JPS63108244A - 単一モ−ド光フアイバの遮断波長測定方法 - Google Patents
単一モ−ド光フアイバの遮断波長測定方法Info
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- JPS63108244A JPS63108244A JP25414886A JP25414886A JPS63108244A JP S63108244 A JPS63108244 A JP S63108244A JP 25414886 A JP25414886 A JP 25414886A JP 25414886 A JP25414886 A JP 25414886A JP S63108244 A JPS63108244 A JP S63108244A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 13
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- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01M—TESTING STATIC OR DYNAMIC BALANCE OF MACHINES OR STRUCTURES; TESTING OF STRUCTURES OR APPARATUS, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G01M11/00—Testing of optical apparatus; Testing structures by optical methods not otherwise provided for
- G01M11/30—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides
- G01M11/33—Testing of optical devices, constituted by fibre optics or optical waveguides with a light emitter being disposed at one fibre or waveguide end-face, and a light receiver at the other end-face
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は単一モード光ファイバ（以下単に光ファイバと
いう）の遮断波長を測定する方法に関する。
いう）の遮断波長を測定する方法に関する。
光ファイバでは、ある特定の波長より長い波長では単一
モード、短い波長では多モードになり、墳界となるこの
特定の波長が光ファイバの遮断波長（カットオフ波長）
である。
モード、短い波長では多モードになり、墳界となるこの
特定の波長が光ファイバの遮断波長（カットオフ波長）
である。
遮断波長の重要因子であるＬＰ 、、モードの損失は光
ファイバの曲がりに極めて敏感であるので、曲がり状態
を異にした場合の光ファイバの光損失量差に基づき遮断
波長を測定する方法が知られている。
ファイバの曲がりに極めて敏感であるので、曲がり状態
を異にした場合の光ファイバの光損失量差に基づき遮断
波長を測定する方法が知られている。
第３図はこの従来の方法の測定系を表す模式図であり、
図中３１はタングステンランプ３１ａ 及び分光器３１
ｂからなる光源、３２はレンズ、３３は伝播光量を測定
する光量測定器である。分光器３１ｂ、光量測定器３３
間には、その両端面を分光器３１ｂ及び光量測定器３３
に臨ませた光ファイバ３４が設けられており、分光器３
１ｂから出射された光は光ファイバ３４を伝播し、光量
側定器３３にてその伝播光量が測定されるようになって
いる。そして光ファイバ３４を直線状態（図中実線）及
び中途にて円筒体３５に巻き付けた曲がり状！３（図中
破線）に配置して、光ファイバの光損失量を測定する。
図中３１はタングステンランプ３１ａ 及び分光器３１
ｂからなる光源、３２はレンズ、３３は伝播光量を測定
する光量測定器である。分光器３１ｂ、光量測定器３３
間には、その両端面を分光器３１ｂ及び光量測定器３３
に臨ませた光ファイバ３４が設けられており、分光器３
１ｂから出射された光は光ファイバ３４を伝播し、光量
側定器３３にてその伝播光量が測定されるようになって
いる。そして光ファイバ３４を直線状態（図中実線）及
び中途にて円筒体３５に巻き付けた曲がり状！３（図中
破線）に配置して、光ファイバの光損失量を測定する。
次に両者の光損失器差から曲げ損失の波長特性を求める
。遮断波長はＬＰ 、、モードの損失の立上り波長（長
波長側）として求められる。
。遮断波長はＬＰ 、、モードの損失の立上り波長（長
