JPS629543A - 光学式ピツクアツプ装置 - Google Patents
光学式ピツクアツプ装置Info
- Publication number
- JPS629543A JPS629543A JP14799085A JP14799085A JPS629543A JP S629543 A JPS629543 A JP S629543A JP 14799085 A JP14799085 A JP 14799085A JP 14799085 A JP14799085 A JP 14799085A JP S629543 A JPS629543 A JP S629543A
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- Japan
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- photodetector
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- semiconductor substrate
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- optical pickup
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分Ｗ〕
乙の発明はトラック状に情報が記録された情報記録媒体
からレーザー光を用いて情報を読みとる光学式ピックア
ップ装置に関するものである。
からレーザー光を用いて情報を読みとる光学式ピックア
ップ装置に関するものである。
〔従来の技術〕 ′
第５図は従来の３ビ一ム方式の光学式ピックアップ装置
の概略構成図であり、図において、１はトラック状に情
報を記録した情報記録媒体としてのディスク、２はこの
ディスクの記録情報を読みとる光学式ピックアップで、
レーザー光源３と、回折格子、ビームスプリッタ−４、
対物ｌ／レンズ等を含み、レーザー光源３からの光束を
トラック上に照射させる光学系と、こり光学系に導かれ
た情報トラックからの反射光束を受光して電気信号を出
力する光検知ＩＪＩＦＢとからなり、更に図示しないが
、情報トラック上に光束の焦点を結ばせるとともに情報
トラック上を光束が正確に追従するようにするための２
つの駆動機構を具備している。
の概略構成図であり、図において、１はトラック状に情
報を記録した情報記録媒体としてのディスク、２はこの
ディスクの記録情報を読みとる光学式ピックアップで、
レーザー光源３と、回折格子、ビームスプリッタ−４、
対物ｌ／レンズ等を含み、レーザー光源３からの光束を
トラック上に照射させる光学系と、こり光学系に導かれ
た情報トラックからの反射光束を受光して電気信号を出
力する光検知ＩＪＩＦＢとからなり、更に図示しないが
、情報トラック上に光束の焦点を結ばせるとともに情報
トラック上を光束が正確に追従するようにするための２
つの駆動機構を具備している。
光検知！！＃８は第６図に示すように、互いに直交する
軸に対して対称に配置された少なくとも４個の受光部６
ａ−９ｄと、この受光部を挾んで相対するよう配置され
た２個の受光部６ｅ、（３ｆとから構成されている。
軸に対して対称に配置された少なくとも４個の受光部６
ａ−９ｄと、この受光部を挾んで相対するよう配置され
た２個の受光部６ｅ、（３ｆとから構成されている。
）は光検知器８の外部端子に各受光部６ａ〜６ｆに対応
してそれぞれ接続したＣＭＯＳインバータによる電流電
圧変換回路で、受光部の出力電流を電圧に変換して後段
の増幅回路に供給する。
してそれぞれ接続したＣＭＯＳインバータによる電流電
圧変換回路で、受光部の出力電流を電圧に変換して後段
の増幅回路に供給する。
第８図は光検知器６の構造図を示し、これは低濃度ｎ型
不純物基板８（以下ｎ−基板と称す）上に高濃度のｐ型
拡散層（以後ｐ＋拡散層）を形成して各検知部９ａ〜６
ｆとしている。
不純物基板８（以下ｎ−基板と称す）上に高濃度のｐ型
拡散層（以後ｐ＋拡散層）を形成して各検知部９ａ〜６
ｆとしている。
一方、第７図は電流電圧変換回路フを構成するＣＭＯＳ
インバータの構造図を示し、９はｎ−基板電極である。
インバータの構造図を示し、９はｎ−基板電極である。
次に動作について説明する。レーザー光源３から発した
レーザー光は回折格子によって、１本のメインビームと
２本のサブビームに分割され、対物レンズ５を通してデ
ィスク１のトラック上に照射され、一方ディスク１から
の反射光は対物レンズ５から入射し、ビームスプリッタ
−４で分離されて光検知器８に照射される。
レーザー光は回折格子によって、１本のメインビームと
２本のサブビームに分割され、対物レンズ５を通してデ
ィスク１のトラック上に照射され、一方ディスク１から
の反射光は対物レンズ５から入射し、ビームスプリッタ
−４で分離されて光検知器８に照射される。
つまり、第６図に対するようにメインビームは光検知器
６の中央の検知部６ａ〜６ｄに照射され、サブビームは
対置する他の検知部（３ｅ、９ｆにそれぞれ照射される
。
６の中央の検知部６ａ〜６ｄに照射され、サブビームは
対置する他の検知部（３ｅ、９ｆにそれぞれ照射される
。
従って、光検知器６の各検知部６ａ〜６ｆはそれぞれの
光量に応じた光電流が外部端子から電流電圧変換回路７
に入力し、電圧信号に変換される、このときの電気回路
を第８図に示しており、光検知Ｗｉ６の検知部には各検
知部の出力信号が相互に干渉しないように抵抗１日とコ
ンデンサ２０とからなる回路を介してバイアス電源を接
続し、検知部に光束が当ると光電流が発生ずる。
光量に応じた光電流が外部端子から電流電圧変換回路７
