JPS63111682A - 光半導体素子用サブマウント - Google Patents
光半導体素子用サブマウントInfo
- Publication number
- JPS63111682A JPS63111682A JP61259023A JP25902386A JPS63111682A JP S63111682 A JPS63111682 A JP S63111682A JP 61259023 A JP61259023 A JP 61259023A JP 25902386 A JP25902386 A JP 25902386A JP S63111682 A JPS63111682 A JP S63111682A
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- Japan
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- submount
- semiconductor element
- drive circuit
- wire
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/50—Bond wires
- H10W72/531—Shapes of wire connectors
- H10W72/536—Shapes of wire connectors the connected ends being ball-shaped
Landscapes
- Light Receiving Elements (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業−１この利用分野〕
この発明は、光半導体素子をマウントするのに用いる光
半導体素子用サブマウントに関するものである。
半導体素子用サブマウントに関するものである。
第３図は、例えば特開昭５７−９３５９１号公報に示さ
れた従来のサブマウントを用いた光半導体装置を示す断
面図で゛あり、また、第４図は特開昭５８−５８７８５
号公報に示された従来のサブマウントを用いた光半導体
装置を示す断面図である。第３図において、１はステム
、２は前記ステム１上に接着されたサブマウント、３は
前記サブマウント２」二に接着された光半導体素子、４
は同じくサブマウント２上に接着された保護回路、８は
前記光半導体素子３と保護回路４とを接続するワイヤで
ある。
れた従来のサブマウントを用いた光半導体装置を示す断
面図で゛あり、また、第４図は特開昭５８−５８７８５
号公報に示された従来のサブマウントを用いた光半導体
装置を示す断面図である。第３図において、１はステム
、２は前記ステム１上に接着されたサブマウント、３は
前記サブマウント２」二に接着された光半導体素子、４
は同じくサブマウント２上に接着された保護回路、８は
前記光半導体素子３と保護回路４とを接続するワイヤで
ある。
また、第４図におけるサブマウント２は、Ｐ型領域５．
Ｎ型領域６を有し、ＰＮ接合７を形成している。
Ｎ型領域６を有し、ＰＮ接合７を形成している。
半導体レーザダイオード（ＬＤ）や発光ダイオード（Ｌ
ＥＤ）あるいはフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体
素子３はサブマウント２に接着され、さらに、サブマウ
ント２がステム］に接着される。また、光半導体素子３
に電流が流れるようにワイヤ８が接着され、ステム１本
体の電気的特性が■となる。第３図に示した例はサブマ
ウント２に保護回路４を接着し、光半導体素子３と保護
回路４をワイヤ８で接着して、電流が保護回路４を通っ
て光半導体素子３に流れるようになっている。
ＥＤ）あるいはフォトダイオード（ＰＤ）等の光半導体
素子３はサブマウント２に接着され、さらに、サブマウ
ント２がステム］に接着される。また、光半導体素子３
に電流が流れるようにワイヤ８が接着され、ステム１本
体の電気的特性が■となる。第３図に示した例はサブマ
ウント２に保護回路４を接着し、光半導体素子３と保護
回路４をワイヤ８で接着して、電流が保護回路４を通っ
て光半導体素子３に流れるようになっている。
また、第４図に示した例は、ＰＮ接合７を有したサブマ
ウント２に光半導体素子３を接着し、電流を光半導体素
子３に流して動作させるとともに、独立にサブマウント
２のＰＮ接合７にも電流を流して、ベルチェ効果を利用
して放熱効果を高めている。第３図に示した例では、サ
ブマウント２には主に熱伝導性の良い絶縁材料（Ｓｉ、
ＢｅＯ，ＳｉＣ，ダイヤモンド等）が用いられている。
ウント２に光半導体素子３を接着し、電流を光半導体素
子３に流して動作させるとともに、独立にサブマウント
２のＰＮ接合７にも電流を流して、ベルチェ効果を利用
して放熱効果を高めている。第３図に示した例では、サ
ブマウント２には主に熱伝導性の良い絶縁材料（Ｓｉ、
ＢｅＯ，ＳｉＣ，ダイヤモンド等）が用いられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記のように構成された従来のサブマウントは、光半導
体素子３から生じる熱を放出させることにより熱抵抗を
下げるのと、接着部に生じる線膨張係数のずれからの機
械的歪を緩和する目的で用いている。光半導体素子３を
動作させるために、駆動回路（図示せず）をパッケージ
の外部もしくは内部に設ける必要がある。外部に設けた
場合、システム全体が大きくなってしまう。駆動回路を
モノリシックに集積して第３図においてサブマウント２
」二に接着した場合、パッケージが大型化する。また、
第４図のように、サブマウント２にＰＮ接合７を設けた
ものもあるが、これは駆動回路ではなく、光半導体素子
３の放熱効果を図るために用いられているものであり、
光半導体素子３とは独立に動作される。したがって、こ
