JPS63106529A - 固体センサの感度補正方法及びその装置 - Google Patents
固体センサの感度補正方法及びその装置Info
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- JPS63106529A JPS63106529A JP62195155A JP19515587A JPS63106529A JP S63106529 A JPS63106529 A JP S63106529A JP 62195155 A JP62195155 A JP 62195155A JP 19515587 A JP19515587 A JP 19515587A JP S63106529 A JPS63106529 A JP S63106529A
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- Indication And Recording Devices For Special Purposes And Tariff Metering Devices (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、ホトダイオード又はポトトランノスタ等のホ
トエレメントを複数個並設し之固体センサにおける、各
ホトエレメント間の感度を補正する方法及び装置に関す
る。
トエレメントを複数個並設し之固体センサにおける、各
ホトエレメント間の感度を補正する方法及び装置に関す
る。
レンズの収差等を検査するＭＴＦ （変調伝達関数）検
査機等の光学的計測装置においては、光量分布を測定す
るためにＣＣＤ （電荷結合素子）センサ等の固体セン
サが使用されている。ＣＣＤセンサは、例えば、２０４
８個（２０４８ビツト）のホトエレメント？中心間距離
１３μｍで並設してなり、各ホトエレメントの露光量に
対応する出力を信号処理装置に伝送してＺ光量分布等を
測定する為に使用可能である。而して、ＣＣＤセンサの
各ホトエレメントは、製造工程（・どおける製造・！ラ
メータの変動及びウェファ欠陥等の材料自体の性質に起
因して、その感度にバラツキが存在し、ＣＣＤセンサの
光量測定誤差ｇ因となる。
査機等の光学的計測装置においては、光量分布を測定す
るためにＣＣＤ （電荷結合素子）センサ等の固体セン
サが使用されている。ＣＣＤセンサは、例えば、２０４
８個（２０４８ビツト）のホトエレメント？中心間距離
１３μｍで並設してなり、各ホトエレメントの露光量に
対応する出力を信号処理装置に伝送してＺ光量分布等を
測定する為に使用可能である。而して、ＣＣＤセンサの
各ホトエレメントは、製造工程（・どおける製造・！ラ
メータの変動及びウェファ欠陥等の材料自体の性質に起
因して、その感度にバラツキが存在し、ＣＣＤセンサの
光量測定誤差ｇ因となる。
然るに、従来は、ＣＣＤセンサの終段の増幅器の特性変
動によシ発生する感度のバラツキ全補正するに止まり、
従って、各ＣＣＤセンサ間の感度補正は可能であったが
、各ホトエレメントの光応答の不均一性（所謂ＰＲＮＵ
）及び各ホトエレメントの暗電流の不均一性（所謂ＤＳ
ｌ’ＪＵ ）による各ホトエレメント間の感度補正をす
ることはできなかった。
動によシ発生する感度のバラツキ全補正するに止まり、
従って、各ＣＣＤセンサ間の感度補正は可能であったが
、各ホトエレメントの光応答の不均一性（所謂ＰＲＮＵ
）及び各ホトエレメントの暗電流の不均一性（所謂ＤＳ
ｌ’ＪＵ ）による各ホトエレメント間の感度補正をす
ることはできなかった。
本発明は以上の点に鑑みなされたものでちって、各固体
センサ間の感度補正に加え、各固体センサにおける各ホ
トエレメント間の感度のバラツキも補正することができ
、高精度の光学的計測装置を実現可能な固体センサの感
度補正方法及びその装置を提供することを目的とする。
センサ間の感度補正に加え、各固体センサにおける各ホ
トエレメント間の感度のバラツキも補正することができ
、高精度の光学的計測装置を実現可能な固体センサの感
度補正方法及びその装置を提供することを目的とする。
即ち、本発明方法のケケ徴とするところ！：”ｆ： 、
複数個のホトニレメントラ有する固体センサの丁度補正
方法において、ｊ感度の基準として選択し之基準ホトエ
レメント及びその他のホトエレメントの露光量に対する
感度特性を予め求めておき、測定対象の光量測定に際し
、前記基準ホトエレメント以外の各ホトエレメントの出
力を前記基準ホトエレメントに対する前記、感、度特性
の差異に基いて補正する点にある。
複数個のホトニレメントラ有する固体センサの丁度補正
方法において、ｊ感度の基準として選択し之基準ホトエ
レメント及びその他のホトエレメントの露光量に対する
感度特性を予め求めておき、測定対象の光量測定に際し
、前記基準ホトエレメント以外の各ホトエレメントの出
力を前記基準ホトエレメントに対する前記、感、度特性
の差異に基いて補正する点にある。
ＣＣＤセンサ等の固体センサは、例えば、２０４８個の
ホトエレメントを中心間距離１３μｍで並設しであるが
、各ホトエレメントの感度特性は、第１図に、横軸に露
光量をとり、また縦軸にホトエレメントの信号出力（ボ
ルト）をとって示すように、保証動作周波数の範囲内で
使用する場合は露光量に対して直線性を有している。従
って、各ホトエレメントの出力Ｖは露光量Ｅの一次関数
で表わされるのであるが、前述の如く、各ホトエレメン
トの光応答及び暗電流に差異があり、前記−次関数の定
数は各ホトエレメントによって異なる。これを数式表現
すると下記（１）式の如くなる。
ホトエレメントを中心間距離１３μｍで並設しであるが
、各ホトエレメントの感度特性は、第１図に、横軸に露
光量をとり、また縦軸にホトエレメントの信号出力（ボ
ルト）をとって示すように、保証動作周波数の範囲内で
