JPS6312128A - バレル型気相成長装置 - Google Patents
バレル型気相成長装置Info
- Publication number
- JPS6312128A JPS6312128A JP62055829A JP5582987A JPS6312128A JP S6312128 A JPS6312128 A JP S6312128A JP 62055829 A JP62055829 A JP 62055829A JP 5582987 A JP5582987 A JP 5582987A JP S6312128 A JPS6312128 A JP S6312128A
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- JP
- Japan
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- susceptor
- growth apparatus
- type vapor
- coil
- barrel
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
- C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
- C23C16/4587—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically
- C23C16/4588—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially vertically the substrate being rotated
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B6/00—Heating by electric, magnetic or electromagnetic fields
- H05B6/64—Heating using microwaves
- H05B6/80—Apparatus for specific applications
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、バレル型気相成長装置に係り、特にサセプタ
の温度分布の改善に関するものである。
の温度分布の改善に関するものである。
バレル型気相成長装置として、第３図に示すように、外
周に複数の平面を有する裁頭角錐形のサセプタ１をトッ
ププレート２に吊下し、このトッププレート２をハンガ
ー３によって支持し、サセプタ１の内部にＲＦコイル４
全設けて、サセプタ１’を加熱する方式が提案されてい
る。
周に複数の平面を有する裁頭角錐形のサセプタ１をトッ
ププレート２に吊下し、このトッププレート２をハンガ
ー３によって支持し、サセプタ１の内部にＲＦコイル４
全設けて、サセプタ１’を加熱する方式が提案されてい
る。
ところで、前記のように、サセプタ１′（ｉｌ−その内
部に設けたＲＦコイル４で加熱する場合、トッププレー
ト２があるため、１１（、Ｆコイル４の上端はサセプタ
１の上端より下に位置することになる。
部に設けたＲＦコイル４で加熱する場合、トッププレー
ト２があるため、１１（、Ｆコイル４の上端はサセプタ
１の上端より下に位置することになる。
このため、サセプタ１の上端部寄りの温度に、ＲＦコイ
ルのない上端側へ多量に逃げ、第２図の曲線Ｔ１で示す
ように、低下し、サセプタ１の上端から相当広い範囲に
わ之って温度勾配を生じてしまう。そこで、サセプタ１
の上端部の相当広範囲にウェハＷ全装着することができ
ず、有効使用面、積が低くなる。また、サセプタ１の上
端部は反応ガスやパージガスによってより強く冷却され
るため、中間部より強く加熱して端部における温度のダ
レ全中央部側へ持込まないようにすることが好ましい。
ルのない上端側へ多量に逃げ、第２図の曲線Ｔ１で示す
ように、低下し、サセプタ１の上端から相当広い範囲に
わ之って温度勾配を生じてしまう。そこで、サセプタ１
の上端部の相当広範囲にウェハＷ全装着することができ
ず、有効使用面、積が低くなる。また、サセプタ１の上
端部は反応ガスやパージガスによってより強く冷却され
るため、中間部より強く加熱して端部における温度のダ
レ全中央部側へ持込まないようにすることが好ましい。
本発明に、裁頭角錐形のサセプタの上端をハンガーによ
り吊下し、サセプタの内部にＲＦ’コイル全配置したバ
レル型気相成長装置において、ハンガーとサセプタ上端
との間に、トッププレート部と、このトッププレート部
から垂下するリング部とからなる連結部材全介在させ、
サセプタの上端（ｉ−ＲＦコイルの上端より低い位置に
設定したものである。
り吊下し、サセプタの内部にＲＦ’コイル全配置したバ
レル型気相成長装置において、ハンガーとサセプタ上端
との間に、トッププレート部と、このトッププレート部
から垂下するリング部とからなる連結部材全介在させ、
サセプタの上端（ｉ−ＲＦコイルの上端より低い位置に
設定したものである。
サセプタの上端がＲＦコイルの上端より低い位置にある
ため、サセプタの上端部が中間部より強（加熱され、サ
セプタと連結部材に切り離されて発生が押えられる。こ
の上端部における温度のダレをなくすことにより、サセ
プタの長手方向の温度分布の均一性がより確実に得られ
る。
ため、サセプタの上端部が中間部より強（加熱され、サ
セプタと連結部材に切り離されて発生が押えられる。こ
の上端部における温度のダレをなくすことにより、サセ
プタの長手方向の温度分布の均一性がより確実に得られ
る。
以下本発明の一実施例を示す第１図について説明する。
１０はベースグレート、１１は反応筒、１２はシールリ
ング、１３番エシールプレートで、これらにより反応室
１４全形成している。シールプレート１３上には回転駆
動装置１５が設けられ、これによって回転を与えられる
ハンガー１６が反応室１４内に伸びている。このハンガ
ー１６に石英ガラス製であり、その下端のつばによって
連結部材１７が受止められている。連結部材１７はトッ
