JPS6298596A - 薄膜ｅｌ素子の製造方法 - Google Patents
薄膜ｅｌ素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS6298596A JPS6298596A JP60238998A JP23899885A JPS6298596A JP S6298596 A JPS6298596 A JP S6298596A JP 60238998 A JP60238998 A JP 60238998A JP 23899885 A JP23899885 A JP 23899885A JP S6298596 A JPS6298596 A JP S6298596A
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- JP
- Japan
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- thin film
- zns
- emitting layer
- organic
- light
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- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Luminescent Compositions (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は薄膜ＥＬ素子の製造方法、さらに詳細には輝度
対電圧特性に現れるヒステリシス幅が広く、経時変化に
対して安定な薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
対電圧特性に現れるヒステリシス幅が広く、経時変化に
対して安定な薄膜ＥＬ素子の製造方法に関する。
ＺｎＳ：Ｍｎ薄膜ＥＬ素子は、第１図に示すようにガラ
スなどの基板１上に透明電極２を積層し、この透明電極
２上にＩＩ！！縁膜３を介してＺｎＳ：Ｍｎ発光層４を
形成したのち、さらに絶縁膜３によって決着するととも
に、前記絶縁膜３上に、さらに背面電極５を形成した構
造になっている。
スなどの基板１上に透明電極２を積層し、この透明電極
２上にＩＩ！！縁膜３を介してＺｎＳ：Ｍｎ発光層４を
形成したのち、さらに絶縁膜３によって決着するととも
に、前記絶縁膜３上に、さらに背面電極５を形成した構
造になっている。
このような構造の薄膜ＥＬ素子の発光層を形成させる場
合、従来は透明電極２上に絶縁膜３をスパッタリング法
、蒸着法などによって形成したのち、芸着法によって発
光層４を形成していた。すなわち、ＺｎＳと金属マンガ
ンあるいは塩化マンガンを真空中において電子線の作用
によって、前記絶縁膜３上に形成するものであった。
合、従来は透明電極２上に絶縁膜３をスパッタリング法
、蒸着法などによって形成したのち、芸着法によって発
光層４を形成していた。すなわち、ＺｎＳと金属マンガ
ンあるいは塩化マンガンを真空中において電子線の作用
によって、前記絶縁膜３上に形成するものであった。
前述のような構成の薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性は、
第２図に示すようにしきい値電圧で急峻に立ち上がり、
数１０００ｃｄ ／ ｇの輝度で飽和する。
第２図に示すようにしきい値電圧で急峻に立ち上がり、
数１０００ｃｄ ／ ｇの輝度で飽和する。
しかしながら発光層４のＭｎ４度を増加させたり、発光
層４作製時の基板温度を下げたり、さらには熱処理を施
すなどを行うと、第３図に示すように輝度−電圧特性が
電圧上昇時と下降時で異なるヒステリシス現象を示すこ
とが知られている。この特性はメモリー現象とよばれて
いる。
層４作製時の基板温度を下げたり、さらには熱処理を施
すなどを行うと、第３図に示すように輝度−電圧特性が
電圧上昇時と下降時で異なるヒステリシス現象を示すこ
とが知られている。この特性はメモリー現象とよばれて
いる。
このようにヒステリシス現象を示す薄膜ＥＬ素子はＸＹ
マトリクス表示パネル化した場合、駆動回路が簡単にな
り、また大面積化が容易で、さらに光書き込みができる
などの多くの利点を有している。このため１９７０年代
の終わりから、１９８０年大の初めにかけて、各所で盛
んに研究されていた。
マトリクス表示パネル化した場合、駆動回路が簡単にな
り、また大面積化が容易で、さらに光書き込みができる
などの多くの利点を有している。このため１９７０年代
