JPS6293974A - 薄膜トランジスタアレイ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （ａ）産業上の利用分野 本発明は基板に無色透明なポリイミドフィルムを用い、
曲面化及び大面積化が可能であり、軽層、薄型及び連続
生産が可能な液晶表示パネルにスイッチング素子として
使用される薄膜トランノスタアレイに関する。

（ｂ）従来の技術 近年、液晶表示パネルの一方の基板である透明性基板上
にゲートライン（Ａ：査線）及びドレイライン（信号線
）を多数互に絶縁した状態で直ズさせ、これら各ライン
の交差点に薄膜トランノスタ　（以下ＴＰＴと略記する
）をスイッチング素子として設け、これを開閉駆動させ
て各交差点ごとに配置された表示電極にイシ号を与え、
この部分の液晶を表示駆動させることにより、テレビ等
の画像表示を行う、いわゆるアクティブマトリクス方式
の液晶表示パネルの開発が行なわれている。

例えば、透明性基板として石英ガラス板を使用し、多結
晶シリコンのＴＰＴを形成した液晶表示駆動用ＴＦＴア
レイや、ガラス板を基板とし、アモルファスシリコンの
ＴＰＴを形成したＴＰＴ７レイが実用化されている。

これらのＴＰＴアレイを使用する液晶表示パネルは、ｌ
！２極ｉ管と比較して、駆動電圧、消費電力、重量及び
小型化などの面で多くのメリットがあり、広範な応泪が
期待される。

（ｃ）発明が解決しようとする問題点 ところで、これらの石英ガラス板やガラス板を基板とす
るＴＦＴアレイには種々の欠点がある。

即ち、石英ガラスは耐熱性に優れ、しかもコンタミネー
ションの問題が生じにくいという点で有利であるが、反
面、大面積のディスプレイの製作や、一枚の基板への多
面付けによる７オ）　＋７ソグラフイエ程等の合理化に
よる低コスト化に不可欠である基板の大面積化に対して
は者しいコスト高のＩ！Ｊ題がある。

又、ガラス基板は大面積化に対してもコスト的な問題は
ないが、石英ガラスとの共通の欠点として、表面が一般
に平坦であるため、これらのＴＦＴアレイを使用する液
晶表示パネルの表示面ら曲面化が困難であるという問題
を有する。

表示面の形状については、外光の反射によるグレアを低
減して見やすさを改良する観点から検討がなされている
。

表示面は凸形（陰極線管の表示面など）から平坦形（ガ
ラス基板表示パネルの表示面など）を経て凹形になるに
従って、外光取り込み角が縮小し、服に入射する反射光
が減少する。

ガラス板などでも無論、技術的には曲面化は可能である
が、平坦なものに比してコスト高であり、又、フォトリ
ングラフィ工程では（諷めて高度な技術が必要とされて
いる。

そして、表示装置が一般のＴ、務に広範にマ↑及するに
つれ、疲労防止の観、弘より一層の改序が望まれ、その
構成部品たる薄膜トランジスタアレイにも改良が要求さ
れている。

一方、液晶ポケットカラーテレビなど簡便性の求められ
る汎用製品は、液晶表示パネルの特徴が最も発揮される
ものであり、軽量で薄型であると共に、連続生産等によ
る低コスト化が特に求められる。

ところで、ＴＦＴ７ンイの生産においては、ゲート電極
、絶縁膜、アモルファスシリコン膜、ソース電極及１ド
レイン電極等のほとんど総ての製作工程で真空雰囲気で
の処理がなされる。

しかし、基板がガラス板等の短尺の基板では、上記の工
程での連続処理は極めて困難である。

（ｄ）問題点を解決するだめの手段 そこで、本発明者らはガラスを基板とするＴＦＴアレイ
の問題点を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、耐熱性に
優れるポリイミドフィルムであって、しがも無色透明な
ポリイミドフィルムを開発し、これを基板に用いたＴＦ
Ｔアレイを製作することに成功し、本発明を完成するに
至ったものである。

