JPS6312535B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6312535B2 JPS6312535B2 JP12693382A JP12693382A JPS6312535B2 JP S6312535 B2 JPS6312535 B2 JP S6312535B2 JP 12693382 A JP12693382 A JP 12693382A JP 12693382 A JP12693382 A JP 12693382A JP S6312535 B2 JPS6312535 B2 JP S6312535B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lens
- reflectance
- light
- plane
- light source
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/55—Specular reflectivity
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は光の反射率測定方法に関し、例えば基
板が回転、移動、又は徴小振動する状態で薄膜を
形成する光学部品および光デイスク等の製造工程
において、薄膜形成過程の反射率を、連続的にま
た安定に測定する反射率測定方法を提供するもの
である。
板が回転、移動、又は徴小振動する状態で薄膜を
形成する光学部品および光デイスク等の製造工程
において、薄膜形成過程の反射率を、連続的にま
た安定に測定する反射率測定方法を提供するもの
である。
従来、回転体等の反射率を連続的に測定する方
法は、いわゆるフオトカプラーが知られている。
その基本的な原理は、光源からの光をレンズによ
り集光し、被測定面に照射し、その反射光を他の
レンズを介し、光センサにより受光するという方
法である。
法は、いわゆるフオトカプラーが知られている。
その基本的な原理は、光源からの光をレンズによ
り集光し、被測定面に照射し、その反射光を他の
レンズを介し、光センサにより受光するという方
法である。
しかし上記の方法は、レンズを用いて光を集光
した状態で被測定面に光を照射しているため、焦
点深度が小さく、またレンズから被測定面までの
距離が小さい。このため、被測定面のわずかな振
動により、測定値が大きく変化する。これは、薄
膜形成過程等の反射率を連続的に、また正確に測
定する上での妨げとなる欠点があつた。
した状態で被測定面に光を照射しているため、焦
点深度が小さく、またレンズから被測定面までの
距離が小さい。このため、被測定面のわずかな振
動により、測定値が大きく変化する。これは、薄
膜形成過程等の反射率を連続的に、また正確に測
定する上での妨げとなる欠点があつた。
本発明は上記従来の欠点を除去するものであ
り、光源からの光をレンズを介し、略平行光の状
態で被測定面に照射することにより、焦点深度が
大きく、連続的に、安定性の優れた測定が可能な
反射率測定方法を提供するものである。
り、光源からの光をレンズを介し、略平行光の状
態で被測定面に照射することにより、焦点深度が
大きく、連続的に、安定性の優れた測定が可能な
反射率測定方法を提供するものである。
第１図は本発明の反射率測定方法を説明するた
めの図である。この測定方法に用いる装置は、光
源１，光センサ２，レンズ３，被測定面４よりな
つている。
めの図である。この測定方法に用いる装置は、光
源１，光センサ２，レンズ３，被測定面４よりな
つている。
光源１としては、発光波長巾の狭い単色の光源
を用い、発光ダイオード，半導体レーザ，または
バンドパス・フイルターを付したランプ等が使用
できる。光センサ２としては、フオトセル，フオ
トダイオード等が利用できる。
を用い、発光ダイオード，半導体レーザ，または
バンドパス・フイルターを付したランプ等が使用
できる。光センサ２としては、フオトセル，フオ
トダイオード等が利用できる。
この測定方法は、被測定面４とレンズ３の中心
軸が垂直な関係になるように設定する。光源１と
光センサ２はレンズ３からその焦点距離だけ離れ
た同一平面内で、かつ、光源１と光センサ２の
各々の中心は、レンズ３の中心軸に対し点対称に
設置される。レンズ３より焦点距離だけ離れた位
置にある光源１からの光は、レンズ３を通り、略
平行光となり被測定面４に入射する。入射した光
はやはり略平行光として反射され、再びレンズ３
を通り、集光され、光センサ２に入射する。
軸が垂直な関係になるように設定する。光源１と
光センサ２はレンズ３からその焦点距離だけ離れ
た同一平面内で、かつ、光源１と光センサ２の
各々の中心は、レンズ３の中心軸に対し点対称に
設置される。レンズ３より焦点距離だけ離れた位
置にある光源１からの光は、レンズ３を通り、略
平行光となり被測定面４に入射する。入射した光
はやはり略平行光として反射され、再びレンズ３
を通り、集光され、光センサ２に入射する。
この方法において、被測定面４の振動巾７によ
る反射光量の変動は、光源１と光センサ２間の距
離５により限定される。光源と光センサ間の距離
５を小さくすると、平行光線とレンズ３の光軸が
成す角度８が小さくなる。このため、振動巾７の
影響が小さくなり、レンズと被測定面間距離６を
大きく取ることができる。また、光センサ２の受
光面積を大きくすることにより、反射率の変動が
小さくできる。
る反射光量の変動は、光源１と光センサ２間の距
離５により限定される。光源と光センサ間の距離
５を小さくすると、平行光線とレンズ３の光軸が
成す角度８が小さくなる。このため、振動巾７の
影響が小さくなり、レンズと被測定面間距離６を
大きく取ることができる。また、光センサ２の受
光面積を大きくすることにより、反射率の変動が
小さくできる。
以下、実施例をもとに本発明を詳細に説明す
る。
る。
光源１には発光ダイオードλ＝8300Å，光セン
サ２には５mm角のシリコンフオトセル、そしてレ
ンズ３には焦点距離18mmのものを用いる。
サ２には５mm角のシリコンフオトセル、そしてレ
ンズ３には焦点距離18mmのものを用いる。
第２図は本発明を光デイスクの蒸着工程の反射
率モニタに応用した例であり、膜厚と反射率の関
係を示す。光デイスクは回転され、被反射面は振
動している。発光ダイオードとシリコンフオトセ
ルの各々の中心間隔は５mmとする。レンズ３と光
デイスクの被測定面４との距離は約50mmである。
蒸着膜の表面と裏面からの反射光が、互いに干渉
し合い、反射光量には膜厚増加にともない、山部
と谷部を生じる。このように、蒸着初期から蒸着
終了までの反射率変化を、連続的に観測すること
ができる。
率モニタに応用した例であり、膜厚と反射率の関
係を示す。光デイスクは回転され、被反射面は振
動している。発光ダイオードとシリコンフオトセ
ルの各々の中心間隔は５mmとする。レンズ３と光
デイスクの被測定面４との距離は約50mmである。
蒸着膜の表面と裏面からの反射光が、互いに干渉
し合い、反射光量には膜厚増加にともない、山部
と谷部を生じる。このように、蒸着初期から蒸着
終了までの反射率変化を、連続的に観測すること
ができる。
