JPS63111994A - 純水製造装置 - Google Patents
純水製造装置Info
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- JPS63111994A JPS63111994A JP25752886A JP25752886A JPS63111994A JP S63111994 A JPS63111994 A JP S63111994A JP 25752886 A JP25752886 A JP 25752886A JP 25752886 A JP25752886 A JP 25752886A JP S63111994 A JPS63111994 A JP S63111994A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明はカチオン交換樹脂およびアニオン交換樹脂を
用いる純水製造装置に関するものである。
用いる純水製造装置に関するものである。
［従来の技術〕
第５図は特開昭５５−３４１１７号に記載された従来の
純水製造装置の系統図である。
純水製造装置の系統図である。
図において１は第１カチオン塔、２は脱ガス塔。
３は第１アニオン塔、４は第２カチオン塔、５は第２ア
ニオン塔であり、シリーズに連絡されている。第１カチ
オン塔１および第２カチオン塔４にはそれぞれ強酸性カ
チオン交換樹脂床が形成されており、第１アニオン塔３
、第２アニオン塔５にはそれぞれ強塩基性アニオン交換
樹脂床が形成されている。
ニオン塔であり、シリーズに連絡されている。第１カチ
オン塔１および第２カチオン塔４にはそれぞれ強酸性カ
チオン交換樹脂床が形成されており、第１アニオン塔３
、第２アニオン塔５にはそれぞれ強塩基性アニオン交換
樹脂床が形成されている。
原水は管６から第１カチオン塔１に入り、ここで脱カチ
オンされ、管７から脱ガス塔２に入り、ここで炭酸ガス
などのガスが除かれる。脱ガス水は管８から第１アニオ
ン塔３に入って脱アニオンされ、管９から第２カチオン
塔４、さらに管１０から第２アニオン塔５に入りそれぞ
れ脱カチオンおよび脱アニオンされ、管１１から純水と
なって流出する。第２アニオン塔５から１価カチオンが
漏出しはじめる時点で電導度肝１２の信号により採水工
程を終る。
オンされ、管７から脱ガス塔２に入り、ここで炭酸ガス
などのガスが除かれる。脱ガス水は管８から第１アニオ
ン塔３に入って脱アニオンされ、管９から第２カチオン
塔４、さらに管１０から第２アニオン塔５に入りそれぞ
れ脱カチオンおよび脱アニオンされ、管１１から純水と
なって流出する。第２アニオン塔５から１価カチオンが
漏出しはじめる時点で電導度肝１２の信号により採水工
程を終る。
再生工程では管１３から第２カチオン塔４に再生剤（塩
酸、硫酸等）を下向流で流した後、管１４から第１カチ
オン塔１に下向流で流して管１５から排出し、また管１
６から第２アニオン塔５に再生剤（水酸化ナトリウム等
）を下向流で流した後、管１７から第１アニオン塔３に
下向流で流し、管１８から排出して再生を行う。
酸、硫酸等）を下向流で流した後、管１４から第１カチ
オン塔１に下向流で流して管１５から排出し、また管１
６から第２アニオン塔５に再生剤（水酸化ナトリウム等
）を下向流で流した後、管１７から第１アニオン塔３に
下向流で流し、管１８から排出して再生を行う。
上記の装置では、原水の電導度を検出する電導度肝１９
．第１アニオン塔３出口の電導度を検出する電導度肝２
０、第１アニオン塔３出口のｐ）ｌを検出するｐＨＨｇ
Ｉ２通水流量を検出する流量計２２が設けられており、
これらの信号を解析して次回の再生剤量を演算するよう