即ち、本発明は基板上に、液晶を表示駆動させ液晶表示
パネル用ＴＦＴアレイ（又は薄膜グイオードアレイ）に
おいて、該基板が一般式で示される繰返しｌｌｉ位を有
するポリイミドを主成分とするポリイミドフィルムで形
成されていることを特徴とするものである。

以下、本発明の詳細な説明する。

本発明において薄膜トランジスタアレイとして１士　其
厨　１−　に　−デ　−　ト１ｒ？　　陽　　　ゲ　−
　卜　１合　ｌ）■復　　　小道　イ肘層及びソース・
ドレイン電極を設けて成る表示装置であれば特に限定さ
れるものではない。

そして、本発明の特徴は、上記基板として無色透明な光
透過性のポリイミドフィルムを採用した点にある。

そして、この無色透明とは、膜厚５０±５μｍのポリイ
ミドフィルムに対する可視光線（５００ｎ輪）透過率が
７０％以上であって、且つ黄色度（イエローネスインヂ
ンクス）が４０以下のことをいう。

ポリイミドフィルムは耐熱性であるが、従来無色透明な
ポリイミドフィルムは存在せず、本発明者らの研究の結
果、完成されたものである。

本発明に用いる無色透明なポリイミドフィルムは、一般
式 で示される繰返しｌｉ位を有ｒるどリイミドを主成分と
するポリイミドフィルムによって形成される。

本発明に用いられる無色透明なポリイミドは、一般式（
Ｉｌｌ） で示されるビフェニルテトラカルボン酸二無水物と一般
式（ＩＶ）及び（Ｖ） 式（■）、　（Ｖ）において、Ｘｌ、　Ｘ２は式（１）
、（ＩＩ）に示すとおりである。

で表される芳香族ノアミノ化合物との反応によりで得ら
れる。

上記ビフェニルテトラカルボン酸二無水物としでは、下
記の３．３　’、４．４　’−ビフェニルテトラカルボ
ン酸二無水物と ２．３．３　′、４　′−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物 とが挙げられる。

又、上記メタ位置にアミ７基を有する万Ｆｆ　戎ノアミ
ノ化合物のうち、一般式（ＩＶ）で表される芳Ｓ族２核
体ジアミンの代表例としては下記のらのが挙げられる。

３．３′−ノアミノノフェニルエーテル３．３′−ノア
ミノジフェニルスルホン３９３゛−ノアミノノフェニル
チオエーテル３．３′−ジアミノノフェニルメタン ３．３′−ジアミノベンゾフェノン 又、芳香族４核体ノアミンの代表例としては、下記のも
のが挙げられる。

４．４′−ノー（３−アミ／７エ／キシ）ノフェニルス
ルホン ＣＨ。

４．４′−ジー（３−７ミノ７エ／キシ）ジフェニルプ
ロパン ＣＦ。

４．４′−ノー（３−アミノフェノキシ）ジフェニルへ
キサフルオロプロパン　（以下、ｒ３，３　　′−ＢＡ
ＰＦＪと略す） 上記芳香族２核体ノアミン及び芳香族４核体ノアミンは
それぞれ単独で用いてもよいし、適宜組み合わせて用い
てもよい。

上記のようなビフェニルテトラカルボン酸二無水物とメ
タ位置にアミ７基を有する芳香族２核本ジアミン及び／
又は芳香族４核体ノアミンとを組み合わせることにより
初めて、上記一般式（１）及び／又は（ｎ）で表される
繰返し単位を主成分とする無色透明なポリイミドが得ら
れるのである。

