JPS63110672A - Measurement of semiconductor pressure sensor - Google Patents
Measurement of semiconductor pressure sensorInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
この発明はウェハプロセスにおける半導体圧力センサの
測定方法に関し、さらに詳細にいえば、カテーテル先端
に取り付けられる医療用の半導体圧力センサに代表され
るダイアフラム形の半導体圧力センサの圧力感度の７１
Ｉ１１定を可能にする半導体圧力センサの測定方法に関
する。[Detailed Description of the Invention] <Industrial Application Field> The present invention relates to a measurement method using a semiconductor pressure sensor in a wafer process, and more specifically, to a diaphragm typified by a medical semiconductor pressure sensor attached to the tip of a catheter. 71 of the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor
The present invention relates to a method of measuring a semiconductor pressure sensor that enables constant I11.
〈従来の技術〉
半導体圧力センサは、シリコン等の半導体結晶に機械的
応力が加わると、ピエゾ抵抗効果により大きな抵抗変化
をすることに着目して開発されたものであり、一般的に
は、シリコン単結晶体の表面層に歪ゲージ抵抗体を拡散
形成し、この歪ゲージ抵抗体４つで、ホイーストンブリ
ッジを組み、シリコン単結晶体の裏面に凹部を形成し、
薄い部分をダイアフラムとし、表面の適所に電極を配置
したものである。そして、半導体圧力センサに圧力が加
わった場合に、ダイアフラムが変形し、歪ゲージ抵抗体
の抵抗値がピエゾ抵抗効果により、大きく変化し、圧力
に比例したブリッジ出力を得ることができる。<Prior art> Semiconductor pressure sensors were developed based on the fact that when mechanical stress is applied to a semiconductor crystal such as silicon, the resistance changes significantly due to the piezoresistance effect. A strain gauge resistor is diffused and formed on the surface layer of the single crystal, a Wheatstone bridge is assembled with these four strain gauge resistors, and a recess is formed on the back surface of the silicon single crystal.
The thin part is the diaphragm, and electrodes are placed at appropriate locations on the surface. When pressure is applied to the semiconductor pressure sensor, the diaphragm deforms and the resistance value of the strain gauge resistor changes significantly due to the piezoresistive effect, making it possible to obtain a bridge output proportional to the pressure.
上記の半導体圧力センサは非常に小さく、特に医療用に
おいては、カテーテルの先端に複数個の半導体圧力セン
サを取り付け、体内に挿入することから、温度補償回路
及び圧力感度補償回路等の周辺回路を組み込んだもので
も、１チツプの１辺が１ ｍｍ程度以下の小さいものに
する必要がある。The above-mentioned semiconductor pressure sensors are very small, and in medical applications in particular, multiple semiconductor pressure sensors are attached to the tip of a catheter and inserted into the body, so peripheral circuits such as a temperature compensation circuit and a pressure sensitivity compensation circuit are incorporated. Even if it is a chip, it needs to be small, with each side of one chip being about 1 mm or less.
従って、半導体圧力センサの表面からダイアフラムに圧
力を加えるとともに、半導体圧力センサの電極とΔＩｌ
ｊ定プローブを接触させてブリッジ出力の７ｔＩ１１定
を行うことは、非常に困難である。Therefore, while applying pressure to the diaphragm from the surface of the semiconductor pressure sensor, the electrode of the semiconductor pressure sensor and ΔIl
It is very difficult to make a 7tI11 constant of the bridge output by contacting the j constant probe.
このため、従来において、半導体圧力センサをウェハプ
ロセスにおいて／１＃ｊ定する方法は、半導体圧力セン
サのウェハをウェハステージ台上に載置し、圧力を加え
ずに、ウェハの表面に作り込まれた電極と測定用のプロ
ーブとを接触させて、電気的にのみ測定を行うというも
のであった。For this reason, the conventional method for determining semiconductor pressure sensors in a wafer process is to place the wafer of the semiconductor pressure sensor on a wafer stage and fabricate it on the surface of the wafer without applying pressure. The method used was to make measurements only electrically by bringing the electrodes and measurement probes into contact with each other.
