JPS631049A - Mos集積回路装置 - Google Patents

Mos集積回路装置

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Publication number
JPS631049A
JPS631049A JP61145160A JP14516086A JPS631049A JP S631049 A JPS631049 A JP S631049A JP 61145160 A JP61145160 A JP 61145160A JP 14516086 A JP14516086 A JP 14516086A JP S631049 A JPS631049 A JP S631049A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
logic circuit
power supply
supply voltage
integrated circuit
circuit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61145160A
Other languages
English (en)
Inventor
Shoichi Matsui
正一 松井
Hiromitsu Chihara
千原 弘光
Shigeru Yasuda
茂 安田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPS631049A publication Critical patent/JPS631049A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Logic Circuits (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、MOSFETで構成された集積回路装置に関
するものである。
従来の技術 従来相補型MOS(0MOSと称す)集積回路装置では
、CMOS論理回路が動作する電源電圧よりも低い電源
電圧領域においては、CMO8論理回路の出力電圧レベ
ルを回路設計者が望む電圧レベルに設定できなかった。
これはCMO9論理回路では、−般に動作が保証される
電源電圧はvTN+vTP以上の電圧領域であり、それ
以下の電圧領域では出力レベルは不定であるためである
(ただし、v?ll P v?Pは各々Nチャンネル、
PチャンネルMOS)ランジスタのしきい値電圧である
) 発明が解決しようとする問題点 このような従来の構成において、例えばCMOS集積回
路の出力端子に外部にトランジスタ等が接続されている
場合を考えると、CMOS集積回路が動作する電源電圧
よりも低い電源電圧領域においてはトランジスタのON
、OFFが確定されず、電源電圧の立ち上がり時に瞬時
的に外部素子が期待しない動作をしてしまうという問題
があった。
本発明はこのような問題点を解決するもので、QMOS
集積回路が動作する電源電圧よりも低い電源電圧領域に
おいてでも、出力端子の論理レベルを確定させることを
目的とするものである。
問題点を解決するだめの手段 上記目的を達成するために本発明のMOS集積回路は、
CMOS集積回路内にレシオ型論理回路を構成し、この
論理回路の出力を電圧レベルを確定したいCMOS論理
回路の入力に接続したものである。
作用 このような構成により、CMOS論理回路が動作する電
源電圧よりも低い電源電圧領域において、出力端子の論
理レベルを確定することができるようになる。
実施例 本発明の実施例として、図にCMO8論理回路の出力電
圧レベルをリセット状態としてローレベルに確定する回
路を示す。同図においてQ、+ Q5 +Q5はNチャ
ンネルデイプレッジ、ン型MOs)ランジスタ、Q2.
Q4.Q6.Q、 、Q、はNチャンネルエンハンスメ
ント型MOSトランジスタテ、Q81dPチャンネルエ
ンハンスメン)型MOS)ランジスタでN Q、とQ2
.Q3と94とで各々レシオ型インバータを構成し、Q
5.Q6.Q、はレシオ型HAND回路、Q8とQ、は
CMOS集積回路の出力としてのCMOSインバータで
ある。またノード2はCMOS論理回論理回路力ノード
を示し、ノード1はCMOS集積回路のリセット用入力
端子からの入力ノード、ノード3はCMOS集積回路の
出力端子につながるノードである。
本回路の目的は、CMOS論理回路が動作しはじめるよ
りも低い電源電圧(図中のvDD電位)の領域において
、リセット用入力端子レベルをローレベルに設定するこ
とによって、CMOS論理回路の出力ノード3をローレ
ベルに確定することにある。
図にしたがって本回路の動作を説明すると、入力ノード
1をローレベルに設定した状態で電源電圧vDDを上昇
させてやると、Q、は導通状態にあるため、ノード4も
VD+)とほぼ等しいレベルに上昇する。その後vI)
I)がしきい値電圧vT)I  に達したところでQ4
がONしノード5がローレベルとなる。ノード6はレシ
オ型HAND 回路の一方の入力となっているため、C
MOS論理回論理回路力ノード2の電圧レベルに拘らず
WAND回路の出力はvDflレベルに等しくなり、こ
の結果Q、がONして出力ノード3はローレベルに確定
する。
上記実施例では、CMOS論理回路が動作する電源電圧
よりも低い電源電圧領域において、出力端子をローレベ
ルに確定させる方法に適用したものであるが、本発明は
これに限らず、レシオ型論理回路を適宜設計することに
よって、ハイレベルに確定させる方法においてでも適用
できる。
発明の効果 以上のように本発明によれば、レシオ型論理回路とこの
論理回路の出力を受けるCMOS論理回路とをCMOS
集積回路装置内に構成することにより、CMO8論理回
路が動作する電源電圧よりも低い電源電圧領域において
でも、CMOS論理回路の出力電圧レベルを確定するこ
とができ、CMOS論理回路の出力に接続されているト
ランジスタ等のON −OFF  も確定することがで
きるようになる。
【図面の簡単な説明】
図は本発明の一実施例を示すレシオ型論理回路とCMO
8論理回路の回路図である。 人・・・・・・CMO8論理回路、Q4.Q3.Q5・
・・・・・NチャンネルデイプレッションfiMOsト
ランジスタ、Q2.Q4.Q6.Q、 、Q、・・・・
・・Nチャンネルエンハンスメント型MOSトランジス
タ、Q8・・・・・・Pチャンネルエンハンスメント型
MOsトランジスタ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. レシオ型論理回路と、この論理回路の出力を受ける相補
    型MOS論理回路から構成され、前記相補型MOS論理
    回路が動作する電源電圧よりも低い電源電圧領域におい
    て、CMOS論理回路の出力電圧レベルがレシオ型論理
    回路の入力信号によって設定できることを特徴とするM
    OS集積回路装置。
JP61145160A 1986-06-20 1986-06-20 Mos集積回路装置 Pending JPS631049A (ja)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010118980A (ja) * 2008-11-14 2010-05-27 Ricoh Co Ltd 電子回路および電圧検出回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6110319A (ja) * 1984-05-30 1986-01-17 Fujitsu Ltd 出力制御回路

Patent Citations (1)

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