ここで主成分とするとは、全体が上記の一般式（ｒ）及
び／又は（ＩＩ）のみからなる場合も含める趣旨である
。

この場合、このようにして得られたポリイミドにおいで
、上記一般式（１）で表される繰返し単位及び／又は上
記一般式（ＩＩ）で表される繰返し単位で示されるポリ
イミドの含有量が多いほど得られるポリイミドフィルム
の無色透明性が高まる。しかしながら、上記の一般式（
１）で表される繰返し単位及び／又は一般式（ｆｆ）表
される繰返し単位のポリイミドが、７０モル％以上含有
されていれば少なくともこの発明で求める無色透明性が
確保されるのでその範囲内において、上記ビフェニルテ
トラカルボン酸二無水物以外のその他の芳香族テトラカ
ルボン酸二無水物及び上記メタ位置に７ミノ基を有する
芳香族２核体・４核体ジアミン以外の他のノアミツ化合
物を用いることができる。

即ち、上記一般式（１）で表される繰返し単位及び／又
は一般式（ＩＩ）で表される繰返し単位’ｒ表されるポ
リイミドの好ましい範囲は７０モル％以上であり、最も
好ましい範囲は９５モル％以上である。

上記他の芳香族テトラカルボン酸二無水物としては、ピ
ロメリット酸二無水物、３，３　　＋４＋４−ベンゾフ
エノンテトラカルボン酸二無水物、４゜４′−オキシノ
７タル酸二無水物、４．４−ビス（３，４−ノカルボキ
シ７工／キシ）ジフェニルスルホンニ無水物、２．２−
ビス（３，４−ジカルボキシフェニル）へキサフルオロ
プロパンニ無水物、　２，３，６．７−す７タレンテト
ラカルボン酸二無水物、　１．２．５．６−す７タレン
テトラカルボン酸二無水物、　１．４．５．８−す７タ
レンテトラカルボン酸二無水物が挙げられ、これらは単
独で又は併せて用いることができる。

また、その他のノアミツ化合物としては、４゜４゛−ノ
アミノジフェニルエーテル、　３．４　′−ジアミノジ
フェニルエーテル、　４，４゛−ノアミノノフェニルス
ルホン、４．４　’−ノアミ７ジフェニルＩＦン、４．
４　’−ジアミノベンゾ７エ／ン、４．４　′−Ｅ／ア
ミ７ジフエニルプロパン、バラフェニレン７７ミン、メ
タフェニレンジアミン、ベンジノン、３．３′−ジメチ
ルベンジノン、４．４′−ジアミノジフェニルチオエー
テル、　３．３’−ジメトキシ−４，４′−ノアミ／ノ
フェニルメタン、３．３′−ツメチル−、ｉ、４　′−
ノアミ／ノ７工二ルメタン、　２．２−ビス（４−アミ
／フェニル）プロパン、　２，２−ビス（４−（４−ア
ミノフェノキシ）フェニル］−ヘキサフルオロプロパン
、１．３−ビス（アミノフェノキシ）ベンゼンが挙げら
れ、これらは単独で、もしくは併せて用いることができ
る。

本発明に用いる無色透明なポリイミドフィルムは、上記
の芳香族テトラカルボン酸二無水物及びジ゛アミ／化合
物を有機極性溶媒中において、温度８０　’（：以下で
重合させることによりポリイミド１１？ｊ駆体溶液をつ
くり、このポリイミド前駆体溶肢を用いて流延、ロール
コーティング等の方法で所望の形状の賦形体を形成し、
この賦形体を空気中又は不活性ゲス中において、温度：
５０−３５０’Ｃ１圧カニ常圧もしくは減圧の条件下で
有機極性溶媒を蒸発除去すると同時にポリイミド前駆体
を脱水閉環して得られる。

まｊこ、上記方法に代えて、上記ポリイミド前駆体をピ
リジンと無水酢酸のベンゼン溶液等を用い、脱溶媒とイ
ミド化を行いポリイミドに［ること等の方法によっても
（：する、二とができる。

