JPS63105409A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
- Publication number
- JPS63105409A JPS63105409A JP24905586A JP24905586A JPS63105409A JP S63105409 A JPS63105409 A JP S63105409A JP 24905586 A JP24905586 A JP 24905586A JP 24905586 A JP24905586 A JP 24905586A JP S63105409 A JPS63105409 A JP S63105409A
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- Japan
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- conductive film
- semiconductor manufacturing
- jig
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- Pending
Links
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 41
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、２！仮１上へ透明導電性膜を形成する半導体
製造装置に閃し、基板１と基板取り付は治具３との間に
絶縁膜をはさむことによって絶縁性を図ることに関する
ものである。
製造装置に閃し、基板１と基板取り付は治具３との間に
絶縁膜をはさむことによって絶縁性を図ることに関する
ものである。
〔従来の技（４７）
従来の透明導電性膜を形成する半導体製造装置は、反応
室内を具空にし、不活性ガスを導入し、直流電源または
高周波電源を用いて、透明導電性膜の原材ｒｔ周辺にガ
スプラズマを発生させ、基板」−に透明導電性膜を形成
させる装置で、第２図に示すように、基板１を基板ホル
ダー２にセットをし、１人板地り付は治具３に地り付け
ていた。第２図は、基板１を基板ホルダー２にセットし
、基板取り付は治具３に取り付けた伏態を示した図。
室内を具空にし、不活性ガスを導入し、直流電源または
高周波電源を用いて、透明導電性膜の原材ｒｔ周辺にガ
スプラズマを発生させ、基板」−に透明導電性膜を形成
させる装置で、第２図に示すように、基板１を基板ホル
ダー２にセットをし、１人板地り付は治具３に地り付け
ていた。第２図は、基板１を基板ホルダー２にセットし
、基板取り付は治具３に取り付けた伏態を示した図。
しかし、前述の従来技術では透明導電性膜の形成時に、
透明導電性膜の原材ｆｉ） ５から照ｑ（されるイオ／
、２次電子が基板１ならびに、基板ホルダー２にＲ’ｉ
積され、基板取り付は治具３に向かって電流が流れる。
透明導電性膜の原材ｆｉ） ５から照ｑ（されるイオ／
、２次電子が基板１ならびに、基板ホルダー２にＲ’ｉ
積され、基板取り付は治具３に向かって電流が流れる。
そのｔ−果、基板１の表面がダメージを受けてしまう。
しかも、小さい規模のものではなく、基板１表面全体に
受け、また、多（の基板、表面に受けてしまうため大き
な問題点となってしまう。
受け、また、多（の基板、表面に受けてしまうため大き
な問題点となってしまう。
そこで、本発明はこのような問題点を解決するためのも
ので、その目的とするところは、いかに簡単に、しかも
確実に安く、基板１と基板取り付は治Ｊ１３との絶縁を
行なうものである。
ので、その目的とするところは、いかに簡単に、しかも
確実に安く、基板１と基板取り付は治Ｊ１３との絶縁を
行なうものである。
（問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体製造装置は、反応室内を真空にし、不活
性ガスを４人し、直流電源または高周波電源を用いて、
透明導電性膜の原材料周辺にガスプラズマを発生させ、
基板上に透明Ｗｆｆｌ性膜を形成する装置において、基
板１と基板取り付は治具３との間に絶縁膜をはさんだ事
を特徴とする。
性ガスを４人し、直流電源または高周波電源を用いて、
透明導電性膜の原材料周辺にガスプラズマを発生させ、
基板上に透明Ｗｆｆｌ性膜を形成する装置において、基
板１と基板取り付は治具３との間に絶縁膜をはさんだ事
を特徴とする。
以下、本発明について実施例に基づいて詳細に説明する
。
。
第１Ｂ１は、本発明の半導体製造装置の構造図である。
１は半導体製造のための基板、２は基板１を基板取り付
は治具３へ取り付けるための基板ホルダー、３は基板ホ
ルダー２を固定するための基板取り付は治具、４は基板
１に透明導電性膜の形成を均一にするためのシャッター
、５は透明導電性膜を形成するための原材料、６は反応
室、７は前記反応室の外壁、８は基板反一応室内を真空
にし、不活性ガスを導入し、直流電源または高周波電源
を用いて、透明導電性膜の扇材料周辺にガスプラズマを
発生させ、基板１上に透明導電性膜を形成する際に透明
導電性膜の原材料５から照射されるイオン、２次電子が
基板１ならびに基板ホルダー２にＭｉ ＋４’（され、
基板取り付は治具３に向かって流れる電流を遮断するた
めに、基板ホルダー２とノス仮１シり付は治具３との間