の終わりから、１９８０年大の初めにかけて、各所で盛
んに研究されていた。
しかしながら、前述のような蒸着方法によって製造され
た薄膜Ｅ Ｌ素子は、以下に述べる二つの問題があった
。
た薄膜Ｅ Ｌ素子は、以下に述べる二つの問題があった
。
■ 飽和輝度とメモリ幅（ヒステリシス曲線の電圧幅）
が相反する関係にある（Ｍａｒｒｅｌｌｏら、ＩＥＥＥ
Ｔｒ、 ＥＤ−２７（１９８０） Ｐ１７６７ 、参
照）。
が相反する関係にある（Ｍａｒｒｅｌｌｏら、ＩＥＥＥ
Ｔｒ、 ＥＤ−２７（１９８０） Ｐ１７６７ 、参
照）。
この関係を第４図に示す。図中、実線はＭｎ濃度と輝度
との関係、破線はＭｎ４度とメモリ幅／しきい値電圧（
％）との関係を示している。この図より明らかなように
、Ｍｎ濃度が約０．３重量％において輝度は最大になる
のに対して、メモリ幅は約１〜２重量％において最大に
なる。このため、メモリ幅を大きくしようとすると輝度
が低くなり、輝度を高くしようとすると、メモリ幅が小
さくなるという欠点がある。
との関係、破線はＭｎ４度とメモリ幅／しきい値電圧（
％）との関係を示している。この図より明らかなように
、Ｍｎ濃度が約０．３重量％において輝度は最大になる
のに対して、メモリ幅は約１〜２重量％において最大に
なる。このため、メモリ幅を大きくしようとすると輝度
が低くなり、輝度を高くしようとすると、メモリ幅が小
さくなるという欠点がある。
■ メモリ幅が時間とともに減少する（Ａｌｔら、Ｊ、
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏ１５３ （１９８２） Ｐ
５１８６参照）。
Ａｐｐｌ、Ｐｈｙｓ、ｖｏ１５３ （１９８２） Ｐ
５１８６参照）。
この関係を第５図に示す。この第５図より明らかなよう
に、メモリ幅は約１００〜２００時間で減衰する。
に、メモリ幅は約１００〜２００時間で減衰する。
本発明は以上の点に鑑みなされたものであり、前述の薄
膜ＥＬ素子の輝度対メモリ幅特性およびメモリ幅の減衰
を改善した薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することを目
的とする。
膜ＥＬ素子の輝度対メモリ幅特性およびメモリ幅の減衰
を改善した薄膜ＥＬ素子の製造方法を提供することを目
的とする。
したがって本発明による薄膜ＥＬ素子の製造方法によれ
がば、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を絶縁層で挟着した構造を有
し、発光輝度対印加電圧特性にヒステリシス効果を有す
る薄膜ＥＬ素子の製造方法において、前記ＺｎＳ：Ｍｎ
発光層を、有機亜鉛化合物よりなる群から選択された一
種以上、有機硫黄化合物および硫化水素よりなる群から
選択された一種以上および有機マンガン化合物の一種以
上含む原料ガスより気相成長させて作製することを特徴
とするものである。
がば、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を絶縁層で挟着した構造を有
し、発光輝度対印加電圧特性にヒステリシス効果を有す
る薄膜ＥＬ素子の製造方法において、前記ＺｎＳ：Ｍｎ
発光層を、有機亜鉛化合物よりなる群から選択された一
種以上、有機硫黄化合物および硫化水素よりなる群から
選択された一種以上および有機マンガン化合物の一種以
上含む原料ガスより気相成長させて作製することを特徴
とするものである。
本発明による薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば、従来の
蒸着法と異なり、有機金属化合物を用いた有機気相成長
法によって、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を形成することを特徴
としており、後述の実施例によって明らかになるように
、輝度対メモリ幅特性が改善されるとともに、メモリ幅
の減衰も抑制されるという効果がある。
蒸着法と異なり、有機金属化合物を用いた有機気相成長
法によって、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を形成することを特徴
としており、後述の実施例によって明らかになるように
、輝度対メモリ幅特性が改善されるとともに、メモリ幅
の減衰も抑制されるという効果がある。
本発明による薄膜ＥＬ素子の製造方法によれば、まずガ
ラスなどの基板上に透明電極およに絶縁膜を形成したの
ち、この絶縁膜上にＺｎＳ：Ｍｎ発光層を有機金属気相
成長法によって形成させる。
