JPS631298B2 - - Google Patents
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Description
本発明は、(a)二価パラジウムの化合物、(b)第三
ホスフイン、(c)蟻酸、(d)蟻酸を中和し得る塩基、
および(e)該二価パラジウムの化合物が溶解される
有機溶剤の存在下にブタジエンをハイドロ二量化
することによる1・7−オクタジエンの製法に関
する。 ブタジエン(1・3−ブタジエン)の線状二量
化は、ジ−アシツド、ジ−エステル、ジオールま
たはジアミンの合成に有用なC8不飽和炭化水素
中間体の源を提供する。特に好適な二量体は、末
端二重結合を有し、そして末端官能基のみを有し
た生成物を生ずる1・7−オクタジエンである。 還元剤例えば蟻酸の存在下に溶解したパラジウ
ム化合物と1・3−ブタジエンを接触させること
により、オクタジエン例えば1・6−および1・
7−オクタジエンの混合物が生ずることが知られ
ている。溶剤が存在してよく、そしてこの溶剤は
非極性(例えば米国特許明細書第3823199号参照)
または極性(例えば米国特許明細書第3732328号
参照)またはアミン(例えば英国特許明細書第
1341324号参照)であり得る。第三ホスフイン例
えばトリフエニルホスフインもまた存在し得る
(例えば米国特許明細書第3732328号および
Journal of Organometallic Chemistry、55
(1973)、第405−407頁参照)。有機塩基も存在し
得る(Tetrahedron Letters No.2、1972、第
163−164頁参照)。 今や意外にも、本発明が関する方法が担持パラ
ジウム、白金および/またはロジウム触媒も存在
させて実施される場合に1・7−オクタジエンの
生成速度が増大することが判明した。増大速度
は、商業的な冒険的事業(Venture)にとつて重
要である。低速度での高い選択率及び変換率は、
冒険的事業を無利益にし得る。本発明は、先行技
術の発明よりも有意的に高められた速度を提供す
る。 従つて本発明は、(a)二価パラジウムの化合物、
(b)第三ホスフイン、(c)蟻酸、(d)蟻酸を中和し得る
塩基、および(e)該二価パラジウムの化合物が溶解
される有機溶剤の存在下におけるブタジエンのハ
イドロ二量化による1・7−オクタジエンの製法
において、不活性担体に担持された金属触媒を含
む助触媒もまた存在し、この助触媒において、担
持される金属が全担持触媒の0.0001−30重量%の
パラジウム、白金またはロジウムまたはその混合
物であり、担持触媒中の金属の該二価パラジウム
の化合物に対するモル比が0.001ないし10の範囲
にあることを特徴とする製法を提供する。慣用的
に用いられる二価パラジウムの化合物と第三ホス
フインの錯体に該担持触媒を添加することは、
1・7−オクタジエンへのブタジエンの変換速度
を有意的に増大させる。 米国特許明細書第3823199号に開示される如き
非極性溶剤例えばパラフイン系、シクロパラフイ
ン系または芳香族溶剤は本発明の製法に有用であ
る。溶剤は炭素原子数5−16のパラフインまたは
シクロパラフイン、例えばヘキサン、ドデカン、
ペンタデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘ
キサン等であり得る。適切な溶剤としてはまた芳
香族炭化水素例えばベンゼン、低級アルキル−置
換芳香族炭化水素例えばトルエン、m−、p−お
よびo−キシレン、クロロ、ブロモおよびヨード
置換を含めたハロゲン化芳香族炭化水素例えばク
ロロベンゼン等が挙げられる。ハロゲン化低級脂
肪族化合物例えばクロロホルム、メチレンクロリ
ド、四塩化炭素等も用い得る。 有用な溶剤はさらに英国特許明細書第1341324
号に開示されるアミン溶剤である。反応条件下に
液体であることを条件に広範囲なアミンが有用で
ある。第一および第二アミンよりも第三アミンが
好ましい。適切なアミン溶剤としては、アルキル
アミン、シクロアルキルアミン、アリールアミン
および複素環式アミン、例えばモルホリン、ピリ
ジン、ピペラジンおよびピペリジンが挙げられ
る。この種のアミンの例としては各アルキル基の
炭素原子数が2−6の低級アルキルアミン例えば
トリエチルアミン;モノ−シクロヘキシルアミ
ン、および炭素原子数12までのN−アルキル−シ
クロヘキシルアミン;アニリンおよび炭素原子数
12までのN−アルキルアニリン、および炭素原子
数12までのN−アルキルモルホリンが挙げられ
る。好適なアミン溶剤はピリジンである。 有用な溶剤としてはさらに、適度の配位能力を
有するもの例えばニトリル、例えば低級アルキル
ニトリル、炭化水素芳香族ニトリル例えばアセト
ニトリル、ベンゾニトリル等、アミド例えばベン
ズアミド、アセトアミド、モノ−およびジ−置換
アミド(置換基は好適には低級アルキルである)
がある。適切な置換アミドとしては、N−メチル
アセトアミド、N・N−ジメチルアセトアミドお
よびジメチルホルムアミドが挙げられる。ジアル
キルスルホキシド例えばジメチルスルホキシドお
よびスルホン例えばスルホランおよびアルキル−
置換スルホランが満足的である。単純なエーテ
ル、例えばジ(低級アルキル)エーテル例えばジ
メチルエーテル、ジエチルエーテル等が良好に作
用する。炭化水素芳香族エーテル、例えば低級ア
ルキルフエニルエーテルもまた使用でき、例とし
てはメチルフエニルエーテル(アニソール)、エ
チルフエニルエーテル(フエネトール)等が挙げ
られる。環状飽和炭化水素エーテル、例えばテト
ラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等も適切な
溶剤である。低級アルキルジエーテル例えばジメ
トキシエタン等も使用できる。さらに、環状ジエ
ーテル例えば1・4−ジオキサンも適切な溶剤で
ある。 低級アルカノイツクアシツドの単純な低級アル
キルエステル例えばエチルアセテート、メチルア
セテート、メチルブチラート等および環状ジエス
テル例えばエチレンカーボネートおよびプロピレ
ンカーボネートもまた適度の配位能力を有した適
切な溶剤である。 ケトン例えば低級脂肪族ケトン、例えばメチル
エチルケトン、および炭化水素芳香族ケトン例え
ばアセトフエノンも良好な溶剤である。低級モノ
−およびジ−アルカノール、例えばイソプロパノ
ール、エチレングリコール等も所望ならば使用で
きる。適度の配位能力を有した好適な溶剤として
はニトリル、ホルムアミド例えばジメチルホルム
アミド、ジ(低級アルキル)エーテル、低級アル
キルフエニルエーテル、低級アルカノイツクアシ
ツドの単純な低級アルキルエステル、ケトンおよ