に絶縁ｌＩ２８を挿入する。これにより、基板１の表面
のダメージを解消させることを、簡単に、しかも確実に
安く行なえることを可１１ヒとした。また、上記実施例
の絶縁膜８は、ポリイミド製の股を選択した。尚、前記
絶縁膜は、あらかじめ基板ホルダー２の幅より多少大き
く、２分しても前記基板取り付は治具に固定をしても、
確実に絶縁が行なえる大きさのものである。
は治具３へ取り付けるための基板ホルダー、３は基板ホ
ルダー２を固定するための基板取り付は治具、４は基板
１に透明導電性膜の形成を均一にするためのシャッター
、５は透明導電性膜を形成するための原材料、６は反応
室、７は前記反応室の外壁、８は基板反一応室内を真空
にし、不活性ガスを導入し、直流電源または高周波電源
を用いて、透明導電性膜の扇材料周辺にガスプラズマを
発生させ、基板１上に透明導電性膜を形成する際に透明
導電性膜の原材料５から照射されるイオン、２次電子が
基板１ならびに基板ホルダー２にＭｉ ＋４’（され、
基板取り付は治具３に向かって流れる電流を遮断するた
めに、基板ホルダー２とノス仮１シり付は治具３との間
に絶縁ｌＩ２８を挿入する。これにより、基板１の表面
のダメージを解消させることを、簡単に、しかも確実に
安く行なえることを可１１ヒとした。また、上記実施例
の絶縁膜８は、ポリイミド製の股を選択した。尚、前記
絶縁膜は、あらかじめ基板ホルダー２の幅より多少大き
く、２分しても前記基板取り付は治具に固定をしても、
確実に絶縁が行なえる大きさのものである。
以上述べたように、本発明は反応室内を真空にし、不活
性ガスを４人し、直流電源または高周波電源を用いて、
透明Ｊ！ｉ電性膜の原材料周辺にガスプラズマを発生さ
せ、基板上に透明導電性膜を形成する装置において、基
板ホルダー２と基板取り付は治具３との間に絶縁膜８を
はさむ事を特徴として構成したので、基板１と基板ホル
ダー２に蓄も１１されたイオンや２次電子の電流が基板
取り付は冶！１３に向かって流れることがなく、シかも
蓄積されたイオンや２次電子は、透明Ｃ電性膜形成後に
自然放電される、と仮定する。したがって、基板１の表
面にダメージを受けることなく、ダメージをｆｆｌ＋
！１１に、しかも確実に安く行なうことを可能にした。
性ガスを４人し、直流電源または高周波電源を用いて、
透明Ｊ！ｉ電性膜の原材料周辺にガスプラズマを発生さ
せ、基板上に透明導電性膜を形成する装置において、基
板ホルダー２と基板取り付は治具３との間に絶縁膜８を
はさむ事を特徴として構成したので、基板１と基板ホル
ダー２に蓄も１１されたイオンや２次電子の電流が基板
取り付は冶！１３に向かって流れることがなく、シかも
蓄積されたイオンや２次電子は、透明Ｃ電性膜形成後に
自然放電される、と仮定する。したがって、基板１の表
面にダメージを受けることなく、ダメージをｆｆｌ＋
！１１に、しかも確実に安く行なうことを可能にした。
第１図は、本発明の半導体製造装置の構造平面図。
第２図は、従来の半導体製造装置の構造平面図。
１・・・基板
２・・・基板ホルダー
３・・・基板取り付は治具
４・・・シャッター
５・・・透明導電性ｖｅＦｒｔ材料
６・・・反応室
７・・・反応室外壁
８・・・絶縁膜
以 上
出騨１人 セイコーエプソン株式会社
２ ′ｉ？Ｊ２図
Claims (1)
- 反応室内を真空にし、不活性ガスを導入し、直流電源
または高周波電源を用いて、透明導電性膜の原材料周辺
にガスプラズマを発生させ、基板上に透明導電性膜を形
成する装置において、前記基板と基板取り付け治具との
間に絶縁膜をはさんだ事を特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24905586A JPS63105409A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24905586A JPS63105409A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63105409A true JPS63105409A (ja) | 1988-05-10 |
Family
ID=17187338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24905586A Pending JPS63105409A (ja) | 1986-10-20 | 1986-10-20 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63105409A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214306A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | 大阪特殊合金株式会社 | 透明導電膜の製造方法及びその装置 |
-
1986
- 1986-10-20 JP JP24905586A patent/JPS63105409A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61214306A (ja) * | 1985-03-18 | 1986-09-24 | 大阪特殊合金株式会社 | 透明導電膜の製造方法及びその装置 |
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