の例においてもパッケージが大型化するという問題点が
あった。
体素子３から生じる熱を放出させることにより熱抵抗を
下げるのと、接着部に生じる線膨張係数のずれからの機
械的歪を緩和する目的で用いている。光半導体素子３を
動作させるために、駆動回路（図示せず）をパッケージ
の外部もしくは内部に設ける必要がある。外部に設けた
場合、システム全体が大きくなってしまう。駆動回路を
モノリシックに集積して第３図においてサブマウント２
」二に接着した場合、パッケージが大型化する。また、
第４図のように、サブマウント２にＰＮ接合７を設けた
ものもあるが、これは駆動回路ではなく、光半導体素子
３の放熱効果を図るために用いられているものであり、
光半導体素子３とは独立に動作される。したがって、こ
の例においてもパッケージが大型化するという問題点が
あった。
この発明は、上記のような問題点を解消するためになさ
れたもので、光半導体素子が安定に動作するとともに、
小型化が実現できる光半導体素子用サブマウントを得る
ことを目的とする。
れたもので、光半導体素子が安定に動作するとともに、
小型化が実現できる光半導体素子用サブマウントを得る
ことを目的とする。
この発明に係る光半導体素子用サブマウントは、半導体
絶縁基板に光半導体素子を駆動する駆動回路を形成し、
その面上に光半導体素子を接着する導電性の素子接着部
と、ワイヤを接着する導電性のワイヤ接着部を備えたも
のである。
絶縁基板に光半導体素子を駆動する駆動回路を形成し、
その面上に光半導体素子を接着する導電性の素子接着部
と、ワイヤを接着する導電性のワイヤ接着部を備えたも
のである。
この発明においては、半導体絶縁基板に光半導体素子を
駆動するための駆動回路を集積化してサブマウントを形
成したことから、素子接着部に接着された光半導体素子
は、ワイヤが接続されていない状態では、絶縁された状
態である。これに、適当にワイヤを接続することにより
、光半導体素子および駆動回路を直列および並列、さら
に個々に独立に動作させることが可能となる。また、外
部に駆動回路を設けなくてもよいことから、小型化でき
る。
駆動するための駆動回路を集積化してサブマウントを形
成したことから、素子接着部に接着された光半導体素子
は、ワイヤが接続されていない状態では、絶縁された状
態である。これに、適当にワイヤを接続することにより
、光半導体素子および駆動回路を直列および並列、さら
に個々に独立に動作させることが可能となる。また、外
部に駆動回路を設けなくてもよいことから、小型化でき
る。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す図で
、第１図（ａ）はサブマウントの斜視図であり、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のサブマウント上に光半導体素子
を組み立てた状態を示す正面図である。
、第１図（ａ）はサブマウントの斜視図であり、第１図
（ｂ）は第１図（ａ）のサブマウント上に光半導体素子
を組み立てた状態を示す正面図である。
これらの図において、第３図と同一符号は同一部分を示
し、１ｏは半導体絶縁基板、１１は素子接着部、１２は
ワイヤ接着部、１３は前記半導体絶縁基板１０に拡散、
イオン注入、エピタキシャル成長等の技術を用いてモノ
リシックに集積化された光半導体素子３を駆動するため
の駆動回路である。以上でこの発明のサブマウント２０
が構成される。このサブマウント２０上に第１図（ｂ）
のように、光半導体素子３を素子接着部１１に接着し、
ワイヤ８により光半導体素子３と駆動回路１３とをワイ
ヤ接着部１２を用いて接着し、゛さらに、このサブマウ
ント２０をステム１上に接着し、組立てが行われる。
し、１ｏは半導体絶縁基板、１１は素子接着部、１２は
ワイヤ接着部、１３は前記半導体絶縁基板１０に拡散、
イオン注入、エピタキシャル成長等の技術を用いてモノ
リシックに集積化された光半導体素子３を駆動するため
の駆動回路である。以上でこの発明のサブマウント２０
が構成される。このサブマウント２０上に第１図（ｂ）
のように、光半導体素子３を素子接着部１１に接着し、
ワイヤ８により光半導体素子３と駆動回路１３とをワイ
ヤ接着部１２を用いて接着し、゛さらに、このサブマウ
ント２０をステム１上に接着し、組立てが行われる。
駆動回路１３としては、光半導体素子３がＬＤの場合、
変調回路、バイアス回路、ＡＰＣ回路など、ＬＥＤの場
合、変調回路、バイアス回路。
変調回路、バイアス回路、ＡＰＣ回路など、ＬＥＤの場
合、変調回路、バイアス回路。
ＡＣＣ回路など、ＰＤの場合、バイアス回路などが用い
られるが、一般に使用する光半導体素子３により駆動回
路１３が異なるため、特に限定しない。
られるが、一般に使用する光半導体素子３により駆動回
路１３が異なるため、特に限定しない。
また、第１図（ｂ）に示すように、光半導体素子３は半
導体絶縁基板１ｏ上にモノリシックに集積化された駆動
回路１３とワイヤ接着部１２および素子接着部１１から
なるサブマウント２０の素子接着部１１に接着され、さ
らにステム（またはパッケージ）１に接着される。光半
導体素子３に駆動回路１３を通して電流が流れるように
ワイヤ８が接着される。駆動回路］３にバイアスをかけ
ることにより駆動回路１３が動作し、駆動回路１３のも
つ機能に応じて光半導体素子３が動作する。サブマウン
）２０本体は半導体絶縁基板１０からなり、光半導体素
子３に用いられている半導体基板と同一材料を用いるこ
とにより熱伝導性が良くなり、光半導体素子３の放熱性
が良くなる。
導体絶縁基板１ｏ上にモノリシックに集積化された駆動
回路１３とワイヤ接着部１２および素子接着部１１から
なるサブマウント２０の素子接着部１１に接着され、さ
らにステム（またはパッケージ）１に接着される。光半