び低級アルカノールが挙げられる。 特に有用な溶剤としては、ピリジン、ベンゼ
ン、ジメチルホルムアミド、クロロベンゼン、ア
ニソール、N・N−ジメチルアセトアミド、ニト
ロメタン、エチルアセテート、イソプロパノー
ル、ベンゾニトリル、クロロホルム、メチルエチ
ルケトン、アセトニトリル、ジエチルエーテル、
アセトフエノン、トルエン、エチレングリコー
ル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネ
ートおよびスルホランが挙げられる。特に望まし
い溶剤はピリジン、ニトロメタン、エチレンカー
ボネートおよびプロピレンカーボネートである。 好適な有機溶剤は1分子当り1−20個の炭素原
子を有する。特に望ましい溶剤は、容易な生成物
分離を可能とする2相系を生ずるもの、例えばニ
トロメタン、エチレンカーボネートおよびプロピ
レンカーボネートである。 溶剤添加量は、二価パラジウム化合物−第三ホ
スフイン錯体を溶解するのに充分な量であるべき
である。 製法のための水素源としては蟻酸が用いられ
る。これは使用される塩基促進剤の塩として反応
混合物中に存在する。蟻酸−塩基性の解離によ
り、所要水素を提供するのに必要な適切な量の蟻
酸を生ずると考えられる。反応混合物中に存する
過剰量の遊離酸は反応抑制効果を有する。 反応の全経路にわたつてある程度の蟻酸が塩と
して存在することが望ましい。製法をバツチ法で
実施する場合には、これは、最初に理論量の蟻酸
を添加し、ブタジエン2モル毎に1モルの蟻酸を
添加することにより、または付加的量の蟻酸を連
続的にまたは周期的に添加することにより達成で
きる。しかし、反応媒体中に存在する塩基と蟻酸
との比が決して1より小でないことが非常に望ま
しい。 塩基は次式の反応に従つて蟻酸を中和できるも
のでなければならない: HCOOH+B→HCOO-HB+. 塩基は反応媒体に不溶または可溶性であり得
る。 塩基は有機または無機のものであり得る。適切
な有機塩基は、代表的には10-8より大きな解離定
数を有し、例としては第三アミン例えばトリエチ
ルアミン、トリブチルアミン、ジメチルエチルア
ミン、ルチジン、トリプロピルアミン、N−メチ
ルモルホリン、イソキノリン、N−メチル−2・
2・6・6−テトラメチルピペリジン、2・8−
(ジメチルアミン)ナフタレン等が挙げられる。 適切な無機塩基としては、アンモニア、水酸化
物塩基例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化カルシウム;水酸化アンモニウム;炭
酸塩および重炭酸塩、例えば炭酸ナトリウム、重
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸カリウ
ム、炭酸カルシウム等;弱塩基例えば酢酸ナトリ
ウム、酢酸カリウム、炭酸アンモニウム、酢酸ア
ンモニウム等がある。無機塩基を用いた場合に
は、少量の水が存在し得る。 塩基と蟻酸とのモル比は少なくとも1であるべ
きである。有機塩基を用いた場合には溶剤として
過剰量の塩基を使用でき、またはアミン−塩基塩
を溶剤として用い得る。 適切な二価パラジウムの化合物としては、カル
ボン酸パラジウム、特に1分子当たり炭素原子数
6までのアルカン酸から誘導されたカルボン酸パ
ラジウム、例えば酢酸パラジウム、錯体例えばパ
ラジウムアセチルアセトネート、ビス−ベンゾニ
トリルパラジウム()およびリチウム塩化第一
パラジウム、並びにハロゲン化パラジウム、パラ
ジウム硝酸塩およびパラジウム硫酸塩例えば塩化
パラジウムおよび硝酸パラジウム(Pd(NO3)2
(OH)2)および硫酸パラジウムが挙げられる。
二価パラジウムの化合物は反応混合物中に触媒量
にて、好適には1ないし10-8モルおよびさらに好
適には1ないし10-6モルの量にて存在する。 反応溶剤に溶解され得る第三ホスフインのいず
れも用いられ得る。ビス−ホスフイン、例えば
1・3−ビス−フエニルホスフイノプロパンおよ
び1・4−ビス−ジフエニルホスフイノブタンは
第三ホスフインとして本発明において作用しない
と思われ、得られるブタジエン転化率は満足なも
のでない。従つてモノ−ホスフインを用いること
が好ましい。適切なホスフインは次式にて示され
る: (式中、Ra、RbおよびRcは同一または異なつて
よくそしてアリール例えばフエニル、p−トリ
ル、o−トリル、m−トリル、p−クロロフエニ
ル、フエノキシ、p−メチルフエノキシ、p−ア
ニソイル、m−アニソイル等、炭素原子数1−
8、好適には1−5のアルキル、炭素原子数1−
8、好適には1−3のアルコキシを示す)。好適
にはRa、RbおよびRcはアリール、アルキルまた
はその混合物を示す。さらに好適な第三ホスフイ
ンはトリアリールおよびトリアルキルホスフイン
である。最も好適な第三ホスフインは次の一般式
にて示される: R1R2R3P (式中R1はベンジル基、あるいは燐原子から2
炭素原子以内の炭素原子の所で枝分れしている炭
素原子数3−10の枝分れアルキルまたは枝分れア
ルケニル基を示し、R2およびR3はR1であるかま
たは独立して炭素原子数1−10のアルキル基、炭
素原子数10までのアルケニル基または炭素原子数
10までのアリール基を示す。) 用語「枝分れ」は、アルキル基の、燐原子に関
してアルフアーおよびベーター炭素原子の両方共
が−CH2−結合ではないことを意味する。ヒドロ
カルビル基が好ましい。アルキル基はアルケニル
基の如くに不飽和であることができ、または1つ
またはそれ以上のアリール基により置換されるこ
とができ、即ちアルキル基はアルアルキル基また
はシクロアルキル基であり得る。基R2およびR3
もアルケニル基の如くに不飽和基であり得る。
R1の例としては、不飽和アルキルについては、
イソプロピル、第二ブチル、第三ブチル、イソブ
チル、ネオペンチル、第二ペンチル、第三ペンチ
ル、2−メチルブチル、第二ヘキシル、第三ヘキ
シル、2・2−ジメチルプロピル;アルアルキル
については、アルフア−メチルベンジル、アルフ
ア、アルフア−ジメチルベンジル、アルフア−メ
チル−アルフア−エチルベンジル、フエニルエチ
ル、フエニルイソプロピル、フエニル−第三ブチ
ル;アルケニルについては、アリル、クロチル、
メタリル、1−メチルエテニル、1−メチル−2
−プロペニル、1・1−ジメチル−2−プロペニ
ル、1−メチル−3−ブテニル;およびシクロア
ルキルについては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘ
プチル、シクロアルキル等がある。 R2およびR3の例としては、アルキルについて
はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、ノニルおよびデシル;
