JPS628773B2 - - Google Patents
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- JPS628773B2 JPS628773B2 JP54108263A JP10826379A JPS628773B2 JP S628773 B2 JPS628773 B2 JP S628773B2 JP 54108263 A JP54108263 A JP 54108263A JP 10826379 A JP10826379 A JP 10826379A JP S628773 B2 JPS628773 B2 JP S628773B2
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-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、２枚の支持板と、これらの支持板の
表面の平行の細条片状電極の十字模様と、これら
の支持板間に正の誘電体異方性をもつコレステリ
ン液晶層とを具え、該液晶層を横切つて電界を印
加させる前記液晶が、ある一定の電界強度E1よ
り下で焦点−円錐形構造を有し、ある一定電界強
度E2より上でホメオトロピツク−ネマチツク構
造を有し、さらにE1とE2との間に電界強度に対
し、前記両構造のうちの１つを有し、その上、電
極中央部の液晶がE1とE2との間の電界強度にお
いてホメオトロピツク−ネマチツク構造にある場
合電界強度E2より上で電極のヘリにおいて液晶
をホメオトロピツク−ネマチツク構造に維持する
装置を具えた表示装置に関するものである。コレ
ステリンの液晶とは、ここでは、多量のコレステ
リンの液晶が加えられ、かつその混合物がコレス
テリンの構造を有するネマチツク液晶を意味する
ものと理解すべきである。
表面の平行の細条片状電極の十字模様と、これら
の支持板間に正の誘電体異方性をもつコレステリ
ン液晶層とを具え、該液晶層を横切つて電界を印
加させる前記液晶が、ある一定の電界強度E1よ
り下で焦点−円錐形構造を有し、ある一定電界強
度E2より上でホメオトロピツク−ネマチツク構
造を有し、さらにE1とE2との間に電界強度に対
し、前記両構造のうちの１つを有し、その上、電
極中央部の液晶がE1とE2との間の電界強度にお
いてホメオトロピツク−ネマチツク構造にある場
合電界強度E2より上で電極のヘリにおいて液晶
をホメオトロピツク−ネマチツク構造に維持する
装置を具えた表示装置に関するものである。コレ
ステリンの液晶とは、ここでは、多量のコレステ
リンの液晶が加えられ、かつその混合物がコレス
テリンの構造を有するネマチツク液晶を意味する
ものと理解すべきである。
そのような表示装置は、文字数字又は画像情報
を表示するのに用いる。
を表示するのに用いる。
冒頭の節で記述したこの種の装置は、英国特許
第1506331号明細書に開示される。この既知の装
置において、コレステリンの液晶のあるものが印
加される電界の影響のもとに示すそれ自体既知の
双安定効果が用いられる。前記の特許明細書に記
載された装置は、２枚の略々平行の支持板を具え
る。１個又は２個以上の電極がこれらの支持板の
内側に設けられる。正の誘電体異方性をもつたコ
レステリンの液晶がこれらの支持板の間に存在す
る。これらの電極の表面は既知の方法で表面処理
を受け、それによつて電極表面における液晶分子
のホメオトロピツク配向が生じた。この液晶は、
らせんの軸線が電極表面に平行である光を散乱さ
せる焦点−円錐形構造を最初有する。液晶層を横
切つてある一定の値E2より上の電界を印加する
と、らせんが解かれ透明なホメオトロピツク−ネ
マチツク構造が形成される。電界が減少される
と、ホメオトロピツク−ネマチツク構造が電界強
度E1＜E2においてのみ光を散乱させる焦点−円
錐形構造に戻る。この焦点−円錐形構造が電界の
ない状態において長時間維持される。
第1506331号明細書に開示される。この既知の装
置において、コレステリンの液晶のあるものが印
加される電界の影響のもとに示すそれ自体既知の
双安定効果が用いられる。前記の特許明細書に記
載された装置は、２枚の略々平行の支持板を具え
る。１個又は２個以上の電極がこれらの支持板の
内側に設けられる。正の誘電体異方性をもつたコ
レステリンの液晶がこれらの支持板の間に存在す
る。これらの電極の表面は既知の方法で表面処理
を受け、それによつて電極表面における液晶分子
のホメオトロピツク配向が生じた。この液晶は、
らせんの軸線が電極表面に平行である光を散乱さ
せる焦点−円錐形構造を最初有する。液晶層を横
切つてある一定の値E2より上の電界を印加する
と、らせんが解かれ透明なホメオトロピツク−ネ
マチツク構造が形成される。電界が減少される
と、ホメオトロピツク−ネマチツク構造が電界強
度E1＜E2においてのみ光を散乱させる焦点−円
錐形構造に戻る。この焦点−円錐形構造が電界の
ない状態において長時間維持される。
前記ヒステリシスの結果として、液晶層は、
E1とE2との間の電界強度において、電界強度が
高い値から始まるか又は低い値から始まるかどう
かに依存して、透明なホメオトロピツク−ネマチ
ツク構造になるか又は光を散乱させる焦点−円錐
形構造になる。
E1とE2との間の電界強度において、電界強度が
高い値から始まるか又は低い値から始まるかどう
かに依存して、透明なホメオトロピツク−ネマチ
ツク構造になるか又は光を散乱させる焦点−円錐
形構造になる。