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記の方法では、ダイアフラムに圧力を加えた状態にお
ける測定を行っていない為、イオン打ち込み、エツチン
グプロセス等のプロセスにより各半導体圧力センサに形
成されるダイアフラムの厚さ及び均一性に僅少なバラツ
キがあり、実際に加えられる圧力対するダイアフラムの
変形する度合に住少なバラツキが生じ、精度の高い測定
を行えないという問題がある。又、このバラツキを防止
するために、ウェハを切り出した後、１チツプ毎にダイ
アフラムに圧力を加えて圧力感度の測定を行うことは、
上述のようにチップサイズが小さいので、実際問題とし
て不可能であり、僅少なバラツキを許容した状態で使用
せざるをえないという問題点があった。さらには、セン
サチップをパッケージに実装した後、圧力感度を測定す
ることが考えられるが、所期の圧力感度を有していない
ものについては、パッケージを含めて廃棄しなければな
らず、多大なコストの無駄に成るという問題点があった
。<Problems to be solved by the invention> In the above method, measurement is not performed with pressure applied to the diaphragm, so the thickness of the diaphragm formed in each semiconductor pressure sensor by processes such as ion implantation and etching process is There is a problem that there is slight variation in the degree of deformation of the diaphragm in response to the actually applied pressure, and that highly accurate measurement cannot be performed. In addition, in order to prevent this variation, it is possible to measure the pressure sensitivity by applying pressure to the diaphragm for each chip after cutting out the wafer.
As mentioned above, since the chip size is small, this is not possible in practice, and there is a problem in that it is necessary to use it with slight variations allowed. Furthermore, it is conceivable to measure the pressure sensitivity after mounting the sensor chip in a package, but if the sensor chip does not have the desired pressure sensitivity, it will have to be discarded along with the package, which would result in a large amount of waste. There was a problem in that it was a waste of cost.
〈発明の目的〉
この発明は、上記の問題点に鑑みてなされたもノテアリ
、ウェハプロセスにおいて、半導体圧力センサの圧力感
度のＭｊ定を簡単に行うことをチッサイズに拘わらず可
能にする半導体圧力センサのｎｌｌ定法法提供すること
を目的としている。<Object of the Invention> The present invention has been made in view of the above problems, and provides a semiconductor pressure sensor that makes it possible to easily determine Mj of the pressure sensitivity of a semiconductor pressure sensor regardless of the chip size in a wafer process. The aim is to provide the nll standard method.
く問題点を解決する為の手段〉
上記の目的を達成するための、この発明の半導体圧力セ
ンサの測定方法は、ウェハステージ台に少なくとも１個
の真空吸引用の孔を設け、この孔を通して上記ダイアフ
ラム形の半導体圧力センサの裏面側とウェハステージと
の間の空気を真空吸引して、ダイアフラムを変形させる
とともに、半導体圧力センサの表面側から半導体圧力セ
ンサの圧力感度を測定するものである。Means for Solving the Problems> In order to achieve the above object, the semiconductor pressure sensor measurement method of the present invention provides at least one hole for vacuum suction in the wafer stage base, and the above-mentioned pressure sensor is provided through this hole. The air between the back side of the diaphragm-shaped semiconductor pressure sensor and the wafer stage is vacuum-sucked to deform the diaphragm, and the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor is measured from the front side of the semiconductor pressure sensor.
く作用〉
以上の半導体圧力センサの測定方法であれば、ウェハス
テージ台上にウェハを載置し、ウェハステージ台に設け
られた孔を利用して半導体圧力センサの裏面側からダイ
アフラムを真空吸引することにより、ダイアフラムが負
圧を受けて変形する。In the above method for measuring semiconductor pressure sensors, the wafer is placed on a wafer stage, and the diaphragm is vacuum-suctioned from the back side of the semiconductor pressure sensor using the holes provided in the wafer stage. As a result, the diaphragm receives negative pressure and deforms.
そして、この変形した状態における半導体圧力センサの
電気的出力、即ち、半導体圧力センサの圧力感度を表面
に形成された電極を利用して測定することができる。Then, the electrical output of the semiconductor pressure sensor in this deformed state, that is, the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor can be measured using electrodes formed on the surface.