アルケニルについてはアリル、クロチルおよびメ
タリル、およびアリールについてはフエニル、ト
リル、キシリル、エチルフエニル、プロピルフエ
ニルが挙げられる。好適なホスフインはトリ(イ
ソプロピル)ホスフインである。2つまたはそれ
以上のこれらのホスフインを同一反応に使用で
き、またはこれらのホスフインの1つをその場で
反応させることにより他のホスフインを置換し得
る。第三ホスフインとパラジウムとのモル比は好
適には少なくとも1である。好適にはホスフイン
とパラジウムとのモル比は約1:1ないし約1:
20および好適には約2:1ないし約5:1であ
る。本発明のホスフインの使用により1・7−オ
クタジエンへの極めて高い選択性が提供される。 本発明の促進担持助触媒は、不活性担体上に担
持されたパラジウム、白金、ロジウムまたはその
混合物からなる群から選択される金属を含む。広
い意味においてこれらの助触媒に用いられる担体
は、反応条件下にて実質的に不活性の、多数の慣
用的、多孔性触媒担体または担持材料から選択さ
れる。斯くの如き慣用的材料は天然または合成の
ものであり得る。非常に適切な担体は、珪質、ア
ルミナ質および炭質組成物のものを含む。適切な
担体の特定例としてはアルミナオキシド(商標名
Alundumにて市販の材料を含む)、木炭、活性
炭、軽石、マグネシア、ジルコニア、孔孔質珪藻
土、フラー土、炭化珪素、炭酸カルシウム、シリ
コンおよび/または炭化珪藻を含む多孔質凝集
体、シリカ、ムライト、選択粘土、人工および天
然ゼオライトおよびセラミツクが挙げられる。好
適な担体はアルミナ、シリカ、炭素例えば活性炭
およびグラフアイトである。 助触媒は慣用法により、適切な金属化合物の溶
液を担体に含浸させ、次に還元環境中で含浸担体
を加熱して金属化合物を金属に還元することによ
り製造される。 適切な含浸溶液は、例えば金属カルボン酸塩例
えば酢酸塩、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等か
ら作られる。代表的な例としては、塩化第一パラ
ジウム、硝酸第一パラジウム、酢酸パラジウム、
塩化白金第二塩化白金酸、硝酸ロジウム等が挙げ
られる。 本発明において用いられる助触媒はそれ自体新
規ではなく、今日多くの工業特に石油化学工業に
おいて、有機化合物の水素化および脱水素化に用
いられている。担持金属触媒は容易に市場にて入
手できる。 本発明の触媒は適切には全触媒重量に基づいて
0.0001−30、好適には0.001−15、さらに好適に
は0.001−10、最も好適には0.001−1重量%の金
属を含む。より一層多量の触媒金属の使用は除外
されないが、しかし金属が高価であるため全般的
に不経済である。 二価パラジウムの化合物に対する担持触媒中の
金属の比は、0.001ないし10、好ましくは0.001な
いし3、より好ましくは0.001ないし1の範囲に
ある。 担持助触媒はばらでまたは粉末形状にて使用で
きる。慣用の均質パラジウム−燐錯体触媒を用い
たバツチ反応においては粉末形状(約100メツシ
ユより小)が有用である。連続法においては、助
触媒は、慣用の均質パラジウム−ホスフイン錯体
触媒と共に固定床内にペレツト、リング等として
使用でき、または固定床内で不均質パラジウムホ
スフイン化樹脂錯体と混合され得る。 反応系への二酸化炭素の添加により、ブタジエ
ン転化率は増すが、選択率は変わらない。転化率
を増すために二酸化炭素を用いるべき場合には、
反応系中のCO2分圧は約10−約100psiaであり得
る。二酸化炭素は製法の副生物であるから、転化
率を高めるのに充分な二酸化炭素をその場で生ず
ることが可能である。 製法は連続法またはバツチ法であり得る。製法
の反応温度は臨界的ではないが、しかし、反応を
0−100℃、好適には20−70℃に保つことが好ま
しい。製法は、反応温度にて液相状態を保つのに
充分な圧力下にて実施される。代表的には圧力は
自己発生的である。 本発明の製法は油の熱分解装置からのブタジエ
ン/イソブテン/n−ブテン(BBB)流に適用
された時に特に有用である。これらのBBB流は、
代表的には30−40%のブタジエン、20−35%のイ
ソブテンおよび20−30%のn−ブテンおよび多く
の少量成分例えば約1/2%のビニルアセチレンを
含む熱分解装置からのC4留分である。ビニルア
セチレンはブタジエンのハイドロ二量化のための
適度の遅延剤である。0.2−4容量%の水素を本
発明の担持金属助触媒と共にBBBハイドロ二量
化系へ添加すると、遅延化は多分ビニルアセチレ
ンの水素化により排除される。 本発明を次の例により説明する。 例 1ないし3 80mlのガラス裏張りオートクレーブに、Pd
(NO3)2(OH)2の10%水溶液としての2.7×10-5モ
ルのパラジウム、5.4×10-5モルの(イソプロピ
ル)3ホスフイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻
酸塩、10mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタ
ジエンを充填した。撹拌された反応器を45℃に1
時間加熱し、冷却し、そして生成物に存在する
1・7−オクタジエンの量をガスクロマトグラフ
イにより分析した。その結果は、表に例aとし
て示されている。 溶解触媒、即ち溶解した二価パラジウムの化合
物(「溶解パラジウム」という。)に加えて、カー
ボン上に担持された10%wパラジウム触媒
(Baker & Co.、Inc製)0.0001g、0.001gお
よび0.01gを用いて、上記実験をさらに4回繰り
返した。その結果を表に例1−3として示す。
該表の第4欄は、生成物中の1・7−オクタジエ
ンの1時間当たりの平均生成速度(R)を示す。
第5欄は、溶解パラジウム単独を用いて得られた
速度(R0)に対して標準化された速度(R)で
あり、第6欄は、溶解パラジウムに対する担持パ
ラジウムの比率を示す。
ホスフイン、(c)蟻酸、(d)蟻酸を中和し得る塩基、
および(e)該二価パラジウムの化合物が溶解される
有機溶剤の存在下にブタジエンをハイドロ二量化
することによる1・7−オクタジエンの製法に関
する。 ブタジエン(1・3−ブタジエン)の線状二量
化は、ジ−アシツド、ジ−エステル、ジオールま
たはジアミンの合成に有用なC8不飽和炭化水素
中間体の源を提供する。特に好適な二量体は、末
端二重結合を有し、そして末端官能基のみを有し
た生成物を生ずる1・7−オクタジエンである。 還元剤例えば蟻酸の存在下に溶解したパラジウ
ム化合物と1・3−ブタジエンを接触させること