このヒステリシスはいわゆるマトリツクス−表
示装置に特に有効に用いられる。そのような表示
装置において電極が、平行の細条片の形状の支持
板上に設けられる。１枚の支持板上の電極は他の
支持板上の電極と交差する。一方の支持板上の電
極はいわゆるマトリツクスの横列を構成し、他方
の支持板上の電極はいわゆるマトリツクスの縦列
を構成する。画像素子は、この横列電極と縦列電
極との交差点に配置される。
示装置に特に有効に用いられる。そのような表示
装置において電極が、平行の細条片の形状の支持
板上に設けられる。１枚の支持板上の電極は他の
支持板上の電極と交差する。一方の支持板上の電
極はいわゆるマトリツクスの横列を構成し、他方
の支持板上の電極はいわゆるマトリツクスの縦列
を構成する。画像素子は、この横列電極と縦列電
極との交差点に配置される。
マトリツクス表示装置においてこれらの横列
は、液晶層を横切るE1とE2との間の電界強度を
生ずる電圧によつて通常駆動（いわば、アドレス
される。すなわち、あて名を書かれる）される。
情報が、例えば、等しい大きさの正又は負の制御
電圧によつて縦列上に書込まれる。画像素子を横
切る全体の電圧（０又は２倍の制御電圧）に依存
して、光を散乱させる焦点−円錐形状態又は透明
なホメオトロピツク−ネマチツク状態が生ずる。
横列が駆動されない時には、駆動に際しての状態
が又透明なホメオトロピツク−ネマチツクである
ならば、画像素子の透明なホメオトロピツク−ネ
マチツク状態が残る。線素子の前記の透明な状態
が安定のままである間に、他の線が駆動される。
しかしながら、前記の透明なホメオトロピツク−
ネマチツク状態の安定性は、画像素子の周囲が焦
点−円錐状態にあるということにおいて制限され
る。この焦点−円錐形構造は、ホメオトロピツク
−ネマチツク状態になる性質があり、その結果望
ましくない。光を散乱させる効果をもたらす。
は、液晶層を横切るE1とE2との間の電界強度を
生ずる電圧によつて通常駆動（いわば、アドレス
される。すなわち、あて名を書かれる）される。
情報が、例えば、等しい大きさの正又は負の制御
電圧によつて縦列上に書込まれる。画像素子を横
切る全体の電圧（０又は２倍の制御電圧）に依存
して、光を散乱させる焦点−円錐形状態又は透明
なホメオトロピツク−ネマチツク状態が生ずる。
横列が駆動されない時には、駆動に際しての状態
が又透明なホメオトロピツク−ネマチツクである
ならば、画像素子の透明なホメオトロピツク−ネ
マチツク状態が残る。線素子の前記の透明な状態
が安定のままである間に、他の線が駆動される。
しかしながら、前記の透明なホメオトロピツク−
ネマチツク状態の安定性は、画像素子の周囲が焦
点−円錐状態にあるということにおいて制限され
る。この焦点−円錐形構造は、ホメオトロピツク
−ネマチツク状態になる性質があり、その結果望
ましくない。光を散乱させる効果をもたらす。
この効果を防止するため、前記英国特許明細書
によれば、電極のヘリは、電極と直接電気的に接
触する細条片状の導体で被覆される。E1とE2と
の間の電界強度が実際の電極間に行き渡り、液晶
層が透明なホメオトロピツク−ネマチツク構造を
有するならば、E2を越す電界強度が電極のへリ
間に行き渡りこうして安定なホメオトロピツク−
ネマチツク状態が存在するということがこの方法
でもたらされる。
によれば、電極のヘリは、電極と直接電気的に接
触する細条片状の導体で被覆される。E1とE2と
の間の電界強度が実際の電極間に行き渡り、液晶
層が透明なホメオトロピツク−ネマチツク構造を
有するならば、E2を越す電界強度が電極のへリ
間に行き渡りこうして安定なホメオトロピツク−
ネマチツク状態が存在するということがこの方法
でもたらされる。
しかしながら、上述の方法の良好な操作のため
には、さもなければ反対の差異が生じかつホメオ
トロピツク−ネマチツク状態の安定期間が悪影響
をおよぼすので、互いに正しい距離に正確にどこ
にでも置かれることが要求される。その上、その
ような電極配置が、各素子のかどの電界強度に望
まれないピークを生じさせる。
には、さもなければ反対の差異が生じかつホメオ
トロピツク−ネマチツク状態の安定期間が悪影響
をおよぼすので、互いに正しい距離に正確にどこ
にでも置かれることが要求される。その上、その
ような電極配置が、各素子のかどの電界強度に望
まれないピークを生じさせる。
本発明の目的は、コレステリン液晶の双安定効
果を用い、電極のヘリがかく乱効果を起さずかつ
液晶の層の厚みが装置の全体にわたつて大きな均
一性を持つ表示装置を提供することである。
果を用い、電極のヘリがかく乱効果を起さずかつ
液晶の層の厚みが装置の全体にわたつて大きな均
一性を持つ表示装置を提供することである。
冒頭の節に記載したこの種の装置は、本発明に
よれば、前記装置が、支持板に設けられ隆起によ
つて分離され液晶層の所望の厚さの半分に等しい
深さを有する溝により、この溝に設けられ隆起ま
で延在し隆起上の狭い細条片によつて互いに分離
されている電極により、さらにこの電極表面およ
び電極間に位置する支持板表面を被覆する誘電体
層により形成されることを特徴とする。
よれば、前記装置が、支持板に設けられ隆起によ
つて分離され液晶層の所望の厚さの半分に等しい
深さを有する溝により、この溝に設けられ隆起ま
で延在し隆起上の狭い細条片によつて互いに分離
されている電極により、さらにこの電極表面およ
び電極間に位置する支持板表面を被覆する誘電体
層により形成されることを特徴とする。