波長側）として求められる。
第４図は上述した方法にて測定した光損失器差と波長と
の関係を表したものである。第４図においては１．３μ
ｍ付近及び０．８〜１．２μｍの波長にかけて遮断波長
以外のピークが２個所（図中ａ。
の関係を表したものである。第４図においては１．３μ
ｍ付近及び０．８〜１．２μｍの波長にかけて遮断波長
以外のピークが２個所（図中ａ。
ｂ）見られる。
遮断波長以外のピークが見られる原因については、まず
分光器から出射される光のスポット径が大きいことが考
えられる。また光のスポット径以外に、クラッド内を伝
播する光（タラフドモード）も原因であることは知られ
ていたが、その対策については通切なものがなかった。
分光器から出射される光のスポット径が大きいことが考
えられる。また光のスポット径以外に、クラッド内を伝
播する光（タラフドモード）も原因であることは知られ
ていたが、その対策については通切なものがなかった。
本発明者は様々な研究の結果、光ファイバ長を１０ｍ程
度にすればこのタラソドモードが完全に除去される（シ
リコン層を通過して光は外界に出ていくか、または光が
シリコン層に吸収される）事実を知見した。従って、光
ファイバの長さを１０ｍ程度にして測定を行えばよいが
、ただこの場合でも、単なる測定用として１０ｍも要す
るのは無駄が多いという問題点は残っていた。
度にすればこのタラソドモードが完全に除去される（シ
リコン層を通過して光は外界に出ていくか、または光が
シリコン層に吸収される）事実を知見した。従って、光
ファイバの長さを１０ｍ程度にして測定を行えばよいが
、ただこの場合でも、単なる測定用として１０ｍも要す
るのは無駄が多いという問題点は残っていた。
また光ファイバを直線状態にすることは実用的でなく、
測定時にいつも光ファイバを均一の直線状態に保つこと
は実際上不可能であるという問題点があった。
測定時にいつも光ファイバを均一の直線状態に保つこと
は実際上不可能であるという問題点があった。
本発明はかかる事情に鑑みてなされたものでありその目
的とするところは、部分的にシリコン層を剥離してクラ
ッド周面にクランドより屈折率の大きい液体を塗布した
光ファイバを、径を異ならせて巻回し、夫々の巻回状態
にて光損失量を測定し、両者の場合の光損失器差に基づ
き光ファイバの遮断波長を求めることにより、短尺の光
ファイバを用いてもクラッド内を伝播する光の影響を除
去して正確な遮断波長の測定が行え、また光ファイバを
異径の円筒体（或いは円柱体）に巻き付けるので測定作
業が実用的である光ファイバの遮断波長測定方法を提案
することにある。
的とするところは、部分的にシリコン層を剥離してクラ
ッド周面にクランドより屈折率の大きい液体を塗布した
光ファイバを、径を異ならせて巻回し、夫々の巻回状態
にて光損失量を測定し、両者の場合の光損失器差に基づ
き光ファイバの遮断波長を求めることにより、短尺の光
ファイバを用いてもクラッド内を伝播する光の影響を除
去して正確な遮断波長の測定が行え、また光ファイバを
異径の円筒体（或いは円柱体）に巻き付けるので測定作
業が実用的である光ファイバの遮断波長測定方法を提案
することにある。
本発明に係る光ファイバの遮断波長測定方法は、外層か
ら順にシリコン層、クラッド、コアからなる単一モード
光ファイバについて、曲がりの程度の差異に伴う光損失
器差を算出し、該光損失器差に基づき前記単一モード光
ファイバの遮断波長を測定する方法において、その一部
からシリコン層を剥離し、露出されたクラッド外周面に
クランドより高屈折率の液体を塗布した単一モード光フ
ァイバを、径を異ならせて巻回した状態を少なくとも２
回設定し、巻回径の差異に伴う該単一モード光ファイバ
の光損失器差を算出し、該光損失器差に基づき前記単一
モード光ファイバの遮断波長を測定することを特徴とす
る。
ら順にシリコン層、クラッド、コアからなる単一モード
光ファイバについて、曲がりの程度の差異に伴う光損失
器差を算出し、該光損失器差に基づき前記単一モード光
ファイバの遮断波長を測定する方法において、その一部
からシリコン層を剥離し、露出されたクラッド外周面に
クランドより高屈折率の液体を塗布した単一モード光フ
ァイバを、径を異ならせて巻回した状態を少なくとも２
回設定し、巻回径の差異に伴う該単一モード光ファイバ
の光損失器差を算出し、該光損失器差に基づき前記単一
モード光ファイバの遮断波長を測定することを特徴とす
る。
本発明にあっては露出させたクラッド周面にクランドよ
り高屈折率の液体を塗布するので、クラブト内を伝播す
る光がクラッドからその液体を通過して外界に容易に放
散される。
り高屈折率の液体を塗布するので、クラブト内を伝播す
る光がクラッドからその液体を通過して外界に容易に放
散される。
以下本発明をその実施例を示す図面に基づき説明する。
