】・
、厚膜抵抗ペーストを印刷、焼成する厚膜形成技術を用
いて形成される厚膜混成集積回路基板、蒸着、スパッタ
リングなどの薄膜形成技術を用いて形成される薄膜混成
集積回路基板、厚膜、薄膜両者を組み合わせたものなど
が主として用いられてきた。
薄膜混成集積回路基板は、高信頼性、高性能、微細パタ
ーン等が要求される分野、主として産業用電子機器など
に使用されており、厚膜混成集積回路基板に比べてコス
トは高くなる。
ーン等が要求される分野、主として産業用電子機器など
に使用されており、厚膜混成集積回路基板に比べてコス
トは高くなる。
一方、厚膜混成集積回路基板は、民生用から産業用まで
殆どの分野で使用されている。
殆どの分野で使用されている。
第２図は従来例の厚膜混成集積回路基板を示す断面図で
、図において、（１０１）は基板、例えばアルミナセラ
ミックで、（１０２）は厚膜導体による第１導体層、（
１０３）は厚膜抵抗体、（１０４）はクロスガラス層、
（１０５）は厚膜導体による第２導体層を示している。
、図において、（１０１）は基板、例えばアルミナセラ
ミックで、（１０２）は厚膜導体による第１導体層、（
１０３）は厚膜抵抗体、（１０４）はクロスガラス層、
（１０５）は厚膜導体による第２導体層を示している。
導体層には銀−パラジウム、白金−パラジウム、金など
の貴金属ペースト、抵抗体には酸化ルテニウムなどのサ
ーメット抵抗ペーストを用い、印刷、焼成によって形成
している。この貴金属ペーストは、価格が高く、これら
の汎用厚膜導体材料では導体シート抵抗値が２０〜１０
０μ和と高（、回路実装の信号伝送系に問題を生じると
いう問題点があった。また、主として用いられる銀は、
回路素子を半田付けする際に溶融半田中に溶解してしま
うパ半田喰われ”の問題があり、銀入り半田の使用、温
度管理など半田付はプロセスの慎重なコン１−ロールが
必要である。
の貴金属ペースト、抵抗体には酸化ルテニウムなどのサ
ーメット抵抗ペーストを用い、印刷、焼成によって形成
している。この貴金属ペーストは、価格が高く、これら
の汎用厚膜導体材料では導体シート抵抗値が２０〜１０
０μ和と高（、回路実装の信号伝送系に問題を生じると
いう問題点があった。また、主として用いられる銀は、
回路素子を半田付けする際に溶融半田中に溶解してしま
うパ半田喰われ”の問題があり、銀入り半田の使用、温
度管理など半田付はプロセスの慎重なコン１−ロールが
必要である。
さらに各層を厚膜で形成するため微細パターンの形成に
は１００〜２００μｍ巾迄との限界があり、部分的な多
層化、２〜３層の多層しかできなかった。
は１００〜２００μｍ巾迄との限界があり、部分的な多
層化、２〜３層の多層しかできなかった。
上記のような従来の回路基板では導体パターンの微細化
が難しく、かつ部分的な多層化しかできず、十分な高密
度化、高機能化が達成てきないという問題点があった。
が難しく、かつ部分的な多層化しかできず、十分な高密
度化、高機能化が達成てきないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、基板上に抵抗体を有し、微細な導体パターン
が形成できるとともに導体層の多層化を行なうことによ
り、高密度、高機能な回路基板の製造方法を提供するこ
とを目的としている。。
たもので、基板上に抵抗体を有し、微細な導体パターン
が形成できるとともに導体層の多層化を行なうことによ
り、高密度、高機能な回路基板の製造方法を提供するこ
とを目的としている。。
この発明の回路基板の製造方法は、基板に抵抗体を形成
する工程、この抵抗体に接続して」−記基板に写真製版
法及びめっき法を用いて所定パターンの第１導体層を形
成する工程、第１導体層を形成した基板に写真製版法を
用いて所定パターンの絶縁性樹脂層を形成する工程、並
びに上記絶縁性樹脂層を形成した基板に写真製版法及び
めっき法を用いて所定パターンの第２導体層を形成する
工程を施すものである。
する工程、この抵抗体に接続して」−記基板に写真製版
法及びめっき法を用いて所定パターンの第１導体層を形
成する工程、第１導体層を形成した基板に写真製版法を
用いて所定パターンの絶縁性樹脂層を形成する工程、並
びに上記絶縁性樹脂層を形成した基板に写真製版法及び
めっき法を用いて所定パターンの第２導体層を形成する
工程を施すものである。
この発明による第１導体層は、絶縁性基板上に形成され
た抵抗体と接続して、めっきにより形成されるので、導