になっている。
．第１アニオン塔３出口の電導度を検出する電導度肝２
０、第１アニオン塔３出口のｐ）ｌを検出するｐＨＨｇ
Ｉ２通水流量を検出する流量計２２が設けられており、
これらの信号を解析して次回の再生剤量を演算するよう
になっている。
しかしながら、このような従来の純水製造装置において
は、第１アニオン塔３からイオンが漏出した後も第２カ
チオン塔４の交換容量いっばい採水を続け、第２アニオ
ン塔５の出口に設けられた電導度肝１２により最終処理
水の電導度を検出して採水を停止するようになっている
ため、最終処理水にシリカが漏出するという問題点があ
った。
は、第１アニオン塔３からイオンが漏出した後も第２カ
チオン塔４の交換容量いっばい採水を続け、第２アニオ
ン塔５の出口に設けられた電導度肝１２により最終処理
水の電導度を検出して採水を停止するようになっている
ため、最終処理水にシリカが漏出するという問題点があ
った。
上記の装置ではこのようなことを防止するために、カチ
オンブレーク（処理水中にアニオンより先にカチオンが
漏出すること）になるように設計されているが、それで
も水質変動、樹脂の劣化、再生不完全などの理由により
、アニオンブレークになることがあった。アニオンブレ
ークの場合にはシリカが最初に漏出するが、シリカが漏
出しても電導度肝ではこれをチェックすることはできず
、採水工程終了の判断を誤るとともに、シリカは高圧ボ
イラの硬質スケールの原因や半導体製造における不良品
の原因となるため絶対に漏出を阻止する必要がある。
オンブレーク（処理水中にアニオンより先にカチオンが
漏出すること）になるように設計されているが、それで
も水質変動、樹脂の劣化、再生不完全などの理由により
、アニオンブレークになることがあった。アニオンブレ
ークの場合にはシリカが最初に漏出するが、シリカが漏
出しても電導度肝ではこれをチェックすることはできず
、採水工程終了の判断を誤るとともに、シリカは高圧ボ
イラの硬質スケールの原因や半導体製造における不良品
の原因となるため絶対に漏出を阻止する必要がある。
この発明は上記問題点を解決するためのもので、シリカ
の漏出を防止することができる純水製造装置を提供する
ことを目的としている。
の漏出を防止することができる純水製造装置を提供する
ことを目的としている。
この発明は、原水の脱塩を行う第１のカチオン塔および
第１のアニオン塩と、その処理水に漏出する不純物を除
去するボリッシャとしての第２のカチオン塔および第２
のアニオン塩と、第１のアニオン塔出口の電導度および
ｐＨを検出する検出手段と、これらの検出結果からイオ
ンブレークがカチオンブレーク領域にあるかまたはアニ
オンブレーク領域にあるかを判定し、カチオンブレーク
領域の場合は所定の電導度で採水を停止し、アニオンブ
レーク領域の場合は第１のアニオン塩から許容濃度を越
えるシリカが漏出する前に採水を停止するように演算制
御する演算制御装置とを含む純水製造装置である。
第１のアニオン塩と、その処理水に漏出する不純物を除
去するボリッシャとしての第２のカチオン塔および第２
のアニオン塩と、第１のアニオン塔出口の電導度および
ｐＨを検出する検出手段と、これらの検出結果からイオ
ンブレークがカチオンブレーク領域にあるかまたはアニ
オンブレーク領域にあるかを判定し、カチオンブレーク
領域の場合は所定の電導度で採水を停止し、アニオンブ
レーク領域の場合は第１のアニオン塩から許容濃度を越
えるシリカが漏出する前に採水を停止するように演算制
御する演算制御装置とを含む純水製造装置である。
この発明の純水製造装置においては、第１のカチオン塔
および第１のアニオン塩に通水して脱塩を行う。そして
