JPS6311761Y2 - - Google Patents
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- JPS6311761Y2 JPS6311761Y2 JP8695680U JP8695680U JPS6311761Y2 JP S6311761 Y2 JPS6311761 Y2 JP S6311761Y2 JP 8695680 U JP8695680 U JP 8695680U JP 8695680 U JP8695680 U JP 8695680U JP S6311761 Y2 JPS6311761 Y2 JP S6311761Y2
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- dielectric
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
この考案はフイルタに関し、例えば誘電体共振
素子を用いたストリツプ線路フイルタに関する。
素子を用いたストリツプ線路フイルタに関する。
従来より、VHF帯で使用するフイルタとして、
LC共振を利用したものやヘリカル共振を利用し
たものがある。LC共振を利用したフイルタはQ
の向上が期待できず、ヘリカル共振を利用したフ
イルタは形状が大きいという欠点を有する。そこ
で、最近では誘電体基板表面に複数の共振電極を
形成したストリツプ線路フイルタが多く用いられ
ている。このストリツプ線路フイルタは、例えば
銀などを誘電体基板の表面に印刷したのち焼付け
して形成されるものである。ところが、このよう
なストリツプ線路フイルタは、製造後に共振電極
の数を任意に増減したり結合度を変えることがで
きない。さらに、筒状セラミツク誘電体の内周
面、外周面に内導軸、外導体となる電極膜を形成
した同軸TEM共振器も開発されたが、周波数が
低くなると筒状誘電体の軸長も長くしなければな
らず、製造技術上、長く均一な筒状セラミツク誘
電体の形成が困難であつた。
LC共振を利用したものやヘリカル共振を利用し
たものがある。LC共振を利用したフイルタはQ
の向上が期待できず、ヘリカル共振を利用したフ
イルタは形状が大きいという欠点を有する。そこ
で、最近では誘電体基板表面に複数の共振電極を
形成したストリツプ線路フイルタが多く用いられ
ている。このストリツプ線路フイルタは、例えば
銀などを誘電体基板の表面に印刷したのち焼付け
して形成されるものである。ところが、このよう
なストリツプ線路フイルタは、製造後に共振電極
の数を任意に増減したり結合度を変えることがで
きない。さらに、筒状セラミツク誘電体の内周
面、外周面に内導軸、外導体となる電極膜を形成
した同軸TEM共振器も開発されたが、周波数が
低くなると筒状誘電体の軸長も長くしなければな
らず、製造技術上、長く均一な筒状セラミツク誘
電体の形成が困難であつた。
それゆえに、この考案の主たる目的は、共振電
極の数を任意に増減できしかも結合度を自由に調
整しうる比較的簡単な構造のフイルタを提供する
ことである。
極の数を任意に増減できしかも結合度を自由に調
整しうる比較的簡単な構造のフイルタを提供する
ことである。
この考案を要約すれば、誘電体エレメントの少
なくとも対向する側表面を除きかつ少なくとも対
向する主表面に形成された電極膜を含む少なくと
も1つの誘電体共振子を用意し、絶縁スペーサを
介して誘電体共振子をケースの取付面に機械的に
固定し、誘電体共振子に入力信号を与えるための
入力側結合器と誘電体共振子から出力信号を取出
すための出力側結合器をケースに設けたものであ
る。
なくとも対向する側表面を除きかつ少なくとも対
向する主表面に形成された電極膜を含む少なくと
も1つの誘電体共振子を用意し、絶縁スペーサを
介して誘電体共振子をケースの取付面に機械的に
固定し、誘電体共振子に入力信号を与えるための
入力側結合器と誘電体共振子から出力信号を取出
すための出力側結合器をケースに設けたものであ
る。
この考案の上述の目的およびその他の目的と特
徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説明から
一層明らかとなろう。
徴は以下に図面を参照して行なう詳細な説明から
一層明らかとなろう。
第1図はこの考案の一実施例に含まれる誘電体
共振素子の一例を示す外観斜視図である。図にお
いて、まず断面形状が矩形でありしかも棒状の誘
電体11が用意される。この誘電体11は誘電率
εが約90のセラミツクなどから構成される。そし
て、この誘電体11の長手方向に対向する側表面
と一方側端面とを除いた主表面に電極膜12,1
3,14が形成される。すなわち、第1図におい
て上側主表面にたとえば銀や銅などからなる電極
膜12が形成され、下側主表面にも同様にして電
極膜13が形成される。そして、この誘電体共振