本発明による表示装置によつて、画像素子のへ
リは、実際の電極表面の電界強度の２倍の高さの
電界強度を受ける。この結果として、焦点−円錐
形構造のホメオトロピツク−ネマチツク構造への
変化が防止される。溝の深さが液晶の所望の層の
厚さの半分であるので、支持板間の良好な均一距
離が又得られる。
リは、実際の電極表面の電界強度の２倍の高さの
電界強度を受ける。この結果として、焦点−円錐
形構造のホメオトロピツク−ネマチツク構造への
変化が防止される。溝の深さが液晶の所望の層の
厚さの半分であるので、支持板間の良好な均一距
離が又得られる。
ガラスの支持板にエツチングされ、かつ電極間
の距離がエツチングの深さによつて決定される溝
に電極を設けることは、ドイツ特許公開公報第
2163043号から既知であるけれども、そのような
電極配置は、焦点−円錐形構造のホメオトロピツ
ク−ネマチツク構造への変化を防止するのに好適
でない。
の距離がエツチングの深さによつて決定される溝
に電極を設けることは、ドイツ特許公開公報第
2163043号から既知であるけれども、そのような
電極配置は、焦点−円錐形構造のホメオトロピツ
ク−ネマチツク構造への変化を防止するのに好適
でない。
本発明を図面につきさらに詳細に説明する。
第１ａ図は、正の誘電体異方性を持つたコレス
テリン液晶の双安定効果を用いる表示装置の電圧
−輸送（トランスミツシヨン）特性を示す。この
液晶分子の長手方向の軸線は、電極との接触領域
において電極表面に垂直に向けられる。この目的
のため電極表面は既知の方法で表面処理を受け
た。この液晶は第１ｂ図に模式的に示すように、
透明な平らな−円錐形構造からスタートする。ら
せんのピツチは、ネマチツク−コレステリン液晶
混合物の組成および用いられるコレステリン液晶
に依存する。電極を横切つて電圧を印加すると、
透明の平らな−円錐形構造は、層の厚さと用いる
液晶に依存したある一定の電圧において、第１ｃ
図に示す光を分散する焦点−円錐形構造に変化す
る。らせんの軸線は支持板に平行の方面に回動す
る。この電圧が与えられた一定の値V2より上に
増大すると、らせんは解かれて第１ｄ図に示すよ
うに透明のホメオトロピツク−ネマチツク構造が
形成される。この電圧が降下すると、電圧V1＜
V2まで透明のホメオトロピツク−ネマチツク構
造が維持され、この電圧よりも下で再び光を分散
する焦点−円錐形構造が形成される。電極を横切
る電圧が低下すると焦点−円錐形構造が維持され
る。電界のない状態においては焦点−円錐形構造
は徐々に平らな−円錐形構造に変化する。しかし
ながら、この目的のため必要とする時間は、マト
リツクス駆動における通常のスイツチング時間と
比較して大きいため、作動しているマトリツクス
表示装置に平らな−円錐形構造が生じない。電圧
V1＜V3＜V2において、液晶層は、電圧がV2を越
える値からスタートすれば透明なホメオトロピツ
ク−ネマチツク状態になるか又は電圧がV1より
低い値からスタートすれば光を分散する焦点−円
錐形状態になる。
テリン液晶の双安定効果を用いる表示装置の電圧
−輸送（トランスミツシヨン）特性を示す。この
液晶分子の長手方向の軸線は、電極との接触領域
において電極表面に垂直に向けられる。この目的
のため電極表面は既知の方法で表面処理を受け
た。この液晶は第１ｂ図に模式的に示すように、
透明な平らな−円錐形構造からスタートする。ら
せんのピツチは、ネマチツク−コレステリン液晶
混合物の組成および用いられるコレステリン液晶
に依存する。電極を横切つて電圧を印加すると、
透明の平らな−円錐形構造は、層の厚さと用いる
液晶に依存したある一定の電圧において、第１ｃ
図に示す光を分散する焦点−円錐形構造に変化す
る。らせんの軸線は支持板に平行の方面に回動す
る。この電圧が与えられた一定の値V2より上に
増大すると、らせんは解かれて第１ｄ図に示すよ
うに透明のホメオトロピツク−ネマチツク構造が
形成される。この電圧が降下すると、電圧V1＜
V2まで透明のホメオトロピツク−ネマチツク構
造が維持され、この電圧よりも下で再び光を分散
する焦点−円錐形構造が形成される。電極を横切
る電圧が低下すると焦点−円錐形構造が維持され
る。電界のない状態においては焦点−円錐形構造
は徐々に平らな−円錐形構造に変化する。しかし
ながら、この目的のため必要とする時間は、マト
リツクス駆動における通常のスイツチング時間と
比較して大きいため、作動しているマトリツクス
表示装置に平らな−円錐形構造が生じない。電圧
V1＜V3＜V2において、液晶層は、電圧がV2を越
える値からスタートすれば透明なホメオトロピツ
ク−ネマチツク状態になるか又は電圧がV1より
低い値からスタートすれば光を分散する焦点−円
錐形状態になる。
第２図は本発明を実施する表示装置を一部破壊
して示す。この表示装置は２枚のガラス支持板１
および２を具える。この支持板１および２の表面
は平行の溝３を有する。この支持板１の溝３は、
一方の支持板２の溝に関し垂直方向に向けられて
いる。これらの溝３の深さは６μｍあり、これら
の溝の相互のピツチは1.25mmである。これらの溝
３は、300μｍの幅を有する隆起４によつて互い
に分離されている。
して示す。この表示装置は２枚のガラス支持板１
および２を具える。この支持板１および２の表面
は平行の溝３を有する。この支持板１の溝３は、
一方の支持板２の溝に関し垂直方向に向けられて
いる。これらの溝３の深さは６μｍあり、これら