その処理水を第２のカチオン塔および第２のアニオン塩
に通水して、処理水に含まれる微量の不純物を除去する
。そして検出手段により第１のアニオン塔出口の電導度
およびｐＨを測定し、演算制御装置においてイオンブレ
ークがカチオンブレーク領域にあるかアニオンブレーク
領域にあるかを判断する。その結果カチオンブレーク領
域のときは所定の電導度で採水を停止し、アニオンブレ
ーク領域のときは処理水の電導度およびｐｎからシリカ
の漏出量を演算し、その許容範囲を越える前に採水を停
止するように演算制御を行う。再生は第２のカチオン塔
から第１のカチオン塔へ再生剤を流し、また第２のアニ
オン塩から第１のアニオン塩へ別の再生剤を流して再生
する。
および第１のアニオン塩に通水して脱塩を行う。そして
その処理水を第２のカチオン塔および第２のアニオン塩
に通水して、処理水に含まれる微量の不純物を除去する
。そして検出手段により第１のアニオン塔出口の電導度
およびｐＨを測定し、演算制御装置においてイオンブレ
ークがカチオンブレーク領域にあるかアニオンブレーク
領域にあるかを判断する。その結果カチオンブレーク領
域のときは所定の電導度で採水を停止し、アニオンブレ
ーク領域のときは処理水の電導度およびｐｎからシリカ
の漏出量を演算し、その許容範囲を越える前に採水を停
止するように演算制御を行う。再生は第２のカチオン塔
から第１のカチオン塔へ再生剤を流し、また第２のアニ
オン塩から第１のアニオン塩へ別の再生剤を流して再生
する。
以下、この発明を図面の実施例により説明する。
第１図は実施例の系統図であり、第５図と同一符号は同
一または相当部分を示す。第１カチオン塔１、脱ガス塔
２．第１アニオン塔３．第２カチオン塔４および第２ア
ニオン塔５はシリーズに接続されている。第１カチオン
塔１には強酸性カチオン交換樹脂床、または強酸性カチ
オン樹脂層と弱酸性カチオン樹脂層とからなる複層床が
形成されている。第２カチオン塔４には強酸性カチオン
交換樹脂床が形成されている。第１アニオン塔３には強
塩基性アニオン交換樹脂床、または強塩基性アニオン交
換樹脂床層と弱塩基性アニオン交換樹脂床層とからなる
複層床が形成されている。第２アニオン塔５には強塩基
性アニオン交換樹脂床が形成されている。第１カチオン
塔１および第１アニオン塔３は主たるイオン交換により
脱塩を行うもので、それぞれ上向流で通水するようにな
っている。第２カチオン塔４および第２アニオン塔５は
不純物を除去するポリッシャとして用いられるもので、
それぞれＳｖ（空間速度） １００ｈｒ−１程度の通常
の温床型ポリッシャ−に充填されるカチオン交換樹脂お
よびアニオン交換樹脂と同容量の樹脂が充填され、下向
流で通水を行うようになっている。各基の再生はそれぞ
れ下向流でシリーズに行うようになっている・ 上記の純水製造装置においては、原水は管６から第１カ
チオン塔１に入り、ここで上向流通水により脱カチオン
され、管７から脱ガス塔２に入り。
一または相当部分を示す。第１カチオン塔１、脱ガス塔
２．第１アニオン塔３．第２カチオン塔４および第２ア
ニオン塔５はシリーズに接続されている。第１カチオン
塔１には強酸性カチオン交換樹脂床、または強酸性カチ
オン樹脂層と弱酸性カチオン樹脂層とからなる複層床が
形成されている。第２カチオン塔４には強酸性カチオン
交換樹脂床が形成されている。第１アニオン塔３には強
塩基性アニオン交換樹脂床、または強塩基性アニオン交
換樹脂床層と弱塩基性アニオン交換樹脂床層とからなる
複層床が形成されている。第２アニオン塔５には強塩基
性アニオン交換樹脂床が形成されている。第１カチオン
塔１および第１アニオン塔３は主たるイオン交換により
脱塩を行うもので、それぞれ上向流で通水するようにな