−」二記の有機極性溶媒としては、ジメチルホルムアミ
ド、ジメチルアセトアミド、ノブライム、クレゾール、
ハロゲン化フェノール等が好ｊΔであるが、特にツメチ
ルアセトアミドが良溶媒で、しかも沸点が極めて低いか
ら好ましい。これらの有機極性溶媒は単独で用いてもよ
いし、或はこれ１こ代えて２種以」二を）重合して用い
ても支障はない。

有機極性溶媒として、上記に例示した各溶ゲＬは、沸点
が低いため、加熱による脱水閉環の際に分角τしてその
分解物がポリイミド中に残留して当該ポリイミドが着色
するといった問題を生じないのである。

しかしながら、高沸、貞の重合用溶媒、例えばＮ−メチ
ル−２−ピロリドンを用い、ポリイミド１１ｉｆ駆体合
成後、溶媒置換により、上記例示の好適なｉ３　ｖＬに
生成ポリイミド前駆体を溶解するようにすれば上記弊害
を排除しうる。この場合、上記例示の好適な溶媒は希釈
溶媒となる。上記ポリイミドフィルムの製造に際しては
、このように、重合溶媒と希釈溶媒とを別種のものにし
、溶ｖＬ置換によって生成ポリイミドＩ前駆体を希釈溶
媒に溶解するようにしてもよいのである。

なお、上記に例示した好適な有機極性溶媒を使用する際
に、この溶媒に、エタ／−ル、トルエン、ベンゼン、キ
ンレン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ニトロベン
ゼン等の溶媒を、ポリイミドフィルムの無色透明性を損
なわない範囲内において一■Ｉ′Ｉｌらしくは二種以上
適宜混合して用いてもよい。

」二記のようにして、無色Ｒ明なポリイミドフィルムを
製造する際にポリイミド面駆体溶液の対数粘度（Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン溶媒中０．５８／１００＋ｎＮの
濃度において３０℃で測定）が０．３〜５．０の範囲に
なるように調整するのが好ましい。

より好適なのは０．４〜２．０である。この対数粘度が
低すぎると得られるポリイミドフィルムのは成約強度が
低くなるため好ましくない。逆に、対数粘度が高すぎる
とポリイミド前連体′ｔ８液を適当な形状に賦形する際
に流′ＪＡさせに＜　＜　ｉｊｌ業が困難となるため好
ましくない。また、ポリ−（ミド前駆体溶液の濃度も、
作業性等の観点から、５〜３０重１％、好ましくは１５
−２５重量ｆ６に設定することが望ましいのである。

なお、−Ｆ記灯数粘度は次式で計算されるものであり、
式中の粘度は毛細管粘度計に上り測定されるものである
。

ポリイミド前駆体溶液を用いての無色透明性に優れるボ
リイミ１／フィルムを得るにはプラス板、ステンレス板
等の鏡面に上記ポリイミド前駆体溶液を一定の厚みにな
るように流延し、１００〜３５０℃の温度′Ｃ徐々に加
熱して脱水閉環させ、これにポリイミド前駆体をイミド
化することにより行なわれる。ポリイミド前駆体；８液
からのポリイミドフィルム形成にｊ；ける（ｉ　ｂ’ｌ
極性溶媒の除Ｊｅ及ぴポリイミド前駆体のイミド化のた
めの加熱は、連続して行ってもよく、又これらの工程を
減圧下もしくは不活性ブス雰囲気中で行ってもよい、更
に短時間であれば４００℃前後まで最終的に加熱するこ
とにより生成ポリイミドフィルムの特性を向上させるこ
とができる。

また、ポリイミドフィルム形成の池の方法は、上記のポ
リイミド前駆体溶液をプラス板上等に流延して１００〜
１５０°Ｃで３０〜１２０分間加熱乾燥して皮膜を形成
し、この皮膜をピリジンと無水酢酸のベンゼン溶液等に
浸漬して脱溶剤とイミド化反応を行い、上記皮膜をポリ
イミドフィルムとする方法であり、この方法によっても
無色透明なポリイミドフィルムを得ることができる。