素子1を1/4波長の共振素子とするために、一方
側端面に、電極膜12と13とを短絡する短絡電
極膜14が形成される。なお、この誘電体共振素
子1を1/2波長の共振素子として用いる場合には
短絡電極膜14が形成されない。
共振素子の一例を示す外観斜視図である。図にお
いて、まず断面形状が矩形でありしかも棒状の誘
電体11が用意される。この誘電体11は誘電率
εが約90のセラミツクなどから構成される。そし
て、この誘電体11の長手方向に対向する側表面
と一方側端面とを除いた主表面に電極膜12,1
3,14が形成される。すなわち、第1図におい
て上側主表面にたとえば銀や銅などからなる電極
膜12が形成され、下側主表面にも同様にして電
極膜13が形成される。そして、この誘電体共振
素子1を1/4波長の共振素子とするために、一方
側端面に、電極膜12と13とを短絡する短絡電
極膜14が形成される。なお、この誘電体共振素
子1を1/2波長の共振素子として用いる場合には
短絡電極膜14が形成されない。
第2図は第1図に示す誘電体共振素子を用いた
ストリツプ線路フイルタの一例を示す平面図であ
り、第3図は第2図に示すストリツプ線路フイル
タを線−に沿つて切断して示す外観斜視図で
ある。
ストリツプ線路フイルタの一例を示す平面図であ
り、第3図は第2図に示すストリツプ線路フイル
タを線−に沿つて切断して示す外観斜視図で
ある。
図において、ケース2aは金属材料からなり上
面が開口された箱形形状に形成される。このケー
ス2a内には、その内部を長手方向に仕切る2つ
の仕切壁21,22が形成され、この仕切壁2
1,22によつて3つの共振素子1a〜1cを収
納するための収納部25ないし27が形成され
る。また、仕切壁21,22の一方側には、後述
のチツプコンデンサ42,43を収納するための
切欠23,24が形成される。そして、収納部2
5ないし27には、たとえばプラスチツクまたは
低誘電率のセラミツクなどの絶縁体からなり誘電
体共振素子1a〜1cとほぼ同一形状に形成され
たスペーサ3a〜3cがそれぞれ配置される。そ
して、このスペーサ3a〜3cの上に誘電体共振
素子1a〜1cがそれぞれ接着剤などによつて固
定される。
面が開口された箱形形状に形成される。このケー
ス2a内には、その内部を長手方向に仕切る2つ
の仕切壁21,22が形成され、この仕切壁2
1,22によつて3つの共振素子1a〜1cを収
納するための収納部25ないし27が形成され
る。また、仕切壁21,22の一方側には、後述
のチツプコンデンサ42,43を収納するための
切欠23,24が形成される。そして、収納部2
5ないし27には、たとえばプラスチツクまたは
低誘電率のセラミツクなどの絶縁体からなり誘電
体共振素子1a〜1cとほぼ同一形状に形成され
たスペーサ3a〜3cがそれぞれ配置される。そ
して、このスペーサ3a〜3cの上に誘電体共振
素子1a〜1cがそれぞれ接着剤などによつて固
定される。
また、ケース2aの両側面を貫通してたとえば
同軸コネクタで構成してなる外部接続端子61,
62が設けられる。そして、外部接続端子61の
中心導体と誘電体共振素子1aの電極膜12aと
の間には、入力側結合器としての結合用のチツプ
コンデンサ41が接続される。また、誘電体共振
素子1aの電極膜12aと誘電体共振素子1bの
電極膜12bとの間に段間結合器としてのチツプ
コンデンサ42が接続され、このチツプコンデン
サ42は仕切壁21に形成された切欠部分23に
収納される。同様にして、誘電体共振素子1bの
電極膜12bと誘電体共振素子1cの電極膜12
cとの間にはチツプコンデンサ43が接続され、
このチツプコンデンサ43は仕切壁22の切欠部
分24に収納される。さらに、誘電体共振素子1
cと外部接続端子62の中心導体との間には出力
側結合器としてのチツプコンデンサ44が接続さ
れる。
同軸コネクタで構成してなる外部接続端子61,
62が設けられる。そして、外部接続端子61の
中心導体と誘電体共振素子1aの電極膜12aと
の間には、入力側結合器としての結合用のチツプ
コンデンサ41が接続される。また、誘電体共振
素子1aの電極膜12aと誘電体共振素子1bの
電極膜12bとの間に段間結合器としてのチツプ
コンデンサ42が接続され、このチツプコンデン
サ42は仕切壁21に形成された切欠部分23に
収納される。同様にして、誘電体共振素子1bの
電極膜12bと誘電体共振素子1cの電極膜12
cとの間にはチツプコンデンサ43が接続され、
このチツプコンデンサ43は仕切壁22の切欠部
分24に収納される。さらに、誘電体共振素子1
cと外部接続端子62の中心導体との間には出力
側結合器としてのチツプコンデンサ44が接続さ
れる。
ケース2aの上面にはカバー2bが設けられ
る。カバー2bはケース2aと同じ金属材料から
なり、ケース2aを覆うようにその両側が折り曲