っている。第２カチオン塔４および第２アニオン塔５は
不純物を除去するポリッシャとして用いられるもので、
それぞれＳｖ（空間速度） １００ｈｒ−１程度の通常
の温床型ポリッシャ−に充填されるカチオン交換樹脂お
よびアニオン交換樹脂と同容量の樹脂が充填され、下向
流で通水を行うようになっている。各基の再生はそれぞ
れ下向流でシリーズに行うようになっている・ 上記の純水製造装置においては、原水は管６から第１カ
チオン塔１に入り、ここで上向流通水により脱カチオン
され、管７から脱ガス塔２に入り。
ここで炭酸ガスなどのガスが除かれる。脱ガス水は管８
から第１アニオン塔３に入って、下向流通水により脱ア
ニオンされ脱塩される。処理水は管９から第２カチオン
塔４、さらに管１ｏから第２アニオン塔５に入り、それ
ぞれ残留する不純物としてのカチオンおよびアニオンが
ポリッシングにより除去され、管１１から純水となって
流出する。
から第１アニオン塔３に入って、下向流通水により脱ア
ニオンされ脱塩される。処理水は管９から第２カチオン
塔４、さらに管１ｏから第２アニオン塔５に入り、それ
ぞれ残留する不純物としてのカチオンおよびアニオンが
ポリッシングにより除去され、管１１から純水となって
流出する。
再生工程では管１３から第２カチオン塔４に再生剤（塩
酸、硫酸等）を下向流で流した後、管１４から第１カチ
オン塔１に下向流で流して管１５から排出し、また管１
６から第２アニオン塔５に再生剤（水酸化ナトリウム等
）を下向流で流した後、管１７から第１アニオン塔３に
下向流で流し、管１８から排出して再生を行う。
酸、硫酸等）を下向流で流した後、管１４から第１カチ
オン塔１に下向流で流して管１５から排出し、また管１
６から第２アニオン塔５に再生剤（水酸化ナトリウム等
）を下向流で流した後、管１７から第１アニオン塔３に
下向流で流し、管１８から排出して再生を行う。
制御部の詳細は第２図に示されている。電導度肝１９の
電導原信号Ｃ１、電導度肝２０の電導原信号Ｃ２、ｐＨ
計２１のｐＨ信号Ｐ、電導度肝１２の電導原信号Ｃ１お
よび流量計２２の流量信号Ｆはそれぞれ演算制御装置２
３の入力部２４に送られる。入力部２４では各信号がＡ
−Ｄ変換されるとともに、必要な入力信号が選択されて
演算部２５に入力される。同様にメモリ２６に記憶され
た信号および設定部２７の設定信号が演算部２５に入力
されて演算が行われ、結果は出力装置２８に出力され、
制御および表示が行われる。
電導原信号Ｃ１、電導度肝２０の電導原信号Ｃ２、ｐＨ
計２１のｐＨ信号Ｐ、電導度肝１２の電導原信号Ｃ１お
よび流量計２２の流量信号Ｆはそれぞれ演算制御装置２
３の入力部２４に送られる。入力部２４では各信号がＡ
−Ｄ変換されるとともに、必要な入力信号が選択されて
演算部２５に入力される。同様にメモリ２６に記憶され
た信号および設定部２７の設定信号が演算部２５に入力
されて演算が行われ、結果は出力装置２８に出力され、
制御および表示が行われる。
、 次に処理順序に従って制御機構を説明する。まず演
算制御装置２３において、電導度肝１９の電導原信号Ｃ
１および流量計２２の流量信号Ｆにより予測採水量が演
算される。また電導度肝２０の電導原信号Ｃ２およびｐ
Ｈ計２１のｐＨ信号Ｐにより第１アニオン塔３のカチオ
ンブレークまたはアニオンブレークが検出され、これに
より演算制御装置２３において第１アニオン塔３を出る
処理水への許容濃度を越えるシリカの漏出の時点が演算
され、結果が出力装置２８に出力される。
算制御装置２３において、電導度肝１９の電導原信号Ｃ
１および流量計２２の流量信号Ｆにより予測採水量が演
算される。また電導度肝２０の電導原信号Ｃ２およびｐ