このようにして得られるポリイミドフィルムはその厚み
を７〜５５０μｍ程度に設定することが好ましい。この
厚さが５５０μｍを超えると光の透過率が悪化すると共
に可撓性に欠けて連続的にロール状に巻回するのが困難
となり、つまり生産性に問題が生じるのであり、逆に厚
さが７μｕ＋未満になると充分な機械的強度が得られな
いと共に非晶質シリコン薄膜を堆積する際の温度（２５
０℃〜３５０°Ｃ）に耐えることができず、この熱応力
によって基板が変形することがあるから好ましくない。

このポリイミドフィルムは、無色透明であって従来のよ
うに黄色ないし黄褐色に着色していないため、比較的厚
膜であっても極めて無色透明性が良好である。

以上のようにして、ポリイミド前駆体溶液をイミド化し
てポリイミドとする場合において、生成ポリイミドは、
特性の点から対数粘度（９７重１％硫酸中０．５．７ｄ
ｌの濃度で３０℃のらとで測定）を０．３〜５．０の範
囲内に設定することが好ましい。最も好ましのは０．４
〜４．０である。

このようにして得られたポリイミドフィルムは、従来の
ものとは全く異なり、無色透明であって極めて透明度が
高いものである。

そして、特に、無色透明性が優れて本発明に用いる基板
に最適なのは一般式（ＩＶ）及び（Ｖ）で示される芳香
族２核体ノアミン及び芳香族４核体ジアミンにおいて％
　　ｘ＋及びＸ２がＳ０２であるものを用いたものであ
る。このものを用いて得られたポリイミドフィルムは、
無色透明性が極めて優れているばかりでなく耐熱性にも
著しく優れて熱収縮率が小さいのである。

このようにして得たポリイミドフィルム製基板上にＴＦ
Ｔアレイを形成する。

基板上へのＴＦＴアレイの形成は、例えば次の如く行な
われる。

第１図はスタガ形のＴＦＴアレイ（１）であり、該ＴＦ
Ｔアレイ（１）は以下の如く構成されている。

第１図において、基板（２）上に蒸着又はスパッタ法に
よりＩＴＯ等の透明導電性材料、又はクロム、−［：１
７７’テ゛ン、アルミニウム、ニッケル、クロム等の導
電性材料でゲート電極（３）を形成する。

次にＳｉＯ□、八１２０．或はＳｉｘＮｙなどの絶縁性
材料で絶縁膜（４）を形成する。

この絶縁膜（・ｔ）の形成には、蒸着法、スパッタ法及
びプラズマＣＶＤ法などの方法のなかから適宜選択され
る。

その後、プラズマＣＶＤ法及びフォトリングラフィによ
りアモルファスシリコンから成る半導体層（５）を形成
する。

更に、ソース電極とドレイン電極を形成するために蒸着
法で１１’　ＯＪｒ！Ｉとアルミニウム層等を１１を積
し、７オトリングラフイ（こよりソース電極（６）及び
ドレイン電ｆｆ１（７）を設ける。

しかる後、表示部電極を形成するためにＩＴＯ層を蒸着
又はスパッタ法により１１に積し、７オトリングラフイ
により表示部電極を製作し、ＴＦＴアレイは完成する。

本発明によるＴＦＴアレイの形成においては、上記の各
電極形成用薄膜、アモルファスシリコンｒｇ膜、及び絶
縁膜の層の形成法の選択にあたっては、基板の透明ポリ
イミド基板の耐熱温度（３００°Ｃ）を考Ｉｌ！して決
定される。

又、各薄膜の堆積及び７オトリソグラフイ等によるパタ
ーン加工は、基板をロール状に巻回して連続して処理す
ることができる。

上記のＴＦＴアレイの製作は、断面（部分）が第１図で
示されるスタガ形の構造の１世、第２図で示される如き
、入タガ形、更に、第３図及び第４図で示されるコプラ
ナ形の構造のもの等が含まれる。

