JPS6286903A - 超高周波フイルタの構造 - Google Patents
超高周波フイルタの構造Info
- Publication number
- JPS6286903A JPS6286903A JP60226941A JP22694185A JPS6286903A JP S6286903 A JPS6286903 A JP S6286903A JP 60226941 A JP60226941 A JP 60226941A JP 22694185 A JP22694185 A JP 22694185A JP S6286903 A JPS6286903 A JP S6286903A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric substrate
- metal plate
- hole
- layer
- strip line
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- Waveguide Connection Structure (AREA)
- Waveguides (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明ばストリップラインによって形成されろ超高周波
フィルタの構造に関する。
フィルタの構造に関する。
レーダに使用される幅広い周波数帯域のマイクロ波の受
信は、このマイクロ波をン戸波周波数の異なる複数の超
高周波フィルタによって泪彼し、ン戸波して得られた各
周波数のマイクロ波を局部発信器によって中間周波数に
変換するのが一般に行われる方法である。この際、複数
の超高周波フィルタは同一ストリップライン平面上又は
同軸ケーブル等に」、って互いに接続配線されろ。
信は、このマイクロ波をン戸波周波数の異なる複数の超
高周波フィルタによって泪彼し、ン戸波して得られた各
周波数のマイクロ波を局部発信器によって中間周波数に
変換するのが一般に行われる方法である。この際、複数
の超高周波フィルタは同一ストリップライン平面上又は
同軸ケーブル等に」、って互いに接続配線されろ。
係る超高層１１Ｊｌ フィルタは、ストリップラインに
よって誘電体基板上に形成される。この場合、超高周波
フィルタを構成する容量素子はストリップラインのパタ
ーン幅を広くすることによって得られ、イノグクタンス
はストリップラインのパターン幅を狭くずろことによっ
て得られろ。又、直列容量素子は誘電体基板を挾んでス
トリップラインを重ね合わせることによって形成される
ことは周知の通りである。
よって誘電体基板上に形成される。この場合、超高周波
フィルタを構成する容量素子はストリップラインのパタ
ーン幅を広くすることによって得られ、イノグクタンス
はストリップラインのパターン幅を狭くずろことによっ
て得られろ。又、直列容量素子は誘電体基板を挾んでス
トリップラインを重ね合わせることによって形成される
ことは周知の通りである。
ところで、ストリップラインによって超高周波フィルタ
を形成することによって、マイクロ波受信器の小型化を
図る乙とができるが、上述したように複数の超高周波フ
ィルタを接続配線使用することによって、マイクロ波受
信器の小型化が難しくなる場合が生じるという問題があ
った。
を形成することによって、マイクロ波受信器の小型化を
図る乙とができるが、上述したように複数の超高周波フ
ィルタを接続配線使用することによって、マイクロ波受
信器の小型化が難しくなる場合が生じるという問題があ
った。
本発明は上記問題点を解決するためになされたもので、
マイクロ波受信器の小型化を容易にする超高周波フィル
タの構造を提供することを目的とする。
マイクロ波受信器の小型化を容易にする超高周波フィル
タの構造を提供することを目的とする。
そこで本光明では、下層金属板と、下層金属板の上方に
下層金属板と所定の間隔を隔てて配置され、下面に下層
ストリップラインによる超高周波フィルタが形成されて
いるとともに、下層ストリップラインの始端部分を臨む
位置に所定の大きさの穴が穿設された下層誘電体基板と
、下層誘電体基板の上方に下層誘電体基板と所定の間隔
を隔てて配置され、下層誘電体基板の穴穿設位置に対応
する位置に下層誘電体基板の穴よりも大きい穴が穿設さ
れた中層金属板と、中層金属板の上方に中層金属板と所