Ｈ計２１のｐＨ信号Ｐにより第１アニオン塔３のカチオ
ンブレークまたはアニオンブレークが検出され、これに
より演算制御装置２３において第１アニオン塔３を出る
処理水への許容濃度を越えるシリカの漏出の時点が演算
され、結果が出力装置２８に出力される。
この場合、第１アニオン塔３から漏出するイオン量と電
導度の関係は第３図に示され、ｐＨと電導度の関係は第
４図に示される。第４図において、ＮａＯＨ，Ｎａ、Ｓ
ｉｎ、、ＮａＣＱおよびＨＣｆｌのグラフは、それぞれ
純粋試薬を純水に添加した場合、添加量に応じたＰＨお
よび電導度の変化を示すものである０本発明においてカ
チオンブレーク領域とは、第４図においてＮａＯＨのグ
ラフおよび聞ａ２Ｓｉ０３のグラフによってはさまれた
領域（ＨＣＱの線上を含む）である。
導度の関係は第３図に示され、ｐＨと電導度の関係は第
４図に示される。第４図において、ＮａＯＨ，Ｎａ、Ｓ
ｉｎ、、ＮａＣＱおよびＨＣｆｌのグラフは、それぞれ
純粋試薬を純水に添加した場合、添加量に応じたＰＨお
よび電導度の変化を示すものである０本発明においてカ
チオンブレーク領域とは、第４図においてＮａＯＨのグ
ラフおよび聞ａ２Ｓｉ０３のグラフによってはさまれた
領域（ＨＣＱの線上を含む）である。
カチオンブレーク領域でカチオンだけが漏出するときは
ＮａＯＨのグラフに沿って変化し、アニオンブレーク領
域でアニオンだけが漏出するときはＨＣ，Ｑのグラフに
沿って変化する。カチオンとアニオンが漏出するときは
、Ｎａ、５ｉ０３、ＮａＣＱなどが混在するため、 Ｎ
ａＯＨのグラフとＨＣｆｆのグラフではさまれた領域の
中で変化する。またアニオンブレーク領域の場合はＣＱ
イオンに先立ってシリカが漏出するが、シリカだけが漏
出している間は電導度およびｐＨの変化はない。
ＮａＯＨのグラフに沿って変化し、アニオンブレーク領
域でアニオンだけが漏出するときはＨＣ，Ｑのグラフに
沿って変化する。カチオンとアニオンが漏出するときは
、Ｎａ、５ｉ０３、ＮａＣＱなどが混在するため、 Ｎ
ａＯＨのグラフとＨＣｆｆのグラフではさまれた領域の
中で変化する。またアニオンブレーク領域の場合はＣＱ
イオンに先立ってシリカが漏出するが、シリカだけが漏
出している間は電導度およびｐＨの変化はない。
そこで電導度肝２０の電導塵信号Ｃ２およびｐＨ計２１
のＰＨ信号Ｐの変化を計測することにより。
のＰＨ信号Ｐの変化を計測することにより。
イオンブレークがカチオンブレーク領域であるかアニオ
ンブレーク領域であるかが検出される。ここでカチオン
ブレーク領域の場合、すなわち第４図のＮａＯＨとＮａ
２５ｉｎ、のグラフで挟まれた領域では所定の電導塵Ａ
例えば２０μＳ／ｃ１１となったときに採水を停止する
。このときの採水の停止は電導度肝２０によって行って
もよいが、流量計２２の流量信号Ｆ等により第１アニオ
ン塔３の処理水が電導塵Ａになる時点を演算制御装置２
３で演算し、その時点で採水の停止を行ってもよい。
ンブレーク領域であるかが検出される。ここでカチオン
ブレーク領域の場合、すなわち第４図のＮａＯＨとＮａ
２５ｉｎ、のグラフで挟まれた領域では所定の電導塵Ａ
例えば２０μＳ／ｃ１１となったときに採水を停止する
。このときの採水の停止は電導度肝２０によって行って
もよいが、流量計２２の流量信号Ｆ等により第１アニオ
ン塔３の処理水が電導塵Ａになる時点を演算制御装置２
３で演算し、その時点で採水の停止を行ってもよい。
次にアニオンブレーク領域の場合、すなわち第４図のＨ
ＣＱとＮａ、 ５ｉｎ３のグラフで挟まれる領域では、
Ｓｉｎ、が先に漏出し、その後にＣＱイオンまたはＮａ
イオンが漏出する。このうちＳｕｎ、のみの漏出では電
導塵およびｐＨに変化は現われず、ＣＱイオンまたはＮ