により、オクタジエン例えば1・6−および1・
7−オクタジエンの混合物が生ずることが知られ
ている。溶剤が存在してよく、そしてこの溶剤は
非極性(例えば米国特許明細書第3823199号参照)
または極性(例えば米国特許明細書第3732328号
参照)またはアミン(例えば英国特許明細書第
1341324号参照)であり得る。第三ホスフイン例
えばトリフエニルホスフインもまた存在し得る
(例えば米国特許明細書第3732328号および
Journal of Organometallic Chemistry、55
(1973)、第405−407頁参照)。有機塩基も存在し
得る(Tetrahedron Letters No.2、1972、第
163−164頁参照)。 今や意外にも、本発明が関する方法が担持パラ
ジウム、白金および/またはロジウム触媒も存在
させて実施される場合に1・7−オクタジエンの
生成速度が増大することが判明した。増大速度
は、商業的な冒険的事業(Venture)にとつて重
要である。低速度での高い選択率及び変換率は、
冒険的事業を無利益にし得る。本発明は、先行技
術の発明よりも有意的に高められた速度を提供す
る。 従つて本発明は、(a)二価パラジウムの化合物、
(b)第三ホスフイン、(c)蟻酸、(d)蟻酸を中和し得る
塩基、および(e)該二価パラジウムの化合物が溶解
される有機溶剤の存在下におけるブタジエンのハ
イドロ二量化による1・7−オクタジエンの製法
において、不活性担体に担持された金属触媒を含
む助触媒もまた存在し、この助触媒において、担
持される金属が全担持触媒の0.0001−30重量%の
パラジウム、白金またはロジウムまたはその混合
物であり、担持触媒中の金属の該二価パラジウム
の化合物に対するモル比が0.001ないし10の範囲
にあることを特徴とする製法を提供する。慣用的
に用いられる二価パラジウムの化合物と第三ホス
フインの錯体に該担持触媒を添加することは、
1・7−オクタジエンへのブタジエンの変換速度
を有意的に増大させる。 米国特許明細書第3823199号に開示される如き
非極性溶剤例えばパラフイン系、シクロパラフイ
ン系または芳香族溶剤は本発明の製法に有用であ
る。溶剤は炭素原子数5−16のパラフインまたは
シクロパラフイン、例えばヘキサン、ドデカン、
ペンタデカン、シクロヘキサン、メチルシクロヘ
キサン等であり得る。適切な溶剤としてはまた芳
香族炭化水素例えばベンゼン、低級アルキル−置
換芳香族炭化水素例えばトルエン、m−、p−お
よびo−キシレン、クロロ、ブロモおよびヨード
置換を含めたハロゲン化芳香族炭化水素例えばク
ロロベンゼン等が挙げられる。ハロゲン化低級脂
肪族化合物例えばクロロホルム、メチレンクロリ
ド、四塩化炭素等も用い得る。 有用な溶剤はさらに英国特許明細書第1341324
号に開示されるアミン溶剤である。反応条件下に
液体であることを条件に広範囲なアミンが有用で
ある。第一および第二アミンよりも第三アミンが
好ましい。適切なアミン溶剤としては、アルキル
アミン、シクロアルキルアミン、アリールアミン
および複素環式アミン、例えばモルホリン、ピリ
ジン、ピペラジンおよびピペリジンが挙げられ
る。この種のアミンの例としては各アルキル基の
炭素原子数が2−6の低級アルキルアミン例えば
トリエチルアミン;モノ−シクロヘキシルアミ
ン、および炭素原子数12までのN−アルキル−シ
クロヘキシルアミン;アニリンおよび炭素原子数
12までのN−アルキルアニリン、および炭素原子
数12までのN−アルキルモルホリンが挙げられ
る。好適なアミン溶剤はピリジンである。 有用な溶剤としてはさらに、適度の配位能力を
有するもの例えばニトリル、例えば低級アルキル
ニトリル、炭化水素芳香族ニトリル例えばアセト
ニトリル、ベンゾニトリル等、アミド例えばベン
ズアミド、アセトアミド、モノ−およびジ−置換
アミド(置換基は好適には低級アルキルである)
がある。適切な置換アミドとしては、N−メチル
アセトアミド、N・N−ジメチルアセトアミドお
よびジメチルホルムアミドが挙げられる。ジアル
キルスルホキシド例えばジメチルスルホキシドお
よびスルホン例えばスルホランおよびアルキル−
置換スルホランが満足的である。単純なエーテ
ル、例えばジ(低級アルキル)エーテル例えばジ
メチルエーテル、ジエチルエーテル等が良好に作
用する。炭化水素芳香族エーテル、例えば低級ア
ルキルフエニルエーテルもまた使用でき、例とし
てはメチルフエニルエーテル(アニソール)、エ
チルフエニルエーテル(フエネトール)等が挙げ
られる。環状飽和炭化水素エーテル、例えばテト
ラヒドロフラン、テトラヒドロピラン等も適切な
溶剤である。低級アルキルジエーテル例えばジメ
トキシエタン等も使用できる。さらに、環状ジエ
ーテル例えば1・4−ジオキサンも適切な溶剤で
ある。 低級アルカノイツクアシツドの単純な低級アル
キルエステル例えばエチルアセテート、メチルア
セテート、メチルブチラート等および環状ジエス
テル例えばエチレンカーボネートおよびプロピレ
ンカーボネートもまた適度の配位能力を有した適
切な溶剤である。 ケトン例えば低級脂肪族ケトン、例えばメチル
エチルケトン、および炭化水素芳香族ケトン例え
ばアセトフエノンも良好な溶剤である。低級モノ
−およびジ−アルカノール、例えばイソプロパノ
ール、エチレングリコール等も所望ならば使用で
きる。適度の配位能力を有した好適な溶剤として
はニトリル、ホルムアミド例えばジメチルホルム
アミド、ジ(低級アルキル)エーテル、低級アル
キルフエニルエーテル、低級アルカノイツクアシ
ツドの単純な低級アルキルエステル、ケトンおよ
び低級アルカノールが挙げられる。 特に有用な溶剤としては、ピリジン、ベンゼ
ン、ジメチルホルムアミド、クロロベンゼン、ア
ニソール、N・N−ジメチルアセトアミド、ニト
ロメタン、エチルアセテート、イソプロパノー
ル、ベンゾニトリル、クロロホルム、メチルエチ
ルケトン、アセトニトリル、ジエチルエーテル、
アセトフエノン、トルエン、エチレングリコー
ル、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネ
ートおよびスルホランが挙げられる。特に望まし
い溶剤はピリジン、ニトロメタン、エチレンカー
ボネートおよびプロピレンカーボネートである。 好適な有機溶剤は1分子当り1−20個の炭素原
子を有する。特に望ましい溶剤は、容易な生成物
分離を可能とする2相系を生ずるもの、例えばニ
トロメタン、エチレンカーボネートおよびプロピ
レンカーボネートである。 溶剤添加量は、二価パラジウム化合物−第三ホ
スフイン錯体を溶解するのに充分な量であるべき
である。 製法のための水素源としては蟻酸が用いられ