第１図は本発明方法を実施するための装置の模式図であ
り、図中１はタングステンランプ１ａ及び分光器１ｂか
らなる光源、２はレンズ、３は伝播光量を測定する光量
測定器である。そして光源１及び光量測定器３間には、
その両端面を夫々光源１．光量測定器３に臨ませて試料
用の光ファイバ４（長さ２ｍ＞を配置する。ここで光フ
ァイバ４は、その中途部が外径４００Ｈの円筒体５ａに
巻き付けられる場合と、その中途部が外径６０ｔｍの円
筒体５ｂに巻き付けられる場合とがある。何れの場合も
光ファイバ４はその長軸方向一部（２〜３ｃ＋ａ程度）
において、全周面にわたりシリコン層（図示せず）が剥
離され、露出したクラッド周面にシリコン油が塗布され
ている。塗布されるシリコン油はクラッドより高屈折率
なものとし、タラフド内を伝播する光がシリコン層を通
って外界に放散される。第２図は該シリコン油が塗布さ
れた部分の光ファイバ４の断面図であり、光ファイバ４
はコア６（径８μｍ程度）及びクラッド７（径１２５μ
ｍ程度）からなり、クランド７の周面にはクラッド７よ
り屈折率の大きいシリコン油８が適当な厚さ塗布されて
いる。
り、図中１はタングステンランプ１ａ及び分光器１ｂか
らなる光源、２はレンズ、３は伝播光量を測定する光量
測定器である。そして光源１及び光量測定器３間には、
その両端面を夫々光源１．光量測定器３に臨ませて試料
用の光ファイバ４（長さ２ｍ＞を配置する。ここで光フ
ァイバ４は、その中途部が外径４００Ｈの円筒体５ａに
巻き付けられる場合と、その中途部が外径６０ｔｍの円
筒体５ｂに巻き付けられる場合とがある。何れの場合も
光ファイバ４はその長軸方向一部（２〜３ｃ＋ａ程度）
において、全周面にわたりシリコン層（図示せず）が剥
離され、露出したクラッド周面にシリコン油が塗布され
ている。塗布されるシリコン油はクラッドより高屈折率
なものとし、タラフド内を伝播する光がシリコン層を通
って外界に放散される。第２図は該シリコン油が塗布さ
れた部分の光ファイバ４の断面図であり、光ファイバ４
はコア６（径８μｍ程度）及びクラッド７（径１２５μ
ｍ程度）からなり、クランド７の周面にはクラッド７よ
り屈折率の大きいシリコン油８が適当な厚さ塗布されて
いる。
かかる構成により、夫々の条件にて光ファイバ４を設置
し、その端面に光源１から光を入射し、光量測定器３に
て伝播光量を測定して光損失量を夫々測定する０次に両
者の光損失量の差を算出し、その差から曲げ損失の波長
特性を求める。
し、その端面に光源１から光を入射し、光量測定器３に
て伝播光量を測定して光損失量を夫々測定する０次に両
者の光損失量の差を算出し、その差から曲げ損失の波長
特性を求める。
以下本発明の効果を、種々の条件下にて曲げ損失の波長
特性を調べた実験結果に基づき説明する。
特性を調べた実験結果に基づき説明する。
第５図は実施例にて詳述した条件（試料長２ｍ。
シリコン油塗布）に基づき実験した結果を示すグラフで
あり、第４図に見られる２個所のピークは何れも消滅し
ている。第６図は、条件（試料長１０ｍ、シリコン油未
塗布）に基づき実験した結果を示すグラフである。試料
長１０ｍでは明確な特性が得られ、遮断波長の測定が容
易である。そして第５図、第６図は略同様の波長特性を
示しており、その測定精度が略同等であることが理解で
きる。
あり、第４図に見られる２個所のピークは何れも消滅し
ている。第６図は、条件（試料長１０ｍ、シリコン油未
塗布）に基づき実験した結果を示すグラフである。試料
長１０ｍでは明確な特性が得られ、遮断波長の測定が容
易である。そして第５図、第６図は略同様の波長特性を
示しており、その測定精度が略同等であることが理解で
きる。
従ってシリコン油をクラッド外周面に塗布することによ
り、試料用の光ファイバが短くてもクラッド内を伝播す
る光を完全に外界へ放散することが可能である。よって
測定のための光ファイバの無駄を大いに防止出来る。
り、試料用の光ファイバが短くてもクラッド内を伝播す
る光を完全に外界へ放散することが可能である。よって
測定のための光ファイバの無駄を大いに防止出来る。
尚、本実施例では光ファイバを円筒体に巻回することと
したが、円筒体に限らず円柱体であっても良いことは勿
論である。
したが、円筒体に限らず円柱体であっても良いことは勿
論である。
また本実施例ではクラッド周面にシリコン油を塗布した
が、シリコン油に限らず、クラッドより高屈折率の液体
であればシリコン油と同等の効果が得られる。
が、シリコン油に限らず、クラッドより高屈折率の液体
であればシリコン油と同等の効果が得られる。
更に本実施例では遮断波長測定について述べたが、これ
に限らず波長損失測定にも上述した液体（シリコン油）
の塗布または異径状態の光ファイバ巻回の技術を応用出
来ることは勿論である。
に限らず波長損失測定にも上述した液体（シリコン油）