ａイオンが漏出して初めて変化が現われる。従って電導
塵およびｐＨが変化した時点では、すでにシリカが第１
アニオン塔３から漏出している。
ＣＱとＮａ、 ５ｉｎ３のグラフで挟まれる領域では、
Ｓｉｎ、が先に漏出し、その後にＣＱイオンまたはＮａ
イオンが漏出する。このうちＳｕｎ、のみの漏出では電
導塵およびｐＨに変化は現われず、ＣＱイオンまたはＮ
ａイオンが漏出して初めて変化が現われる。従って電導
塵およびｐＨが変化した時点では、すでにシリカが第１
アニオン塔３から漏出している。
第１アニオン塔３から許容濃度を越えるシリカが漏出す
る時点の演算は電導度肝２０の電導塵信号Ｃ２およびＰ
ＨＨｇＩ２ｐＨ信号Ｐにより第１アニオン塔３出口のＣ
Ｑイオン等を演算し、その量に所定の係数ｆを乗じ、そ
の値が所定の値となる時点を漏出の時点とする。ＣＱイ
オンより先に漏出するシリカの量は原水水質、樹脂量１
通水条件、再生条件により異なるが、特定の処理系では
ほぼ一定であり、ＣＱイオン量に一定の係数ｆ（例えば
１０）を乗じることにより、シリカの量が算出できる。
る時点の演算は電導度肝２０の電導塵信号Ｃ２およびＰ
ＨＨｇＩ２ｐＨ信号Ｐにより第１アニオン塔３出口のＣ
Ｑイオン等を演算し、その量に所定の係数ｆを乗じ、そ
の値が所定の値となる時点を漏出の時点とする。ＣＱイ
オンより先に漏出するシリカの量は原水水質、樹脂量１
通水条件、再生条件により異なるが、特定の処理系では
ほぼ一定であり、ＣＱイオン量に一定の係数ｆ（例えば
１０）を乗じることにより、シリカの量が算出できる。
この値は近似値であるが、第２アニオン塔５に若干の余
裕を持たせることにより、最終処理水へのシリカの漏出
は防止される。こうして算出される第１アニオン塔出口
のシリカの許容量はＣＱイオン量と一定関係にあるため
電導塵、 ＰＨとも一定の関係を有し、その関係は第４
図の曲線Ｂで表わされる。従ってイオンブレークがアニ
オンブレ曳−り領域の場合は、電導塵、 ｐＨが曲線Ｂ
に一致した時点で採水を停止することになる。こうして
第４図において斜線部分は採水領域であり、これを外れ
た部分は採水停止領域となる。
裕を持たせることにより、最終処理水へのシリカの漏出
は防止される。こうして算出される第１アニオン塔出口
のシリカの許容量はＣＱイオン量と一定関係にあるため
電導塵、 ＰＨとも一定の関係を有し、その関係は第４
図の曲線Ｂで表わされる。従ってイオンブレークがアニ
オンブレ曳−り領域の場合は、電導塵、 ｐＨが曲線Ｂ
に一致した時点で採水を停止することになる。こうして
第４図において斜線部分は採水領域であり、これを外れ
た部分は採水停止領域となる。
ｍｌお上記の説明では主たる純水製造装置として２床３
塔式のものを例示したが、脱ガス塔２を省略し、あるい
は弱カチオン塔を加えて２床式、３床式、３床４塔式な
ど、任意の構成のものとしてもよい、またポリッシャと
しては２床式のものでもよく、さらにカチオン塔を加え
て３床式としてもよい。
塔式のものを例示したが、脱ガス塔２を省略し、あるい
は弱カチオン塔を加えて２床式、３床式、３床４塔式な
ど、任意の構成のものとしてもよい、またポリッシャと
しては２床式のものでもよく、さらにカチオン塔を加え
て３床式としてもよい。
〔発明の効果〕 ・
以上の通り、本発明によれば、第１のアニオン塔出口の
電導塵およびＰＨからイオンブレークがカチオンブレー
ク領域にあるかアニオンブレーク領域にあるかを判定し
、アニオンブレーク領域の場合は漏出したシリカの景を
演算して採水を停止するようにしたので、シリカの漏出
を完全に防止できる効果がある。
電導塵およびＰＨからイオンブレークがカチオンブレー