定の間隔を隔てて配置され、上面に上層ス）−リップラ
インによる超高周波フィルタが形成されているとともに
、上層ストリップラインの終端部分を臨む位置であって
、下層誘電体基板の穴穿設位置に対応する位置に下層誘
電体基板の穴と略同し大きさの穴が設けられた上層誘電
体基板と、上層誘電体基板の上方に上層誘電体基板と所
定の間隔を隔てて配置された上層金属板と、下層誘電体
基板の穴、中層金属板の穴及び下層誘電体基板の穴を介
して上層ストリップラインと下層ストリップラインとを
接続する中心導体及び中心導体を上層ストリップライン
に接続するために必要な部分を除き、上層誘電体基板の
穴からの突出部分が上層金属板の下面に当接し、中心導
体を下層ストリップラインに接続するために必要な部分
を除き、下層誘電体基板の穴からの突出部分が下層金属
板の上面に当接し、上層誘電体基板の下面から下層誘電
体基板の上面までの部分が中層金属板の穴に嵌挿し得ろ
形状の誘電体から構成された接続部材とから超高周波フ
ィルタの構造を構成する。
下層金属板と所定の間隔を隔てて配置され、下面に下層
ストリップラインによる超高周波フィルタが形成されて
いるとともに、下層ストリップラインの始端部分を臨む
位置に所定の大きさの穴が穿設された下層誘電体基板と
、下層誘電体基板の上方に下層誘電体基板と所定の間隔
を隔てて配置され、下層誘電体基板の穴穿設位置に対応
する位置に下層誘電体基板の穴よりも大きい穴が穿設さ
れた中層金属板と、中層金属板の上方に中層金属板と所
定の間隔を隔てて配置され、上面に上層ス）−リップラ
インによる超高周波フィルタが形成されているとともに
、上層ストリップラインの終端部分を臨む位置であって
、下層誘電体基板の穴穿設位置に対応する位置に下層誘
電体基板の穴と略同し大きさの穴が設けられた上層誘電
体基板と、上層誘電体基板の上方に上層誘電体基板と所
定の間隔を隔てて配置された上層金属板と、下層誘電体
基板の穴、中層金属板の穴及び下層誘電体基板の穴を介
して上層ストリップラインと下層ストリップラインとを
接続する中心導体及び中心導体を上層ストリップライン
に接続するために必要な部分を除き、上層誘電体基板の
穴からの突出部分が上層金属板の下面に当接し、中心導
体を下層ストリップラインに接続するために必要な部分
を除き、下層誘電体基板の穴からの突出部分が下層金属
板の上面に当接し、上層誘電体基板の下面から下層誘電
体基板の上面までの部分が中層金属板の穴に嵌挿し得ろ
形状の誘電体から構成された接続部材とから超高周波フ
ィルタの構造を構成する。
上記構成の超高周波フィルタの構造は、下層金属板、下
層誘電体基板、中層金属板、上層誘電体基板及び上層金
属板をそれぞれ所定の間隔を隔てて積層（７て配置し、
上ＰＪ誘電体基板の穴からの突出部分が上層金属板の下
面に当接（７、下層誘電体基板の穴からの突出部分が下
層金属板の上面に当接し、上層誘電体基板の下面から下
層誘電体基板の上面までの部分が中層金属板の穴に嵌挿
し得ろ形状の誘電体で被覆された中心導体によって上層
ストす・ツブラインと下層ストリップラインとを接続す
る。
層誘電体基板、中層金属板、上層誘電体基板及び上層金
属板をそれぞれ所定の間隔を隔てて積層（７て配置し、
上ＰＪ誘電体基板の穴からの突出部分が上層金属板の下
面に当接（７、下層誘電体基板の穴からの突出部分が下
層金属板の上面に当接し、上層誘電体基板の下面から下
層誘電体基板の上面までの部分が中層金属板の穴に嵌挿
し得ろ形状の誘電体で被覆された中心導体によって上層
ストす・ツブラインと下層ストリップラインとを接続す
る。
以下、本発明の一実施例を添付図面を参照して詳細に説
明する。
明する。
第１図は本発明に係る超高周波フィルタの構造の概略図
であって、第１図（ａ）が側面図、第１図（ｂ）が正面
図である。第１図において、１は下層金属板、２は下層
金属板１の上方に下層金属板１と所定の間隔を隔てて配
置された下層誘電体基板、３は下層誘電体基板２の下面
に形成された超高周波フィルタを構成する下層ストリッ
プライン、２ａは下層ストリップライン３の始端部分を
臨む位置に穿設された所定の大きさの穴、４は下層誘電
体基板２の下面両端部と下層金属板１の上面両端部との
間に介在されたスペーサ、５は下層誘電体基板２の上方
に下層誘電体基板２と所定の間隔を隔てて配置された中