使用する場合は露光量に対して直線性を有している。従
って、各ホトエレメントの出力Ｖは露光量Ｅの一次関数
で表わされるのであるが、前述の如く、各ホトエレメン
トの光応答及び暗電流に差異があり、前記−次関数の定
数は各ホトエレメントによって異なる。これを数式表現
すると下記（１）式の如くなる。
ｖ、−＝ Ａ ｉ Ｅ ＋ Ｂ １
・・・（１）但し、Ａｉ 、 Ｂｉはｉ番目のホトエレ
メントについての定数である。なお、暗電流は非露光時
に検出され、ＣＣＤセンサにおいて熱によって発生する
信号成分であわ、第１図では縦軸切片の値が、また（１
）式ではＢｉがこの暗電流を表わしている。光応答性は
第１図の直線の傾き及び（１）式のＡｉによシ表わされ
る。そして、各ホトエレメントについてＡｉ及びＢｉ値
が異なるから、各ホトエレメントを同一露光量で光照射
した場合においてもその出力は差異があシ、感度差が存
在する。
・・・（１）但し、Ａｉ 、 Ｂｉはｉ番目のホトエレ
メントについての定数である。なお、暗電流は非露光時
に検出され、ＣＣＤセンサにおいて熱によって発生する
信号成分であわ、第１図では縦軸切片の値が、また（１
）式ではＢｉがこの暗電流を表わしている。光応答性は
第１図の直線の傾き及び（１）式のＡｉによシ表わされ
る。そして、各ホトエレメントについてＡｉ及びＢｉ値
が異なるから、各ホトエレメントを同一露光量で光照射
した場合においてもその出力は差異があシ、感度差が存
在する。
不発明は、各ホトエレメントについてその感度特性をＡ
ｉ ｌ ｓｉ値として予め求めておき、測定対象の光量
測定に際し、各ホトエレメントの出力を、感度の基準と
して適宜選択し念基準ホトエレメントｊの感度特性に合
うように補正するものである。即ち、本発明方法は、Ｎ
個のホトエレメントを有する固体センサの感度補正方法
において、各ホトエレメントの感度特性を下記数式で表
わし、 ｖ＋＝Ａ４Ｅ＋Ｊ 、、、 ＜１）ん 測定対象の光量測定に先立ち、前記各ホトエレメントを
相異なる均一露光量で２回露光してその各出力から前記
数式の定数Ａｉ及びＢｉを求めておき、光量測定時の各
ホトエレメントの各出力ｖｉを下記数式 ％式％） に従って補正演算することを特徴とするものである。
ｉ ｌ ｓｉ値として予め求めておき、測定対象の光量
測定に際し、各ホトエレメントの出力を、感度の基準と
して適宜選択し念基準ホトエレメントｊの感度特性に合
うように補正するものである。即ち、本発明方法は、Ｎ
個のホトエレメントを有する固体センサの感度補正方法
において、各ホトエレメントの感度特性を下記数式で表
わし、 ｖ＋＝Ａ４Ｅ＋Ｊ 、、、 ＜１）ん 測定対象の光量測定に先立ち、前記各ホトエレメントを
相異なる均一露光量で２回露光してその各出力から前記
数式の定数Ａｉ及びＢｉを求めておき、光量測定時の各
ホトエレメントの各出力ｖｉを下記数式 ％式％） に従って補正演算することを特徴とするものである。
但し、Ｖ・：ホトエレメントの出力
Ｅ二露光量
ＡｉｐＪ ： １番目のホトエレメントについての定
数（ｉ＝１．２．・・・Ｎ） ｖｉ：ホトエレメントｉの補正後の出力Ａｊ、Ｂｊ ：
感度の基準として選択した基準ホトエレメントｊについ
ての定数 この場合において、前記相異なる均一露光量は、その一
方が零光量であシ、従ってそのときの各ホトエレメント
の出力が暗電流によるものであるのがよい。これによシ
、前記Ｂｉがホトエレメントの出力に直接対応して求め
られるからである。なお、各ホトエレメントの感度特性
を前記（１）式にて表わさず、他の関数を使用する場合
は、前述の相異なる均一露光量による露光は、必ずしも
２回に限らない。設定する感度特性式に使用される定数
の数等に応じて適宜均一露光回数を設定すればよい。
数（ｉ＝１．２．・・・Ｎ） ｖｉ：ホトエレメントｉの補正後の出力Ａｊ、Ｂｊ ：
感度の基準として選択した基準ホトエレメントｊについ
ての定数 この場合において、前記相異なる均一露光量は、その一
方が零光量であシ、従ってそのときの各ホトエレメント
の出力が暗電流によるものであるのがよい。これによシ
、前記Ｂｉがホトエレメントの出力に直接対応して求め
られるからである。なお、各ホトエレメントの感度特性
を前記（１）式にて表わさず、他の関数を使用する場合
は、前述の相異なる均一露光量による露光は、必ずしも
２回に限らない。設定する感度特性式に使用される定数
の数等に応じて適宜均一露光回数を設定すればよい。
以下、本発明を具体的に説明する。ＣＣＤセンサのホト
エレメントの数をＮ個（Ｎビット）とし、その各ホトエ
レメントを露光量Ｅで均一露光したとする。そのときの
各ホトエレメントｉ（１＝ｌ ｙ ２ ｒ ・・’ ｖ
Ｎ ； Ｉ ’Ｅ Ｊ ）の出力Ｖｉ及び感度基準と
して選択した基準ホトエレメントｊの出力ＩＦｊは下記
（２）及び（３）式で表わされる。
エレメントの数をＮ個（Ｎビット）とし、その各ホトエ
レメントを露光量Ｅで均一露光したとする。そのときの
各ホトエレメントｉ（１＝ｌ ｙ ２ ｒ ・・’ ｖ
Ｎ ； Ｉ ’Ｅ Ｊ ）の出力Ｖｉ及び感度基準と
して選択した基準ホトエレメントｊの出力ＩＦｊは下記
（２）及び（３）式で表わされる。
Ｖｉ ＝＝ＡｉＥ＋Ｂｉ ・・・（２）Ｖ
ｊ ＝Ａ ｊ Ｅ＋−・・・（３）ホトエレメントｊ
の感度特性を基準として他のホトエレメントｉの出力を
これに適合させるのであるから、露光量Ｅにおいては、
ホトエレメントｉの出力Ｖｉは基準ホトエレメントｊの
出力Ｖｊに修整されるべきである。この補正式は下記（
４）式によって表わされる。
ｊ ＝Ａ ｊ Ｅ＋−・・・（３）ホトエレメントｊ
の感度特性を基準として他のホトエレメントｉの出力を
これに適合させるのであるから、露光量Ｅにおいては、
ホトエレメントｉの出力Ｖｉは基準ホトエレメントｊの
出力Ｖｊに修整されるべきである。この補正式は下記（
４）式によって表わされる。
ｖｉ”（Ａｊ／Ａｔ）Ｖｉ＋Ｂｊ （Ａｊ／Ａｉ）Ｂ
ｉ ＝’（４）即ち、ホトエレメントｉの実出力ｖ
１ （＝ＡｉＥ＋ Ｂｉ）を（４）式に代入すれば、
Ｖｉ ＝＝ｖ ｊ（＝＝ＡｊＥ＋Ｂ ｊ ）となり、ホ
トエレメントｉの補正後の出力ＶｉはＶＪに一致する。
ｉ ＝’（４）即ち、ホトエレメントｉの実出力ｖ
１ （＝ＡｉＥ＋ Ｂｉ）を（４）式に代入すれば、
Ｖｉ ＝＝ｖ ｊ（＝＝ＡｊＥ＋Ｂ ｊ ）となり、ホ
トエレメントｉの補正後の出力ＶｉはＶＪに一致する。
従って、ＣＣＤセンサによる測定対象の光量測定に際し
ては、各ホトニレメン）ｉ（ｉ＝１．２．・・・Ｎ：ｉ
笑ｊ）の出力ｖｉを（４）式に従って補正演算すれば、
全てのホトエレメントについてホトエレメントｊの感度
特性を用いてｉ光量を電圧にズ換したことになり、）感
度のバラツキを補正することができる。
ては、各ホトニレメン）ｉ（ｉ＝１．２．・・・Ｎ：ｉ
笑ｊ）の出力ｖｉを（４）式に従って補正演算すれば、
全てのホトエレメントについてホトエレメントｊの感度
特性を用いてｉ光量を電圧にズ換したことになり、）感
度のバラツキを補正することができる。
而して、（４）式に基いて補正演算するためには定数Ａ
ｉ ＋ Ｂｉ （Ａｊ ＋町も含めて）を予め求め、各
ホトエレメントの感度特性を求めておく必要がちる。こ
のため、測定対象の光量測定に先立チ、ＣＣＤセンサの
各ホトエレメントを相異なる均一露光ｌで２回露光し、
そのときの各ホトエレメントの各出力からＡｉ 、 Ｂ
ｉを算出する。この場合、２回の均一露光のうち、１回
は露光１雰とし、即ち、非露光時の暗状態で各ホトエレ
メントの出力を検出し、暗電流成分Ｂｉをこの出力から
直接水めるのがよい。そして、（２） ？ （３）式か
らＥを消去すると下記（５）式が得られ、Ａ、／Ａ４
＝ｃ Ｖｊ Ｊ ）／ （ｖｉ ａｉ） ”’
（５）他の１回の均一露光（露光量は零でない）におけ
る各ホトエレメントの出力ＶｉとＶｊとから、（５）式
に従ってＡｊＺＡｌを求める。
ｉ ＋ Ｂｉ （Ａｊ ＋町も含めて）を予め求め、各
ホトエレメントの感度特性を求めておく必要がちる。こ
のため、測定対象の光量測定に先立チ、ＣＣＤセンサの
各ホトエレメントを相異なる均一露光ｌで２回露光し、
そのときの各ホトエレメントの各出力からＡｉ 、 Ｂ
ｉを算出する。この場合、２回の均一露光のうち、１回
は露光１雰とし、即ち、非露光時の暗状態で各ホトエレ
メントの出力を検出し、暗電流成分Ｂｉをこの出力から
直接水めるのがよい。そして、（２） ？ （３）式か
らＥを消去すると下記（５）式が得られ、Ａ、／Ａ４
＝ｃ Ｖｊ Ｊ ）／ （ｖｉ ａｉ） ”’
（５）他の１回の均一露光（露光量は零でない）におけ
る各ホトエレメントの出力ＶｉとＶｊとから、（５）式
に従ってＡｊＺＡｌを求める。
次に、上述の如き感度補正を実施可能な感度補正装置に
ついて説明する。第２図は、ＭＴＦ検査機のフーリエ演
算回路に組み込まれた本発明の、感度補正装置の１実施
例を示すブロック図である。なお、フーリエ演算に際し
ては、各ホトエレメントの出力信号のうち、露光により
変化する成分、即ちＡｉＥのみ使用し、信号の直流成分
である暗電流成分Ｂｉは除外する必要がちるので、以下
の説明においては、ｖｉＢｉの補正を行う装置について
説明する。従って、（４）式の補正式は下記（６）式の
如く変形する。
ついて説明する。第２図は、ＭＴＦ検査機のフーリエ演
算回路に組み込まれた本発明の、感度補正装置の１実施
例を示すブロック図である。なお、フーリエ演算に際し
ては、各ホトエレメントの出力信号のうち、露光により
変化する成分、即ちＡｉＥのみ使用し、信号の直流成分
である暗電流成分Ｂｉは除外する必要がちるので、以下
の説明においては、ｖｉＢｉの補正を行う装置について
説明する。従って、（４）式の補正式は下記（６）式の
如く変形する。
ｖｔ Ｊ＝（ＡｊＺＡｌ） （ｖｉ Ｂｉ ）
”’（６）即ち、予め（５）式で求めたＡｊＺＡｌと
暗電流成分Ｂ１とから、（６）式に従ってＶｉの補正演
算をすればよい。
”’（６）即ち、予め（５）式で求めたＡｊＺＡｌと
暗電流成分Ｂ１とから、（６）式に従ってＶｉの補正演
算をすればよい。
第２図の図示例においては、２５６ビツトのＣＣＤセン
サ１００が６個並設され、各ＣＣＤセンサ１００はマル
チプレクサ１０１に並列接続され、ＣＣＤセンサ１００
の各ホトニレメン）ｉ（ｉ＝（１〜２５６）Ｘ６）の出
力は、サンプル・アンド・ホールド回路１０２及びアナ
ログ／デジタル変換器（以下ＡＤＣと略す）１０３を経
て、データＲＡＭ１０・１に入力され、記憶されるよう
になっている。
サ１００が６個並設され、各ＣＣＤセンサ１００はマル
チプレクサ１０１に並列接続され、ＣＣＤセンサ１００
の各ホトニレメン）ｉ（ｉ＝（１〜２５６）Ｘ６）の出
力は、サンプル・アンド・ホールド回路１０２及びアナ
ログ／デジタル変換器（以下ＡＤＣと略す）１０３を経
て、データＲＡＭ１０・１に入力され、記憶されるよう
になっている。
データＲＡＭ１０４の出力は加減算器１１０及び乗算器
１１１に入力され、加減算器１１０及び乗算器１１１の
出力は、入力ポート１１２を介して演算装置１１３に入
力される。演算装置１１３の出力端は出力ポート１１４
を介して、データＲＡＭ１０４、定数ＲＡＭ ］、Ｑ５
及び定数ＲＡＭ１０８に接続され、定数ＲＡＭ １０６
、１０８の出力は加減算器１１０及び乗算器１１１に
入力されるようになっている。定数ＲＡ％１１０６は補
正定数Ａｊ／Ａ□及びＢ１をストアしておくためのＲＡ
Ｍであり、定数ＲＡＭ １０８は補正後のホトエレメン
トの出力をフーリエ演算する際に使用されるｓｉｎ及び
ｃｏｌｌのテーブルがストアされている。１０５ 、１
０７及び１０９は夫々データＲＡＭ １０４ 、定数Ｒ
ＡＭ１０６及び定数ＲＡＭ １０８のアドレスカウンタ
である。また、図示の如く、回路間にはケ゛−トＧｌ〜
Ｇ１４が設置されており、各ゲート０１〜ＧＬ４は通常
は閉じられていてコントローラ（不図示）によシ開閉制
御される。なお、ケ゛−トＧ９ｉ介して加減算器１１０
に入力される信号は零信号である。
１１１に入力され、加減算器１１０及び乗算器１１１の
出力は、入力ポート１１２を介して演算装置１１３に入
力される。演算装置１１３の出力端は出力ポート１１４
を介して、データＲＡＭ１０４、定数ＲＡＭ ］、Ｑ５
及び定数ＲＡＭ１０８に接続され、定数ＲＡＭ １０６
、１０８の出力は加減算器１１０及び乗算器１１１に
入力されるようになっている。定数ＲＡ％１１０６は補
正定数Ａｊ／Ａ□及びＢ１をストアしておくためのＲＡ
Ｍであり、定数ＲＡＭ １０８は補正後のホトエレメン
トの出力をフーリエ演算する際に使用されるｓｉｎ及び
ｃｏｌｌのテーブルがストアされている。１０５ 、１
０７及び１０９は夫々データＲＡＭ １０４ 、定数Ｒ
ＡＭ１０６及び定数ＲＡＭ １０８のアドレスカウンタ
である。また、図示の如く、回路間にはケ゛−トＧｌ〜
Ｇ１４が設置されており、各ゲート０１〜ＧＬ４は通常
は閉じられていてコントローラ（不図示）によシ開閉制
御される。なお、ケ゛−トＧ９ｉ介して加減算器１１０
に入力される信号は零信号である。
次に、この感度補正装置の動作について説明する。
（１） ＭＴＦ測定に先立ち、各補正定数を求める場合
。
。
（１） ６ 個のＣＣＤセンサ１００の各ホトエレメン
トを同一露光量で均一露光し、ケ゛−トＧｌ及びＧ３’
ｉ（Ｊいて各ホトエレメントｉの出力ｖ１（ｉ＝（１〜
２５６）Ｘ６）をデータＲＡＭ１０４にストアする。
トを同一露光量で均一露光し、ケ゛−トＧｌ及びＧ３’
ｉ（Ｊいて各ホトエレメントｉの出力ｖ１（ｉ＝（１〜
２５６）Ｘ６）をデータＲＡＭ１０４にストアする。
（２）次いで、ｒ−）Ｇｌ及びＧ３を閉じ、ケ゛−トＧ
９及びＧ１２を開いてデータＲＡＭ １０４の記憶内容
を入力ポート１１２を介して演算装置１１３に入力させ
る。
９及びＧ１２を開いてデータＲＡＭ １０４の記憶内容
を入力ポート１１２を介して演算装置１１３に入力させ
る。
（３）そして、ゲートＧ９及びＧ１２を閉じ、ＣＣＤセ
ンサ１００をいずれも露光１雰、即ち暗状態にし、グー
） Ｇｌ及びＧ３を開いて各ホトエレメントｉの出力Ｊ
（ｉ＝（１〜２５６）Ｘ６）をデータＲＡＭ１０４に入
力させ、データ票１０４の記憶内容をＢｉで書きかえる
。
ンサ１００をいずれも露光１雰、即ち暗状態にし、グー
） Ｇｌ及びＧ３を開いて各ホトエレメントｉの出力Ｊ
（ｉ＝（１〜２５６）Ｘ６）をデータＲＡＭ１０４に入
力させ、データ票１０４の記憶内容をＢｉで書きかえる
。
（４）次イテ、ゲートＧ１及びＧ３を閉じ、ｒ−トＧ９
及びＧ１２を開いてデータＲＡＭ１０４の記憶内容を入
力ボート１１２を介して演算装置１１３に入力させる。
及びＧ１２を開いてデータＲＡＭ１０４の記憶内容を入
力ボート１１２を介して演算装置１１３に入力させる。
（５）演算装置１１３は、上述の如くして入力されたホ
トエレメント１（ｉ＝（１〜２５６）Ｘ６）についての
Ｖｉ及びＢｉから、適宜選択された基準ホトニレメンＭ
を基に、（４）式に従ってＡ ｊ／Ａ ｉを算出し、求
められたＡ ｊ／Ａ ｉ及びＢｉを、例えば、フロッピ
ーディスクにストアする。グー）Ｇ９及びＧ１２は演算
装置１１３がデータを読み込んだ後閉じられる。
トエレメント１（ｉ＝（１〜２５６）Ｘ６）についての
Ｖｉ及びＢｉから、適宜選択された基準ホトニレメンＭ
を基に、（４）式に従ってＡ ｊ／Ａ ｉを算出し、求
められたＡ ｊ／Ａ ｉ及びＢｉを、例えば、フロッピ
ーディスクにストアする。グー）Ｇ９及びＧ１２は演算
装置１１３がデータを読み込んだ後閉じられる。
（ＩＩ） ＭＴＦ測定において、各ホトエレメントの出
力を補正演算する場合 （１）演算装置１１３は、フロッピーディスクにストア
されているＡｊ／Ａｉ及びＢｉ値を読み出し、ｆｆ−ト
Ｇ１４及びＧ４を開いてこれらの値を定数ＲＡＭ １０
６ Ｋストアする。なお、上記から明らかな如く、定数
ＲＡＭ１０６は、６個のＣＣＤセンサ１００が夫々２５
６ピツトであることから、２５６×６×２個のアドレス
を有する。
力を補正演算する場合 （１）演算装置１１３は、フロッピーディスクにストア
されているＡｊ／Ａｉ及びＢｉ値を読み出し、ｆｆ−ト
Ｇ１４及びＧ４を開いてこれらの値を定数ＲＡＭ １０
６ Ｋストアする。なお、上記から明らかな如く、定数
ＲＡＭ１０６は、６個のＣＣＤセンサ１００が夫々２５
６ピツトであることから、２５６×６×２個のアドレス
を有する。
次いで、ケ”−トＧ１４及びＧ４を閉じる。
（２）ゲートＧｌ及びＧ３を開き、測定対象からの露光
を受けているＣＣＤセンサ１００の各ホトエレメントの
出力ｖｉをデータＲＡＭ １０４に入力させ、ストアさ
せる。そして、ｒ−）Ｇｌ及びＧ３を閉じる。
を受けているＣＣＤセンサ１００の各ホトエレメントの
出力ｖｉをデータＲＡＭ １０４に入力させ、ストアさ
せる。そして、ｒ−）Ｇｌ及びＧ３を閉じる。
（３）ゲートＧＩＯ、Ｇ２及びＧ３を開き、データＲＡ
Ｍ １０４にストアされている出力Ｖｉと、定数ＲＡＭ
１０６にストアされている定数Ｂｉとを、加減算器１１
０に通してＶ ｉ Ｂ ｉの演算をさせ、その演算結
果をデータＲＡｉＭ １０４に入力させて、データＲＡ
Ｍ１０４のストア内容をｖｉ Ｂｉで書きかえる。そ
して、ゲートＧＩＯ、Ｇ２及びＧ３を閉じる。
Ｍ １０４にストアされている出力Ｖｉと、定数ＲＡＭ
１０６にストアされている定数Ｂｉとを、加減算器１１
０に通してＶ ｉ Ｂ ｉの演算をさせ、その演算結
果をデータＲＡｉＭ １０４に入力させて、データＲＡ
Ｍ１０４のストア内容をｖｉ Ｂｉで書きかえる。そ
して、ゲートＧＩＯ、Ｇ２及びＧ３を閉じる。
（４〉ゲートＧ７ 、 Ｇ６及びＧ３を開き、データＲ
ＡＭ１０４にストアされているｖｔ Ｂｉ値と、定数
ＲＡＭ １０６にストアされている定数Ａ ｊ／Ａ ｉ
とを、乗算器１１１に通して、（６）式の演算をさせ、
その演算結果をデータＲＡＭ １０４に入力させて、デ
ータＲＡＭ１０４のストア内容を（Ａｊ／Ａｉ ） （
’／ｉ Ｂｉ ） Ｃ（６）式参照〕で書きかえる。
ＡＭ１０４にストアされているｖｔ Ｂｉ値と、定数
ＲＡＭ １０６にストアされている定数Ａ ｊ／Ａ ｉ
とを、乗算器１１１に通して、（６）式の演算をさせ、
その演算結果をデータＲＡＭ １０４に入力させて、デ
ータＲＡＭ１０４のストア内容を（Ａｊ／Ａｉ ） （
’／ｉ Ｂｉ ） Ｃ（６）式参照〕で書きかえる。
そして、ゲートＧ７ 、 Ｇ６及びＧ３を閉じる。
而して、この時点でデータＲＡＭ１０４にストアされて
いる内容は、各ホトエレメントについての（Ａ３／Ａｉ
） （ＶｉＢｉ ）であり、出力の実測値ｖｉを（６
）式に従って補正演算した結果がデータＲＡＭ１０４に
ストアされていることになる。従って、データＲＡＭ１
０４にストアされている（ Ａｊ／Ａｔ ”） （Ｖｉ
−Ｂｉ ）と定数ＲＡＭ１０８にストアされているａ
ｉｎ及びｃｏｓのテーブルとを、ゲートＧ８及びＧ１３
を開くことにニジ、乗算器１１１によシ乗算した後演算
装置１１３に入力せしめ、演算装置１１３に内蔵されて
いるＭＴＦテストプログラムにより、フーリニ演算等の
所要の演算を施してＭＴＦ検査結果を求めればよい。
いる内容は、各ホトエレメントについての（Ａ３／Ａｉ
） （ＶｉＢｉ ）であり、出力の実測値ｖｉを（６
）式に従って補正演算した結果がデータＲＡＭ１０４に
ストアされていることになる。従って、データＲＡＭ１
０４にストアされている（ Ａｊ／Ａｔ ”） （Ｖｉ
−Ｂｉ ）と定数ＲＡＭ１０８にストアされているａ
ｉｎ及びｃｏｓのテーブルとを、ゲートＧ８及びＧ１３
を開くことにニジ、乗算器１１１によシ乗算した後演算
装置１１３に入力せしめ、演算装置１１３に内蔵されて
いるＭＴＦテストプログラムにより、フーリニ演算等の
所要の演算を施してＭＴＦ検査結果を求めればよい。
上述の如き各ゲート６１〜Ｇ１４の開閉動作は、マイク
ロコンピュータ等を使用したコントローラにより行わせ
ることができる。その１例を第３図〜第６図に示す。第
３図はコントローラ１２０によるデータの入出力制御を
説明するブロック図、第４図〜第６図はその制御タイミ
ング図である・なお、説明の簡単のために、ＣＣＤセン
サ１００は例えば２５６ビツトのものを１個使用した場
合について図示してちる。また、第３図において、第２
図と同一物には同一符号を付しである。第３図中、１２
１は単位信号“１”の出力回路、１２２はワード・カウ
ンタである。−４ｆ７．．１はデータバスであり、２〜
１つはコントローラ１２０から各回路へ制御信号を伝送
するバス、２０〜２４はコントローラ１２０への各種命
令を伝送するバスである。
ロコンピュータ等を使用したコントローラにより行わせ
ることができる。その１例を第３図〜第６図に示す。第
３図はコントローラ１２０によるデータの入出力制御を
説明するブロック図、第４図〜第６図はその制御タイミ
ング図である・なお、説明の簡単のために、ＣＣＤセン
サ１００は例えば２５６ビツトのものを１個使用した場
合について図示してちる。また、第３図において、第２
図と同一物には同一符号を付しである。第３図中、１２
１は単位信号“１”の出力回路、１２２はワード・カウ
ンタである。−４ｆ７．．１はデータバスであり、２〜
１つはコントローラ１２０から各回路へ制御信号を伝送
するバス、２０〜２４はコントローラ１２０への各種命
令を伝送するバスである。
そして、バス２０から、ＣＣＤセンサ１００の出力をデ
ータＲＡＭ１０４に読込むべき命令がコントローラ１２
０に入力されると、第４図に示すタイミングでＣＣＤセ
ンサ１００の２５６個のホトエレメントの出力ｖｔ （
’Ｊ光量時及び均一光量の露光時）をデータＲＡＭ１０
４にストアする。次いで、データＲＡＭ１０４の記憶内
容を演算装置１１３に入力させ、Ａｊ／Ａｉを算出させ
た後、Ａ ｊ／Ａ ｉ及びＢ１を定数ＲＡＭ １０６に
ストアする。
ータＲＡＭ１０４に読込むべき命令がコントローラ１２
０に入力されると、第４図に示すタイミングでＣＣＤセ
ンサ１００の２５６個のホトエレメントの出力ｖｔ （
’Ｊ光量時及び均一光量の露光時）をデータＲＡＭ１０
４にストアする。次いで、データＲＡＭ１０４の記憶内
容を演算装置１１３に入力させ、Ａｊ／Ａｉを算出させ
た後、Ａ ｊ／Ａ ｉ及びＢ１を定数ＲＡＭ １０６に
ストアする。
ＭＴＦ測定に際しては、同様に第４図に示すタイミング
で測定対象が露光されたＣＣＤセンサ１００の各ホトエ
レメントの出力ｖｉをデータＲＡａＭ１０４に読み込み
、第５図て示すタイミングで、このＶｉと定数ＲＡＭ１
０６のＢ１とから、ｖｉＢｉを算出し、この算出結果を
データＲＡＭ １０４にストアする。そして、第６図に
示すタイミングで、チー タＲＡＭ １０４にストアさ
れたｖ Ｉ Ｂ ｉと、定数ＲＡＭ１０６のＡｊ／Ａ
ｉとから、両者を乗算し、乗算結果をデータＲＡＭ１０
４にストアする。上述の如くして、ＭＴＦ測定に際し、
その実測出力Ｖ４が（６）式に従う補正演算を施されて
、補正後の出力Ｖｉ−Ｂ がデータＲＡＭ １０４の
記憶内容として求められる。
で測定対象が露光されたＣＣＤセンサ１００の各ホトエ
レメントの出力ｖｉをデータＲＡａＭ１０４に読み込み
、第５図て示すタイミングで、このＶｉと定数ＲＡＭ１
０６のＢ１とから、ｖｉＢｉを算出し、この算出結果を
データＲＡＭ １０４にストアする。そして、第６図に
示すタイミングで、チー タＲＡＭ １０４にストアさ
れたｖ Ｉ Ｂ ｉと、定数ＲＡＭ１０６のＡｊ／Ａ
