JPS6311663A - ＳｉＣ薄膜 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、熱伝導性、および電気絶縁性に優れた薄膜で
、特に、主成分がＳｉＣから成る高熱伝導・電気絶縁性
薄膜に関する。

〔従来の技術〕

エレクトロニクスの発達に伴い、各種電子デバイス材料
は、年々、機能性の高い新素材が見い出されている。そ
の作製には、蒸着法、化学気相めっき法、スパッタリン
グ法等の薄膜化技術が広く応用されており、これらは製
造プロセスの主流となっている。

一方、数年前から新素材として注目を集めているニュー
セラミックスは１強度、熱伝導性、電気絶縁性、耐摩耗
性等の性質が他の材料には見られない優れた特性を示す
。特に、ＳｉＣは高温領域での強度、耐熱性、耐食性、
耐摩耗性が他のセラミックス材より優れているばかりで
はなく、半導体としての性質ももつため広い分野で実用
化されている。なかでも、ＳｉＣにＢｅＯを焼結助剤と
してホットプレス法で作製した焼結材は金属アルミニウ
ム並みの熱伝導性、及び、高い電気抵抗を示し、°高熱
伝導・電気絶縁材料として使用されている。（特開昭５
７−１６６３６６号公報参照。）〔発明が解決しようと
する問題点〕 上記、従来の高熱伝導・電気絶縁性のＳｉＣは焼結体で
あり、半導体用基板や機械部品への応用がなされている
。一方、各種電子デバイスは、年年、高密度、高速化の
傾向にあり、素子の発熱がデバイスの寿命を短かくする
と同時に、使用条件面で限界がある。このため、新機能
性をもつ薄膜の要求が強い。

本発明の目的は、焼結材で高熱伝導・電気絶縁性を示す
ＳｉＣ薄膜を提供することにある。

（問題点を解決するための手段〕 上記目的は、ＳｉＣにＢｅＯが含有した焼結材を、スパ
ッタリング法を用いて薄膜化することにより達成される
。

〔作用〕

ＳｉＣは高融点であり、また、焼結助剤との蒸気圧が大
きく異なるため、溶融を原理的に用いる蒸着法ではＳｉ
Ｃを薄膜にすることは困難である。

そこで、物体にイオンをあてて、物体を形成する粒子を
たたきだすことを原理するスパッタリング法を用いて高
熱伝導・電気絶縁性ＳｉＣの薄膜を作製する。

〔実施例〕

以下、本発明の実施例を示す。

ＳｉＣにＢｅＯを含有して成る焼結材の作製は。

ＳｉＣ粉末にＢｅ○粉末を焼結助剤として混合しホット
プレスする。ホットプレス条件は、圧力３００ｋｇ−ｆ
／ａｄ　、温度２１００”Ｃ、時間１ｈｒである。

次に、ホットプレスしｔ＝　Ｓ　ｉ　Ｃをスパッタリン
グ・ターゲットとするため１００φＸＳｔに成形後。

１２０φＸ４ｔの銅製のプレート上に銀ろう付げにより
接着する。この形状のスパッタリング・ターゲットは、
高周波マグネトロンスパッタ装置で薄膜化する。スパッ
タリング条件は、パワー２００Ｗ、ガス圧Ｉ　Ｘ　１０
−”Ｔｏｒｒ　（Ａ　ｒガス）。

基板温度５００℃以上２時間１５〜６０ｍ１ｎである。

このとき、基板温度を５００℃以下でスパッタリングす
ると、形成された膜は非晶質となり、電気抵抗が低くな
る。基板温度５００℃以上になると、結晶化したＳｉＣ
にＢｅＯが混入された膜となり、電気抵抗が高くなる。

本実施例によれば、ＳｉＯにＢｅＯを焼結助剤としてホ
ットプレス法により作製した基材をスパッタリング・タ
ーゲットとし、基板温度５００℃以上でスパッタリング
することにより高熱伝導・電気絶縁性薄膜が作製できる
。

〔発明の効果〕

本発明によれば、高熱伝導・電気絶縁性ＳｉＣ薄膜が得
られ、また、強度、耐食性、耐摩耗性。

耐放射線性にも優れた薄膜として広い分野へ用いられる
。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、ＳｉＣにＢｅＯを含有した材料を薄膜にしたことを
   特徴とするＳｉＣ薄膜。