ププレート部１７ａとリング部１７ｂとからなっている
。トッププレート部１７ａとリング部１７ｂは石英ガラ
ス、Ｓｉ３Ｎ４やカーボンなどの耐熱・非汚染性の材料
、好ましくは石英ガラスやＳ ｉ ３Ｎ４のように熱伝
導度も低い材料からなり、このリング部１７ｂにサセプ
タ１９が吊下されている。このサセプタ１９ホ上下に伸
びる角錐面部１９ａのほかは、つば１９ｂ を有するの
みの形状である。
ング、１３番エシールプレートで、これらにより反応室
１４全形成している。シールプレート１３上には回転駆
動装置１５が設けられ、これによって回転を与えられる
ハンガー１６が反応室１４内に伸びている。このハンガ
ー１６に石英ガラス製であり、その下端のつばによって
連結部材１７が受止められている。連結部材１７はトッ
ププレート部１７ａとリング部１７ｂとからなっている
。トッププレート部１７ａとリング部１７ｂは石英ガラ
ス、Ｓｉ３Ｎ４やカーボンなどの耐熱・非汚染性の材料
、好ましくは石英ガラスやＳ ｉ ３Ｎ４のように熱伝
導度も低い材料からなり、このリング部１７ｂにサセプ
タ１９が吊下されている。このサセプタ１９ホ上下に伸
びる角錐面部１９ａのほかは、つば１９ｂ を有するの
みの形状である。
サセプタ１９の内部には、ベースプレート１０上に設置
された石英ガラス製の略つり鐘状をしたコイルカバー２
０が置かれ、この中にＲＦコイル２１が配置されている
。
された石英ガラス製の略つり鐘状をしたコイルカバー２
０が置かれ、この中にＲＦコイル２１が配置されている
。
前記リング部１７ｂの下端に、前記ＲＦコイル２１の上
端より該ＲＦコイル２１の１〜２巻分下方に位置する長
さに定められ、これに吊下されているサセプタ１９の上
端よりＲＦコイル２１の上端が１〜２巻分上方へ突出し
て位置するようになっている。
端より該ＲＦコイル２１の１〜２巻分下方に位置する長
さに定められ、これに吊下されているサセプタ１９の上
端よりＲＦコイル２１の上端が１〜２巻分上方へ突出し
て位置するようになっている。
なお、ＹモＦコイル２１の下端もサセプタ１９の下端よ
り同様に１〜２巻分下方に位置するように設定されてい
る。
り同様に１〜２巻分下方に位置するように設定されてい
る。
シールプレート１３には反応ガスやパージガス全供給す
るノズル２２が設けられ、ベースプレート１０には排気
口２３が設けられている。
るノズル２２が設けられ、ベースプレート１０には排気
口２３が設けられている。
次いで本装置の作用について説明する。サセプタ１９に
、Ｒ，Ｆコイル２１に印加された高周波電力によって加
熱されるが、ＲＦコイル２１はサセプタ１９の長手方向
の全域に行き渡り、かつその上下端がサセプタ１９の上
下端より突出しているため、ＲＦコイル２１のピッチお
よび端部かもの突出量さらにはＲＦコイル２１とサセプ
タ１９の距離などを調整することにより、サセプタ１９
の長手方向の温度分布を第２図の曲線Ｔ２で示すように
することができる。サセプタ１９とリング部１７ｂは切
り離されているため、リング部１７ｂ’に石英ガラス’
ｐｓｉ３Ｎ４のように熱伝導度が低い材料で形成した場
合はもちろんカーボンのように熱伝導性が高い材料で形
成した場合でも、サセプタ１９の上端からリング部１７
ｂへ逃げる熱量は少なく押えられる。また、リング部１
７ｂ ｋカーボンで形成した場合ＧＳ ’Ｊング部１７
ｂの下端がＲＦコイル２１によって積極的に加熱されて
高温になるため、サセプタ１９の上端からリング部１７
ｂへの熱の逃げは少な（押えも訛る。
、Ｒ，Ｆコイル２１に印加された高周波電力によって加
熱されるが、ＲＦコイル２１はサセプタ１９の長手方向
の全域に行き渡り、かつその上下端がサセプタ１９の上
下端より突出しているため、ＲＦコイル２１のピッチお
よび端部かもの突出量さらにはＲＦコイル２１とサセプ
タ１９の距離などを調整することにより、サセプタ１９
の長手方向の温度分布を第２図の曲線Ｔ２で示すように
することができる。サセプタ１９とリング部１７ｂは切
り離されているため、リング部１７ｂ’に石英ガラス’
ｐｓｉ３Ｎ４のように熱伝導度が低い材料で形成した場
合はもちろんカーボンのように熱伝導性が高い材料で形
成した場合でも、サセプタ１９の上端からリング部１７
ｂへ逃げる熱量は少なく押えられる。また、リング部１
７ｂ ｋカーボンで形成した場合ＧＳ ’Ｊング部１７
ｂの下端がＲＦコイル２１によって積極的に加熱されて
高温になるため、サセプタ１９の上端からリング部１７
ｂへの熱の逃げは少な（押えも訛る。
そこで、サセプタ１９の上端の温度低下は小さく押えら
れ、該上端部の温度が中央部分Ｉ’ｌｌより高い１′頃
向金示すようにすることができる。これによってサセプ
タ１９の端部にだける温度のダレ全防止し、サセプタ１
９の全長にわたる温度の均一性が確保される。なお、リ
ング部１７ｂをカーボンで形成した場合は、トッププレ
ート部１７ａ全石英ガラスやＳ ｉ ３Ｎ４で形成する
ことが好ましい。
れ、該上端部の温度が中央部分Ｉ’ｌｌより高い１′頃
向金示すようにすることができる。これによってサセプ
タ１９の端部にだける温度のダレ全防止し、サセプタ１
９の全長にわたる温度の均一性が確保される。なお、リ
ング部１７ｂをカーボンで形成した場合は、トッププレ
ート部１７ａ全石英ガラスやＳ ｉ ３Ｎ４で形成する
ことが好ましい。
連
前述した実施例はＸ結部材１７ｔ−トッププレートｏ［
５１７ａとリング部１７ｂに分割して形成した例を示し
たが、一体重に形成してもよいことは言うまでもない。
５１７ａとリング部１７ｂに分割して形成した例を示し
たが、一体重に形成してもよいことは言うまでもない。
以上述べたように本発明によれば、サセプタの端部の温
度のダレを防止でき、これによってサセプタの長手方向
の温度の均一性をより高い精度で比較的簡単に得ること
ができる。
度のダレを防止でき、これによってサセプタの長手方向
の温度の均一性をより高い精度で比較的簡単に得ること
ができる。
第１図は不発明の一実施例を示す概要断面図、第２図は
本発明による装置と従来装置のサセプタ長手方向のサセ
プタ表面温度分布全示すグラフ、第３図は従来装置の概
要断面図である。 １６・・・ハンガー、 １７・・・連結部材、 １７ａ