の塗布または異径状態の光ファイバ巻回の技術を応用出
来ることは勿論である。
第１図は本発明方法を実施するための装置の模式図、第
２図は光ファイバの断面図、第３図は従来の方法を実施
するための装置の模式図、第４゜５．６図は光ファイバ
の曲げ損失の波長特性を表すグラフである。 １・・・光源 １ａ・・・タングステンランプ １ｂ・
・・分光器 ２・・・レンズ ３・・・光量測定器 ４
・・・光ファイバ ５ａ、 ５ｂ・・・円筒体 ６・・
・コア ７・・・クラッド８・・・シリコン油
２図は光ファイバの断面図、第３図は従来の方法を実施
するための装置の模式図、第４゜５．６図は光ファイバ
の曲げ損失の波長特性を表すグラフである。 １・・・光源 １ａ・・・タングステンランプ １ｂ・
・・分光器 ２・・・レンズ ３・・・光量測定器 ４
・・・光ファイバ ５ａ、 ５ｂ・・・円筒体 ６・・
・コア ７・・・クラッド８・・・シリコン油
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、外層から順にシリコン層、クラッド、コアからなる
単一モード光ファイバについて、曲がりの程度の差異に
伴う光損失量差を算出し、該光損失量差に基づき前記単
一モード光ファイバの遮断波長を測定する方法において
、 その一部からシリコン層を剥離し、露出さ れたクラッド外周面にクラッドより高屈折率の液体を塗
布した単一モード光ファイバを、径を異ならせて巻回し
た状態を少なくとも２回設定し、巻回径の差異に伴う該
単一モード光ファイバの光損失量差を算出し、該光損失
量差に基づき前記単一モード光ファイバの遮断波長を測
定することを特徴とする単一モード光ファイバの遮断波
長測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25414886A JPS63108244A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 単一モ−ド光フアイバの遮断波長測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25414886A JPS63108244A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 単一モ−ド光フアイバの遮断波長測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63108244A true JPS63108244A (ja) | 1988-05-13 |
Family
ID=17260891
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25414886A Pending JPS63108244A (ja) | 1986-10-24 | 1986-10-24 | 単一モ−ド光フアイバの遮断波長測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63108244A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825603A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-15 | Fujitsu Ltd | 光損失測定用クラツド光除去具 |
| JPS6184841A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の外囲器 |
| JPS61107129A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単一モ−ド光フアイバのカツトオフ波長測定装置 |
-
1986
- 1986-10-24 JP JP25414886A patent/JPS63108244A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5825603A (ja) * | 1981-08-07 | 1983-02-15 | Fujitsu Ltd | 光損失測定用クラツド光除去具 |
| JPS6184841A (ja) * | 1984-10-02 | 1986-04-30 | Toshiba Corp | 半導体装置の外囲器 |
| JPS61107129A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-26 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 単一モ−ド光フアイバのカツトオフ波長測定装置 |
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