従って、ダイアフラムに表面から加えた圧力に相当する
負圧を、裏側からダイアフラムを真空吸引して発生させ
、電気的出力を測定することにより、ウェハプロセスに
おいて半導体圧力センサの圧力感度の測定を行うことが
できる。Therefore, by vacuum suctioning the diaphragm from the back side to generate a negative pressure equivalent to the pressure applied to the diaphragm from the surface, and measuring the electrical output, the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor can be measured in the wafer process. Can be done.
〈実施例〉 以下、実施例を示す添付図面によって詳細に説明する。<Example> Hereinafter, embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings showing examples.
第２図は、半導体圧力センサを示し、半導体圧力センサ
（１）は、全体の厚さは略４００μｌの非常に小さいも
のであり、シリコン単結晶体（１１）の表面層に歪ゲー
ジ抵抗体（１２１）（１２２）（１２３） （１２４）
を拡散形成し、この歪ゲージ抵抗体４つを拡散リード部
（１３）により直列接続し、拡散リード部（１３）と連
続させＡＱバッド（１４１） （１４２）（１４３）（
１４４）（１４５）が形成されている。そして、シリコ
ン単結晶体（１１）の裏面に四部（１５）を形成し、薄
い部分（厚みがｌＯ〜３０μｍ）をダイアフラム（１６
）としている。FIG. 2 shows a semiconductor pressure sensor. The semiconductor pressure sensor (1) has a very small total thickness of approximately 400 μl, and has a strain gauge resistor (1) on the surface layer of a silicon single crystal (11). 121) (122) (123) (124)
These four strain gauge resistors are connected in series through a diffusion lead part (13), and connected to the diffusion lead part (13) to form an AQ pad (141) (142) (143) (
144) (145) are formed. Then, four parts (15) are formed on the back surface of the silicon single crystal (11), and a thin part (thickness 10~30 μm) is formed into a diaphragm (16).
).
第１図は、この発明の半導体圧力センサの測定方法を示
す概略断面図であり、ウエノ）ステージ台（２）は、ス
テンレス、合成樹脂等の板材（２１）上に、軟質性合成
樹脂（具体的には、スチレン、ブタジェン、あるいはシ
リコンゴム等）からなる厚さ１０μｍオーダの真空洩れ
防止用の封止材（２２）を有し、そして、ウェハステー
ジ台（２）の適所に上記半導体圧力センサ（１）の凹部
（１５）を真空吸引するための貫通孔（３）を少なくと
も１つ設けている。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing the measurement method of the semiconductor pressure sensor of the present invention. It has a vacuum leak prevention sealing material (22) made of styrene, butadiene, silicone rubber, etc.) with a thickness on the order of 10 μm, and the semiconductor pressure sensor is placed at an appropriate place on the wafer stage table (2). At least one through hole (3) for vacuum suction is provided in the recess (15) of (1).
そして、上記貫通孔（３）の上方に測定用プローブ（４
］を位置させるとともに、上記貫通孔（３）の上に半導
体圧力センサ（１）の凹部（１５）を位置させ、半導体
圧力センサ（１）の表面に設けたＡＱパパフ（１４１）
（１４５）とＡＱパパフ（１４３） （ブリッジ入力
端子間）、及ＩＶバッド（１４２）とＪＶパパフ（１４
１） （ブリッジ出力端子間）に測定用プローブ（４
）を接触させている。Then, a measurement probe (4) is placed above the through hole (3).
), and the recess (15) of the semiconductor pressure sensor (1) is positioned above the through hole (3), and the AQ puff (141) provided on the surface of the semiconductor pressure sensor (1)
(145) and AQ papaf (143) (between bridge input terminals), and IV pad (142) and JV papaf (14)
1) Connect the measurement probe (4
) are in contact with each other.