体と抵抗体の電気的接続が達成されるとともに、写真製
版法を用いてパターニングされるので微細な導体パター
ンが得られる。また、絶縁性樹脂層を部分的に除去して
貫通孔を設け、乙の部分にめっきにより導体層を形成し
ておけば第１導体層と第２導体層との電気的接続が達成
される。また、第２導体層は、めっきにより形成され、
写真製版法によりパターニングされるので、第１導体層
と同様に微細な導体パターンが得られる。さらに導体層
がめっきにより形成されるので多層化が容易になる。な
お、めっき金属として卑金属（例えば銅、ニッケルなど
）を用いれば″″半田喰われ″がなく半田付信頼性が向
上するとともに、抵抗も小さくできる。
た抵抗体と接続して、めっきにより形成されるので、導
体と抵抗体の電気的接続が達成されるとともに、写真製
版法を用いてパターニングされるので微細な導体パター
ンが得られる。また、絶縁性樹脂層を部分的に除去して
貫通孔を設け、乙の部分にめっきにより導体層を形成し
ておけば第１導体層と第２導体層との電気的接続が達成
される。また、第２導体層は、めっきにより形成され、
写真製版法によりパターニングされるので、第１導体層
と同様に微細な導体パターンが得られる。さらに導体層
がめっきにより形成されるので多層化が容易になる。な
お、めっき金属として卑金属（例えば銅、ニッケルなど
）を用いれば″″半田喰われ″がなく半田付信頼性が向
上するとともに、抵抗も小さくできる。
以下、乙の発明の一実施例を図について工程順に説明す
る。
る。
第１図（ａ）〜（ｆ）の断面図において（１）は基板で
、この場合は絶縁性のアルミナセラミック基板、（２）
はアルミナセラミック基板（１）上に形成された抵抗体
で、この場合は酸化ルテニウム系厚膜抵抗体、（３）は
アルミナセラミック基板（１）上に酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体（２）と接続するように形成された無電解めっ
きに対する触媒作用を有する活性化層、（４）は活性化
層（３）−ヒに第１導体層（５）が形成されるべき部分
のみを除いて形成された樹脂層で、この場合は感光性を
有するポリイミド前駆体を用いて形成されたポリイミド
層、（５）は活性化層（３）上でポリイミド層（４）の
存在しない部分のみに無電解めっきによって形成された
第１導体層、（６）は第１導体層（５）と第２導体層（
８）とを絶縁するための絶縁性Ｖｊ４脂層で、乙の場合
は感光性を有するポリイミド前駆体を用いて形成された
ポリイミド層、（７）は第１導体層（５）と第２導体層
（８）とを接続するためにポリイミド層（６）に形成さ
れた貫通孔、（８）は第１導体層（５）の露出部及び絶
縁性樹脂層（６）上に無電解めっき及び電気めっきによ
り形成された後、エツチングによりパターニングされた
第２導体層である。
、この場合は絶縁性のアルミナセラミック基板、（２）
はアルミナセラミック基板（１）上に形成された抵抗体
で、この場合は酸化ルテニウム系厚膜抵抗体、（３）は
アルミナセラミック基板（１）上に酸化ルテニウム系厚
膜抵抗体（２）と接続するように形成された無電解めっ
きに対する触媒作用を有する活性化層、（４）は活性化
層（３）−ヒに第１導体層（５）が形成されるべき部分
のみを除いて形成された樹脂層で、この場合は感光性を
有するポリイミド前駆体を用いて形成されたポリイミド
層、（５）は活性化層（３）上でポリイミド層（４）の
存在しない部分のみに無電解めっきによって形成された
第１導体層、（６）は第１導体層（５）と第２導体層（
８）とを絶縁するための絶縁性Ｖｊ４脂層で、乙の場合
は感光性を有するポリイミド前駆体を用いて形成された
ポリイミド層、（７）は第１導体層（５）と第２導体層
（８）とを接続するためにポリイミド層（６）に形成さ
れた貫通孔、（８）は第１導体層（５）の露出部及び絶
縁性樹脂層（６）上に無電解めっき及び電気めっきによ
り形成された後、エツチングによりパターニングされた
第２導体層である。
まずアルミナセラミック基板（１）上に酸化ルテニウム
系抵抗ペースト（図示せず）をスクリーン印刷し、ベル
ト炉を使用して最高温度８５０℃で焼成することにより
、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体（２）を形成する。（第
１図ａ） 次にガラス粉末と無電解メッキに対する触媒作用を有す
るパラジウム金属粒子を主成分とするペースト（例えば