導体素子３に駆動回路１３を通して電流が流れるように
ワイヤ８が接着される。駆動回路］３にバイアスをかけ
ることにより駆動回路１３が動作し、駆動回路１３のも
つ機能に応じて光半導体素子３が動作する。サブマウン
）２０本体は半導体絶縁基板１０からなり、光半導体素
子３に用いられている半導体基板と同一材料を用いるこ
とにより熱伝導性が良くなり、光半導体素子３の放熱性
が良くなる。
なお、上記実施例においては、素子接着部１１が光半導
体素子３を駆動するための駆動回路１３とは独立して形
成されているが、第２図に示すように、あらかじめ駆動
回路１３の領域上の一部に素子接着部１１を設けてもよ
い。
体素子３を駆動するための駆動回路１３とは独立して形
成されているが、第２図に示すように、あらかじめ駆動
回路１３の領域上の一部に素子接着部１１を設けてもよ
い。
この発明は以上説明したとおり、半導体絶縁基板に光半
導体素子を駆動する駆動回路を形成し、その面上に光半
導体素子を接着する導電性の素子接着部と、ワイヤを接
着する導電性のワイヤ接着部を形成してサブマウントを
構成したので、このサブマウントを用いることにより内
蔵された駆動回路により光半導体素子が安定に動作する
とともに、駆動回路をパッケージ内に内蔵していること
により小型化できる。さらに、光半導体素子と駆動回路
とをモノリシックに集積化した０ＥＩＣと同等の性能が
得られるハイブリッドタイプの０ＥＩＣが可能となるた
め、光半導体素子と駆動回路とをモノリシックに集積化
した０ＥＩＣに比べ安価にできる等の利点がある。
導体素子を駆動する駆動回路を形成し、その面上に光半
導体素子を接着する導電性の素子接着部と、ワイヤを接
着する導電性のワイヤ接着部を形成してサブマウントを
構成したので、このサブマウントを用いることにより内
蔵された駆動回路により光半導体素子が安定に動作する
とともに、駆動回路をパッケージ内に内蔵していること
により小型化できる。さらに、光半導体素子と駆動回路
とをモノリシックに集積化した０ＥＩＣと同等の性能が
得られるハイブリッドタイプの０ＥＩＣが可能となるた
め、光半導体素子と駆動回路とをモノリシックに集積化
した０ＥＩＣに比べ安価にできる等の利点がある。
第１図（ａ）、（ｂ）はこの発明の一実施例を示す図で
あり、第１図（ａ）はサブマウントの斜視図、第１図（
ｂ）は第１図（ａ）のサブマウントを用いた組立て状態
を示す正面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す斜
視図、第３図および第４図は従来のサブマウントとその
サブマウントを用いた組立て状態を示す正面図である。 図において、１はステム、３は光半導体素子、８はワイ
ヤ、１０は半導体絶縁基板、１１は素子接着部、１２は
ワイヤ接着部、１３は駆動回路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 Ｑ 〜 手続補正書（自発） ］ 日 ３、補正をする者 ３号 ３号 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書第４頁３行の「サブマウント」を、「サブ
マウント２」と補正する。 （２）第１図（ｂ）、第２図を別紙のように補正する。 以」ニ
あり、第１図（ａ）はサブマウントの斜視図、第１図（
ｂ）は第１図（ａ）のサブマウントを用いた組立て状態
を示す正面図、第２図はこの発明の他の実施例を示す斜
視図、第３図および第４図は従来のサブマウントとその
サブマウントを用いた組立て状態を示す正面図である。 図において、１はステム、３は光半導体素子、８はワイ
ヤ、１０は半導体絶縁基板、１１は素子接着部、１２は
ワイヤ接着部、１３は駆動回路である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 Ｑ 〜 手続補正書（自発） ］ 日 ３、補正をする者 ３号 ３号 ５、補正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄および図面６、補正の内
容 （１）明細書第４頁３行の「サブマウント」を、「サブ
マウント２」と補正する。 （２）第１図（ｂ）、第２図を別紙のように補正する。 以」ニ
Claims (4)
- （１）半導体絶縁基板に光半導体素子を駆動する駆動回
路を形成し、その面上に前記光半導体素子を接着する導
電性の素子接着部と、ワイヤを接着する導電性のワイヤ
接着部を備えたことを特徴とする光半導体素子用サブマ
ウント。 - （２）半導体絶縁基板は、光半導体素子に用いられてい
る半導体基板と同一材料であることを特徴とする特許請
求の範囲第（１）項記載の光半導体素子用サブマウント
。 - （３）駆動回路は、半導体絶縁基板上にモノリシックに
形成されていることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項記載の光半導体素子用サブマウント。 - （４）導電性の素子接着部は、駆動回路の領域上の一部
に設けられていることを特徴とする特許請求の範囲第（
１）項記載の光半導体素子用サブマウント。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259023A JPS63111682A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光半導体素子用サブマウント |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259023A JPS63111682A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光半導体素子用サブマウント |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111682A true JPS63111682A (ja) | 1988-05-16 |