ラスなどの基板上に透明電極およに絶縁膜を形成したの
ち、この絶縁膜上にＺｎＳ：Ｍｎ発光層を有機金属気相
成長法によって形成させる。
前記基板上に透明電極および絶縁膜を形成する方法は、
本発明において限定されるものではなく、従来の蒸着法
、スパッタリング法などを有効に用いることが可能であ
る。
本発明において限定されるものではなく、従来の蒸着法
、スパッタリング法などを有効に用いることが可能であ
る。
このＺｎＳ：Ｍｎ発光層を挟持する上記絶縁膜の種類も
、本発明に限定されるものではなく、たとえば従来使用
されているＳｍ２０３、Ｔａ２０５ 、Ｙ ２０３、Ｓ
ｉ３Ｎ４などであることができる。
、本発明に限定されるものではなく、たとえば従来使用
されているＳｍ２０３、Ｔａ２０５ 、Ｙ ２０３、Ｓ
ｉ３Ｎ４などであることができる。
このような絶縁膜に挟着されるＺｎＳ：Ｍｎ発光層を、
本発明においては、有機亜鉛化合物よりなる群から選択
された一種以上、有機硫黄化合物および硫化水素よりな
る群から選択された一種以上および有機マンガン化合物
の一種以上含む原料ガスより気相成長させて作製する。
本発明においては、有機亜鉛化合物よりなる群から選択
された一種以上、有機硫黄化合物および硫化水素よりな
る群から選択された一種以上および有機マンガン化合物
の一種以上含む原料ガスより気相成長させて作製する。
このような有機金・縮化合物よりＺｎＳ：Ｍｎ発光層を
成長させると、蒸釘 ″着法と異なり、前記輝度対メモリ幅特性、メモリ幅の
経時的変化特性が改善されるのか理由は分明らかないが
、後述の実施例より明らかなように、前記輝度対メモリ
幅特性、メモリ幅の経時的変化特性は著しく改善される
。
成長させると、蒸釘 ″着法と異なり、前記輝度対メモリ幅特性、メモリ幅の
経時的変化特性が改善されるのか理由は分明らかないが
、後述の実施例より明らかなように、前記輝度対メモリ
幅特性、メモリ幅の経時的変化特性は著しく改善される
。
本発明において使用される有機亜鉛化合物は、ＺｎＳを
構成するためのものであり、本発明において有機硫黄化
合物あるいは硫化水素とともにＺｎＳ膜を形成するもの
であれば基本的にいかなるものでもよい。たとえば、ジ
メチルジンク、ジエチルジンクなどの一種以上を用いる
ことができる。
構成するためのものであり、本発明において有機硫黄化
合物あるいは硫化水素とともにＺｎＳ膜を形成するもの
であれば基本的にいかなるものでもよい。たとえば、ジ
メチルジンク、ジエチルジンクなどの一種以上を用いる
ことができる。
また、本発明において使用される有機硫黄化合物は前述
と同様に前記有機亜鉛化合物と有機気相反応においてＺ
ｎＳを形成するものであればいかなるものでもよい。た
とえば、ジメチルイオウ、ジエチルイオウの一種以上で
あることができる。この有機亜鉛化合物とともにＺｎＳ
を生成する硫黄化合物としては、他に硫化水素を例とし
て挙げることができる。
と同様に前記有機亜鉛化合物と有機気相反応においてＺ
ｎＳを形成するものであればいかなるものでもよい。た
とえば、ジメチルイオウ、ジエチルイオウの一種以上で
あることができる。この有機亜鉛化合物とともにＺｎＳ
を生成する硫黄化合物としては、他に硫化水素を例とし
て挙げることができる。
前記ＺｎＳ層中にドーパントとして添加されるＭｎは、
有機マンガン化合物として原料ガス中に添加されてＺｎ
Ｓ：Ｍｎ発光層を生成せしめる。このような有機マンガ
ン化合物は、前述のように有機気相成長において、Ｚｎ
Ｓ層中にドーパントとして取り込まれるものであれば、
本発明において基本的に限定されるものではない。たと
えば、トリカルボニルシクロペンタジェニルマンガン、
π−シクロペンタジェニルマンガンなどの一種以上であ
ることができる。
有機マンガン化合物として原料ガス中に添加されてＺｎ
Ｓ：Ｍｎ発光層を生成せしめる。このような有機マンガ
ン化合物は、前述のように有機気相成長において、Ｚｎ
Ｓ層中にドーパントとして取り込まれるものであれば、
本発明において基本的に限定されるものではない。たと
えば、トリカルボニルシクロペンタジェニルマンガン、
π−シクロペンタジェニルマンガンなどの一種以上であ
ることができる。
このような原料ガスより絶縁膜上にＺｎＳ：Ｍｎ発光層
を有機気相成長せしめるものであるが、このとき有機亜
鉛化合物の一種以上は、好ましくは１ｘｔｏ−ｓ 〜８
Ｘｌ０− ” ｍｏｌ ７分の流速で成長系に導入す
るのが好ましい。１ ｘｔｏ−ｓ ｍｏｌ ７分未満で
あると、成長速度が遅くなりすぎて実用的ではなく、一
方８ ｘｉｏ−５ｍｏｌ ７分を超えた流速であると、