げられて形成される。そして、カバー2bの上面
に、ケース2aの仕切壁21,22の対応する部
分に複数の透孔28……が穿設される。この透孔
28……に半田が流し込まれ、カバー2bが仕切
壁21,22の上面に固定される。
る。カバー2bはケース2aと同じ金属材料から
なり、ケース2aを覆うようにその両側が折り曲
げられて形成される。そして、カバー2bの上面
に、ケース2aの仕切壁21,22の対応する部
分に複数の透孔28……が穿設される。この透孔
28……に半田が流し込まれ、カバー2bが仕切
壁21,22の上面に固定される。
このようにしてストリツプ線路フイルタを構成
し、外部接続端子61とケース2aとの間にたと
えばVHF信号を入力することによつて、外部接
続端子62とケース2aとの間に所定周波数範囲
内のVHF信号が得られる。
し、外部接続端子61とケース2aとの間にたと
えばVHF信号を入力することによつて、外部接
続端子62とケース2aとの間に所定周波数範囲
内のVHF信号が得られる。
このように、個別的に形成した誘電体共振素子
1a〜1cをケース2a内にそれぞれ配置するよ
うにしているため、誘電体共振素子1の数を任意
に増減することができる。また、周波数を変更す
る場合には、その周波数に対応した長さを有する
誘電体共振素子を用いればよく、また各誘電体共
振素子1a〜1c間の結合度を大きくしたい場合
には、静電容量を大きくしたりすればよく、スト
リツプ線路フイルタとしての自由度を大きくする
ことができる。また、各誘電体共振素子のQを高
くしたければ誘電体の断面積を大きくすればよ
い。
1a〜1cをケース2a内にそれぞれ配置するよ
うにしているため、誘電体共振素子1の数を任意
に増減することができる。また、周波数を変更す
る場合には、その周波数に対応した長さを有する
誘電体共振素子を用いればよく、また各誘電体共
振素子1a〜1c間の結合度を大きくしたい場合
には、静電容量を大きくしたりすればよく、スト
リツプ線路フイルタとしての自由度を大きくする
ことができる。また、各誘電体共振素子のQを高
くしたければ誘電体の断面積を大きくすればよ
い。
第4図はストリツプ線路フイルタの他の例を示
す平面図である。この第4図は、以下の点を除い
て第2図と同じである。すなわち、仕切壁21,
22の他方端、つまり誘電体共振素子1a〜1c
の短絡端寄りから所定の長さを有する部分31,
32を残すように切欠29,30を形成する。そ
して、仕切壁21,22の所定長さを有する部分
31,32を囲むようにしてU字形状の磁気結合
線71,72を設ける。各磁気結合線の先端は、
ケース2aに接続されている。また、磁気結合線
73によつて外部接続端子61と誘電体共振素子
1aとを電磁的に結合し、磁気結合線74によつ
て外部接続端子62と誘電体共振素子1cとを結
合する。すなわち、前述の第2図では各誘電体素
子1a〜1cと外部接続端子とを静電的に結合し
たが、この第4図では電磁結合するように構成し
たものである。
す平面図である。この第4図は、以下の点を除い
て第2図と同じである。すなわち、仕切壁21,
22の他方端、つまり誘電体共振素子1a〜1c
の短絡端寄りから所定の長さを有する部分31,
32を残すように切欠29,30を形成する。そ
して、仕切壁21,22の所定長さを有する部分
31,32を囲むようにしてU字形状の磁気結合
線71,72を設ける。各磁気結合線の先端は、
ケース2aに接続されている。また、磁気結合線
73によつて外部接続端子61と誘電体共振素子
1aとを電磁的に結合し、磁気結合線74によつ
て外部接続端子62と誘電体共振素子1cとを結
合する。すなわち、前述の第2図では各誘電体素
子1a〜1cと外部接続端子とを静電的に結合し
たが、この第4図では電磁結合するように構成し
たものである。
以上のように、この考案によれば、誘電体エレ
メントの少なくとも対向する側表面を除きかつ少
なくとも対向する主表面に形成された電極膜を含
む少なくとも1つの誘電体共振子を、絶縁スペー
サを介してケースの取付面に機械的に固定し、入
力側結合器と出力側結合器とをケースに設けてフ
イルタを構成するようにしたので、誘電体共振子
の数を任意に増減でき、しかも結合度を自由に調
整することができる。また、誘電体共振子の長さ
を変えることによつて周波数を簡単に変更するこ
とができるため、フイルタとしての自由度を大き
くすることができる。
メントの少なくとも対向する側表面を除きかつ少
なくとも対向する主表面に形成された電極膜を含
む少なくとも1つの誘電体共振子を、絶縁スペー
サを介してケースの取付面に機械的に固定し、入
力側結合器と出力側結合器とをケースに設けてフ
イルタを構成するようにしたので、誘電体共振子
の数を任意に増減でき、しかも結合度を自由に調
整することができる。また、誘電体共振子の長さ
を変えることによつて周波数を簡単に変更するこ