る。これは使用される塩基促進剤の塩として反応
混合物中に存在する。蟻酸−塩基性の解離によ
り、所要水素を提供するのに必要な適切な量の蟻
酸を生ずると考えられる。反応混合物中に存する
過剰量の遊離酸は反応抑制効果を有する。 反応の全経路にわたつてある程度の蟻酸が塩と
して存在することが望ましい。製法をバツチ法で
実施する場合には、これは、最初に理論量の蟻酸
を添加し、ブタジエン2モル毎に1モルの蟻酸を
添加することにより、または付加的量の蟻酸を連
続的にまたは周期的に添加することにより達成で
きる。しかし、反応媒体中に存在する塩基と蟻酸
との比が決して1より小でないことが非常に望ま
しい。 塩基は次式の反応に従つて蟻酸を中和できるも
のでなければならない: HCOOH+B→HCOO-HB+. 塩基は反応媒体に不溶または可溶性であり得
る。 塩基は有機または無機のものであり得る。適切
な有機塩基は、代表的には10-8より大きな解離定
数を有し、例としては第三アミン例えばトリエチ
ルアミン、トリブチルアミン、ジメチルエチルア
ミン、ルチジン、トリプロピルアミン、N−メチ
ルモルホリン、イソキノリン、N−メチル−2・
2・6・6−テトラメチルピペリジン、2・8−
(ジメチルアミン)ナフタレン等が挙げられる。 適切な無機塩基としては、アンモニア、水酸化
物塩基例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウ
ム、水酸化カルシウム;水酸化アンモニウム;炭
酸塩および重炭酸塩、例えば炭酸ナトリウム、重
炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、重炭酸カリウ
ム、炭酸カルシウム等;弱塩基例えば酢酸ナトリ
ウム、酢酸カリウム、炭酸アンモニウム、酢酸ア
ンモニウム等がある。無機塩基を用いた場合に
は、少量の水が存在し得る。 塩基と蟻酸とのモル比は少なくとも1であるべ
きである。有機塩基を用いた場合には溶剤として
過剰量の塩基を使用でき、またはアミン−塩基塩
を溶剤として用い得る。 適切な二価パラジウムの化合物としては、カル
ボン酸パラジウム、特に1分子当たり炭素原子数
6までのアルカン酸から誘導されたカルボン酸パ
ラジウム、例えば酢酸パラジウム、錯体例えばパ
ラジウムアセチルアセトネート、ビス−ベンゾニ
トリルパラジウム()およびリチウム塩化第一
パラジウム、並びにハロゲン化パラジウム、パラ
ジウム硝酸塩およびパラジウム硫酸塩例えば塩化
パラジウムおよび硝酸パラジウム(Pd(NO3)2
(OH)2)および硫酸パラジウムが挙げられる。
二価パラジウムの化合物は反応混合物中に触媒量
にて、好適には1ないし10-8モルおよびさらに好
適には1ないし10-6モルの量にて存在する。 反応溶剤に溶解され得る第三ホスフインのいず
れも用いられ得る。ビス−ホスフイン、例えば
1・3−ビス−フエニルホスフイノプロパンおよ
び1・4−ビス−ジフエニルホスフイノブタンは
第三ホスフインとして本発明において作用しない
と思われ、得られるブタジエン転化率は満足なも
のでない。従つてモノ−ホスフインを用いること
が好ましい。適切なホスフインは次式にて示され
る: (式中、Ra、RbおよびRcは同一または異なつて
よくそしてアリール例えばフエニル、p−トリ
ル、o−トリル、m−トリル、p−クロロフエニ
ル、フエノキシ、p−メチルフエノキシ、p−ア
ニソイル、m−アニソイル等、炭素原子数1−
8、好適には1−5のアルキル、炭素原子数1−
8、好適には1−3のアルコキシを示す)。好適
にはRa、RbおよびRcはアリール、アルキルまた
はその混合物を示す。さらに好適な第三ホスフイ
ンはトリアリールおよびトリアルキルホスフイン
である。最も好適な第三ホスフインは次の一般式
にて示される: R1R2R3P (式中R1はベンジル基、あるいは燐原子から2
炭素原子以内の炭素原子の所で枝分れしている炭
素原子数3−10の枝分れアルキルまたは枝分れア
ルケニル基を示し、R2およびR3はR1であるかま
たは独立して炭素原子数1−10のアルキル基、炭
素原子数10までのアルケニル基または炭素原子数
10までのアリール基を示す。) 用語「枝分れ」は、アルキル基の、燐原子に関
してアルフアーおよびベーター炭素原子の両方共
が−CH2−結合ではないことを意味する。ヒドロ
カルビル基が好ましい。アルキル基はアルケニル
基の如くに不飽和であることができ、または1つ
またはそれ以上のアリール基により置換されるこ
とができ、即ちアルキル基はアルアルキル基また
はシクロアルキル基であり得る。基R2およびR3
もアルケニル基の如くに不飽和基であり得る。
R1の例としては、不飽和アルキルについては、
イソプロピル、第二ブチル、第三ブチル、イソブ
チル、ネオペンチル、第二ペンチル、第三ペンチ
ル、2−メチルブチル、第二ヘキシル、第三ヘキ
シル、2・2−ジメチルプロピル;アルアルキル
については、アルフア−メチルベンジル、アルフ
ア、アルフア−ジメチルベンジル、アルフア−メ
チル−アルフア−エチルベンジル、フエニルエチ
ル、フエニルイソプロピル、フエニル−第三ブチ
ル;アルケニルについては、アリル、クロチル、
メタリル、1−メチルエテニル、1−メチル−2
−プロペニル、1・1−ジメチル−2−プロペニ
ル、1−メチル−3−ブテニル;およびシクロア
ルキルについては、シクロプロピル、シクロブチ
ル、シクロペンチル、シクロヘキシル、シクロヘ
プチル、シクロアルキル等がある。 R2およびR3の例としては、アルキルについて
はメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ
ル、ヘキシル、オクチル、ノニルおよびデシル;
アルケニルについてはアリル、クロチルおよびメ
タリル、およびアリールについてはフエニル、ト
リル、キシリル、エチルフエニル、プロピルフエ
ニルが挙げられる。好適なホスフインはトリ(イ
ソプロピル)ホスフインである。2つまたはそれ
以上のこれらのホスフインを同一反応に使用で
き、またはこれらのホスフインの1つをその場で
反応させることにより他のホスフインを置換し得
る。第三ホスフインとパラジウムとのモル比は好
適には少なくとも1である。好適にはホスフイン
とパラジウムとのモル比は約1:1ないし約1:
20および好適には約2:1ないし約5:1であ
る。本発明のホスフインの使用により1・7−オ
クタジエンへの極めて高い選択性が提供される。 本発明の促進担持助触媒は、不活性担体上に担
持されたパラジウム、白金、ロジウムまたはその
混合物からなる群から選択される金属を含む。広
い意味においてこれらの助触媒に用いられる担体
は、反応条件下にて実質的に不活性の、多数の慣
用的、多孔性触媒担体または担持材料から選択さ