の溝の相互のピツチは1.25mmである。これらの溝
３は、300μｍの幅を有する隆起４によつて互い
に分離されている。
これらの溝３には、扁平なガラス板を先ず被覆
することによつてニツケル−燐層を設け、ここに
フオトラツカーによつて既知の方法でこれらの溝
のためのマスクを設ける。次いでこれらの溝は弗
化アンモニウムおよび弗化水素の溶液によつてエ
ツチング（腐蝕）される。これらの溝の深さはエ
ツチングの時間とエツチング液の濃度とによつて
制御される。エツチングのこの方法によつて、ガ
ラス板全体にわたつて十分に均質な溝の深さが得
られる。約４−15μｍの深さを有する溝をエツチ
ングによつて得ることができる。
することによつてニツケル−燐層を設け、ここに
フオトラツカーによつて既知の方法でこれらの溝
のためのマスクを設ける。次いでこれらの溝は弗
化アンモニウムおよび弗化水素の溶液によつてエ
ツチング（腐蝕）される。これらの溝の深さはエ
ツチングの時間とエツチング液の濃度とによつて
制御される。エツチングのこの方法によつて、ガ
ラス板全体にわたつて十分に均質な溝の深さが得
られる。約４−15μｍの深さを有する溝をエツチ
ングによつて得ることができる。
ガラス板１および２の溝３は電極５によつて被
覆される。電極５は又溝３の直立のヘリ６と一部
隆起４を被覆する。電極５は、隆起４上の100μ
ｍ幅の細条８によつて互いに分離される。電極５
には、溝を設けたガラス板１および２を先ず完全
に被覆することによつて、酸化インジウムの厚さ
約0.1μｍの層を設ける。マスクを設けた後、こ
の電極パターンが塩化第２鉄と塩酸との溶液
（FeCl3＋HCl）によつてエツチングされる。ガラ
ス板１上の電極５はこの方法にて、例えば、画像
素子のマトリツクスの横列を形成し、ガラス板２
上の電極５は画像素子のマトリツクスの縦列を形
成する。SiO2の誘電体層７が、ガラス板１およ
び２の全表面を覆うスパツタリングによつて0.5
μｍの厚さに設けられる。
覆される。電極５は又溝３の直立のヘリ６と一部
隆起４を被覆する。電極５は、隆起４上の100μ
ｍ幅の細条８によつて互いに分離される。電極５
には、溝を設けたガラス板１および２を先ず完全
に被覆することによつて、酸化インジウムの厚さ
約0.1μｍの層を設ける。マスクを設けた後、こ
の電極パターンが塩化第２鉄と塩酸との溶液
（FeCl3＋HCl）によつてエツチングされる。ガラ
ス板１上の電極５はこの方法にて、例えば、画像
素子のマトリツクスの横列を形成し、ガラス板２
上の電極５は画像素子のマトリツクスの縦列を形
成する。SiO2の誘電体層７が、ガラス板１およ
び２の全表面を覆うスパツタリングによつて0.5
μｍの厚さに設けられる。
この誘電体層７は各画像素子の４つの角におい
て互いに接触する。この結果、支持板１および２
を正しい距離に保つためのスペース部材を設ける
必要がない。画像素子の電極５のヘリ間の距離は
溝３をエツチングした深さに相等しい。しかして
この溝は誘電体層７の厚みの２倍だけ増加した６
μｍの深さを有する。各画像素子の中央部におい
て電極５は互いに12μｍの距離にある。この方法
において良好な均一層の厚みは支持板１および２
間に存在する液晶から得られる。この液晶は、正
の（プラスの）誘電体異方性をもつたコレステリ
ン型のものであり、例えば、BDH−ケミカルス
からE7として市場で手に入る、47％の４−シア
ノ−4′−ｎ−ペンチルビフエニル、25％の４−シ
アノ−4′−ｎ−ヘプチルビフエニル、18％の４−
シアノ−4′−ｎ−オクトキシビフエニルおよび10
％の４−シアノ−4′−ｎ−ペンチルタ−フエニル
を含む94％のネマチツク液晶混合物と、さらに、
BDH−ケミカルスからCB15として市場で手に入
る６％のコレステリンの液晶４−シアノ−4′−
（２−メチルブチル）ビフエニルとから構成され
る。正の誘電体異方性を有しかつ通常の層の厚み
に対するピツチが最大で層の厚みの1/3に等しい
コレステリン型の液晶を一般に用いることができ
る。支持板の接触すなわち共有領域において液晶
のホメオトロピツク配向を得るため、誘電体層７
は、例えば、パーフルオロシランのヘキサン溶液
で処理される。
て互いに接触する。この結果、支持板１および２
を正しい距離に保つためのスペース部材を設ける
必要がない。画像素子の電極５のヘリ間の距離は
溝３をエツチングした深さに相等しい。しかして
この溝は誘電体層７の厚みの２倍だけ増加した６
μｍの深さを有する。各画像素子の中央部におい
て電極５は互いに12μｍの距離にある。この方法
において良好な均一層の厚みは支持板１および２
間に存在する液晶から得られる。この液晶は、正
の（プラスの）誘電体異方性をもつたコレステリ
ン型のものであり、例えば、BDH−ケミカルス
からE7として市場で手に入る、47％の４−シア
ノ−4′−ｎ−ペンチルビフエニル、25％の４−シ
アノ−4′−ｎ−ヘプチルビフエニル、18％の４−
シアノ−4′−ｎ−オクトキシビフエニルおよび10
％の４−シアノ−4′−ｎ−ペンチルタ−フエニル
を含む94％のネマチツク液晶混合物と、さらに、
BDH−ケミカルスからCB15として市場で手に入
る６％のコレステリンの液晶４−シアノ−4′−
（２−メチルブチル）ビフエニルとから構成され
る。正の誘電体異方性を有しかつ通常の層の厚み
に対するピツチが最大で層の厚みの1/3に等しい
コレステリン型の液晶を一般に用いることができ
る。支持板の接触すなわち共有領域において液晶
のホメオトロピツク配向を得るため、誘電体層７
