JPS63127444A - Production of optical head - Google Patents
Production of optical headInfo
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- JPS63127444A JPS63127444A JP61273393A JP27339386A JPS63127444A JP S63127444 A JPS63127444 A JP S63127444A JP 61273393 A JP61273393 A JP 61273393A JP 27339386 A JP27339386 A JP 27339386A JP S63127444 A JPS63127444 A JP S63127444A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野〕
本発明は光学ヘッドの製造方法に係り、特に平導体基板
に光検出素子、レーザ半導体チップ及びプリズムを一体
に集積化した光学ヘッドの製造方法に関する。[Detailed Description of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention relates to a method for manufacturing an optical head, and more particularly, a method for manufacturing an optical head in which a photodetecting element, a laser semiconductor chip, and a prism are integrated on a flat conductor substrate. Regarding.
本発明の光学ヘッドの製造方法は、半導体基板に複数の
光検出素子を形成し、次に複数のレーザ半導体チップか
らなる棒状のチップバー及び同じく棒状のプリズムを上
述の半導体基板上に配設して、これらを同時に切断して
光検出素子、レーザ半導体チップ及びプリズムよりなる
光学ヘッドを得る場合にマウ・ント部品の位置精度がバ
ラツキを生じないようにしたものである。The method for manufacturing an optical head of the present invention includes forming a plurality of photodetecting elements on a semiconductor substrate, and then arranging a rod-shaped chip bar made of a plurality of laser semiconductor chips and a rod-shaped prism on the semiconductor substrate. This is to prevent variations in the positional accuracy of the mount components when cutting these at the same time to obtain an optical head consisting of a photodetecting element, a laser semiconductor chip, and a prism.
CD(コンパクトディスク)等のビット情報を検出する
ための光学ヘッドとしては種々の構造のものが提案され
ている。第2図は本出願人が先に特願昭61−3857
5号で提案した光学ヘッドの斜視図を示すものである。2. Description of the Related Art Various structures have been proposed as optical heads for detecting bit information on CDs (compact discs) and the like. Figure 2 is a patent application filed by the applicant in 1986-3857.
5 shows a perspective view of the optical head proposed in No. 5.
第2図において、(1)は全体として光学ヘッドを示し
、矩形状のシリコン等の半導体基板(2)の主面の例え
ば左半分の位置にPTNダイオード等の第1の光検出素
子(3)を形成する。この第1の光検出素子(3)は例
えば2組の3分割された光検出素子(3a)、(3b)
からなる。史に半導体基板(2)の主面の右半分の位置
にモニタ用のPINダイオード等からなる第2の光検出
素子(4)が形成される。これら第1及び第2の光検出
素子(3)、(4)間においてレーザ半導体チップ(5
)が半導体基板(2)に半田等で直接固定されると共に
、断面台形のプリズム(6)が第1の光検出素子(3)
の上に固定される。このプリズム(6)のレーザ半導体
チップ(5)の活性層の発光点と対向している面(6a
)は半透過反射面となされ、半導体基板(2)に接して
いる面(6b)のうち光検出素子(3a)、(3b)と
接する面以外と、面(6b)に対向している面(6c)
は共に反射面となされている。In FIG. 2, (1) shows the optical head as a whole, and a first photodetector element (3) such as a PTN diode is located on the left half of the main surface of a rectangular silicon or other semiconductor substrate (2). form. This first photodetecting element (3) is, for example, two sets of three divided photodetecting elements (3a) and (3b).
Consisting of Historically, a second photodetector element (4) consisting of a PIN diode or the like for monitoring is formed on the right half of the main surface of the semiconductor substrate (2). A laser semiconductor chip (5
) is directly fixed to the semiconductor substrate (2) with solder or the like, and a prism (6) with a trapezoidal cross section is connected to the first photodetecting element (3).
is fixed on top. The surface (6a) of this prism (6) facing the light emitting point of the active layer of the laser semiconductor chip (5)
) is a transflective surface, and the surface (6b) in contact with the semiconductor substrate (2) other than the surface in contact with the photodetecting elements (3a) and (3b) and the surface opposite to the surface (6b) (6c)
are both reflective surfaces.