発光層の膜質が悪化する虞を生じるからである。
を有機気相成長せしめるものであるが、このとき有機亜
鉛化合物の一種以上は、好ましくは１ｘｔｏ−ｓ 〜８
Ｘｌ０− ” ｍｏｌ ７分の流速で成長系に導入す
るのが好ましい。１ ｘｔｏ−ｓ ｍｏｌ ７分未満で
あると、成長速度が遅くなりすぎて実用的ではなく、一
方８ ｘｉｏ−５ｍｏｌ ７分を超えた流速であると、
発光層の膜質が悪化する虞を生じるからである。
また、有機硫黄化合物および硫化水素の一種以上は、好
ましくは４ Ｘｌ０−５〜４５Ｘ１０− ” ｍｏｌ
７分の流速で成長系に導入するのがよい。この流速が４
ｘｌｏ−５ｍｏｌ ７分未満であると、上記の有機亜
鉛化合物の場合と同様に成長速度が遅くなりすぎ、一方
、４５Ｘ１０” ５ｍｏｌ ７分を超えた流速であると
、発光層の膜質が悪化する虞を生じるからである。
ましくは４ Ｘｌ０−５〜４５Ｘ１０− ” ｍｏｌ
７分の流速で成長系に導入するのがよい。この流速が４
ｘｌｏ−５ｍｏｌ ７分未満であると、上記の有機亜
鉛化合物の場合と同様に成長速度が遅くなりすぎ、一方
、４５Ｘ１０” ５ｍｏｌ ７分を超えた流速であると
、発光層の膜質が悪化する虞を生じるからである。
さらに、有機マンガン化合物の一種以上は、好ましくは
、０．５ Ｘｌ０−５〜２ ｘｌｏ−５ｍｏ＋ ７分の
流速で成長系に導入するのが好ましい。流速が、０．５
ＸＩＯ” ” ｍｏｌ ７分未満であると、メモリを
示さない虞があり、一方、２ ｘｉｏ−５ｍｏｌ ７分
を超えると、輝度が著しく低下する虞があるからである
。
、０．５ Ｘｌ０−５〜２ ｘｌｏ−５ｍｏ＋ ７分の
流速で成長系に導入するのが好ましい。流速が、０．５
ＸＩＯ” ” ｍｏｌ ７分未満であると、メモリを
示さない虞があり、一方、２ ｘｉｏ−５ｍｏｌ ７分
を超えると、輝度が著しく低下する虞があるからである
。
このようなＺｎＳ：Ｍｎ発光層のＭｎ濃度は、後述の実
施例よりも明らかなように、好ましくは０．３〜１．５
重量％である。０．３重量％未満であるとメモリ幅が
小さくなりすぎ、一方１．５重量％を超える坂（基板お
よび絶縁膜）温度は、好ましくは２５０〜３５０ ’Ｃ
であるのがよい。２５０℃未満であると、気相成長速度
が充分でなく、また、３５０°Ｃを超えると発光膜の性
質が悪化する虞を生じるからである。
施例よりも明らかなように、好ましくは０．３〜１．５
重量％である。０．３重量％未満であるとメモリ幅が
小さくなりすぎ、一方１．５重量％を超える坂（基板お
よび絶縁膜）温度は、好ましくは２５０〜３５０ ’Ｃ
であるのがよい。２５０℃未満であると、気相成長速度
が充分でなく、また、３５０°Ｃを超えると発光膜の性
質が悪化する虞を生じるからである。
以下本発明の実施例について説明する。
実施例
第１図に示すような構成の薄膜ＥＬ素子を製造した。
ガラス基板１に透明電極２を形成したのち、Ｓｍ２Ｏ３
絶縁膜を蒸着法によって形成した。その後、ジメチルジ
ンクおよび硫化水素、さらにはトリカルボニルシクロペ
ンタジェニルマンガンを用いて、下記の条件で有機金属
気相成長によりＺｎＳ：Ｍｎ発光層４を形成した。その
後、通常の方法によって絶縁膜４およびへ１背面電極５
を設けて薄膜ＥＬ素子を製造した。
絶縁膜を蒸着法によって形成した。その後、ジメチルジ
ンクおよび硫化水素、さらにはトリカルボニルシクロペ
ンタジェニルマンガンを用いて、下記の条件で有機金属
気相成長によりＺｎＳ：Ｍｎ発光層４を形成した。その
後、通常の方法によって絶縁膜４およびへ１背面電極５
を設けて薄膜ＥＬ素子を製造した。
条件１
ジメチルジンクの流速： ２ ｘｌＱ−ｓ ｍｏｌ ／
分１１２Ｓの流速： ６．７ ｘｉｏ−ｓ ｍｏｌ ／
分トリカルボニルシクロペンタジェニルマンガンの流速
： １ ｘｔｏ−５ｍｏｌ ／分基扱温度＝３００°Ｃ 希釈水素の流速＝２１／分 基板温度：３００°Ｃ 成長圧カニ ６０ｔｏｒｒ 比較のため、従来のＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ発光層を
下記の条件２によって生成し、他は上記と同様に薄膜Ｅ
Ｌ素子を製造した。
分１１２Ｓの流速： ６．７ ｘｉｏ−ｓ ｍｏｌ ／
分トリカルボニルシクロペンタジェニルマンガンの流速
： １ ｘｔｏ−５ｍｏｌ ／分基扱温度＝３００°Ｃ 希釈水素の流速＝２１／分 基板温度：３００°Ｃ 成長圧カニ ６０ｔｏｒｒ 比較のため、従来のＥＢ蒸着法でＺｎＳ：Ｍｎ発光層を
下記の条件２によって生成し、他は上記と同様に薄膜Ｅ
Ｌ素子を製造した。
条件２
基板温度：１８０’ｃ
蒸着速度：約１０００人／分
