JPS63103437A - 光メモリ−装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光メモリー装置に関する。

〔従来の技術〕

従来の相転移型光メモリーの記録・再生・消去を示す原
理図を第２図に示す０第２図（α）に示すように記録膜
を円形のスポットで昇温急冷することによりビームの当
った部分をアモルファス状態にし、記録を行なう。周囲
は結晶状態であり、昇温急冷によって形成されたビット
はアモルファスとなり、ビットの部分の反射率が低下し
ている。この反射率の変化をレーザーを用い検出するこ
とにより再生信号を得る。消失は、配分溝方向に長軸で
ある長円ビームにより、記録膜を昇温徐冷し結晶状態に
戻すことによって行なわれる。

ビット形状を第５図に示す０１は記録・再生・消夫の行
なわれる溝、２は溝間を示す。４に示す領域は消去され
ている部分で、記録ビットは第３図３に示すような、書
き込み初期から序々にピット幅が大きくなる形状を示す
。消去時にはこのようなビットを完全に消去するため溝
間の一部も消去状態にするレーザーパワーで溝１にそっ
て消去し、４に示す消去エリアになる。

〔発明が解決しようとする問題点〕

しかし、ビットが長くなるに従い、熱伝導などによりビ
ットの幅の広がりも大きくなるため、ビットの幅の広が
りに伴ないクロストークが増大するという問題点を有す
る。

そこで、本発明はこのような問題点を解決するもので、
その目的とするところは、ビット長が長くなっても、ク
ロストークを増大させないことにある。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明の光メモリー装置は、アモルファスと結晶で、反
射率が異なる性質を持つ相変化型記録膜を用いて、最初
結晶状態になっている膜をレーザー光を集光照射して昇
温急冷を行ないその部分のみをアモルファス化し記録を
行ない、記録膜を昇温徐冷するレーザー光を記録膜に照
射し記０膜を結晶化させることにより、消去を行ない、
レーザー光により記録膜上の反射率の変化を検出し再生
を行う光メモリー装置において、上記記録膜上での情報
の記録・再生・消去の行われる溝（溝上）以外の部分（
溝間）を記録ピットと同じアモルファス化にした後、溝
上で、記録・再生・消去を行なうことを特徴とし、消去
時Ｋ、記録膜上の上記溝間を消去状態（結晶状態）にし
ないレーザーパワーを、消去時に設定することを特徴と
する。

〔作　用〕

本発明の上記の構成によれば、溝間を書き込みビットと
同じアモルファス状態にしであるため、溝上に記録され
たビットのピット幅が広くなって溝間にはみ出ても、溝
間はビットと同じアモルファス状態であるので、ビット
形状は一定幅のビットとして読み取られ、ピット幅の広
がりによるクロストークは完全に押えられる＠ また、消失時においては、溝上のビットのみを消去すれ
ばよいため、溝間も消去するほどのレーザーパワーは必
要ない。上述の場合、消去時に溝間に影響を及ぼさない
ため、ディスクができた初期の段階で一度、記録面を全
面書き込みビットと同じアモルファス状態にしておけば
、以後、溝間をアモルファス状態にする必要がなく、記
録・再生・消去ができる。

〔実施例〕

本発明における相転移型記録膜上のピット状態を説明す
る原理図を第１図に示す◎５に示すピット形状は、レー
ザー光によって昇温急冷される範囲を示したもので、昇
温急冷によりアモルファス状態になる部分である。４は
記録・再生・消去を行なう溝上を示し、消去状態におい
ては結晶状態になっている範囲を示す・５は溝間を示し
・アモルファス状態になっている部分を示す０第１図（
ａ）に示す様に、円形のレーザー光集光スポットにより
昇温急冷されたピット３０部分は、アモルファス状態に
なるが、乙に示す部分は、もともとアモルファス状態に
なっている部分であり、実際にビットとして記録される
形状は、第１図（ｂ）の７に示すようになる。従って３
に示したビットの幅が大きくなっても、その幅の変化に
は影響されないビットが形成されることになる。つまり
、ビット長が長くなり、熱伝導などによりピット幅が広
がっても、認識されるピット幅は変化しないため、ピッ
ト幅の広がりによりクロストークの増大は完全に抑えら
れる。

消去は・記録膜のアモルファス状態を、長円形スポット
を用い昇温徐冷を行ない、結晶状態にすることによって
行なわれるが、長円形スポットの照射ハワーを・溝間５
のアモルファス状態の部分を結晶化させない程度に設定
し消失を行なうことにより・クロストークの増大する部
分まで消去することなく、消し残りもない状態で消去す
ることができる。

〔発明の効果〕

以上述べたように、本発明によれば、光メモリー用ディ
スクを使用前に、記録膜全面をアモル７ァス状態にして
おき、溝上のみを消去し、溝上で記録・再生・消去を行
なうことにより、複雑な光学的、電気的処理を行なうこ
となくピット幅の広がりによるクロストークの増大を完
全に抑えることを可能にした。

【図面の簡単な説明】

第１図（α）本発明の記録状態を示す概略図。 （ｂ）本発明のピット形状を示す概略図０（１）　　本
発明の消去状態を示す概略図。 第２図（α）記録方法を示す概略図。 （ｂ）　　記録状態及び再生方法を示す概略図。 （ｅ）　　消去方法を示す概略図・ 第６図　従来の記録・再生・消失状態を示す概略図。 １・・・記録・再生・消去が行われる溝２・・・溝間 ３・・・ピット ４・・・消去範囲 ６・・・実際のピットとして認識されない部分７・・・
実際のピットとして書き込まれた部分板　　上 出願人　セイフーエブソン株式会社 （≦し） （釦） 荀７図 （ル）Ｊυ峨

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）アモルファスと結晶で、反射率が異なる性質を持
   つ相変化型記録膜を用いて、最初結晶状態になっている
   膜をレーザ光を集光照射して昇温急冷を行ないその部分
   のみをアモルファス化し記録を行ない、記録膜を昇温徐
   冷するレーザー光を記録膜に照射することにより記録膜
   を結晶化させ、消去を行ない、レーザー光により記録膜
   上の反射率の変化を検出し再生を行なう光メモリー装置
   において、上記記録膜上での、情報の記録・再生・消去
   の行なわれる溝（溝上）以外の部分（溝間）を記録ビッ
   トと同じアモルファス化にした後、溝上で、記録・再生
   ・消去を行なうことを特徴とする光メモリー装置。
2. （２）消去時に、記録膜上の上記溝間を消去状態（結晶
   状態）にしないレーザーパワーを、消去時に設定するこ
   とを特徴とする、特許請求の範囲第１項記載の光メモリ
   ー装置。