奥野製薬製（商標）キャタペース１− ＣＣＰ−３７３
０）を、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体（２）と接触する
ようにスクリーン印刷し、焼成しく前記キャタペースト
ＣＣＰ−３７３０では最高温度６８０℃で焼成）活性化
層（３）を形成する。（第１図ｂ）次に、感光性を有す
るポリイミド前駆体（図示せず、例えば東し製（商標）
フォトニース）を抵抗体（２）上も含め塗布、乾燥し、
適当なマスクを用いて紫外線で露光する。その後、現像
液（フォｌ−ニースの場合Ｎメチル−２−ピロリドンと
メタノールを主成分とする）中で現像することにより、
露光されなかった部分のポリイミド前駆体が除去され、
引き続き加熱硬化（フォＩ・ニースの場合最高温度３５
０℃）する乙とにより、ポリイミド層（４）を形成する
。乙のようにして無電解メッキ工程中安定な樹脂層を、
活性化層（３）の第１導体層（５）が形成されるべき部
分を除き、写真製版法により形成する。（第１図Ｃ） 引き続きこの基板全体を無電解メッキ液に浸漬する。例
えば、無電解銅メッキ液マクダミット９０４８（商品名
、マクダミット社製）を６０℃に保持し、この中に浸漬
することにより、上記活性化層（３）が露出した部分の
みに銅メッキが析出し、第１導体層（５）が形成される
。この導体層パターンは写真製版によりパターニングが
行われており、微細なものである。（第１図ｄ） 次に感光性を有するポリイミド前駆体を基板上に塗布、
乾燥し、適当なマスクを用いて紫外線で露光する。その
後、現像液中で現像することにより、露光されなかった
部分のポリイミド前駆体が除去され、引き続き加熱硬化
することにより貫通孔（７）を有するポリイミド層（６
）が得られる。（第１図ｅ） 次に、この基板に無電解めっきを析出させるための活性
化処理を施し、引き続き無電解めっき浴に浸漬すること
により基板上全面にめっきが析出する。これに電気めっ
きを施した後、写真製版法を用いてレジスト層を形成し
、エツチングすることにより第２導体層（８）が得られ
る。（第１図ｆ）上記実施例では抵抗体として酸化ルテ
ニウム系厚膜抵抗体を用いた場合について述べたが、樹
脂中に導電性粒子を分散させて形成される樹脂抵抗体を
使用してもよい。
系抵抗ペースト（図示せず）をスクリーン印刷し、ベル
ト炉を使用して最高温度８５０℃で焼成することにより
、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体（２）を形成する。（第
１図ａ） 次にガラス粉末と無電解メッキに対する触媒作用を有す
るパラジウム金属粒子を主成分とするペースト（例えば
奥野製薬製（商標）キャタペース１− ＣＣＰ−３７３
０）を、酸化ルテニウム系厚膜抵抗体（２）と接触する
ようにスクリーン印刷し、焼成しく前記キャタペースト
ＣＣＰ−３７３０では最高温度６８０℃で焼成）活性化
層（３）を形成する。（第１図ｂ）次に、感光性を有す
るポリイミド前駆体（図示せず、例えば東し製（商標）
フォトニース）を抵抗体（２）上も含め塗布、乾燥し、
適当なマスクを用いて紫外線で露光する。その後、現像
液（フォｌ−ニースの場合Ｎメチル−２−ピロリドンと
メタノールを主成分とする）中で現像することにより、
露光されなかった部分のポリイミド前駆体が除去され、
引き続き加熱硬化（フォＩ・ニースの場合最高温度３５
０℃）する乙とにより、ポリイミド層（４）を形成する
。乙のようにして無電解メッキ工程中安定な樹脂層を、
活性化層（３）の第１導体層（５）が形成されるべき部
分を除き、写真製版法により形成する。（第１図Ｃ） 引き続きこの基板全体を無電解メッキ液に浸漬する。例
えば、無電解銅メッキ液マクダミット９０４８（商品名
、マクダミット社製）を６０℃に保持し、この中に浸漬
することにより、上記活性化層（３）が露出した部分の
みに銅メッキが析出し、第１導体層（５）が形成される
。この導体層パターンは写真製版によりパターニングが
行われており、微細なものである。（第１図ｄ） 次に感光性を有するポリイミド前駆体を基板上に塗布、
乾燥し、適当なマスクを用いて紫外線で露光する。その
後、現像液中で現像することにより、露光されなかった
部分のポリイミド前駆体が除去され、引き続き加熱硬化
することにより貫通孔（７）を有するポリイミド層（６
）が得られる。（第１図ｅ） 次に、この基板に無電解めっきを析出させるための活性
化処理を施し、引き続き無電解めっき浴に浸漬すること