尚、ウェハステージ台〔Ｊの貫通孔（３）と測定用プロ
ーブ（４）との間にウェハ（５）に形成された半導体圧
力センサ（１）の四部（１５）を位置させるには、ウェ
ハステージ台（Ｊと測定プローブ（４）を固定しておい
て、ウェハ（５）を移動させ、或は、ウェハ（口を固定
しておいて、ウェハステージ台（２及び測定プローブ（
４）を移動させればよい。In addition, in order to position the four parts (15) of the semiconductor pressure sensor (1) formed on the wafer (5) between the through hole (3) of the wafer stage table [J and the measurement probe (4), You can move the wafer (5) with the stage stand (J and measurement probe (4) fixed), or move the wafer (5) while keeping the wafer (mouth) fixed.
4) can be moved.
上記のウェハ（５）とウェハステージ台（２）とを相対
的に移動させることにより圧力感度のＭ１定を行う場合
には、ウェハステージ台（２）には、貫通孔（３）を１
個だけ形成しておけばよい。また、ウェハ四に形成され
た半導体圧力センサ（１）の個数と同じ個数の貫通孔（
３）を設けた場合には、測定用プローブ（４）の個数も
増加させねばならず、Ｍ１定回路が複雑化するが、ウェ
ハ（９の相対的移動が不要となり、測定時間を短縮する
ことができる。When the pressure sensitivity M1 is determined by relatively moving the wafer (5) and the wafer stage base (2), the wafer stage base (2) has one through hole (3).
It is sufficient to form only one. In addition, the same number of through holes (
3), the number of measurement probes (4) must also be increased, which complicates the M1 constant circuit, but it eliminates the need for relative movement of the wafer (9) and shortens the measurement time. Can be done.
従って、ウェハ（５］に形成された半導体圧力センサ（
１）の個数を越えないように、適宜数個の貫通孔（３）
をウェハステージ台（２）に形成することにより、構成
の複雑化、及び測定回数の増加を最適条件となるように
することができる。Therefore, the semiconductor pressure sensor (
Make an appropriate number of through holes (3) so as not to exceed the number in 1).
By forming this on the wafer stage base (2), it is possible to make the configuration more complicated and increase the number of measurements to the optimum conditions.
上記の如く、ウェハ（８をウェハステージ台（２上に載
置し、貫通孔（３）を利用して半導体圧力センサ（１）
の裏面に形成された凹部（１５）を真空吸引すれば、ウ
ェハステージ台（２）上の封止材（２２）がシリコン結
晶体（１１）とウェハステージ台（２）との接合部から
の真空洩れを防止し、半導体圧力センサ（１）の凹部（
１５）に表面から圧力を加えた状態に相当する負圧を発
生させるので、ダイアフラム（１６）が表面側から圧力
を受けた場合と同様に変形し、圧力感度を測定すること
ができる。As described above, the wafer (8) is placed on the wafer stage (2), and the semiconductor pressure sensor (1) is mounted using the through hole (3).
When the recess (15) formed on the back surface of the wafer stage (2) is vacuum-suctioned, the sealing material (22) on the wafer stage base (2) is removed from the joint between the silicon crystal (11) and the wafer stage base (2). Prevents vacuum leakage and prevents the recess of the semiconductor pressure sensor (1)
Since a negative pressure corresponding to the pressure applied to the diaphragm (15) from the surface is generated, the diaphragm (16) deforms in the same way as when pressure is applied from the surface side, and the pressure sensitivity can be measured.
第３図は、上記ダイアフラム（１Ｂ）が変形した状態を
示し、第４図に示すブリッジ回路を構成する４つの歪ゲ
ージ抵抗体（１２１） （１２２） （１２３）（１２
４）の内、ダイアフラム（１６）の中央部に拡散された
歪ゲージ抵抗体（１２１） （１２３）は、ダイアフラ
ム（１６）の変形にともなって圧縮され、ダイアフラム
（１６）の周辺部に拡散された歪ゲージ抵抗体（１２２
） （１２４）は、ダイアフラム（１６）の変形にとも
なって伸張される。FIG. 3 shows a state in which the diaphragm (1B) is deformed, and four strain gauge resistors (121) (122) (123) (12
Among 4), the strain gauge resistors (121) (123) diffused in the center of the diaphragm (16) are compressed as the diaphragm (16) deforms, and are diffused in the periphery of the diaphragm (16). Strain gauge resistor (122
) (124) is expanded as the diaphragm (16) deforms.