は、例えば、パーフルオロシランのヘキサン溶液
で処理される。
この液晶層の12μｍの与えられた層の厚みによ
り、約11Vの電圧において光を分散する焦点−円
錐形状態から透明のホメオトロピツク−ネマチツ
ク状態への移行が起こる一方、約6Vの電圧にお
いて逆の移行が起こる。この6Vの電圧は、液晶
分子の良好なホメオトロピツク配向が支持板につ
いての接触領域においてもたらされた程度に僅か
に依存する。
り、約11Vの電圧において光を分散する焦点−円
錐形状態から透明のホメオトロピツク−ネマチツ
ク状態への移行が起こる一方、約6Vの電圧にお
いて逆の移行が起こる。この6Vの電圧は、液晶
分子の良好なホメオトロピツク配向が支持板につ
いての接触領域においてもたらされた程度に僅か
に依存する。
本発明を実施するマトリツクス表示装置の制御
は第３図に関して説明されよう。Ａ、ＢおよびＣ
は多くの横列電極を、Ｄ、ＥおよびＦは多くの縦
列電極を表わす。この横列電極は約9Vの電圧V3
によつて連続的に駆動される。縦列電極上の情報
は又V3に等しい正又は負の電圧によつて書き込
まれる。
は第３図に関して説明されよう。Ａ、ＢおよびＣ
は多くの横列電極を、Ｄ、ＥおよびＦは多くの縦
列電極を表わす。この横列電極は約9Vの電圧V3
によつて連続的に駆動される。縦列電極上の情報
は又V3に等しい正又は負の電圧によつて書き込
まれる。
第３ａ図は横列電極Ａが駆動される位置を示
す。それを横切つて2V3に等しい総体の電圧があ
る画像素子は、ホメオトロピツク−ネマチツク状
態にありかつ光を伝導している。第３ａ図におい
てこれは、円で表わした、横列電極Ａと縦列電極
Ｅとの交差点においてこの画像素子に対する場合
である。横列Ａの残りの画像素子における電圧は
0Vである。第３ａ図の黒点によつて表わされ
る、これらの素子は、光を分散する焦点−円錐形
構造にある。V3に等しい電圧によつて縦列電極
を駆動する必要がないということに注意すべきで
ある。縦列電極における制御電圧は、この電圧と
V3電圧との和が画像素子を安定なホメオトロピ
ツク−ネマチツク状態にもたらし、かつこの電圧
とV3電圧との間の差が画像素子を安定の焦点−
円錐形状態にもたらすような値を持たなければな
らない。次の横列の電極Ｂが駆動されると、横列
電極Ａ上の透明な素子が双安定の透明なネマチツ
ク状態に留まる。原の光を分散する素子は双安定
の光を分散する状態に留まる。線電極Ｂを駆動し
た後の位置が第３ｂ図に示される。横列電極Ａが
駆動されずかつ横列電極Ａと縦列電極Ｅとの交差
点における画像素子が電圧V3において透明状態
にある時には、多くの連続線を駆動することがで
きる。駆動されるべき線の数は双安定状態が維持
される時間によつて決定される。本発明によれば
電極のヘリは、残りの電極表面の２倍の距離を互
いにおいて位置を定める。大きさの２倍のフイー
ルド強度がそのとき横列電極Ａと縦列電極Ｅとの
交差点において画像素子のヘリを横切る。画像素
子のヘリはかくして安定な透明のホメオトロピツ
ク−ネマチツク状態にある。画像素子が取囲まれ
る焦点−円錐形構造が双安定ネマチツク構造に変
化しそれ故光を分散する干渉を生じさせるのがこ
れによつて防止される。電極間に位置する溝の間
の隆起上の区域が又、液晶層の厚みの半分に等し
い距離において位置を定めるので、もう１つ他の
利点が生ずる。事実、非常に薄い層によつてフイ
ールドのない状態において、透明の平らな−円錐
形構造は光を分散する焦点−円錐形構造よりも一
層安定であるということが見出された。この結果
として、かき乱す光を分散する回折格子が画像素
子間に位置する区域からは何等生じない。本発明
による電極配置の結果として、V3電圧における
画像素子の透明な状態の安定性は増加される。そ
れはマトリツクス表示装置について駆動されるべ
きラインの数を増加させることを可能にする。
す。それを横切つて2V3に等しい総体の電圧があ
る画像素子は、ホメオトロピツク−ネマチツク状
態にありかつ光を伝導している。第３ａ図におい
てこれは、円で表わした、横列電極Ａと縦列電極
Ｅとの交差点においてこの画像素子に対する場合
である。横列Ａの残りの画像素子における電圧は
0Vである。第３ａ図の黒点によつて表わされ
る、これらの素子は、光を分散する焦点−円錐形
構造にある。V3に等しい電圧によつて縦列電極
を駆動する必要がないということに注意すべきで
ある。縦列電極における制御電圧は、この電圧と
V3電圧との和が画像素子を安定なホメオトロピ
ツク−ネマチツク状態にもたらし、かつこの電圧
とV3電圧との間の差が画像素子を安定の焦点−
円錐形状態にもたらすような値を持たなければな
らない。次の横列の電極Ｂが駆動されると、横列
電極Ａ上の透明な素子が双安定の透明なネマチツ
ク状態に留まる。原の光を分散する素子は双安定
の光を分散する状態に留まる。線電極Ｂを駆動し
た後の位置が第３ｂ図に示される。横列電極Ａが
駆動されずかつ横列電極Ａと縦列電極Ｅとの交差
点における画像素子が電圧V3において透明状態
にある時には、多くの連続線を駆動することがで
きる。駆動されるべき線の数は双安定状態が維持
される時間によつて決定される。本発明によれば
電極のヘリは、残りの電極表面の２倍の距離を互
いにおいて位置を定める。大きさの２倍のフイー
ルド強度がそのとき横列電極Ａと縦列電極Ｅとの
交差点において画像素子のヘリを横切る。画像素
子のヘリはかくして安定な透明のホメオトロピツ
ク−ネマチツク状態にある。画像素子が取囲まれ