ク領域にあるかアニオンブレーク領域にあるかを判定し
、アニオンブレーク領域の場合は漏出したシリカの景を
演算して採水を停止するようにしたので、シリカの漏出
を完全に防止できる効果がある。
第１図は実施例の系統図、第２図はその制御装置のブロ
ック図、第３図はイオレ量と電導塵の関係を示すグラフ
、第４図はｐＨと電導塵の関係を示すグラフ、第５図は
従来装置の系統図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は第
１カチオン塔、２は脱ガス塔、３は第１アニオン塔、４
は第２カチオン塔、５は第２アニオン塔、１２，１９，
２０は電導度肝、２１はＰＨ計、２２は流量計、２３は
演算制御装置である。
ック図、第３図はイオレ量と電導塵の関係を示すグラフ
、第４図はｐＨと電導塵の関係を示すグラフ、第５図は
従来装置の系統図である。 各図中、同一符号は同一または相当部分を示し、１は第
１カチオン塔、２は脱ガス塔、３は第１アニオン塔、４
は第２カチオン塔、５は第２アニオン塔、１２，１９，
２０は電導度肝、２１はＰＨ計、２２は流量計、２３は
演算制御装置である。
Claims (3)
- （１）原水の脱塩を行う第１のカチオン塔および第１の
アニオン塔と、その処理水に漏出する不純物を除去する
ポリッシャとしての第２のカチオン塔および第２のアニ
オン塔と、第１のアニオン塔出口の電導度およびｐＨを
検出する検出手段と、これらの検出結果からイオンブレ
ークがカチオンブレーク領域にあるかまたはアニオンブ
レーク領域にあるかを判定し、カチオンブレーク領域の
場合は所定の電導度で採水を停止し、アニオンブレーク
領域の場合は第１のアニオン塔から許容濃度を越えるシ
リカが漏出する前に採水を停止するように演算制御する
演算制御装置とを含む純水製造装置。 - （２）演算制御装置はイオンブレークがカチオンブレー
ク領域の場合において、許容電導度を演算し、採水を停
止するものである特許請求の範囲第１項記載の純水製造
装置。 - （３）演算制御装置はイオンブレークがアニオンブレー
ク領域の場合において、許容シリカの漏出量に対応する
Ｃｌイオン量を演算し、採水を停止するものである特許
請求の範囲第１項または第２項記載の純水製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257528A JPH0790218B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 純水製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61257528A JPH0790218B2 (ja) | 1986-10-29 | 1986-10-29 | 純水製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63111994A true JPS63111994A (ja) | 1988-05-17 |
| JPH0790218B2 JPH0790218B2 (ja) | 1995-10-04 |
Family
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|---|---|---|---|---|
| JP2011098267A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Japan Organo Co Ltd | 純水製造システムおよび純水製造方法 |
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