上述の構成において、レーザ半導体チップ(5)の活性
層から放射されたレーザビーム(7a)はプリズム(6
)の半透過反射面(6a)で反射され、図示しないが対
物レンズを介して光デイスク上に入射レーザビーム(7
b)として照射され、ディスクで反射された入射レーザ
ビーム(7b)の反射光はプリズム(6)の面(6a)
を透過し、第1の1組目の光検出素子(3a)に入射さ
れ、ここで反射された透過光はプリズム(6)の面(6
c)で反射して第1の2組目の光検出素子(3b)に入
射されて、ディスクのピントに対応するデータを検出す
る。尚(7C)はレーザ半導体チップ(5)の反対の活
性層から放出されるモニター用の出射レーザビームを示
す。In the above configuration, the laser beam (7a) emitted from the active layer of the laser semiconductor chip (5) passes through the prism (6).
), the incident laser beam (7
The reflected light of the incident laser beam (7b) irradiated as b) and reflected by the disk is reflected from the surface (6a) of the prism (6).
The transmitted light is incident on the first photodetecting element (3a) of the first set, and is reflected here.
c) and enters the first second set of photodetecting elements (3b), where data corresponding to the focus of the disc is detected. Note that (7C) shows an output laser beam for monitoring that is emitted from the active layer opposite to the laser semiconductor chip (5).
このような、光学ヘッド(1)を製造する方法の従来例
を第3図について説明する。第3図へで円盤状に形成さ
れたシリコンウェハー(10)は、第3図Bのプロセス
工程で通常の半導体形成工程と同じように格子状の複数
のチップ(11)内に夫々、第2図で示した第1及び第
2の光検出素子(3)、(4)即ち、PINダイオード
を形成すると共に、レーザ半導体チップ(5)を固定す
るための錫半田電極やボンデングバット形成などが行な
われる。次に、第3図Cに示すように、複数の所定形状
に加工されたレーザ半導体チップ(5)がシリコンウェ
ハー(10)のチップ(11)の錫半田電極形成面上に
マウントされる。史に、第3図りに示すようにシリコン
ウェハー(10)を300度Cで5秒間程度加熱して複
数のレーザ半導体チップ(5)を半導体基板であるシリ
コンウェハー(10)の夫々のチップ(11)・・・に
直接融着する。次の工程では第3図Eの如く所定寸法に
形成された複数のプリズム(6)がチップ毎に形成した
、第1の光検出素子(3a)、(3b)上に接着される
。次にシリコンウェハー(10)を1つのチップ(11
)となるように格子状にカットして、第3図Fに示すよ
うに1つのチップ(11)を構成している半導体基@(
2)上に第1及び第2の光検出素子(3)、(4)とレ
ーザ半導体(5)及びプリズム(6)が配置された集積
型の光学ヘッド(1)が出来上る。次に第3図Gの如く
、フレキシブルワイヤ等のプリント基板(13)に光学
ヘッド(1)をグイボンドし、第3図Hの如くプリント
基板(13)の外部電極と、チップ(11)に形成した
ボンデングバット間に金線等のワイヤーをボンデングす
るようになされていた。A conventional example of a method for manufacturing such an optical head (1) will be explained with reference to FIG. In the process step of FIG. 3B, the silicon wafer (10) formed into a disk shape in FIG. In addition to forming the first and second photodetecting elements (3) and (4) shown in the figure, that is, PIN diodes, tin solder electrodes and bonding butts for fixing the laser semiconductor chip (5) are formed. It is done. Next, as shown in FIG. 3C, a plurality of laser semiconductor chips (5) processed into predetermined shapes are mounted on the tin solder electrode forming surface of the chip (11) of the silicon wafer (10). Historically, as shown in the third diagram, a silicon wafer (10) is heated at 300 degrees Celsius for about 5 seconds to separate a plurality of laser semiconductor chips (5) into respective chips (11) of the silicon wafer (10), which is a semiconductor substrate. ) directly fused to... In the next step, a plurality of prisms (6) formed to a predetermined size as shown in FIG. 3E are bonded onto the first photodetecting elements (3a) and (3b) formed for each chip. Next, the silicon wafer (10) is divided into one chip (11).