以上のように、本発明による反射率測定方法
は、振動体等の反射率を安定に測定できる。ま
た、薄膜形成過程等の連続的な反射率変化を測定
でき、光デイスクの蒸着過程、および水晶振動式
膜厚計の使用できない高周波スパツタ蒸着等の蒸
着モニタに応用できる。
は、振動体等の反射率を安定に測定できる。ま
た、薄膜形成過程等の連続的な反射率変化を測定
でき、光デイスクの蒸着過程、および水晶振動式
膜厚計の使用できない高周波スパツタ蒸着等の蒸
着モニタに応用できる。
第１図は、本発明の反射率測定方法を説明する
ための図、第２図は、同方法を用いた蒸着膜厚に
対する反射率変化の測定例を示す図である。 １……光源、２……センサ、３……レンズ、４
……反射率被測定平面。
ための図、第２図は、同方法を用いた蒸着膜厚に
対する反射率変化の測定例を示す図である。 １……光源、２……センサ、３……レンズ、４
……反射率被測定平面。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 光源からの光をレンズを介して平面上に照射
し、前記平面からの反射光を再び前記レンズを介
し、光センサ上に集光し検知することにより前記
平面の反射率を測定する方法において、前記レン
ズの中心軸は前記反射率測定平面に垂直に設置さ
れ、前記光源と前記光センサは、前記レンズの焦
点平面上で、かつ、前記光源と前記光センサの
各々の中心を前記レンズの中心軸に対して対称に
設置し、前記レンズを出て前記反射率被測定平面
に照射される光が略平行光であることを特徴とす
る反射率測定方法。 ２ 反射率被測定平面が振動している場合に用い
られることを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の反射率測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126933A JPS5917139A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 反射率測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57126933A JPS5917139A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 反射率測定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5917139A JPS5917139A (ja) | 1984-01-28 |
| JPS6312535B2 true JPS6312535B2 (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=14947487
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57126933A Granted JPS5917139A (ja) | 1982-07-20 | 1982-07-20 | 反射率測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5917139A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4303120B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2009-07-29 | サイバーオプティクス セミコンダクタ インコーポレイテッド | 半導体ウェハキャリア用マッピングセンサ |
-
1982
- 1982-07-20 JP JP57126933A patent/JPS5917139A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5917139A (ja) | 1984-01-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0397388B1 (en) | Method and apparatus for measuring thickness of thin films | |
| EP0632256B1 (en) | Micropolarimeter, microsensor system and method of characterizing thin films | |
| US4650330A (en) | Surface condition measurement apparatus | |
| EP0165722B1 (en) | Film thickness measuring apparatus | |
| CN101802592B (zh) | 使用旋转镜的表面等离子共振传感器 | |
| JP3382011B2 (ja) | 膜厚測定装置、ポリシング装置および半導体製造装置 | |
| JP2000065536A (ja) | 膜厚及び光学定数の測定方法及び装置 | |
| JPH0972723A (ja) | フィルムの厚さと屈折率を測定するための測定方法及び測定装置 | |
| JPS62175605A (ja) | 復号化装置 | |
| JPH0256604B2 (ja) | ||
| US5325172A (en) | Optical system for analyzing samples separated by a centrifugal separator | |
| JPH0812231B2 (ja) | 磁性流体の屈折率磁場依存性を利用した光干渉装置 | |
| JPS5917139A (ja) | 反射率測定方法 | |
| JPH11162954A (ja) | 光学的手段による薄膜測定方法及び装置並びに成膜装置 | |
| JPH0781836B2 (ja) | 光学測定装置 | |
| JPH04297028A (ja) | エッチング速度モニタ | |
| JP4802431B2 (ja) | 膜厚測定方法及び光ディスクにおける膜厚測定方法 | |
| JPH01232202A (ja) | 膜厚測定方法 | |
| JPS60202940A (ja) | 食刻深さ測定方法 | |
| JP2654366B2 (ja) | マイクロ偏光計及びマイクロ偏光計システム | |
| JPS6033003A (ja) | 形状測定装置 | |
| JP2970020B2 (ja) | コーティング薄膜の形成方法 | |
| JPH07270145A (ja) | 平面度測定装置 | |
| WO1981003073A1 (en) | Process and apparatus for measurement of physical parameters of moving matter by means of coherent light source,by heterodyne detection of light reflected or scattered by moving matter | |
| JPH0325123Y2 (ja) |