本発明の１膜トランジスタアレイを製造するにあたり、
各薄膜層及び７オトリングラフイ等の工程ではガラス基
板を扱うときと同様に表面を平坦にして各種の処理を行
うことが可能である。又、液晶表示パネルの組立時に湾
曲をらたせなこと°ぐ表示面での適度の曲面化（カマボ
ッ型）を行うことができるため、上述の作業者への反射
光を減少士ることが可能である。

（ｅ）作用 プラス機等平坦で、短尺の基板上にＴＦＴを設けｔこＴ
ＦＴアレイでは、液晶表示パネルの製作に用いた場合、
表示面はヅ坦になり、外光取込み角の縮小による反射光
の減少には限度がある。

又、アモルファスシリコン層や各電極形成用薄膜の製作
では、真空雰囲気での処理が行なわれるが、短尺故に低
コスト化に有利な連続生産が困難である。

本発明による無色；ｈ門なポリイミドフィルムを基板と
するＴＦＴアレイの場合には、液晶のＪ【・１の裏面側
の透明導電フィルムと（１１み合わせることにより表示
面を適度に湾曲させた液晶表示パネルの製作が可能であ
り、反射危を大幅に減少させることができる作用を有す
る。

又、生産ではほとんど聡′Ｃの工程で、基板をロール状
にも回して連続で処理でトるメリアＦがあるが、特に高
い生産性が求められるアモルファスシリコン薄膜、各電
極形１友用薄膜及び絶縁膜の真空雰囲気での堆積工程で
は、同一チャンバー内にロール状で基板を保持し、連続
して薄膜を形成しうる作用を有する。

又、従来のがラス板等を基板とするＴＦ’Ｔアレイと同
様に、適当なカラーフィルターと組み会わせることで、
フルカラーの表示１こ使用できるＩｔ用を有する。

（ｆ）実施例 ■無色透明なポリイミドフィルムの製作溶媒としてツメ
チルアセトアミドを用いて、３゜３゛−ン゛アミ７シ７
よニスルアオン１　ａｌｏ１２に対し、３．３’、、ｉ
、４’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物をＩ　Ｉ
Ｑｏｆ！反応させ、ポリイミドｊ肖駆体の溶液を得た。

この溶液をガラス板上に流延して皮膜を形成し、この皮
膜を熱風乾燥し、最後には３００°Ｃで５時間加熱して
イミド化反応を完全に行い、ｊ７み５０μｍのポリイミ
ドフィルムを得た。

このフィルムの光ＦＡ透過率（波ｖ＜５００　ｎｍ１ｌ
は８５り５、又表面粗さは両面共に３０人、温度は３５
０°Ｃでの熱収縮率２％以下であった。

■Ｔ「Ｔアレイの製作 実施例 基板（２）として、上記■で得た厚み５（）μｍの無色
透明なポリイミドフィルムを用いた。

このフィルムの片面に基板温度２５０　’Ｃで蒸着によ
１）Ｊ７み２．０００人のクロム膜をイ・ｊしたのち、
フォトリングラフィによりパターン加工してゲート電極
（３）を形成した。

犬にその上に全面に渡って厚み２．０００人のシリコン
ナイトライドＳ　ｉ３Ｎ　、から成る絶ＡＭ！ＩＩ；！
（４）をプラズマＣＶＤ法により設けた。

ブラでマＣＶＤの条件Ｉｉ：、基板温度２　Ｓ　Ｏ”Ｃ
１原料ガスとして、水素で１０モル％に希釈したシラン
を用い、流量が２００８ＣＣＭ及び１００％窒ＸＸ１０
０５ＣＣ、圧力Ｉ　Ｔｏｒｒ、高周波電力密度Ｉ　Ｗ　
ａｔｔ／　ｃ＋ａ２である。