る焦点−円錐形構造が双安定ネマチツク構造に変
化しそれ故光を分散する干渉を生じさせるのがこ
れによつて防止される。電極間に位置する溝の間
の隆起上の区域が又、液晶層の厚みの半分に等し
い距離において位置を定めるので、もう１つ他の
利点が生ずる。事実、非常に薄い層によつてフイ
ールドのない状態において、透明の平らな−円錐
形構造は光を分散する焦点−円錐形構造よりも一
層安定であるということが見出された。この結果
として、かき乱す光を分散する回折格子が画像素
子間に位置する区域からは何等生じない。本発明
による電極配置の結果として、V3電圧における
画像素子の透明な状態の安定性は増加される。そ
れはマトリツクス表示装置について駆動されるべ
きラインの数を増加させることを可能にする。
上述の駆動方法に加えて、その代わりにマトリ
ツクスの画像素子をすべて、電圧V3における電
圧パルスによつて透明状態にもたらし、この位置
から横列電極を連続的に駆動することが可能であ
る。
ツクスの画像素子をすべて、電圧V3における電
圧パルスによつて透明状態にもたらし、この位置
から横列電極を連続的に駆動することが可能であ
る。
以上要するに本発明においては、例えば、第２
図に見られるように、コレステリン液晶の双安定
効果が用いられる液晶マトリツクス表示装置にお
いて、駆動させるべきラインの数は、支持板１，
２に設けられた溝３上に電極５を設けることによ
つて増加される。これらの電極５は、２個の溝間
に存在する一部の支持板に部分的に重なる。電極
表面および支持板の残りの表面は、誘電体層７に
よつて被覆される。
図に見られるように、コレステリン液晶の双安定
効果が用いられる液晶マトリツクス表示装置にお
いて、駆動させるべきラインの数は、支持板１，
２に設けられた溝３上に電極５を設けることによ
つて増加される。これらの電極５は、２個の溝間
に存在する一部の支持板に部分的に重なる。電極
表面および支持板の残りの表面は、誘電体層７に
よつて被覆される。
溝は液晶層の所望の厚さの半分に等しい深さを
有する。これによつて液晶層の均一な厚さが又得
られる。
有する。これによつて液晶層の均一な厚さが又得
られる。
第１図は本発明を実施する表示装置の作動原理を
図解する説明図、第２図は本発明を実施する表示
装置を示す。第３図はマトリツクス表示装置の駆
動を図解する。 １，２……ガラス支持板、３……溝、４……隆
起、５……電極、６……直立のヘリ、７……誘電
体層、８……100μｍ幅の細条。
図解する説明図、第２図は本発明を実施する表示
装置を示す。第３図はマトリツクス表示装置の駆
動を図解する。 １，２……ガラス支持板、３……溝、４……隆
起、５……電極、６……直立のヘリ、７……誘電
体層、８……100μｍ幅の細条。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２枚の支持板と、これらの支持板表面の平行
の細条片状電極の十字模様と、これらの支持板間
に正の誘電体異方性をもつコレステリン液晶層と
を具え、該液晶層を横切つて電界を印加させる前
記液晶が、ある一定の電界強度E1より下で焦点
−円錐形構造を有し、ある一定電界強度E2より
上でホメオトロピツク−ネマチツク構造を有し、
さらにE1とE2との間の電界強度に対し前記両構
造のうちの１つを有し、その上、電極中央部の液
晶がE1とE2との間の電界強度においてホメオト
ロピツク−ネマチツク構造にある場合電界強度
E2より上で電極のヘリにおいて液晶をホメオト
ロピツク−ネマチツク構造に維持する装置を具え
た表示装置において、 該装置が、支持板に設けられた隆起によつて分
離され液晶層の所望の厚さの半分に等しい深さを
有する溝により、この溝に設けられ隆起まで延在
し隆起上の狭い細条片によつて互いに分離されて
いる電極により、さらにこの電極表面および電極
間に位置する支持板表面を被覆する誘電体層によ
り形成されることを特徴とする表示装置。 ２ 支持板がガラスから作られかつ前記溝がこの
ガラスをエツチングすることによつて得られたこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の表示
装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL7808899A NL7808899A (nl) | 1978-08-30 | 1978-08-30 | Weergeefinrichting met vloeibaar kristal. |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5535393A JPS5535393A (en) | 1980-03-12 |
| JPS628773B2 true JPS628773B2 (ja) | 1987-02-24 |
Family
ID=19831454
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10826379A Granted JPS5535393A (en) | 1978-08-30 | 1979-08-27 | Display |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4264149A (ja) |
| EP (1) | EP0008816B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5535393A (ja) |