) is cut into a lattice pattern to form a semiconductor substrate @(
2) An integrated optical head (1) on which first and second photodetecting elements (3), (4), a laser semiconductor (5), and a prism (6) are arranged is completed. Next, as shown in Figure 3G, the optical head (1) is bonded to a printed circuit board (13) such as a flexible wire, and as shown in Figure 3 H, the external electrodes of the printed circuit board (13) and the chip (11) are formed. A wire such as a gold wire was bonded between the bonding bats.
叙上の従来構成による光学ヘッドの製造方法によると、
シリコンウェハー(10)の複数チップ(11)上に所
定形状に予め切断したレーザ半導体チップ(5)とプリ
ズム(6)をマウントしなければならない。この為にレ
ーザ半導体(5)とプリズム(6)を切断加工する工程
が必要なだけでなく、小さなチップ(11)上に更に小
さなレーザ半導体チップ(5)及びプリズム(6)を1
つ1つ位置決めしながらマウントしなければならないの
で取付位置精度にバラツキを住し、チップ(11)の寸
法幅内(極めて短い)のスパンで位置決めを行なわなけ
ればならないのでマウントする場合の精度を上げること
ができない欠点があイた。According to the method of manufacturing an optical head with the conventional configuration described above,
Laser semiconductor chips (5) and prisms (6) that have been cut into predetermined shapes must be mounted on a plurality of chips (11) of a silicon wafer (10). For this purpose, not only is a process of cutting the laser semiconductor (5) and prism (6) required, but also an even smaller laser semiconductor chip (5) and prism (6) are placed on top of the small chip (11).
Since each chip must be positioned one by one when mounting, variations in mounting position accuracy will be avoided, and positioning must be performed within the (extremely short) dimensional width of the chip (11), increasing accuracy when mounting. I found the drawback that I couldn't do it.
本発明は叙上の欠点に鑑みなされたものであり、その目
的とするところは光学ヘッド製造時に半導体基板に部品
を取付ける際の位置精度のバラツキを抑え、高精度に取
付けることの出来る光学ヘッドの製造方法を提供するに
ある。The present invention was made in view of the above-mentioned drawbacks, and its purpose is to suppress variations in positional accuracy when parts are attached to a semiconductor substrate during optical head manufacturing, and to provide an optical head that can be attached with high precision. To provide a manufacturing method.
本発明の光学ヘッドの製造方法は半導体基板(2)から
なるウェハー(10)に複数の光検出素子(3)、(4
)を形成し、このウェハー(10)に形成した複数の光
検出素子の配列方向と並行に複数のレーザ半導体チップ
からなる棒状の複数のチップバー(15)を配設し、こ
のチップバーと平行に棒状の複数のプリズム(16)を
配設し、半導体基板とその上に配設した複数のチップバ
ー及び棒状のプリズムを同時に切断して、光検出素子、
レーザ半導体チップ及びプリズムよりなる光学ヘッドを
iiするようにしたものである。The optical head manufacturing method of the present invention includes a wafer (10) made of a semiconductor substrate (2) and a plurality of photodetecting elements (3), (4).
), and a plurality of rod-shaped chip bars (15) made of a plurality of laser semiconductor chips are arranged parallel to the arrangement direction of the plurality of photodetecting elements formed on this wafer (10), and A plurality of bar-shaped prisms (16) are disposed on the semiconductor substrate, a plurality of chip bars disposed thereon, and the bar-shaped prisms are simultaneously cut to form a photodetecting element,
ii) an optical head consisting of a laser semiconductor chip and a prism.
本発明によれば棒状のチップバー及び棒状のプリズムを
半導体基板上にマウントしてこれら三部品を同時に切断
するためにマウンl−精度のバラツキがなくなり、工程
を減少させることの出来る光学ヘッドの製造方法を提供
出来る。According to the present invention, since a rod-shaped chip bar and a rod-shaped prism are mounted on a semiconductor substrate and these three parts are cut at the same time, variations in mounting precision are eliminated and manufacturing of an optical head is possible with a reduction in the number of steps. I can provide a method.
以下、本発明の光学ヘッドの製造方法を第1図の組立工
程図によって詳記する。尚、第3図の従来の光学ヘッド
組立工程と対応する部分には同一符号を付して重複説明
を省略する。本発明の光学ヘッドは第2図に示したと同
様の光学ヘッド組立体を得るための光学ヘッドの製造方
法を提案するものである。Hereinafter, the method for manufacturing the optical head of the present invention will be described in detail with reference to the assembly process diagram of FIG. Note that parts corresponding to those in the conventional optical head assembly process shown in FIG. 3 are given the same reference numerals and redundant explanation will be omitted. The optical head of the present invention proposes an optical head manufacturing method for obtaining an optical head assembly similar to that shown in FIG.
第1図において、第1図A、Bの工程は第3L21A、
Bの工程とおなしであり、シリコンウェハー(10)の
複数チップ(11)毎に第1及び第2のPINダイオー
ドからなる光検出素子(3)、(4)が第2図で記載し
たように形成されている。但し、レーザ半導体チップバ
ー取付電極はチップバー状に形成される。今、シリコン
ウェハー(10)上で見れば格子状にバターニングされ
たチップ(11)の長手方向と直交する方向に沿って光
検出素子(3)、(4)が形成されているので第1図C
に示すレーザ半導体チップバーマウント工程では、シリ
コンウェハー(10)上に前述のチップ(11)の長手
方向と直交する方向と平行に複数の棒状のチップバー(
15)をマウントする。ここでチップバー(15)はシ
リコンウェハー(10)の直径と略同−の長さを有し、
シリコンウェハー上にバターニングされる格子状チップ
のピッチに等しい位置に複数のレーザ半導体チップ(又
はレーザ半導体活性JN)を有する。In FIG. 1, the steps A and B in FIG. 1 are 3L21A,
This is the same as step B, and the photodetecting elements (3) and (4) consisting of the first and second PIN diodes are arranged in each of the plurality of chips (11) of the silicon wafer (10) as shown in FIG. It is formed. However, the laser semiconductor chip bar attachment electrode is formed in the shape of a chip bar. Now, looking at the silicon wafer (10), the photodetecting elements (3) and (4) are formed along the direction perpendicular to the longitudinal direction of the chips (11) patterned in a grid pattern. Diagram C
In the laser semiconductor chip bar mounting process shown in FIG. 1, a plurality of rod-shaped chip bars (
15) Mount. Here, the chip bar (15) has a length that is approximately the same as the diameter of the silicon wafer (10),
A plurality of laser semiconductor chips (or laser semiconductor active JN) are provided at positions equal to the pitch of lattice-shaped chips patterned on a silicon wafer.
例えばこのチップバーはGaAs基板等にチップ(11
)の格子状ピッチでレーザ半導体を形成したものをウェ
ハーから棒状に切り出したものであってよ(、このチッ
プバー(15)はチップバー形状に形成されたチップバ
ー電極上にマウントされる。次の第1図りに示す工程で
はシリコンウェハー(10)が300度Cで5秒間程度
加熱され、チップバー(15)はシリコンウェハー(1
0)に固く融着される。更に第1図Eに示すように複数
の棒状プリズム(16)〔長さは略ウェハーの直径と等
しい〕をチップバー(15)と平行に、且つ第1の光検
出素子(3)の上にマウントし、シリコンウェハー(1
0)上にマウントされたチップバー(15)と棒状プリ
ズム(16)からなる三部品を同時に格子状に切断する
と、第1図Fに示す様に1つの半導体基板(2)からな
るチップ(11)上に第1及び第2の光検出素子(3)
、(4)が形成され、史にやや長めのレーザ半導体チッ
プ(15a)とプリズム(6)がマウントされた光学ヘ
ッド(1)が複数個同時に形成出来る。第1図G、■(
で示すダイボンド及びワイヤボンド工程は第3図G、H
の工程と全く同じである。この様な製造方法によれば三
部品の切断工程が省略出来、部品取付精度が向上するだ
けでなく、部品のマウント、接着後にダイシングを行な
うので接着不良等の発見を未然に行うことが出来る。For example, this chip bar has chips (11
This chip bar (15) is mounted on a chip bar electrode formed in a chip bar shape. In the step shown in the first diagram, the silicon wafer (10) is heated at 300 degrees Celsius for about 5 seconds, and the chip bar (15) is heated on the silicon wafer (10).
0) is firmly fused. Furthermore, as shown in FIG. 1E, a plurality of bar-shaped prisms (16) [length approximately equal to the diameter of the wafer] are placed parallel to the chip bar (15) and above the first photodetector element (3). Mount and place on a silicon wafer (1
0) When the three parts consisting of the chip bar (15) and the bar-shaped prism (16) mounted on the top are simultaneously cut into a grid pattern, a chip (11) consisting of one semiconductor substrate (2) is obtained as shown in Fig. 1F. ) on the first and second photodetector elements (3)
, (4) are formed, and a plurality of optical heads (1) having slightly longer laser semiconductor chips (15a) and prisms (6) mounted thereon can be formed at the same time. Figure 1 G, ■(
The die bonding and wire bonding processes shown in Figure 3 G and H
The process is exactly the same. According to such a manufacturing method, the process of cutting the three parts can be omitted, which not only improves the accuracy of parts attachment, but also makes it possible to detect defects in adhesion before they occur because dicing is performed after mounting and adhering the parts.
本発明の光学ヘッドの製造方法によれば予めレーザ半導
体チップ(5)の寸法に切断するための工程と、プリズ
ム(6)を同じ様に小寸法に切断する工程がないだけ、
これら部品の単価を廉価にすることが出来るだけでなく
、小さく切断したレーザ半導体チップ(5)やプリズム
(6)をウェハーチップ(11)上にマウントするのに
比べて、棒状の長いチップバー(15)と棒状プリズム
(16)をシリコンウェハーの径で定まるスパンで位置
決めが出来るので位置取付精度は格段に向上する。更に
レーザ半導体チップ及びプリズムをマウントするための
工数が大幅に削減出来る効果を有する。According to the method of manufacturing an optical head of the present invention, there is no need for the step of cutting the laser semiconductor chip (5) to the size of the laser semiconductor chip (5) and the step of cutting the prism (6) to the same size.
Not only can the unit price of these parts be lower, but compared to mounting a laser semiconductor chip (5) or prism (6) cut into small pieces on a wafer chip (11), a long bar-shaped chip bar ( 15) and the rod-shaped prism (16) can be positioned over a span determined by the diameter of the silicon wafer, so the positioning accuracy is greatly improved. Furthermore, it has the effect of significantly reducing the number of steps required to mount the laser semiconductor chip and prism.
第1図は本発明の光学ヘッドの製造工程図、第2図は従
来の光学ヘッドの斜視図、第3図は従来の光学ヘッドの
製造工程図である。
(1)は光学ヘッド、(2)は半導体基板、(3)、(
4)は第1及び第2の光検出素子、(5)はレーザ半導
体チップ、(6)はプリズム、(10)はシリコンウェ
ハー、(15)はチップバー、(16)は棒状プリズム
である。FIG. 1 is a manufacturing process diagram of an optical head of the present invention, FIG. 2 is a perspective view of a conventional optical head, and FIG. 3 is a manufacturing process diagram of a conventional optical head. (1) is an optical head, (2) is a semiconductor substrate, (3), (
4) are first and second photodetecting elements, (5) is a laser semiconductor chip, (6) is a prism, (10) is a silicon wafer, (15) is a chip bar, and (16) is a rod-shaped prism.
Claims (1)
並行に複数のレーザ半導体チップからなる棒状の複数の
チップバーを配設する工程と、上記半導体基板上に上記
チップバーと平行に棒状の複数のプリズムを配設する工
程と、 上記半導体基板並にその上の上記複数のチップバー及び
プリズムを同時に切断して、光検出素子、レーザ半導体
チップ及びプリズムよりなる光学ヘッドを得る工程とを
有することを特徴とする光学ヘッドの製造方法。[Claims] A step of forming a plurality of photodetecting elements on a semiconductor substrate, and a plurality of rod-shaped chip bars made of a plurality of laser semiconductor chips arranged on the semiconductor substrate in parallel with the arrangement direction of the plurality of photodetecting elements. a step of arranging a plurality of bar-shaped prisms on the semiconductor substrate in parallel with the chip bars; and a step of simultaneously cutting the semiconductor substrate and the plurality of chip bars and prisms thereon. A method for manufacturing an optical head, comprising: obtaining an optical head comprising a photodetecting element, a laser semiconductor chip, and a prism.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273393A JPH0810496B2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Optical head manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61273393A JPH0810496B2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Optical head manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63127444A true JPS63127444A (en) | 1988-05-31 |
| JPH0810496B2 JPH0810496B2 (en) | 1996-01-31 |
Family
ID=17527272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61273393A Expired - Lifetime JPH0810496B2 (en) | 1986-11-17 | 1986-11-17 | Optical head manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0810496B2 (en) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438586A (en) * | 1992-11-30 | 1995-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus with light-emitting element and method for producing it |
| JPH08153889A (en) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Sony Corp | Composite optical device and manufacturing method thereof |
| WO2004114292A1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Laser-detector-grating-unit |
| WO2004113955A3 (en) * | 2003-06-24 | 2005-04-14 | Koninkl Philips Electronics Nv | Beam-shaper |
| JP2006032765A (en) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | Semiconductor laser package |
| JP2010531546A (en) * | 2007-06-27 | 2010-09-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Optical sensor module and manufacturing method thereof |
| US8184522B2 (en) | 2004-06-03 | 2012-05-22 | Panasonic Corporation | Optical head for optical recorder/reproducer |
| WO2013021747A1 (en) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | Image pickup device and method for manufacturing same |
| WO2015190348A1 (en) * | 2014-06-13 | 2015-12-17 | 日本碍子株式会社 | Optical device, and optical-device production method |
-
1986
- 1986-11-17 JP JP61273393A patent/JPH0810496B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0600426A3 (en) * | 1992-11-30 | 1995-12-13 | Canon Kk | Device with a light-emitting element and method for its production. |
| US5438586A (en) * | 1992-11-30 | 1995-08-01 | Canon Kabushiki Kaisha | Apparatus with light-emitting element and method for producing it |
| JPH08153889A (en) * | 1994-11-29 | 1996-06-11 | Sony Corp | Composite optical device and manufacturing method thereof |
| WO2004114292A1 (en) * | 2003-06-24 | 2004-12-29 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Laser-detector-grating-unit |
| WO2004113955A3 (en) * | 2003-06-24 | 2005-04-14 | Koninkl Philips Electronics Nv | Beam-shaper |
| US8184522B2 (en) | 2004-06-03 | 2012-05-22 | Panasonic Corporation | Optical head for optical recorder/reproducer |
| JP2006032765A (en) * | 2004-07-20 | 2006-02-02 | Nichia Chem Ind Ltd | Semiconductor laser package |
| JP2010531546A (en) * | 2007-06-27 | 2010-09-24 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Optical sensor module and manufacturing method thereof |
| WO2013021747A1 (en) | 2011-08-09 | 2013-02-14 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | Image pickup device and method for manufacturing same |
| JP5274732B1 (en) * | 2011-08-09 | 2013-08-28 | オリンパスメディカルシステムズ株式会社 | Image pickup apparatus and manufacturing method thereof |
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