に入力し、電圧信号に変換される、このときの電気回路
を第８図に示しており、光検知Ｗｉ６の検知部には各検
知部の出力信号が相互に干渉しないように抵抗１日とコ
ンデンサ２０とからなる回路を介してバイアス電源を接
続し、検知部に光束が当ると光電流が発生ずる。
〔発明が解決しようとする問題点３
以上のように従来の光学式ピックアップ装置によれば、
光検知器に対し、電流電圧変換回路をピックアップの外
部端子を介して接続するようにしているから組立作業が
煩雑であるとともに大型化してコストが増大し、特にリ
ード線の引き回しにより再生信号におけるＳＮ比が低下
するという問題点があった。
光検知器に対し、電流電圧変換回路をピックアップの外
部端子を介して接続するようにしているから組立作業が
煩雑であるとともに大型化してコストが増大し、特にリ
ード線の引き回しにより再生信号におけるＳＮ比が低下
するという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、ピックアップ自体を小型化してコストを下げ
、しかもＳＮ比を向上するようにした光学式ピックアッ
プ装置を得ることを目的とする。
たもので、ピックアップ自体を小型化してコストを下げ
、しかもＳＮ比を向上するようにした光学式ピックアッ
プ装置を得ることを目的とする。
［１ｉｔｌｊＩ点を解決するための手段］この発明に係
る光学式ピックアップ装置は、光検知器と、この光検知
器から出力される電気信号の増幅回路とを単一の半導体
基板上に集積して形成したものである。
る光学式ピックアップ装置は、光検知器と、この光検知
器から出力される電気信号の増幅回路とを単一の半導体
基板上に集積して形成したものである。
この発明においては、光検知器の出力信号は単一の半導
体基板にｌ／４ｍｌ、て形成された増幅回路により有効
に処理される。
体基板にｌ／４ｍｌ、て形成された増幅回路により有効
に処理される。
以下この発明の実施例を図について説明する。
第２図は増幅回路と光検知器とを形成する半導体装置の
断面図であり、ｐ−の半導体基板２５の主面側に２つの
ｎ−アイランド２６．２７が形成され、各アイランドに
ｐ＋ソースドレイン領域２８〜３３が不純物拡散により
形成されるとともにこのアイランドの間の領域にｎ＋リ
ソースレイン領域３４゜３５が不純物拡散により形成さ
れる。
断面図であり、ｐ−の半導体基板２５の主面側に２つの
ｎ−アイランド２６．２７が形成され、各アイランドに
ｐ＋ソースドレイン領域２８〜３３が不純物拡散により
形成されるとともにこのアイランドの間の領域にｎ＋リ
ソースレイン領域３４゜３５が不純物拡散により形成さ
れる。
更に一方のアイランド２７のｐ″ソースドレイン領域３
２．３３と、ｎ＋リソースレイン領域３４゜３５にはゲ
ート酸化膜３８．３７及びゲート電極３８．３９が一部
各領域と重なるように設けられている。 ゛ つまり、かかる半導体装置におけるｐ↑ソースドレイン
領域２８〜３１が光検知器６の各検知部６゛ａ〜６ｆに
該当し、ゲート電極の設けられｔこｐｔｙノースドレイ
ン１ｉ域３２．３３と、ｎ＋リソースレイン領域３４が
相補型電界トランジスタとして電流電圧変換回路７を構
成している。
２．３３と、ｎ＋リソースレイン領域３４゜３５にはゲ
ート酸化膜３８．３７及びゲート電極３８．３９が一部
各領域と重なるように設けられている。 ゛ つまり、かかる半導体装置におけるｐ↑ソースドレイン
領域２８〜３１が光検知器６の各検知部６゛ａ〜６ｆに
該当し、ゲート電極の設けられｔこｐｔｙノースドレイ
ン１ｉ域３２．３３と、ｎ＋リソースレイン領域３４が
相補型電界トランジスタとして電流電圧変換回路７を構
成している。
第３図はこのような半導体装置の製造工程を説明した図
であり、まず半導体基板２５の主面側にｎ−のアイラン
ド２６．２７を不純物拡散によ抄形成するとともに ｎ
？リソースレイン領域３４，３５を不純物拡散により形
成する。
であり、まず半導体基板２５の主面側にｎ−のアイラン
ド２６．２７を不純物拡散によ抄形成するとともに ｎ
？リソースレイン領域３４，３５を不純物拡散により形
成する。
次に、ｎ−アイランド２８．２７にｐ′″ソースドレイ
ン領域２８〜３３を不純物拡散により形成し、一部のｐ
＋リソースレイン領域３２，３３およびｎ＋リソースレ
イン領域３４．３５にこの各領域と一部が重なるように
ゲート酸化膜３Ｂ、３フを被着し、乙のゲート酸化膜の
上に導電性のゲート電極３８．３８を形成する。
ン領域２８〜３３を不純物拡散により形成し、一部のｐ
＋リソースレイン領域３２，３３およびｎ＋リソースレ
イン領域３４．３５にこの各領域と一部が重なるように
ゲート酸化膜３Ｂ、３フを被着し、乙のゲート酸化膜の
上に導電性のゲート電極３８．３８を形成する。
従って、ｐ＋ソースドレイン領域２８〜３１は光検知器
６のアノードとなり、又電極を設けたｐｔソースドレイ
ン領域３２．３３同ｅ＜ ｎ±ソースドレ第４図はこの
発明の他の実施態様、すなわちｎ−基板を用いた半導体
装置の製造工程で説明した図であり、まず、ｎ−の半導
体基板４０の主面側にｐ−アイランド４１４１が不純物
拡散により形成されるとともにｐｔのソースドレイン領
域４２〜４３が不純物拡散により形成される。
６のアノードとなり、又電極を設けたｐｔソースドレイ
ン領域３２．３３同ｅ＜ ｎ±ソースドレ第４図はこの
発明の他の実施態様、すなわちｎ−基板を用いた半導体
装置の製造工程で説明した図であり、まず、ｎ−の半導
体基板４０の主面側にｐ−アイランド４１４１が不純物
拡散により形成されるとともにｐｔのソースドレイン領
域４２〜４３が不純物拡散により形成される。
次に、ｐ−アイランド４１にれ＋ソースドレイン領域４
５，４Ｅｉを不純物拡散により形成し、とのｎ↑ソース