| CA (1) | CA1124372A (ja) |
| DE (1) | DE2962696D1 (ja) |
| NL (1) | NL7808899A (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4239345A (en) * | 1979-04-16 | 1980-12-16 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Bistable liquid crystal twist cell |
| JPS57171378A (en) * | 1981-04-15 | 1982-10-21 | Suwa Seikosha Kk | Liquid crystal optical device |
| NL8200069A (nl) * | 1982-01-11 | 1983-08-01 | Philips Nv | Weergeefinrichting met vloeibaar kristal. |
| US4577930A (en) * | 1982-05-24 | 1986-03-25 | International Business Machines Corporation | Weak boundary storage liquid crystal display devices with bias voltage |
| US4763995A (en) * | 1983-04-28 | 1988-08-16 | Canon Kabushiki Kaisha | Spacers with alignment effect and substrates having a weak alignment effect |
| GB8318863D0 (en) * | 1983-07-12 | 1983-08-10 | Secr Defence | Thermochromic liquid crystal displays |
| JPS60188925A (ja) * | 1984-03-09 | 1985-09-26 | Canon Inc | 光学変調素子の製造法 |
| US4712877A (en) * | 1985-01-18 | 1987-12-15 | Canon Kabushiki Kaisha | Ferroelectric display panel of varying thickness and driving method therefor |
| US4702564A (en) * | 1985-04-15 | 1987-10-27 | Robert Parker | Battery tester including flexible substrate and polyacetilynic material |
| JPH0799419B2 (ja) * | 1985-10-18 | 1995-10-25 | キヤノン株式会社 | 液晶素子 |
| US4832456A (en) * | 1986-03-04 | 1989-05-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal disc memory with circular grooves for auto-focusing of write-in beam |
| JPS62206527A (ja) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Alps Electric Co Ltd | 液晶セル |
| GB8616165D0 (en) * | 1986-07-02 | 1986-08-06 | Stc Plc | Liquid crystal cell |
| NL8701347A (nl) * | 1987-06-10 | 1989-01-02 | Philips Nv | Vloeibaar kristal weergeefinrichting en werkwijze ter vervaardiging van een dergelijke weergeefinrichting. |
| US5238435A (en) * | 1987-06-10 | 1993-08-24 | U.S. Philips Corporation | Liquid crystal display device and method of manufacturing such a display device |
| US5268782A (en) * | 1992-01-16 | 1993-12-07 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Micro-ridged, polymeric liquid crystal display substrate and display device |
| US5292625A (en) * | 1992-04-03 | 1994-03-08 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Method for selectively exposing an uneven substrate surface |