その後、原料ガスの供給、放電及び基板の加熱を停止し
、ｌ　Ｑ　Ｏ！＞６水素を流［２てプラ、［マＣＶＤ装
置ｎ内のガスを完全に置換しｔこ後、同一のプラズマＣ
ＶＤ装置内で下記の条ｆ＋により厚み２＋５００人の／
ンドーブアモルファスシリコンから成る半導体層（５）
を堆積した。

この条件は、基板温度２５０’ｃ、Ｆｙ、料ガスとして
１０モル％１こ希釈したシランを用い、その流ｈｔが２
０　＋’ｌ　Ｓ　ＣＣＭ、圧力０，２Ｔｏｒｒ、高周波
電力密度０　、　　Ｉ　Ｗ　ａｃｔ／　ｃｎ−である。

次に７１トリングラフイによりトランノスタ形戊領域に
アモルファスシリコンのパターンを形Ｉｌｌした。

しかる後、スバ・フタ法により厚み３，０００人のアル
ミニウム膜を選択的に１１ト積し、ソース電極（６）及
びドレイン電極（７）を形成した。

更にスパッタ法により厚み３００人のＩＴＯｌｌｉを選
択的に堆積し、表示用７ｒ１極を形成した。

スパッタによるアルミニウム膜及びＩＴＯ膜の１１１ｉ
積の場合も、基板温度は２５０°Ｃを越元ないようにし
た。

かくして得られｒ：、薄膜トランジスタアレイは基板と
して石英がラス板を用いたものと比較して、何ら遜色が
なく、しかも軽量であった。

（８）発明の効果 本発明のＴＦＴアレイは、その基板に無色透明なポリイ
ミドフィルムを■いることで、可撓性のＴＦＴアレイを
製作するのが可能となり、液晶と裏面側の透明導電膜と
組み合せることで、使用者に対し、凹型の表示面を有す
る反射光を減少した液晶表示パネルの製作ができるので
ある。

又、基板をロール状に巻回した状態で連続して製造工程
にかけられるため、連続生産が可能となり、この結果、
生産コストを大幅に削減できるのである。

又、軽量、薄型のため、ポータプルな装置への応用に適
した液晶表示用ＴＦＴアレイを容易に製造できるなどの
効果を奏するのである。

更に、基板、透明導電膜及び液晶等の屑をはさんで互に
張り合わされて成るフィルムを、適度に湾曲した形状の
アクリル樹脂等の成形パネルに重ねて使用することもで
き、極めて有用である。

【図面の簡単な説明】

第１図ないし第４図はそれぞれ本発明を適用しうる薄膜
トランノスタアレイの要部拡大断面図である。 （１）・・・薄膜トランノスタアレイ、（２）・・・基
板、 （３）・・・　デ　−　ト　？■【　極　、（４）・・
・絶縁膜、 （５）・・・半導体層、 （６）・・・ソース電極、 （７）・・・ドレイン電極。 第１　（支） ４−ＪＬ本東 ５、−４１１　　　　　第２図 第３図 手続補正書（自発） 昭和６１年１１月１０日

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 ゲート電極、ゲート絶縁膜、半導体層及びソース・ドレ
   イン電極を基板上に設けて成る薄膜トランジスタアレイ
   において、該基板が一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼−（ I ） 及び／又は ▲数式、化学式、表等があります▼−（II） 〔ただし、式（ I ）においてＸ＿１はＯ、ＳＯ＿２、
   ＣＨ＿２又はＣＯであり、式（II）において、Ｘ＿２は
   ＳＯ＿２、Ｃ（ＣＨ＿３）＿２又はＣ（ＣＦ＿３）＿２
   である。〕で示される繰返し単位を有するポリイミドを
   主成分とするポリイミドフィルムで形成されていること
   を特徴とする薄膜トランジスタアレイ。