れる。斯くの如き慣用的材料は天然または合成の
ものであり得る。非常に適切な担体は、珪質、ア
ルミナ質および炭質組成物のものを含む。適切な
担体の特定例としてはアルミナオキシド(商標名
Alundumにて市販の材料を含む)、木炭、活性
炭、軽石、マグネシア、ジルコニア、孔孔質珪藻
土、フラー土、炭化珪素、炭酸カルシウム、シリ
コンおよび/または炭化珪藻を含む多孔質凝集
体、シリカ、ムライト、選択粘土、人工および天
然ゼオライトおよびセラミツクが挙げられる。好
適な担体はアルミナ、シリカ、炭素例えば活性炭
およびグラフアイトである。 助触媒は慣用法により、適切な金属化合物の溶
液を担体に含浸させ、次に還元環境中で含浸担体
を加熱して金属化合物を金属に還元することによ
り製造される。 適切な含浸溶液は、例えば金属カルボン酸塩例
えば酢酸塩、ハロゲン化物、硝酸塩、硫酸塩等か
ら作られる。代表的な例としては、塩化第一パラ
ジウム、硝酸第一パラジウム、酢酸パラジウム、
塩化白金第二塩化白金酸、硝酸ロジウム等が挙げ
られる。 本発明において用いられる助触媒はそれ自体新
規ではなく、今日多くの工業特に石油化学工業に
おいて、有機化合物の水素化および脱水素化に用
いられている。担持金属触媒は容易に市場にて入
手できる。 本発明の触媒は適切には全触媒重量に基づいて
0.0001−30、好適には0.001−15、さらに好適に
は0.001−10、最も好適には0.001−1重量%の金
属を含む。より一層多量の触媒金属の使用は除外
されないが、しかし金属が高価であるため全般的
に不経済である。 二価パラジウムの化合物に対する担持触媒中の
金属の比は、0.001ないし10、好ましくは0.001な
いし3、より好ましくは0.001ないし1の範囲に
ある。 担持助触媒はばらでまたは粉末形状にて使用で
きる。慣用の均質パラジウム−燐錯体触媒を用い
たバツチ反応においては粉末形状(約100メツシ
ユより小)が有用である。連続法においては、助
触媒は、慣用の均質パラジウム−ホスフイン錯体
触媒と共に固定床内にペレツト、リング等として
使用でき、または固定床内で不均質パラジウムホ
スフイン化樹脂錯体と混合され得る。 反応系への二酸化炭素の添加により、ブタジエ
ン転化率は増すが、選択率は変わらない。転化率
を増すために二酸化炭素を用いるべき場合には、
反応系中のCO2分圧は約10−約100psiaであり得
る。二酸化炭素は製法の副生物であるから、転化
率を高めるのに充分な二酸化炭素をその場で生ず
ることが可能である。 製法は連続法またはバツチ法であり得る。製法
の反応温度は臨界的ではないが、しかし、反応を
0−100℃、好適には20−70℃に保つことが好ま
しい。製法は、反応温度にて液相状態を保つのに
充分な圧力下にて実施される。代表的には圧力は
自己発生的である。 本発明の製法は油の熱分解装置からのブタジエ
ン/イソブテン/n−ブテン(BBB)流に適用
された時に特に有用である。これらのBBB流は、
代表的には30−40%のブタジエン、20−35%のイ
ソブテンおよび20−30%のn−ブテンおよび多く
の少量成分例えば約1/2%のビニルアセチレンを
含む熱分解装置からのC4留分である。ビニルア
セチレンはブタジエンのハイドロ二量化のための
適度の遅延剤である。0.2−4容量%の水素を本
発明の担持金属助触媒と共にBBBハイドロ二量
化系へ添加すると、遅延化は多分ビニルアセチレ
ンの水素化により排除される。 本発明を次の例により説明する。 例 1ないし3 80mlのガラス裏張りオートクレーブに、Pd
(NO3)2(OH)2の10%水溶液としての2.7×10-5モ
ルのパラジウム、5.4×10-5モルの(イソプロピ
ル)3ホスフイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻
酸塩、10mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタ
ジエンを充填した。撹拌された反応器を45℃に1
時間加熱し、冷却し、そして生成物に存在する
1・7−オクタジエンの量をガスクロマトグラフ
イにより分析した。その結果は、表に例aとし
て示されている。 溶解触媒、即ち溶解した二価パラジウムの化合
物(「溶解パラジウム」という。)に加えて、カー
ボン上に担持された10%wパラジウム触媒
(Baker & Co.、Inc製)0.0001g、0.001gお
よび0.01gを用いて、上記実験をさらに4回繰り
返した。その結果を表に例1−3として示す。
該表の第4欄は、生成物中の1・7−オクタジエ
ンの1時間当たりの平均生成速度(R)を示す。
第5欄は、溶解パラジウム単独を用いて得られた
速度(R0)に対して標準化された速度(R)で
あり、第6欄は、溶解パラジウムに対する担持パ
ラジウムの比率を示す。
【表】
例b−dは、上記実験を担持パラジウムのみを
用いて行なつた繰り返しである。 例 4ないし9 80mlのガラス裏張オートクレーブに、Pd
(NO3)2(OH)2の10%水溶液としてのパラジウム
2.7×10-5モル、5.4×10-5モルの(イソプロピル)
3ホスフイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻酸
塩、10mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタジ
エンおよび表に示す適切な担持金属助触媒を充
填した。撹拌された反応器を45℃に1時間加熱
し、冷却し、そして生成物中に存する1・7−オ
クタジエンの量をガスクロマトグラフイにより分
析した。結果は表に示す如くであつた。全ての
使用粉末は100メツシユより小であつた。
用いて行なつた繰り返しである。 例 4ないし9 80mlのガラス裏張オートクレーブに、Pd
(NO3)2(OH)2の10%水溶液としてのパラジウム
2.7×10-5モル、5.4×10-5モルの(イソプロピル)
3ホスフイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻酸
塩、10mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタジ
エンおよび表に示す適切な担持金属助触媒を充
填した。撹拌された反応器を45℃に1時間加熱
し、冷却し、そして生成物中に存する1・7−オ
クタジエンの量をガスクロマトグラフイにより分
析した。結果は表に示す如くであつた。全ての
使用粉末は100メツシユより小であつた。
【表】
【表】
上記の結果から、担持パラジウム、白金および
ロジウムが他の担持触媒と比べて優れていること