真空度 ： ３ ｘｉｏ−６ｔｏｒｒ
熱処理条件：４００℃、１時間
第６図にこのように製造した本発明による薄膜ＥＬ素子
および従来の方法によって製造した薄膜ＥＬ素子の飽和
輝度のＭｎｆｉ度依存性を示す。また、第７図にメモリ
幅のＭｎ４度依存性を示す。第６図および第７図におい
て、６は本発明による薄膜ＥＬ素子、７は従来の方法に
よって製造された薄膜ＥＬ素子のＭｎ濃度依存性である
。
および従来の方法によって製造した薄膜ＥＬ素子の飽和
輝度のＭｎｆｉ度依存性を示す。また、第７図にメモリ
幅のＭｎ４度依存性を示す。第６図および第７図におい
て、６は本発明による薄膜ＥＬ素子、７は従来の方法に
よって製造された薄膜ＥＬ素子のＭｎ濃度依存性である
。
この第６図および第７図より明らかなように、従来の薄
膜ＢＬ素子に比較して、本発明の方法によって製造され
た薄膜ＥＬ素子は、輝度が高く、しかもメモリ幅が広い
という利点がある。
膜ＢＬ素子に比較して、本発明の方法によって製造され
た薄膜ＥＬ素子は、輝度が高く、しかもメモリ幅が広い
という利点がある。
次ぎに本発明によって製造された薄膜ＥＬ素子を５００
ｃｄ ｌｒｄで連続発光させたときの、メモリ幅の経時
変化を測定した。結果を第８図に示す。
ｃｄ ｌｒｄで連続発光させたときの、メモリ幅の経時
変化を測定した。結果を第８図に示す。
この第８図より明らかなように本発明によって製造され
た薄膜ＥＬ素子は、約１０００時間経過後にあってもメ
モリ幅は急激に減少せず、従来に比較して大幅に経時変
化性が改善されていることがねｊＪ）った。
た薄膜ＥＬ素子は、約１０００時間経過後にあってもメ
モリ幅は急激に減少せず、従来に比較して大幅に経時変
化性が改善されていることがねｊＪ）った。
なお、ジメチルジンク、硫化水素、トリカルボニルペン
タジェニルマンガンを上記実施例において使用したが、
それらの代わりに、ジエチルジンク、ジメチルイオウ、
ジエチルイオウ、π−シクロペンタジェニルマンガンを
用いた場合ｔ、同ｔｉの結果を得た。
タジェニルマンガンを上記実施例において使用したが、
それらの代わりに、ジエチルジンク、ジメチルイオウ、
ジエチルイオウ、π−シクロペンタジェニルマンガンを
用いた場合ｔ、同ｔｉの結果を得た。
以上説明したように、本発明による薄膜ＥＬ素子の装造
方法によれば、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を有機金庫気相成長
法によって製造することにより、メモリ幅が広く、安定
な薄膜ＥＬ素子を製造可能になるという利点がある。
方法によれば、ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を有機金庫気相成長
法によって製造することにより、メモリ幅が広く、安定
な薄膜ＥＬ素子を製造可能になるという利点がある。
第１図は薄膜ＥＬ素子の構造を示す断面図、第２図は従
来の薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図、第３図は
従来のメモリ特性を有する薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特
性を示す図、第４図は従来の薄１１Ｗ Ｅ Ｌ素子の輝
度、メモリ幅のＭｎａ度依存性七吋す図、第５図は従来
の薄膜ＥＬ素子のメモリゾ丁 唱の経時変化を示す図、第６図は本発明によって製造し
た薄膜ＥＬ素子の輝度のＭｎ４度依存性を示す図、第７
図は本発明によって製造した薄膜ＥＬ素子のメモリ幅の
−ｎｉｌ１度依存性を示す図、第８図は本発明による方
法で製造した薄膜ＥＬ素子のメモリ幅の経時変化を示す
図である。 １ ・・・基板、２ ・・・透明電極、３ ・・・絶縁
膜、４ ・・・ＺｎＳ：Ｍｎ発光層、５ ・・・背面電
極。
来の薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特性を示す図、第３図は
従来のメモリ特性を有する薄膜ＥＬ素子の輝度−電圧特
性を示す図、第４図は従来の薄１１Ｗ Ｅ Ｌ素子の輝
度、メモリ幅のＭｎａ度依存性七吋す図、第５図は従来
の薄膜ＥＬ素子のメモリゾ丁 唱の経時変化を示す図、第６図は本発明によって製造し
た薄膜ＥＬ素子の輝度のＭｎ４度依存性を示す図、第７
図は本発明によって製造した薄膜ＥＬ素子のメモリ幅の
−ｎｉｌ１度依存性を示す図、第８図は本発明による方
法で製造した薄膜ＥＬ素子のメモリ幅の経時変化を示す
図である。 １ ・・・基板、２ ・・・透明電極、３ ・・・絶縁
膜、４ ・・・ＺｎＳ：Ｍｎ発光層、５ ・・・背面電