により基板上全面にめっきが析出する。これに電気めっ
きを施した後、写真製版法を用いてレジスト層を形成し
、エツチングすることにより第２導体層（８）が得られ
る。（第１図ｆ）上記実施例では抵抗体として酸化ルテ
ニウム系厚膜抵抗体を用いた場合について述べたが、樹
脂中に導電性粒子を分散させて形成される樹脂抵抗体を
使用してもよい。
なお上記実施例では、無電解めっきを析出させるための
活性化層を形成し、この活性化層上にパターン状に樹脂
層を形成し、活性化層の露出部分のみに第１導体層を無
電解めっきにより形成する場合について述べたが、無電
解めっき及び必要に応じて電気めっきを併用し所定のパ
ターン部以外にも導体層を形成した後、写真製版法を用
いてレジスＩ・層を形成し、エツチングすることにより
形成してもよい。
活性化層を形成し、この活性化層上にパターン状に樹脂
層を形成し、活性化層の露出部分のみに第１導体層を無
電解めっきにより形成する場合について述べたが、無電
解めっき及び必要に応じて電気めっきを併用し所定のパ
ターン部以外にも導体層を形成した後、写真製版法を用
いてレジスＩ・層を形成し、エツチングすることにより
形成してもよい。
さらに、導体層のパターニング法として、無電解めっき
により導体層を形成した後、写真製版法を用いてレジス
ト層を形成し、レジストが除去され無電解めっきによる
導体層の露出した部分のみに電気めっきを析出させ、続
いてレジス１〜層の除去、及びレジストの除去により露
出した無電解めっきによる導体層を除去する方法を、第
１導体層、第２導体層の一方又は双方に適用してもよい
。
により導体層を形成した後、写真製版法を用いてレジス
ト層を形成し、レジストが除去され無電解めっきによる
導体層の露出した部分のみに電気めっきを析出させ、続
いてレジス１〜層の除去、及びレジストの除去により露
出した無電解めっきによる導体層を除去する方法を、第
１導体層、第２導体層の一方又は双方に適用してもよい
。
また、第１導体層を形成する際に無電解めっきを析出さ
せるための活性化層をペーストの印刷、焼成により形成
する場合について述へたが、他の無電解めっきを析出さ
せるための活性化処理でも、絶縁性基板、抵抗体と良好
な密着力を有する無電解めっき皮膜を得られるものであ
れば良い。
せるための活性化層をペーストの印刷、焼成により形成
する場合について述へたが、他の無電解めっきを析出さ
せるための活性化処理でも、絶縁性基板、抵抗体と良好
な密着力を有する無電解めっき皮膜を得られるものであ
れば良い。
なお、上記実施例では、絶縁性樹脂層を感光性を有する
ポリイミド前駆体を用いて形成する場合について述へた
が、パターニングが可能で例えば別個なフォトレジス１
−膜を使用してエツチングが可能で無電解メッキ液中で
安定であれば良く、例えばホリアミドカルボン酸系ワニ
ス（これ自身は感光性なし）、エポキシ樹脂等（これ自
身は感光性なし）でも良い。
ポリイミド前駆体を用いて形成する場合について述へた
が、パターニングが可能で例えば別個なフォトレジス１
−膜を使用してエツチングが可能で無電解メッキ液中で
安定であれば良く、例えばホリアミドカルボン酸系ワニ
ス（これ自身は感光性なし）、エポキシ樹脂等（これ自
身は感光性なし）でも良い。
また、上記実施例では、導体層が２層の場合について述
べたが、絶縁性樹脂層の形成、それに続くめっきによる
導体層の形成のプロセスを繰り返すことにより層数を多
くすることが出来ることは言うまでもない。
べたが、絶縁性樹脂層の形成、それに続くめっきによる
導体層の形成のプロセスを繰り返すことにより層数を多
くすることが出来ることは言うまでもない。
この発明は以上説明したとおり、基板に抵抗体を形成す
る工程、この抵抗体に接続して上記基板に写真製版法及
びめっき法を用いて所定パターンの第１導体層を形成す
る工程、第１導体層を形成した基板に写真製版法を用い
て所定パターンの絶縁性樹脂層を形成する工程、並びに
上記絶縁性樹脂層を形成した基板に写真製版法及びめっ
き法を用いて所定パターンの第２導体層を形成する工程
を施すことにより、微細な導体パターンを形成すること
ができ、かつ抵抗体も形成され、多層化も容易に達成で
きるので、高密度、高機能な回路基板を形成できる効果
がある。また、導体材料として卑金属を使用でき、例え
ば銅、ニッケル等を使用すれば、ばんｔ！付は時の導体
層われ、マイグレーション等を低減でき信頼性を高める
ことができるとともに、コストの低減を達成できる。
