JPS6296864U - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6296864U JPS6296864U JP18970285U JP18970285U JPS6296864U JP S6296864 U JPS6296864 U JP S6296864U JP 18970285 U JP18970285 U JP 18970285U JP 18970285 U JP18970285 U JP 18970285U JP S6296864 U JPS6296864 U JP S6296864U
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- JP
- Japan
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- semiconductor
- light absorption
- absorption layer
- layer
- semi
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- Pending
Links
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 5
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000530 Gallium indium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
Description
第１図は本考案による光検出器の一実施例を示
す断面図、第２図は従来の光検出器の構造を示す
断面図である。 １１…半絶縁性ＩｎＰ基板、１２…ｎ―ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層、１３…ｐ―ＩｎＧａＡｓ層、１
４ａ，１４ｂ…電極、２１…半絶縁性ＧａＡｓ基
板、２２…ＧａＡｓ光吸収層、２３ａ，２３ｂ…
シヨツトキー電極。
す断面図、第２図は従来の光検出器の構造を示す
断面図である。 １１…半絶縁性ＩｎＰ基板、１２…ｎ―ＩｎＧ
ａＡｓ光吸収層、１３…ｐ―ＩｎＧａＡｓ層、１
４ａ，１４ｂ…電極、２１…半絶縁性ＧａＡｓ基
板、２２…ＧａＡｓ光吸収層、２３ａ，２３ｂ…
シヨツトキー電極。
Claims (1)
- 半絶縁性半導体基板上に形成された半導体光吸
収層と、該光吸収層上若しくはその内部に形成さ
れた１対の前記光吸収層と導電型の異なる半導体
層と、該半導体層上に形成された電極とを有する
ことを特徴とする光検出器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18970285U JPS6296864U (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18970285U JPS6296864U (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6296864U true JPS6296864U (ja) | 1987-06-20 |
Family
ID=31142242
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18970285U Pending JPS6296864U (ja) | 1985-12-09 | 1985-12-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6296864U (ja) |
-
1985
- 1985-12-09 JP JP18970285U patent/JPS6296864U/ja active Pending