ｉとから、両者を乗算し、乗算結果をデータＲＡＭ１０
４にストアする。上述の如くして、ＭＴＦ測定に際し、
その実測出力Ｖ４が（６）式に従う補正演算を施されて
、補正後の出力Ｖｉ−Ｂ がデータＲＡＭ １０４の
記憶内容として求められる。
斜上の如くして補正演算された、各ホトエレメントｉ（
ｉ’；：ｊ ）の出力Ｖｉは、基準ホトエレメントｊの
感度特性に合致したものとなり、各ホトエレメント（同
一の固体センサにおけるホトエレメントに限らず、別個
の固体センサのホトエレメントも含む）の出力信号は、
露光量が均一である場合はいずれも同一出力値となり、
各ホトエレメントにおける光応答性及び暗電流のバラツ
キによる各ホトエレメント間の感度のバラツキが補正さ
れる。本発明の感度補正を適用した固体センサにより、
高精度の光学的計測を行うことが可能である。
ｉ’；：ｊ ）の出力Ｖｉは、基準ホトエレメントｊの
感度特性に合致したものとなり、各ホトエレメント（同
一の固体センサにおけるホトエレメントに限らず、別個
の固体センサのホトエレメントも含む）の出力信号は、
露光量が均一である場合はいずれも同一出力値となり、
各ホトエレメントにおける光応答性及び暗電流のバラツ
キによる各ホトエレメント間の感度のバラツキが補正さ
れる。本発明の感度補正を適用した固体センサにより、
高精度の光学的計測を行うことが可能である。
なお、本発明は、上記の特定の実施例に限定されるべき
ものではなく、例えば固体センサとしてはＣＣＤセンサ
に限らず、複数個のホトエレメントを有する固体センサ
に適用可能である等、本発明の技術的範囲内において種
々の変形例が可能であることは勿論である。
ものではなく、例えば固体センサとしてはＣＣＤセンサ
に限らず、複数個のホトエレメントを有する固体センサ
に適用可能である等、本発明の技術的範囲内において種
々の変形例が可能であることは勿論である。
第１図はホトエレメントの感度特性を示すグラフ図、第
２図は本発明装置の１実施例を示すブロック図、第３図
はコントローラのデータ転送機能を説明するブロック図
、第４図〜第６図はコントローラのデータ制御タイミン
グ図であるＯ （符号の説明） １・・・データバス １００・・・ＣＣＤセンサ１０
３・・・アナログ／デ・ゾタル変換器１０４・・・デー
タＲＡＭ １０６・〜・定数ＲＡＭ１１０・・・加
減算器 １１１・・・乗算器１１３・・・演算装置
１２０・・・コントローラ第１図 露光量Ｅ 手続補正書 昭和６２年８月６日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 同日付差出の特許願２、発明の名
称 固体センサの感度補正装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （６７４） 株式会社 リ コ −
４、代理人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、補正により増加する発明の数 な し７、補正
の対象 明 細 δ 補正の内容 １、 本願の明細書中、「特許請求の範囲」の欄の記載
を以下の通り補正する。 「１． 複数個のホトエレメントを有する固体センサ
に接続され各ホトエレメントの出力をアナログ／デジタ
ル変換する変換器と、前記各ホトエレメントの予め定め
た感度特性式に含まれる定数の数に基づいて決定される
回数に渡り露光された各ホトエレメントの各出力を入力
して各ホトエレメントの感度特性に基づく補正定数を演
算する演算装置と、該演算装置の演算結果として得られ
る前記補正定数をストアする第１の記憶装置と、測定対
象の光量測定時における各ホトエレメントの各出力を前
記第１の記憶装置にストアされた前記補正定数に基づい
て補正演算する補正演算装置と、前記補正演算装置の補
正演算結果をストアする第２の記憶装置とを有すること
を特徴とする固体センサの感度補正装置。 ２、特許請求の範囲第第１項において、前記補正定数は
、前記ホトエレメントの出力Ｖ を露ル 光量Ｅによる下記数式 ■・＝Ａ、Ｅ＋Ｂズ ん ん で表わした場合の定数Ａ ／Ａ・及びＢｊ −（Ａ、２
ル Ｊ ／Ａｊ） Ｂ、５であることを特徴とする固体センサの
感度補正装置。 但し、Ａえ＊ ％ ： １番目のホトエレメントについ
ての定数（ｉ＝１．２゜ ・・・、Ｎ） Ｎ：ホトエレメントの個数 Ａ、、ｊ、ＢＪ：感度の基準として選択した基準ホトエ
レメントｊにつ いての定数。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記補正演算装置
は、光量側定時の前記各ホトエレメントの各出力ｖｉを
下記数式に従って補正演算することを特徴とする固体セ
ンサの感度補正装置。 Ｖ、 ＝（ＡＪ／Ａ、−）Ｖｉ ＋Ｂｊ −（Ａｊ ／
Ａ、１−）ＢＬ但し、Ｖλ ：ホトエレメントｉの補正
後の出力。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記補正演算装置
は、加減算器及び乗算器を有し、前記加減算器には前記
各ホトエレメントの出力と前記第１の記憶装置の所定の
記憶内容とが入力されて加減算され、且つ前記乗算器に
は前記加減算器の結果と前記第１の記憶装置の所定の記
憶内容とが入力されて乗算されることを特徴とする固体
センサの感度補正装置。」 ２、 本願明細書中、「発明の名称」の欄の記載を以下
の通り補正する。 固体センサの感度補正装置 ３、 本願明細書中、「発明の詳細な説明」の欄の記載
の以下の点を補正する。 ３−１） ５頁、１行において、「方法及び」を削除。 ３−２） ６頁、７〜８行において、「方法及びその」
を削除。 （以上）
２図は本発明装置の１実施例を示すブロック図、第３図
はコントローラのデータ転送機能を説明するブロック図
、第４図〜第６図はコントローラのデータ制御タイミン