層金属板、５ａは下層誘電体基板２の穴穿設位置に対応
する位置に穿設された下層誘電体基板２の穴２ａよりも
大きい穴、６は中層金属板５の下面両端部と下層誘電体
基板２の上面両端部との間に介在されたスペーサ、７ば
中層金属板５の上方に中層金属板５と所定の間隔を隔て
て配置された上層誘電体基板、８は上層ｌ？１電体基板
７の上面に形成された超高周波フィルタを構成する上層
ストリップライン、７ａは上層ス）、す１．ボライン８
の終端部分を臨む位置てあって、下層誘電体基板２の穴
穿設位置に対応する位置に穿設された下層誘電体基板２
の穴２ａと同じ大きさの穴、９１ま上層誘電体基板７の
下面両端部と中層金属板５の上面両端部との間に介在さ
れたスペーサ、】０は上層誘電体基板７の上方に上層誘
電体基板７と所定の間隔を隔てて配置された上層金属板
、１１は上層誘電体基板７の上面両端部と上層金属板Ｉ
Ｏとの間に介在されたスペーサ、１２は上層スＩ−ＩＪ
ツブライン８と下層ストリップライン３とを接続ずろ接
続部材である。接続部材１２は第２図に示すように、上
層ストリップライン８と下層ストリップライン３とを接
続する中心導体１２ａと中心導体１２ａを被覆している
誘電体１２ｂとから構成されている。−中心導体１２ａ
は上Ｂ誘電体基板７の穴７ａ、中層金属板５の穴５ａ及
び下層誘電体基板２の穴２ａに嵌挿されており、上端部
が上筋ストリップライン８に、下端部が下層ス）−リッ
プライン３にそれぞれ接続されている。又、誘電体１２
は中心導体１２ａを上層ストリップライン８に接続する
ために必要な部分を除き、上層誘電体基板７の穴７ａか
らの突出部分が上層金属板】Ｏの下面に当接し、中心導
体１２ａを下層ストリップライン３に接続するために必
要な部分を除き、下Ｎ誘電体基板２の穴２ａからの突出
部分が下層金属板１の上面に当接し、さらに上層誘電体
基板７の下面から下層誘電体基板２の上面までの部分が
中層金ｒＡ板５の穴５ａに嵌挿し得る円柱形状になって
いる。
であって、第１図（ａ）が側面図、第１図（ｂ）が正面
図である。第１図において、１は下層金属板、２は下層
金属板１の上方に下層金属板１と所定の間隔を隔てて配
置された下層誘電体基板、３は下層誘電体基板２の下面
に形成された超高周波フィルタを構成する下層ストリッ
プライン、２ａは下層ストリップライン３の始端部分を
臨む位置に穿設された所定の大きさの穴、４は下層誘電
体基板２の下面両端部と下層金属板１の上面両端部との
間に介在されたスペーサ、５は下層誘電体基板２の上方
に下層誘電体基板２と所定の間隔を隔てて配置された中
層金属板、５ａは下層誘電体基板２の穴穿設位置に対応
する位置に穿設された下層誘電体基板２の穴２ａよりも
大きい穴、６は中層金属板５の下面両端部と下層誘電体
基板２の上面両端部との間に介在されたスペーサ、７ば
中層金属板５の上方に中層金属板５と所定の間隔を隔て
て配置された上層誘電体基板、８は上層ｌ？１電体基板
７の上面に形成された超高周波フィルタを構成する上層
ストリップライン、７ａは上層ス）、す１．ボライン８
の終端部分を臨む位置てあって、下層誘電体基板２の穴
穿設位置に対応する位置に穿設された下層誘電体基板２
の穴２ａと同じ大きさの穴、９１ま上層誘電体基板７の
下面両端部と中層金属板５の上面両端部との間に介在さ
れたスペーサ、】０は上層誘電体基板７の上方に上層誘
電体基板７と所定の間隔を隔てて配置された上層金属板
、１１は上層誘電体基板７の上面両端部と上層金属板Ｉ
Ｏとの間に介在されたスペーサ、１２は上層スＩ−ＩＪ
ツブライン８と下層ストリップライン３とを接続ずろ接
続部材である。接続部材１２は第２図に示すように、上
層ストリップライン８と下層ストリップライン３とを接
続する中心導体１２ａと中心導体１２ａを被覆している
誘電体１２ｂとから構成されている。−中心導体１２ａ
は上Ｂ誘電体基板７の穴７ａ、中層金属板５の穴５ａ及
び下層誘電体基板２の穴２ａに嵌挿されており、上端部
が上筋ストリップライン８に、下端部が下層ス）−リッ
プライン３にそれぞれ接続されている。又、誘電体１２
は中心導体１２ａを上層ストリップライン８に接続する
ために必要な部分を除き、上層誘電体基板７の穴７ａか
らの突出部分が上層金属板】Ｏの下面に当接し、中心導
体１２ａを下層ストリップライン３に接続するために必
要な部分を除き、下Ｎ誘電体基板２の穴２ａからの突出