がわかる。 例 10 80mlのガラス裏張オートクレーブに、表に示
した適切なパラジウム化合物のパラジウム2.7×
10-5モル、5.4×10-5モルの(イソプロピル)3ホス
フイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻酸塩、10
mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタジエンを
充填した。撹拌された反応器を45℃に1時間加熱
し、冷却し、そして生成物中に存する1・7−オ
クタジエンの量をガスクロマトグラフイにより分
析した。0.01g(9.4×10-6モル)の10%Pd/C
(Baker製<100メツシユ)を添加して、上記反応
を繰り返した。結果を表に示す。
ロジウムが他の担持触媒と比べて優れていること
がわかる。 例 10 80mlのガラス裏張オートクレーブに、表に示
した適切なパラジウム化合物のパラジウム2.7×
10-5モル、5.4×10-5モルの(イソプロピル)3ホス
フイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻酸塩、10
mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタジエンを
充填した。撹拌された反応器を45℃に1時間加熱
し、冷却し、そして生成物中に存する1・7−オ
クタジエンの量をガスクロマトグラフイにより分
析した。0.01g(9.4×10-6モル)の10%Pd/C
(Baker製<100メツシユ)を添加して、上記反応
を繰り返した。結果を表に示す。
【表】
上記結果から、多数の異なる溶解パラジウム塩
に対して、速度上昇効果が示されるということが
わかる。 例 11 80mlのガラス裏張オートクレーブに、Pd
(NO3)2(OH)2の10%水溶液としてのパラジウム
0.9×10-5モル、1.8×10-5モルの(イソプロピル)
3ホスフイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻酸
塩、10mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタジ
エンを充填した。撹拌された反応器を45℃に1時
間加熱し、冷却し、そして生成物中に存する1・
7−オクタジエンの量をガスクロマトグラフイに
より分析した。この例においては、例aに用いた
溶解パラジウムの量の3分の1を用いる。結果を
表に示す。 溶解触媒に加えて、カーボン上に担持された10
%wパラジウム触媒(Baker & Co.、Inc.製)
0.0001g、0.001gおよび0.01gを用いて、付加的
回数上記実験を繰り返した。結果を表に示す。
第3欄は、1時間当たりの生成物中の1・7−オ
クタジエンの平均生成速度(R)を示す。第4欄
は、溶解パラジウム単独を用いて得られた速度
(Rp)に対して標準化された速度(R)であり、
第5欄は、溶解パラジウムに対する担持パラジウ
ムの比率を示す。
に対して、速度上昇効果が示されるということが
わかる。 例 11 80mlのガラス裏張オートクレーブに、Pd
(NO3)2(OH)2の10%水溶液としてのパラジウム
0.9×10-5モル、1.8×10-5モルの(イソプロピル)
3ホスフイン、2.5gのトリエチルアミン−蟻酸
塩、10mlのピリジンおよび2gの1・3−ブタジ
エンを充填した。撹拌された反応器を45℃に1時
間加熱し、冷却し、そして生成物中に存する1・
7−オクタジエンの量をガスクロマトグラフイに
より分析した。この例においては、例aに用いた
溶解パラジウムの量の3分の1を用いる。結果を
表に示す。 溶解触媒に加えて、カーボン上に担持された10
%wパラジウム触媒(Baker & Co.、Inc.製)
0.0001g、0.001gおよび0.01gを用いて、付加的
回数上記実験を繰り返した。結果を表に示す。
第3欄は、1時間当たりの生成物中の1・7−オ
クタジエンの平均生成速度(R)を示す。第4欄
は、溶解パラジウム単独を用いて得られた速度
(Rp)に対して標準化された速度(R)であり、
第5欄は、溶解パラジウムに対する担持パラジウ
ムの比率を示す。
【表】
例 12
80mlのガラス裏張オートクレーブに、2.7×
10-5モルの酢酸パラジウム、1.08×10-4モルの
(イソプロピル)ホスフイン、2.5gのトリエチル
アミン−蟻酸塩、10mlのピリジン、および40.34
%の1・3−ブタジエンを含む5gのBBB流を
充填した。撹拌された反応器を40℃に1時間加熱
し、冷却し、そして生成物中に存する1・7−オ
クタジエンの量をガスクロマトグラフイにより分
析し、速度が、1時間当たり0.12%w1・7−オ
クタジエンであつたことがわかつた。0.01gの10
%Pd/C(Baker製<100メツシユ)およびブタ
ジエン基準で2%の水素を反応混合物に加えて、
上記反応を繰り返した。速度は、1時間当たり
3.98%w1・7−オクタジエンまで上昇した。
10-5モルの酢酸パラジウム、1.08×10-4モルの
(イソプロピル)ホスフイン、2.5gのトリエチル
アミン−蟻酸塩、10mlのピリジン、および40.34
%の1・3−ブタジエンを含む5gのBBB流を
充填した。撹拌された反応器を40℃に1時間加熱
し、冷却し、そして生成物中に存する1・7−オ
クタジエンの量をガスクロマトグラフイにより分
析し、速度が、1時間当たり0.12%w1・7−オ
クタジエンであつたことがわかつた。0.01gの10
%Pd/C(Baker製<100メツシユ)およびブタ
ジエン基準で2%の水素を反応混合物に加えて、
上記反応を繰り返した。速度は、1時間当たり
3.98%w1・7−オクタジエンまで上昇した。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (a)二価パラジウムの化合物、(b)第三ホスフイ
ン、(c)蟻酸、(d)蟻酸を中和し得る塩基、および(e)
該二価パラジウムの化合物が溶解される有機溶剤
の存在下におけるブタジエンのハイドロ二量化に
よる1・7−オクタジエンの製法において、不活
性担体に担持された金属触媒を含む助触媒もまた
存在し、この助触媒において、担持される金属が
全担持触媒の0.0001−30重量%のパラジウム、白
金またはロジウムまたはその混合物であり、該二
価パラジウムの化合物に対する担持触媒中の金属
のモル比が0.001ないし10の範囲にあることを特
徴とする製法。 2 担体が珪質、アルミナ質または炭素質のもの
である、特許請求の範囲第1項記載の製法。 3 金属の量が全担持触媒の0.001−15重量%で
ある、特許請求の範囲第1項または第2項記載の
