JPS63122158A - 絶縁型半導体装置 - Google Patents
絶縁型半導体装置Info
- Publication number
- JPS63122158A JPS63122158A JP26659286A JP26659286A JPS63122158A JP S63122158 A JPS63122158 A JP S63122158A JP 26659286 A JP26659286 A JP 26659286A JP 26659286 A JP26659286 A JP 26659286A JP S63122158 A JPS63122158 A JP S63122158A
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- JP
- Japan
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- heat sink
- resin
- semiconductor device
- type semiconductor
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- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 23
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Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、放熱板の裏面をも成形樹脂で覆った結線型半
導体装置に関するものである。
導体装置に関するものである。
樹脂封止型半導体装置において、放熱板の裏面をも樹脂
によシ覆っている、いわゆる絶縁製半導体装置がある。
によシ覆っている、いわゆる絶縁製半導体装置がある。
この種のＡツケージは、放熱板全体を樹脂で覆っている
為、放熱フィンに取）付ける時、従来の、Ｆツケージの
様に絶縁板を敷く必要がなく、実装コストが低減できる
。又、自立でプリント板に取シ付ける場合、放熱板が露
出していない為、他の部品と短絡する恐れが無く、高密
度実装が可能となる効果もある。
為、放熱フィンに取）付ける時、従来の、Ｆツケージの
様に絶縁板を敷く必要がなく、実装コストが低減できる
。又、自立でプリント板に取シ付ける場合、放熱板が露
出していない為、他の部品と短絡する恐れが無く、高密
度実装が可能となる効果もある。
但し、半導体イレットよ多発生する熱を効率よく外部に
放熱させるように、放熱板裏面の厚さをできるだけ薄く
、又、封止する成形樹脂の熱伝導率をできるだけ高くす
る必要がある。この２つの技術的動きは、両者とも、結
線型半導体装置の放熱板裏面の樹脂成形性（充填性）を
悪くする傾向にある。
放熱させるように、放熱板裏面の厚さをできるだけ薄く
、又、封止する成形樹脂の熱伝導率をできるだけ高くす
る必要がある。この２つの技術的動きは、両者とも、結
線型半導体装置の放熱板裏面の樹脂成形性（充填性）を
悪くする傾向にある。
即ち、放熱板裏面を薄くすることは、放熱板を挟んでの
表側と裏側との樹脂流動バランスを崩すこととなシ裏面
に未充填が発生し易くなる。又、成形樹脂の熱伝導率を
上げることは、含有する充填材（例ニジリカ、アルミナ
等）の量を増やすことであシ、成形樹脂の粘度は上がり
、間隙への充填が苦しくなシ、裏面に未充填が発生し易
くなる。
表側と裏側との樹脂流動バランスを崩すこととなシ裏面
に未充填が発生し易くなる。又、成形樹脂の熱伝導率を
上げることは、含有する充填材（例ニジリカ、アルミナ
等）の量を増やすことであシ、成形樹脂の粘度は上がり
、間隙への充填が苦しくなシ、裏面に未充填が発生し易
くなる。
成形条件として、注入圧を高くすることによシ、放熱板
裏面の充填性を向上させられることもあるが、Ｒレット
及びワイヤーへのダメージ等考慮するとこの方法にも限
界がある。
裏面の充填性を向上させられることもあるが、Ｒレット
及びワイヤーへのダメージ等考慮するとこの方法にも限
界がある。
本発明は、放熱板裏面の樹脂成形性（充填性）Ｋ優れ九
絶Ｒ型半導体装置を提供するものであシ、放熱板裏側に
溝を設けることによシ、成形樹脂の放熱板裏側の流動特
性を大幅に向上させることを見い出したものである。
絶Ｒ型半導体装置を提供するものであシ、放熱板裏側に
溝を設けることによシ、成形樹脂の放熱板裏側の流動特
性を大幅に向上させることを見い出したものである。
即ち、本発明は、放熱板が成形用樹脂によって覆われて
いる結線型半導体装置において、裏面に溝を有する放熱
板を使用することを特徴とするＰ３縁復半導体装置であ
る。
いる結線型半導体装置において、裏面に溝を有する放熱
板を使用することを特徴とするＰ３縁復半導体装置であ
る。