部分が下層金属板１の上面に当接し、さらに上層誘電体
基板７の下面から下層誘電体基板２の上面までの部分が
中層金ｒＡ板５の穴５ａに嵌挿し得る円柱形状になって
いる。
上層ストリップライン８を伝搬されてきたマイクロ波は
上層ストリップライン８の終端部分から中心導体１２ａ
を介して下層ストリップライン３の始端部分に伝搬され
、さらに下層ストリップライン３を伝搬されていくこと
になる。
上層ストリップライン８の終端部分から中心導体１２ａ
を介して下層ストリップライン３の始端部分に伝搬され
、さらに下層ストリップライン３を伝搬されていくこと
になる。
なお、上層ストリップライン８と中心導体１２ａとの接
続及び下層ストリップライン３と中心導体１２ａとの接
続はハンダ付は等によってなされている。又、誘電体１
０の材料としてはテフロン等を用いろ。
続及び下層ストリップライン３と中心導体１２ａとの接
続はハンダ付は等によってなされている。又、誘電体１
０の材料としてはテフロン等を用いろ。
なお、本実施例では２層構造の超高周波フ、Ｃルタにつ
いて説明したが、これに限らず３層以上の超高周波フィ
ルタを構成するようにしてもよい。
いて説明したが、これに限らず３層以上の超高周波フィ
ルタを構成するようにしてもよい。
以上説明したように本発明によれば、下層金属板、下層
誘電体基板、中層金属板、上層誘電体基板及び上層金属
板を所定の間隔を隔てて積層して配置し、上層誘電体基
板の穴、中層金属板の穴及び下層誘電体基板の穴に嵌挿
されており、上層ストリップライン及び下層ストリップ
ラインとに接続されている中心導体、この中心導体を被
覆しており、上層誘電体基板の穴からの突出部分が上層
金属板の下面に当接し、下層誘電体基板の穴からの突出
部分が下層金属板の上面に当接し、上層誘電体基板の下
面から下層誘電体基板の上面までの部分が中層金属板の
穴に嵌挿し得る形状の誘電体から構成された接続部材に
よって上層ストリップラインと下層ストリップラインと
を接続することによって、積み重ねた超高周波フィルタ
の構造が得られるので、かかる超高周波フィルタの構造
を使用するマイクロ波受佃器の小型化を実現できる。
誘電体基板、中層金属板、上層誘電体基板及び上層金属
板を所定の間隔を隔てて積層して配置し、上層誘電体基
板の穴、中層金属板の穴及び下層誘電体基板の穴に嵌挿
されており、上層ストリップライン及び下層ストリップ
ラインとに接続されている中心導体、この中心導体を被
覆しており、上層誘電体基板の穴からの突出部分が上層
金属板の下面に当接し、下層誘電体基板の穴からの突出
部分が下層金属板の上面に当接し、上層誘電体基板の下
面から下層誘電体基板の上面までの部分が中層金属板の
穴に嵌挿し得る形状の誘電体から構成された接続部材に
よって上層ストリップラインと下層ストリップラインと
を接続することによって、積み重ねた超高周波フィルタ
の構造が得られるので、かかる超高周波フィルタの構造
を使用するマイクロ波受佃器の小型化を実現できる。
第１図は本発明に係る超高周波フィルタの構造の概略図
、第２図は第１図に示した部材の斜視図である。 １ 下層金属板、２ 下Ｗｇ誘電体基板、３，８ス１、
リップライン、４，６，９．１１ スペーサ、５ 中
層金属板、７ 上層誘電体基板、１０・上層金属板、１
２・接続部材。
、第２図は第１図に示した部材の斜視図である。 １ 下層金属板、２ 下Ｗｇ誘電体基板、３，８ス１、
リップライン、４，６，９．１１ スペーサ、５ 中
層金属板、７ 上層誘電体基板、１０・上層金属板、１
２・接続部材。
Claims (2)
- （１）下層金属板と、前記下層金属板の上方に該下層金
属板と所定の間隔を隔てて配置され、下面に下層ストリ
ップラインによる超高周波フィルタが形成されていると
ともに、該下層ストリップラインの始端部分を臨む位置
に所定の大きさの穴が穿設された下層誘電体基板と、前
記下層誘電体基板の上方に該下層誘電体基板と所定の間
隔を隔てて配置され、該下層誘電体基板の穴穿設位置に
対応する位置に該下層誘電体基板の穴よりも大きい穴が
穿設された中層金属板と、前記中層金属板の上方に該中
層金属板と所定の間隔を隔てて配置され、上面に上層ス
トリップラインによる超高周波フィルタが形成されてい
るとともに、該上層ストリップラインの終端部分を臨む
位置であって、前記下層誘電体基板の穴穿設位置に対応