極。
Claims (1)
- （１）ＺｎＳ：Ｍｎ発光層を絶縁層で挟着した構造を有
し、発光輝度対印加電圧特性にヒステリシス効果を有す
る薄膜ＥＬ素子の製造方法において、前記ＺｎＳ：Ｍｎ
発光層を、有機亜鉛化合物よりなる群から選択された一
種以上、有機硫黄化合物および硫化水素よりなる群から
選択された一種以上および有機マンガン化合物の一種以
上含む原料ガスより気相成長させて作製することを特徴
とする薄膜ＥＬ素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238998A JPH0666153B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60238998A JPH0666153B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6298596A true JPS6298596A (ja) | 1987-05-08 |
| JPH0666153B2 JPH0666153B2 (ja) | 1994-08-24 |
Family
ID=17038382
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60238998A Expired - Lifetime JPH0666153B2 (ja) | 1985-10-25 | 1985-10-25 | 薄膜ｅｌ素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0666153B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4981712A (en) * | 1988-05-27 | 1991-01-01 | Central Glass Company, Limited | Method of producing thin-film electroluminescent device using CVD process to form phosphor layer |
| JPH06203957A (ja) * | 1993-10-22 | 1994-07-22 | Nissan Motor Co Ltd | 分散型ｅｌパネルの製造方法 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
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| JPS5745037A (en) * | 1980-07-18 | 1982-03-13 | Snia Viscosa | Foaming substance using unsaturated polyester resin as basis and its manufacture |
| JPS60124394A (ja) * | 1983-12-09 | 1985-07-03 | セイコーエプソン株式会社 | Ｅｌパネルの製法 |
-
1985
- 1985-10-25 JP JP60238998A patent/JPH0666153B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| US4981712A (en) * | 1988-05-27 | 1991-01-01 | Central Glass Company, Limited | Method of producing thin-film electroluminescent device using CVD process to form phosphor layer |
| JPH06203957A (ja) * | 1993-10-22 | 1994-07-22 | Nissan Motor Co Ltd | 分散型ｅｌパネルの製造方法 |
| US6004618A (en) * | 1994-04-26 | 1999-12-21 | Nippondenso., Ltd. | Method and apparatus for fabricating electroluminescent device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0666153B2 (ja) | 1994-08-24 |
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