| US5852486A (en) * | 1996-12-30 | 1998-12-22 | Hoke, Jr.; Clare L. | Liquid crystal display with alternative electrode structure |
| JP3910370B2 (ja) * | 2000-02-08 | 2007-04-25 | シャープ株式会社 | 液晶表示デバイス |
| TWI283310B (en) * | 2001-12-06 | 2007-07-01 | Optrex Kk | Liquid crystal display element, information display, method for preparing it and method for using it |
| CN1327277C (zh) * | 2002-08-15 | 2007-07-18 | 温景梧 | 一种液晶调光器及其制造方法 |
| TWI331688B (en) * | 2005-11-11 | 2010-10-11 | Ind Tech Res Inst | Reflective liquid crystal display assembly |
| CN100458502C (zh) * | 2005-11-23 | 2009-02-04 | 财团法人工业技术研究院 | 反射式液晶显示组件 |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE2163043A1 (de) * | 1971-12-18 | 1973-06-28 | Bernt W Von Grabe | Optoelektronische anzeigevorrichtung zur darstellung von zeichen |
| US3787110A (en) * | 1972-06-23 | 1974-01-22 | Bell Telephone Labor Inc | Liquid crystal devices |
| DE2542235C3 (de) * | 1975-09-22 | 1978-07-27 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Flüssigkristall-Anzeige mit bistabiler cholesterinischer Flüssigkristall-Schicht |
| DE2542189C3 (de) * | 1975-09-22 | 1978-05-11 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Flüssigkristallanzeige mit bistabiler cholesterinischer Flüssigkristall-Schicht |
| CH607195A5 (ja) * | 1975-09-22 | 1978-11-30 | Siemens Ag | |
| DE2542166C3 (de) * | 1975-09-22 | 1978-09-28 | Siemens Ag | Flüssigkristallanzeige mit einer bistabilen cholesterinischen Flüssigkristallschicht |
| DE2601272A1 (de) * | 1976-01-15 | 1977-07-21 | Siemens Ag | Verfahren und vorrichtung zur darstellung von bildern mittels einer fluessigkristall-(fk-)anzeige |
-
1978
- 1978-08-30 NL NL7808899A patent/NL7808899A/nl not_active Application Discontinuation
-
1979
- 1979-07-17 EP EP79200402A patent/EP0008816B1/en not_active Expired
- 1979-07-17 DE DE7979200402T patent/DE2962696D1/de not_active Expired
- 1979-08-06 US US06/064,222 patent/US4264149A/en not_active Expired - Lifetime
- 1979-08-20 CA CA334,058A patent/CA1124372A/en not_active Expired
- 1979-08-27 JP JP10826379A patent/JPS5535393A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE2962696D1 (en) | 1982-06-24 |
| JPS5535393A (en) | 1980-03-12 |
| EP0008816A1 (en) | 1980-03-19 |
| EP0008816B1 (en) | 1982-05-05 |
| US4264149A (en) | 1981-04-28 |
| NL7808899A (nl) | 1980-03-04 |
| CA1124372A (en) | 1982-05-25 |
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