製法。 4 温度が0℃−100℃である、特許請求の範囲
第1−3項のいずれか1つの項に記載の製法。 5 二価パラジウムの化合物の量が1ないし10-8
モルである、特許請求の範囲第1−4項のいずれ
か1つの項に記載の製法。 6 第三ホスフインと二価パラジウムの化合物と
のモル比が少なくとも1である、特許請求の範囲
第1−5項のいずれか1つの項に記載の製法。 7 塩基と蟻酸とのモル比が少なくとも1であ
る、特許請求の範囲第1−6項のいずれか1つの
項に記載の製法。 8 二価パラジウムの化合物に対する担持触媒中
の金属の比が0.001ないし3の範囲にある、特許
請求の範囲第1−7項のいずれか1つの項に記載
の製法。 9 二価パラジウムの化合物に対する担持触媒中
の金属の比が0.001ないし1の範囲にある、特許
請求の範囲第8項記載の製法。 10 第三ホスフインが一般式 R1R2R3P (式中R1はベンジル基、あるいは燐原子から2
炭素原子以内の炭素原子の所で枝分れしている炭
素原子数3−10の枝分れアルキルまたは枝分れア
ルケニル基を示し、R2およびR3はR1であるかま
たは独立して炭素原子数1−10のアルキル基、炭
素原子数10までのアルケニル基または炭素原子数
10までのアリール基を示す) にて示される、特許請求の範囲第1−9項のいず
れか1つの項に記載の製法。 11 第三ホスフインがトリ(イソプロピル)ホ
スフインである、特許請求の範囲第10項記載の
製法。 12 塩基が第三アミンである、特許請求の範囲
第1−11項のいずれか1つの項に記載の製法。 13 二価パラジウムの化合物が硝酸パラジウム
である、特許請求の範囲第1−12項のいずれか
1つの項に記載の製法。 14 ブタジエンが石油熱分解装置からのブタジ
エン/イソブテン/n−ブテン流に含まれ、そし
て0.2−4重量%の水素が反応混合物に添加され
る、特許請求の範囲第1−13項のいずれか1つ
の項に記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US89011678A | 1978-03-27 | 1978-03-27 | |
| US1621179A | 1979-03-05 | 1979-03-05 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54132507A JPS54132507A (en) | 1979-10-15 |
| JPS631298B2 true JPS631298B2 (ja) | 1988-01-12 |
Family
ID=26688315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3516079A Granted JPS54132507A (en) | 1978-03-27 | 1979-03-27 | Manufacture of 1*77octadiene |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0004410B1 (ja) |
| JP (1) | JPS54132507A (ja) |
| DE (1) | DE2961530D1 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4180694A (en) * | 1978-07-24 | 1979-12-25 | Shell Oil Company | Production of 1,7-octadiene from butadiene |
| EP0043039A3 (de) * | 1980-07-01 | 1982-04-07 | Ec Erdölchemie Gmbh | Verfahren zur Herstellung von 1,7-Octadien |
| US4424380A (en) * | 1981-12-07 | 1984-01-03 | Sun Tech, Inc. | Hydroformylation catalyst and process of using it |
| US4943670A (en) * | 1989-11-22 | 1990-07-24 | Shell Oil Company | Preparation of conjugated dienes |
| CA2159135C (en) * | 1994-09-28 | 2002-11-19 | Tomoyasu Tsuda | Process for producing octadienes |
| DE102007023515A1 (de) | 2006-07-05 | 2008-01-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Dienen durch Hydrodimerisierung |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3732328A (en) * | 1969-10-17 | 1973-05-08 | Ici Ltd | Process for the production of octadienes |
| GB1344887A (en) * | 1971-08-18 | 1974-01-23 | Imp Chemical Ind Ld | Production of olefines |
| GB1341324A (en) * | 1972-06-28 | 1973-12-19 | Ici Ltd | Production of olefines |
-
1979
- 1979-03-22 DE DE7979200142T patent/DE2961530D1/de not_active Expired
- 1979-03-22 EP EP79200142A patent/EP0004410B1/en not_active Expired
- 1979-03-27 JP JP3516079A patent/JPS54132507A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0004410A3 (en) | 1979-10-31 |
| JPS54132507A (en) | 1979-10-15 |
| EP0004410B1 (en) | 1981-12-09 |
| EP0004410A2 (en) | 1979-10-03 |
| DE2961530D1 (en) | 1982-02-04 |
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