上記の歪ゲージ抵抗体として、圧縮応力に比例して抵抗
値が増加するものを利用し、歪ゲージ抵抗体（１２１）
（１２２） （１２３） （１２４）の抵抗値をそれぞ
れ、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４とすると、ダイアフラム（
１６）の変形にともなって、Ｒ２、Ｒ４は増加し、Ｒ１
、Ｒ３は減少する。即ち、Ｒ２の端子間電位ｖ１は増加
し、Ｒ３の端子間電位■２は減少する。As the strain gauge resistor described above, a strain gauge resistor (121) is used that has a resistance value that increases in proportion to compressive stress.
(122) (123) If the resistance values of (124) are R1, R2, R3, and R4, respectively, then the diaphragm (
16), R2 and R4 increase, and R1
, R3 decreases. That is, the potential v1 between the terminals of R2 increases, and the potential 2 between the terminals of R3 decreases.
従って、ダイアフラム（１Ｇ）の変形に比例してブリッ
ジ出力、即ち、Ｖ ｔ Ｖ ２は増加する。Therefore, the bridge output, ie, V t V 2, increases in proportion to the deformation of the diaphragm (1G).
上記ブリッジ出力を、半導体圧力センサ（１）のＡＱパ
パフ（１４）を利用して測定プローブ（４）により測定
を行うことにより、ウェハ（５）を１チツプ毎に切り出
す前に半導体圧力センサ（１）の圧力感度の測定を、チ
ップサイズの大きさに拘わらず簡単に行うことができる
。By measuring the bridge output with the measurement probe (4) using the AQ puff (14) of the semiconductor pressure sensor (1), the semiconductor pressure sensor (1) ) can be easily measured regardless of the chip size.
以上要約すれば、電気的測定は半導体圧力センサ（１）
の表面側から行い、圧力を加えるのは、半導体圧力セン
サ（１）の裏面側から行うことにより、ウェハプロセス
において半導体圧力センサ（１）の圧力感度の４１１定
を行っている。To summarize the above, electrical measurement is performed using a semiconductor pressure sensor (1).
By applying pressure from the back side of the semiconductor pressure sensor (1), the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor (1) is determined in the wafer process.
〈発明の効果〉
以上のように、この発明の半導体圧力センサの測定方法
によれば、ウェハステージ台の真空吸引用の孔により、
ダイアフラムの表面に加えられる圧力に対応した負圧を
ダイアフラムの裏面側に発生ささせ、半導体圧力センサ
のダイアフラムを変形させることができるので、この状
態において電気的出力をＭ１定することにより、ウェハ
プロセスにおいて半導体圧力センサの圧力感度の測定を
行うことが可能になり、半導体圧力センサの測定工程の
簡略化及びコストダウンを達成することができるという
特許の効果を奏する。<Effects of the Invention> As described above, according to the semiconductor pressure sensor measurement method of the present invention, the vacuum suction hole of the wafer stage table allows
Negative pressure corresponding to the pressure applied to the surface of the diaphragm is generated on the back side of the diaphragm, and the diaphragm of the semiconductor pressure sensor can be deformed, so by setting the electrical output M1 in this state, the wafer process can be performed. According to the patent, it becomes possible to measure the pressure sensitivity of a semiconductor pressure sensor, and the process of measuring the semiconductor pressure sensor can be simplified and costs can be reduced.