とができるため、フイルタとしての自由度を大き
くすることができる。
第1図はこの考案の一実施例に含まれる誘電体
共振子の一例を示す外観斜視図である。第2図は
第1図の共振素子を用いたストリツプ線路フイル
タの一例を示す平面図である。第3図は第2図に
示すストリツプ線路フイルタを線−に沿つて
切断して示す外観斜視図である。第4図はストリ
ツプ線路フイルタの他の例を示す平面図である。 図において、1は誘電体共振素子、11は誘電
体、12,13,14は電極膜、2aはケース、
2bはカバー、41〜44はチツプコンデンサ、
61,62は外部接続端子を示す。
共振子の一例を示す外観斜視図である。第2図は
第1図の共振素子を用いたストリツプ線路フイル
タの一例を示す平面図である。第3図は第2図に
示すストリツプ線路フイルタを線−に沿つて
切断して示す外観斜視図である。第4図はストリ
ツプ線路フイルタの他の例を示す平面図である。 図において、1は誘電体共振素子、11は誘電
体、12,13,14は電極膜、2aはケース、
2bはカバー、41〜44はチツプコンデンサ、
61,62は外部接続端子を示す。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 誘電体エレメントと、前記誘電体エレメント
の少なくとも対向する側表面を除きかつ少なく
とも対向する主表面に形成された電極膜とを含
む少なくとも1つの誘電体共振子、 前記誘電体共振子を収納するためのケース、 前記誘電体共振子と前記ケースの取付面との
間に設けられ、前記誘電体共振子を前記ケース
の取付面に機械的に固定するための絶縁スペー
サ、 前記ケースに設けられ、前記少なくとも1つ
の誘電体共振子に入力信号を与えるための入力
側結合器、および 前記ケースに設けられ、前記少なくとも1つ
の誘電体共振子から出力信号を取出すための出
力側結合器を備えた、フイルタ。 (2) 前記誘電体共振子は少なくとも2個以上設け
られて前記ケースの取付面に配列され、 前記入力側結合器は、前記少なくとも2個以
上設けられた誘電体共振子の一方端の誘電体共
振子に結合され、 前記出力側結合器は、前記少なくとも2個以
上設けられた誘電体共振子の他方端の誘電体共
振子に結合され、さらに 各誘電体共振子相互間を結合する段間結合器
を含む、実用新案登録請求の範囲第1項記載の
フイルタ。 (3) 前記ケースには、前記少なくとも2個以上設
けられた誘電体共振子のそれぞれを個別的に収
納する収納部が設けられかつそれぞれの収納部
は、隣接する誘電体共振子相互間を結合する部
分を除いて仕切壁によつて仕切られる、実用新
案登録請求の範囲第1項または第2項記載のフ
イルタ。 (4) 前記入力側結合器および前記出力側結合器
は、それぞれ静電容量結合器である、実用新案
登録請求の範囲第1項ないし第3項のいずれか
に記載のフイルタ。 (5) 前記静電容量結合器はチツプコンデンサであ
る、実用新案登録請求の範囲第4項記載のフイ
ルタ。 (6) 前記入力側結合器および前記出力側結合器は
電磁結合器である、実用新案登録請求の範囲第
1項ないし第5項のいずれかに記載のフイル
タ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8695680U JPS6311761Y2 (ja) | 1980-06-20 | 1980-06-20 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8695680U JPS6311761Y2 (ja) | 1980-06-20 | 1980-06-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56165401U JPS56165401U (ja) | 1981-12-08 |
| JPS6311761Y2 true JPS6311761Y2 (ja) | 1988-04-06 |
Family
ID=29666421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8695680U Expired JPS6311761Y2 (ja) | 1980-06-20 | 1980-06-20 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6311761Y2 (ja) |
-
1980
- 1980-06-20 JP JP8695680U patent/JPS6311761Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56165401U (ja) | 1981-12-08 |
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