る工程、この抵抗体に接続して上記基板に写真製版法及
びめっき法を用いて所定パターンの第１導体層を形成す
る工程、第１導体層を形成した基板に写真製版法を用い
て所定パターンの絶縁性樹脂層を形成する工程、並びに
上記絶縁性樹脂層を形成した基板に写真製版法及びめっ
き法を用いて所定パターンの第２導体層を形成する工程
を施すことにより、微細な導体パターンを形成すること
ができ、かつ抵抗体も形成され、多層化も容易に達成で
きるので、高密度、高機能な回路基板を形成できる効果
がある。また、導体材料として卑金属を使用でき、例え
ば銅、ニッケル等を使用すれば、ばんｔ！付は時の導体
層われ、マイグレーション等を低減でき信頼性を高める
ことができるとともに、コストの低減を達成できる。
第１図（ａ）〜（ｆ）はこの発明の一実施例の回路基板
の製造方法を工程順に示す断面図で、第２図は従来例の
回路基板を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁性基板、（２）は抵抗体、（
５）は第１導体層、（６）は絶縁性樹脂層、（８）は第
２導体層である。
の製造方法を工程順に示す断面図で、第２図は従来例の
回路基板を示す断面図である。 図において、（１）は絶縁性基板、（２）は抵抗体、（
５）は第１導体層、（６）は絶縁性樹脂層、（８）は第
２導体層である。
Claims (5)
- （１）基板に抵抗体を形成する工程、この抵抗体に接続
して上記基板に写真製版法及びめっき法を用いて所定パ
ターンの第１導体層を形成する工程、第１導体層を形成
した基板に写真製版法を用いて所定パターンの絶縁性樹
脂層を形成する工程、並びに上記絶縁性樹脂層を形成し
た基板に写真製版法及びめっき法を用いて所定パターン
の第２導体層を形成する工程を施す回路基板の製造方法
。 - （２）抵抗体はサーメット抵抗体である特許請求の範囲
第１項記載の回路基板の製造方法。 - （３）抵抗体は樹脂抵抗体である特許請求の範囲第１項
記載の回路基板の製造方法。 - （４）めっきは銅及びニッケルのいずれか一方のめっき
である特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに
記載の回路基板の製造方法。 - （５）絶縁性樹脂層は感光性を有するポリイミド層であ
る特許請求の範囲第１項ないし第４項のいずれかに記載
の回路基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22650285A JPS6285496A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22650285A JPS6285496A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 回路基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6285496A true JPS6285496A (ja) | 1987-04-18 |
Family
ID=16846116
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22650285A Pending JPS6285496A (ja) | 1985-10-09 | 1985-10-09 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6285496A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6457695A (en) * | 1987-08-27 | 1989-03-03 | Nec Corp | Hybrid integrated circuit |
| JPH04147695A (ja) * | 1990-10-11 | 1992-05-21 | Mitsubishi Materials Corp | 抵抗内蔵型多層基板 |
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-
1985
- 1985-10-09 JP JP22650285A patent/JPS6285496A/ja active Pending
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