・・・トッププレート部、 １７ｂ・・・リング部、
１９・・・サセプタ、２０・・・コイルカバー、２１・
・・ＲＦコイル。
本発明による装置と従来装置のサセプタ長手方向のサセ
プタ表面温度分布全示すグラフ、第３図は従来装置の概
要断面図である。 １６・・・ハンガー、 １７・・・連結部材、 １７ａ
・・・トッププレート部、 １７ｂ・・・リング部、
１９・・・サセプタ、２０・・・コイルカバー、２１・
・・ＲＦコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、裁頭角錐形のサセプタの上端をハンガーにより吊下
し、該サセプタの内部にＲＦコイルを配置したバレル型
気相成長装置において、前記ハンガーとサセプタ上端と
の間にトッププレート部と、同トッププレート部から垂
下するリング部とからなる連結部材を介在させ、前記サ
セプタの上端を前記ＲＦコイルの上端より低い位置に設
定したことを特徴とするバレル型気相成長装置。 ２、連結部材が、耐熱・非汚染性の材料で形成されてい
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のバレル
型気相成長装置。 ３、連結部材のリング部が、熱伝導度が低く耐熱・非汚
染性の絶縁材料で形成されていることを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載のバレル型気相成長装置。 ４、連結部材のトッププレート部が石英で形成され、リ
ング部がカーボンで形成されていることを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載のバレル型気相成長装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-62590 | 1986-03-20 | ||
| JP6259086 | 1986-03-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6312128A true JPS6312128A (ja) | 1988-01-19 |
Family
ID=13204687
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62055829A Pending JPS6312128A (ja) | 1986-03-20 | 1987-03-11 | バレル型気相成長装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4794220A (ja) |
| JP (1) | JPS6312128A (ja) |
| KR (1) | KR900004440B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5178681A (en) * | 1991-01-29 | 1993-01-12 | Applied Materials, Inc. | Suspension system for semiconductor reactors |
Families Citing this family (33)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5002011A (en) * | 1987-04-14 | 1991-03-26 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vapor deposition apparatus |
| US5070815A (en) * | 1990-03-13 | 1991-12-10 | Fujitsu Limited | MOCVD device for growing a semiconductor layer by the metal-organic chemical vapor deposition process |
| US5461215A (en) * | 1994-03-17 | 1995-10-24 | Massachusetts Institute Of Technology | Fluid cooled litz coil inductive heater and connector therefor |
| KR20000069146A (ko) | 1996-11-27 | 2000-11-25 | 로벤 에프. 리차드 쥬니어 | 화학 기상 증착 장치 |
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| CN104746037B (zh) * | 2013-12-29 | 2017-07-21 | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 | 反应腔和mocvd设备 |
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1987
- 1987-03-11 JP JP62055829A patent/JPS6312128A/ja active Pending
- 1987-03-12 KR KR1019870002189A patent/KR900004440B1/ko not_active Expired
- 1987-03-19 US US07/027,727 patent/US4794220A/en not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
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| KR900004440B1 (ko) | 1990-06-25 |
| KR870009607A (ko) | 1987-10-27 |
| US4794220A (en) | 1988-12-27 |
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