グ図であるＯ （符号の説明） １・・・データバス １００・・・ＣＣＤセンサ１０
３・・・アナログ／デ・ゾタル変換器１０４・・・デー
タＲＡＭ １０６・〜・定数ＲＡＭ１１０・・・加
減算器 １１１・・・乗算器１１３・・・演算装置
１２０・・・コントローラ第１図 露光量Ｅ 手続補正書 昭和６２年８月６日 特許庁長官 小 川 邦 夫 殿 １、事件の表示 同日付差出の特許願２、発明の名
称 固体センサの感度補正装置３、補正をする者 事件との関係 特許出願人 名称 （６７４） 株式会社 リ コ −
４、代理人 ５、補正命令の日付 自 発 ６、補正により増加する発明の数 な し７、補正
の対象 明 細 δ 補正の内容 １、 本願の明細書中、「特許請求の範囲」の欄の記載
を以下の通り補正する。 「１． 複数個のホトエレメントを有する固体センサ
に接続され各ホトエレメントの出力をアナログ／デジタ
ル変換する変換器と、前記各ホトエレメントの予め定め
た感度特性式に含まれる定数の数に基づいて決定される
回数に渡り露光された各ホトエレメントの各出力を入力
して各ホトエレメントの感度特性に基づく補正定数を演
算する演算装置と、該演算装置の演算結果として得られ
る前記補正定数をストアする第１の記憶装置と、測定対
象の光量測定時における各ホトエレメントの各出力を前
記第１の記憶装置にストアされた前記補正定数に基づい
て補正演算する補正演算装置と、前記補正演算装置の補
正演算結果をストアする第２の記憶装置とを有すること
を特徴とする固体センサの感度補正装置。 ２、特許請求の範囲第第１項において、前記補正定数は
、前記ホトエレメントの出力Ｖ を露ル 光量Ｅによる下記数式 ■・＝Ａ、Ｅ＋Ｂズ ん ん で表わした場合の定数Ａ ／Ａ・及びＢｊ −（Ａ、２
ル Ｊ ／Ａｊ） Ｂ、５であることを特徴とする固体センサの
感度補正装置。 但し、Ａえ＊ ％ ： １番目のホトエレメントについ
ての定数（ｉ＝１．２゜ ・・・、Ｎ） Ｎ：ホトエレメントの個数 Ａ、、ｊ、ＢＪ：感度の基準として選択した基準ホトエ
レメントｊにつ いての定数。 ３、特許請求の範囲第２項において、前記補正演算装置
は、光量側定時の前記各ホトエレメントの各出力ｖｉを
下記数式に従って補正演算することを特徴とする固体セ
ンサの感度補正装置。 Ｖ、 ＝（ＡＪ／Ａ、−）Ｖｉ ＋Ｂｊ −（Ａｊ ／
Ａ、１−）ＢＬ但し、Ｖλ ：ホトエレメントｉの補正
後の出力。 ４、特許請求の範囲第３項において、前記補正演算装置
は、加減算器及び乗算器を有し、前記加減算器には前記
各ホトエレメントの出力と前記第１の記憶装置の所定の
記憶内容とが入力されて加減算され、且つ前記乗算器に
は前記加減算器の結果と前記第１の記憶装置の所定の記
憶内容とが入力されて乗算されることを特徴とする固体
センサの感度補正装置。」 ２、 本願明細書中、「発明の名称」の欄の記載を以下
の通り補正する。 固体センサの感度補正装置 ３、 本願明細書中、「発明の詳細な説明」の欄の記載
の以下の点を補正する。 ３−１） ５頁、１行において、「方法及び」を削除。 ３−２） ６頁、７〜８行において、「方法及びその」
を削除。 （以上）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、複数個のホトエレメントを有する固体センサの感度
補正方法において、感度の基準として選択した基準ホト
エレメント及びその他のホトエレメントの露光量に対す
る感度特性を予め求めておき、測定対象の光量測定に際
し、前記基準ホトエレメント以外の各ホトエレメントの
出力を前記基準ホトエレメントに対する前記感度特性の
差異に基いて補正することを特徴とする固体センサの感
度補正方法。 ２、Ｎ個のホトエレメントを有する固体センサの感度補
正方法において、各ホトエレメントの感度特性を下記数
式で表わし、 ｖ＝Ａ＿ｉＥ＋Ｂ＿ｉ 測定対象の光量測定に先立ち、前記各ホトエレメントを
相異なる均一露光量で２回露光してその各出力から前記
数式の定数Ａ＿ｉ及びＢ＿ｉを求めておき、光量測定時
の各ホトエレメントの各出力ｖ＿ｉを下記数式 Ｖ＿ｉ＝（Ａ＿ｊ／Ａ＿ｉ）ｖ＿ｉ＋Ｂ＿ｊ−（Ａ＿ｊ
／Ａ＿ｉ）Ｂ＿ｉに従つて補正演算することを特徴とす
る固体センサの感度補正方法。 但し、ｖ：ホトエレメントの出力 Ｅ：露光量 Ａ＿ｉ、Ｂ＿ｉ：ｉ番目のホトエレメントについての定
数（ｉ＝１、２、・・・Ｎ） Ｖ＿ｉ：ホトエレメントｉの補正後の出力 Ａ＿ｊ、Ｂ＿ｊ：感度の基準として選択した基準ホトエ
レメントｊについての定数 ３、上記第２項において、前記相異なる均一露光量は、
その一方が零光量であることを特徴とする固体センサの
感度補正方法。 ４、複数個のホトエレメントを有する固体センサに接続
され各ホトエレメントの出力をアナログ／デジタル変換
する変換器と、前記各ホトエレメントを相異なる均一露
光量で２回露光された際の各ホトエレメントの各出力を
入力して各ホトエレメントの感度特性に基く補正定数を
演算する演算装置と、該演算装置の演算結果をストアす
る記憶装置と、測定対象の光量測定時における各ホトエ
レメントの各出力を前記記憶装置にストアされた前記補
正定数に基いて補正演算する補正演算装置とを有するこ
とを特徴とする固体センサの感度補正装置。 ５、上記第４項において、前記補正定数は、前記ホトエ
レメントの出力ｖを露光量Ｅによる下記数式 ｖ＝Ａ＿ｉＥ＋Ｂ＿ｉ で表わした場合の定数Ａ＿ｊ／Ａ＿ｉ及びＢ＿ｊ−（Ａ
＿ｊ／Ａ＿ｉ）Ｂ＿ｉであることを特徴とする固体セン
サの感度補正装置。 但し、Ａ＿ｉ、Ｂ＿ｉ：ｉ番目のホトエレメントについ
ての定数（ｉ＝１、２、・・・Ｎ） Ｎ：ホトエレメントの個数 Ａ＿ｊ、Ｂ＿ｊ：感度の基準として選択した基準ホトエ
レメントｊについての定数 ６、上記第５項において、前記補正演算装置は、光量測
定時の前記各ホトエレメントの各出力ｖ＿ｉを下記数式