第１図は、この発明の半導体圧力センサの測定方法の実
施例を示す概略断面、
第２図は、半導体圧力センサの平面図及び正面断面図。
第３図は、半導体圧力センサに圧力を加えた状態図、
第４図は、半導体圧力センサの電気的構成を示す電気回
路図。
（１）・・・半導体圧力センサ、（２）・・・ウェハス
テージ台、］３）・・・貫通孔、（４）・・・測定用プ
ローブ、（５）・・・ウェハ、（１６）・・・ダイアフ
ラム。
特許出願人 住友電気工業株式会社
（ｂ）
第３図
第４図
＋ＶFIG. 1 is a schematic cross-section showing an embodiment of a method for measuring a semiconductor pressure sensor according to the present invention, and FIG. 2 is a plan view and a front sectional view of the semiconductor pressure sensor. FIG. 3 is a state diagram when pressure is applied to the semiconductor pressure sensor, and FIG. 4 is an electric circuit diagram showing the electrical configuration of the semiconductor pressure sensor. (1)...Semiconductor pressure sensor, (2)...Wafer stage base, ]3)...Through hole, (4)...Measurement probe, (5)...Wafer, (16) ...Diaphragm. Patent applicant: Sumitomo Electric Industries, Ltd. (b) Figure 3 Figure 4 +V
Claims (1)
ハをウェハステージ台上にセットして、半導体圧力セン
サの特性を測定する方法において、 ウェハステージ台に少なくとも１個の真空吸引用の孔を
設け、この孔を通して上記ダイアフラム形の半導体圧力
センサの裏面側とウェハステージとの間の空気を真空吸
引して、 ダイアフラムを変形させるとともに、半導体圧力センサ
の表面側から半導体圧力センサの圧力感度を測定するこ
とを特徴とする半導体圧力センサの測定方法。 ２、ウェハステージ台上でウェハを移動させて、半導体
圧力センサの圧力感度を順次測定する上記特許請求の範
囲第１項記載の半導体圧力センサの測定方法。[Claims] 1. A method for measuring the characteristics of a semiconductor pressure sensor by setting a wafer on which a diaphragm-shaped semiconductor pressure sensor is formed on a wafer stage, comprising: at least one vacuum suction device on the wafer stage; Through this hole, the air between the back side of the diaphragm-shaped semiconductor pressure sensor and the wafer stage is vacuum-sucked to deform the diaphragm, and the pressure of the semiconductor pressure sensor is released from the front side of the semiconductor pressure sensor. A method for measuring a semiconductor pressure sensor, characterized by measuring sensitivity. 2. The method for measuring a semiconductor pressure sensor according to claim 1, wherein the wafer is moved on a wafer stage and the pressure sensitivity of the semiconductor pressure sensor is sequentially measured.
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| JP61257977A JPS63110672A (en) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | Measurement of semiconductor pressure sensor |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61257977A Granted JPS63110672A (en) | 1986-10-28 | 1986-10-28 | Measurement of semiconductor pressure sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63110672A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5083534A (en) * | 1989-04-05 | 1992-01-28 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Spiral spring type starter apparatus for an internal combustion engine |
| US7525287B2 (en) | 2004-10-08 | 2009-04-28 | Husqvarna Zenoah Co., Ltd. | Battery pack for driving electric motor of compact engine starting device, engine starting device driven by the battery pack, and manual working machine having the engine starting device |
| US7849831B2 (en) | 2006-02-01 | 2010-12-14 | Husqvarna Zenoah Co., Ltd. | Engine start device for manual work machine, having small-sized electric motor, and manual work machine having the start device mounted thereon |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155742A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Hitachi Ltd | Wafer prober |
| JPS61149316A (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | 株式会社豊田中央研究所 | How to cut pressure sensor wafer |
-
1986
- 1986-10-28 JP JP61257977A patent/JPS63110672A/en active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57155742A (en) * | 1981-03-23 | 1982-09-25 | Hitachi Ltd | Wafer prober |
| JPS61149316A (en) * | 1984-12-24 | 1986-07-08 | 株式会社豊田中央研究所 | How to cut pressure sensor wafer |
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| US5163392A (en) * | 1989-04-05 | 1992-11-17 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Spiral spring type starter apparatus for an internal combustion engine |
| US5186134A (en) * | 1989-04-05 | 1993-02-16 | Mitsubishi Jukogyo Kabushiki Kaisha | Spiral spring type starter apparatus for an internal combustion engine |
| US7525287B2 (en) | 2004-10-08 | 2009-04-28 | Husqvarna Zenoah Co., Ltd. | Battery pack for driving electric motor of compact engine starting device, engine starting device driven by the battery pack, and manual working machine having the engine starting device |
| US7849831B2 (en) | 2006-02-01 | 2010-12-14 | Husqvarna Zenoah Co., Ltd. | Engine start device for manual work machine, having small-sized electric motor, and manual work machine having the start device mounted thereon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0413868B2 (en) | 1992-03-11 |
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