| JPH0459791B2 JPH0459791B2 (ja) | 1992-09-24 |
Family
ID=17328273
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61259023A Granted JPS63111682A (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 光半導体素子用サブマウント |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63111682A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007129188A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
| JP2009510732A (ja) * | 2005-09-30 | 2009-03-12 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング | 検出器装置および検出器素子 |
| JP2010533975A (ja) * | 2007-07-17 | 2010-10-28 | クリー インコーポレイテッド | 一体型定電流駆動回路を有するｌｅｄ |
| JP2012060133A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Samsung Led Co Ltd | 発光デバイス、照明装置およびバックライト |
| US8791645B2 (en) | 2006-02-10 | 2014-07-29 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for controlling light sources |
| US8803313B2 (en) | 2003-01-02 | 2014-08-12 | Cree, Inc. | Group III nitride based flip-chip integrated circuit and method for fabricating |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158459U (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-22 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオ−ド |
-
1986
- 1986-10-29 JP JP61259023A patent/JPS63111682A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58158459U (ja) * | 1982-04-16 | 1983-10-22 | 三洋電機株式会社 | 発光ダイオ−ド |
Cited By (11)
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| DE102005061206B4 (de) | 2005-09-30 | 2019-10-17 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verwendung einer Detektoranordnung als Umgebungslichtsensor |
| JP2007129188A (ja) * | 2005-10-07 | 2007-05-24 | Hitachi Maxell Ltd | 半導体装置、半導体モジュールおよび半導体モジュールの製造方法 |
| US8791645B2 (en) | 2006-02-10 | 2014-07-29 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for controlling light sources |
| US8937443B2 (en) | 2006-02-10 | 2015-01-20 | Honeywell International Inc. | Systems and methods for controlling light sources |
| JP2010533975A (ja) * | 2007-07-17 | 2010-10-28 | クリー インコーポレイテッド | 一体型定電流駆動回路を有するｌｅｄ |
| US8569970B2 (en) | 2007-07-17 | 2013-10-29 | Cree, Inc. | LED with integrated constant current driver |
| US8810151B2 (en) | 2007-07-17 | 2014-08-19 | Cree, Inc. | LED with integrated constant current driver |
| JP2012060133A (ja) * | 2010-09-10 | 2012-03-22 | Samsung Led Co Ltd | 発光デバイス、照明装置およびバックライト |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0459791B2 (ja) | 1992-09-24 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |