JPS6312865U - - Google Patents

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JPS6312865U
JPS6312865U JP1387886U JP1387886U JPS6312865U JP S6312865 U JPS6312865 U JP S6312865U JP 1387886 U JP1387886 U JP 1387886U JP 1387886 U JP1387886 U JP 1387886U JP S6312865 U JPS6312865 U JP S6312865U
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opening
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semiconductor active
narrow
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JP1387886U
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  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

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【図面の簡単な説明】
第１図ａ〜ｇは本考案の一実施例によるデユア
ルゲート電界効果トランジスタをその製造工程順
に示す図で、同図ｃ，ｅおよびｇはそれぞれ同図
ｂ，ｄおよびｆのＡ―Ａ′方向の断面図である。 １……半絶縁性ガリウムヒ素基板、２……ｎ型
ガリウムヒ素活性層、３……ソース電極パターン
、４……ドレイン電極パターン、５０……第一ゲ
ート電極パターン、６０……第二ゲート電極パタ
ーン、５′，６′……ゲート電極部、５″，６″
……電極取り出し部。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 高比抵抗層上に形成された半導体活性層と、該
    半導体活性層に形成された幅広部および幅狭部を
    有する開孔と、該開孔の幅狭部を横切つて前記半
    導体活性層と接するゲート電極部および該ゲート
    電極部の前記開孔の幅狭部における部分から前記
    開孔の幅広部に延在するゲート電極取り出し部を
    有するゲート電極と、該ゲート電極を挾んで対向
    するソースおよびドレイン電極とを含むことを特
    徴とする電界効果トランジスタ。
JP1387886U 1986-01-31 1986-01-31 Pending JPS6312865U (ja)

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JP1387886U JPS6312865U (ja) 1986-01-31 1986-01-31

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JP1387886U JPS6312865U (ja) 1986-01-31 1986-01-31

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JPS6312865U true JPS6312865U (ja) 1988-01-27

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JP1387886U Pending JPS6312865U (ja) 1986-01-31 1986-01-31

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