する位置に該下層誘電体基板の穴と略同じ大きさの穴が
設けられた上層誘電体基板と、前記上層誘電体基板の上
方に該上層誘電体基板と所定の間隔を隔てて配置された
上層金属板と、前記上層誘電体基板の穴、前記中層金属
板の穴及び前記下層誘電体基板の穴を介して前記上層ス
トリップラインと前記下層ストリップラインとを接続す
る中心導体及び該中心導体を前記上層ストリップライン
に接続するために必要な部分を除き、前記上層誘電体基
板の穴からの突出部分が前記上層金属板の下面に当接し
、該中心導体を前記下層ストリップラインに接続するた
めに必要な部分を除き、前記下層誘電体基板の穴からの
突出部分が前記下層金属板の上面に当接し、前記上層誘
電体基板の下面から前記下層誘電体基板の上面までの部
分が前記中層金属板の穴に嵌挿し得る形状の誘電体から
構成された接続部材とを備えたことを特徴とする超高周
波フィルタの構造。 - （２）下層誘電体基板は該下層誘電体基板の下面両端部
と前記下層金属板両端部との間に介在されたスペーサ、
中層金属板は該中層金属板の下面両端部と前記下層誘電
体基板の上面両端部との間に介在されたスペーサ、上層
誘電体基板は該上層誘電体基板の下面両端部と前記中層
金属板の上面両端部との間に介在されたスペーサ及び上
層金属板は該上層金属板の下面両端部と前記上層誘電体
基板の上面両端部との間に介在されたスペーサによって
、それぞれ前記間隔が保持されている特許請求の範囲第
１項記載の超高周波フィルタの構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226941A JPS6286903A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 超高周波フイルタの構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60226941A JPS6286903A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 超高周波フイルタの構造 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6286903A true JPS6286903A (ja) | 1987-04-21 |
| JPH0371801B2 JPH0371801B2 (ja) | 1991-11-14 |
Family
ID=16853007
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60226941A Granted JPS6286903A (ja) | 1985-10-14 | 1985-10-14 | 超高周波フイルタの構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6286903A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3303439A (en) * | 1965-06-14 | 1967-02-07 | Western Electric Co | Strip transmission line interboard connection |
| JPS49120101U (ja) * | 1973-02-13 | 1974-10-15 |
-
1985
- 1985-10-14 JP JP60226941A patent/JPS6286903A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3303439A (en) * | 1965-06-14 | 1967-02-07 | Western Electric Co | Strip transmission line interboard connection |
| JPS49120101U (ja) * | 1973-02-13 | 1974-10-15 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0371801B2 (ja) | 1991-11-14 |
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