ドレイン領域４５，４Ｂとｐ↑ソースドレイン領域４３
，４４にこの各領域と一部が重なるようにゲート酸化膜
４７．４８を被着するとともにこのゲート酸化膜の上に
導電性のゲート電ｐｉ４９．５０を形成する。
５，４Ｅｉを不純物拡散により形成し、とのｎ↑ソース
ドレイン領域４５，４Ｂとｐ↑ソースドレイン領域４３
，４４にこの各領域と一部が重なるようにゲート酸化膜
４７．４８を被着するとともにこのゲート酸化膜の上に
導電性のゲート電ｐｉ４９．５０を形成する。
従って、この実施態様によればｐ土ソースドレイン４２
が光検知器でかつその１ノードとなり、基板４０がその
ままカソードとなる。
が光検知器でかつその１ノードとなり、基板４０がその
ままカソードとなる。
［発明の効果〕
この発明は以上説明したとおり、光検知器とその出力信
号の増幅回路とを半導体装置として単一の半導体基板に
形成しているから、全体に小型化を図ることが可能にな
るとともにＳ Ｎ比の向上を図れるという効果がある。
号の増幅回路とを半導体装置として単一の半導体基板に
形成しているから、全体に小型化を図ることが可能にな
るとともにＳ Ｎ比の向上を図れるという効果がある。
第１図は乙の説明の一実施例を示す光学式ピック１ツブ
装置の概略図、第２図は半導体装置の断面図、第３図は
半導体装置の製造工程を示す断面図、第４図は他の実施
態様における製造工程を示す断面図、第５図は従来の光
学式ピックアップ装置を示す概略図、第６図は光検知器
の構成図、第７図は光検知器の断面図、第８図は増幅回
路を構成する半導体装置の断面図、第９図は回路図であ
る。 ６は光検知器、７は増幅回路、２５は半導体基板である
。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄（外２名） 第３図 第４図 ４゜
装置の概略図、第２図は半導体装置の断面図、第３図は
半導体装置の製造工程を示す断面図、第４図は他の実施
態様における製造工程を示す断面図、第５図は従来の光
学式ピックアップ装置を示す概略図、第６図は光検知器
の構成図、第７図は光検知器の断面図、第８図は増幅回
路を構成する半導体装置の断面図、第９図は回路図であ
る。 ６は光検知器、７は増幅回路、２５は半導体基板である
。 なお、図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄（外２名） 第３図 第４図 ４゜
Claims (1)
- レーザー光を情報記録媒体に照射し、その反射したレー
ザー光を光検知器で受光することにより情報を電気信号
に変換して出力するようにしたものにおいて、前記電気
信号の増幅回路を前記光検知器と単一の半導体基板上に
形成したことを特徴とする光学式ピックアップ装置。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14799085A JPS629543A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 光学式ピツクアツプ装置 |
| EP86109059A EP0207517B1 (en) | 1985-07-05 | 1986-07-03 | Optical pickup apparatus |
| DE8686109059T DE3677645D1 (de) | 1985-07-05 | 1986-07-03 | Optischer signalabnehmer. |
| US07/173,949 US4972400A (en) | 1985-07-05 | 1988-03-28 | Optical pickup apparatus having switch for allowing positional adjustment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14799085A JPS629543A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 光学式ピツクアツプ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS629543A true JPS629543A (ja) | 1987-01-17 |
Family
ID=15442662
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14799085A Pending JPS629543A (ja) | 1985-07-05 | 1985-07-05 | 光学式ピツクアツプ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS629543A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5979441A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Omron Tateisi Electronics Co | 光学的読取装置 |
-
1985
- 1985-07-05 JP JP14799085A patent/JPS629543A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5979441A (ja) * | 1982-10-29 | 1984-05-08 | Omron Tateisi Electronics Co | 光学的読取装置 |
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