に従つて補正演算することを特徴とする固体センサの感
度補正装置。 Ｖ＿ｉ＝（Ａ＿ｊ／Ａ＿ｉ）ｖ＿ｉ＋Ｂ＿ｊ−（Ａ＿ｊ
／Ａ＿ｉ）Ｂ＿ｉ但し、Ｖ＿ｉ：ホトエレメントｉの補
正後の出力７、上記第６項において、前記補正演算装置
は、乗算器及び加減算器を有し、前記乗算器は前記各ホ
トエレメントの出力と前記記憶装置の記憶内容とを入力
し、前記加減算器は前記乗算器の乗算結果と前記記憶装
置の記憶内容とを入力することを特徴とする固体センサ
の感度補正装置。 ８、上記第４項において、前記相異なる均一露光量は、
その一方が零光量であることを特徴とする固体センサの
感度補正装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62195155A JPS63106529A (ja) | 1987-08-06 | 1987-08-06 | 固体センサの感度補正方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62195155A JPS63106529A (ja) | 1987-08-06 | 1987-08-06 | 固体センサの感度補正方法及びその装置 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56145473A Division JPS5847223A (ja) | 1981-09-17 | 1981-09-17 | 固体センサの感度補正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63106529A true JPS63106529A (ja) | 1988-05-11 |
Family
ID=16336346
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62195155A Pending JPS63106529A (ja) | 1987-08-06 | 1987-08-06 | 固体センサの感度補正方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63106529A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0254129A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Fuji Electric Co Ltd | センサアレイの検出値出力方式 |
| JPH04188029A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器の検出制御回路 |
| US6798452B1 (en) | 1997-07-28 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, method for driving the same and physical quantity distribution sensing semiconductor device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535525A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Hitachi Ltd | Shading correction method and its device |
| JPS5432013A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-09 | Nec Corp | Picture element correction system for image sensor |
-
1987
- 1987-08-06 JP JP62195155A patent/JPS63106529A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS535525A (en) * | 1976-07-05 | 1978-01-19 | Hitachi Ltd | Shading correction method and its device |
| JPS5432013A (en) * | 1977-08-15 | 1979-03-09 | Nec Corp | Picture element correction system for image sensor |
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|---|---|---|---|---|
| JPH0254129A (ja) * | 1988-08-18 | 1990-02-23 | Fuji Electric Co Ltd | センサアレイの検出値出力方式 |
| JPH04188029A (ja) * | 1990-11-22 | 1992-07-06 | Mitsubishi Electric Corp | 電子機器の検出制御回路 |
| US6798452B1 (en) | 1997-07-28 | 2004-09-28 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Amplifying solid-state imaging device, method for driving the same and physical quantity distribution sensing semiconductor device |
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