本発明に従うと、放熱板裏面に設けた溝によシ、結線型
半導体装置の放熱板裏側の樹脂抵抗を下げることができ
、更に被覆すべき面積を分化できる為、従来構造の放熱
板に比較し、格段に樹脂充填性が改善される。従来放熱
板に比較し、溝を設けた分だけ放熱効果は悪くなるが、
逆にこの溝によシ、樹脂の成形性に大きく、余裕ができ
るため、全体的に放熱板裏側の樹脂厚を薄くすることが
でき、放熱特性、樹脂成形性にバランスのとれた優れた
結線型半導体装置を開発できることは明らかである。
半導体装置の放熱板裏側の樹脂抵抗を下げることができ
、更に被覆すべき面積を分化できる為、従来構造の放熱
板に比較し、格段に樹脂充填性が改善される。従来放熱
板に比較し、溝を設けた分だけ放熱効果は悪くなるが、
逆にこの溝によシ、樹脂の成形性に大きく、余裕ができ
るため、全体的に放熱板裏側の樹脂厚を薄くすることが
でき、放熱特性、樹脂成形性にバランスのとれた優れた
結線型半導体装置を開発できることは明らかである。
以下実施例によシ、本発明を説明する。
第１図に本発明の溝（４）を有する取付穴（２）、リー
ドピン（３）からなる放熱板（１）の裏面図を示す。本
発明においては、取付穴（２）中央よ〕ビン方向に巾１
．０■深さ０，２簡の溝（４）を設けた。
ドピン（３）からなる放熱板（１）の裏面図を示す。本
発明においては、取付穴（２）中央よ〕ビン方向に巾１
．０■深さ０，２簡の溝（４）を設けた。
封止樹脂として、結晶シリカ系高熱伝導性工ｌキシ樹脂
成形材料とアルミナ系高熱伝導性エデキシ樹脂成形材料
にて成形実験を実施した。
成形材料とアルミナ系高熱伝導性エデキシ樹脂成形材料
にて成形実験を実施した。
・ξツケージは、ＴＯ−２２０絶縁型であ夛、放熱板裏
面の樹脂厚はα５ｔｔｒｍである。
面の樹脂厚はα５ｔｔｒｍである。
成形実験結果を表１に示すが、本発明による放熱板を使
用すると？！Ｒ型半導体装置の放熱板裏面成形性は抜群
に優れることが判る。
用すると？！Ｒ型半導体装置の放熱板裏面成形性は抜群
に優れることが判る。
（表１）成形性評価結果
Ｔｏ−２２０（絶縁盤）での充填性 不良数／総数
第１図は、本発明の一実施例を示すもので、放熱板を裏
側から見た時の平面図。 破線部分が溝を示す。 特許出願人 住友ベークライト株式会社第１図
側から見た時の平面図。 破線部分が溝を示す。 特許出願人 住友ベークライト株式会社第１図
Claims (1)
- 放熱板が成形用樹脂によって覆われている結線型半導体
装置において、裏面に溝を有する放熱板を使用すること
を特徴とする絶縁型半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26659286A JPS63122158A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 絶縁型半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26659286A JPS63122158A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 絶縁型半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63122158A true JPS63122158A (ja) | 1988-05-26 |
Family
ID=17432950
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26659286A Pending JPS63122158A (ja) | 1986-11-11 | 1986-11-11 | 絶縁型半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63122158A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186044A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-09-21 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 集積回路装置 |
-
1986
- 1986-11-11 JP JP26659286A patent/JPS63122158A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186044A (ja) * | 1983-12-12 | 1985-09-21 | テキサス インスツルメンツ インコ−ポレイテツド | 集積回路装置 |
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