JPS63130135A - 有機薄膜 - Google Patents
有機薄膜Info
- Publication number
- JPS63130135A JPS63130135A JP61275141A JP27514186A JPS63130135A JP S63130135 A JPS63130135 A JP S63130135A JP 61275141 A JP61275141 A JP 61275141A JP 27514186 A JP27514186 A JP 27514186A JP S63130135 A JPS63130135 A JP S63130135A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- group
- alkyl group
- diacetylene
- formula
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D71/00—Semi-permeable membranes for separation processes or apparatus characterised by the material; Manufacturing processes specially adapted therefor
- B01D71/06—Organic material
- B01D71/44—Polymers obtained by reactions only involving carbon-to-carbon unsaturated bonds, not provided for in a single one of groups B01D71/26-B01D71/42
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Coating Apparatus (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明はラングミュア・ブロジェット法（ＬＢ法）Ｉこ
より基板上に成膜される有機薄膜に関する。
より基板上に成膜される有機薄膜に関する。
（従来の技術）
近年、有機薄膜を利用した電気的および光学的素子の開
発が活発化する中で、特にラングミュア・ブロジェット
法（ＬＢ法）による有機薄膜の製造法が注目されている
。ＬＢ法により作られた薄膜（ＬＢ膜）は１層あたり２
０〜ｓｏＸと非常に薄いためＭＩ８やＭＩＭといった構
造を持つ素子の絶縁層あるいは電気的、光学的機能層と
して応用されようとしている。
発が活発化する中で、特にラングミュア・ブロジェット
法（ＬＢ法）による有機薄膜の製造法が注目されている
。ＬＢ法により作られた薄膜（ＬＢ膜）は１層あたり２
０〜ｓｏＸと非常に薄いためＭＩ８やＭＩＭといった構
造を持つ素子の絶縁層あるいは電気的、光学的機能層と
して応用されようとしている。
一方、ジアセチレン化合物は熱や光の作用のみで重合し
、共役ポリマーを生成するが、得られたポリマーは大き
な三次の非線型光学特性を有することが知られている。
、共役ポリマーを生成するが、得られたポリマーは大き
な三次の非線型光学特性を有することが知られている。
また、このポリマーにドナーやアクセプターをドーピン
グすることによって有機導電材料や有機半導体材料とし
て使用することができる。このため、ジアセチレン化合
物をＬＢ法により薄膜化し、電気的、光学的機能層とす
ることが試みられている。
グすることによって有機導電材料や有機半導体材料とし
て使用することができる。このため、ジアセチレン化合
物をＬＢ法により薄膜化し、電気的、光学的機能層とす
ることが試みられている。
ジアセチレン化合物のラングミュア・ブロジェット膜用
材料としては次式で示されるものが知られている。
材料としては次式で示されるものが知られている。
ＣＨｓ −６ＣＨｚへ、Ｃミｃ−ｃ＝ｃ−そＣＨ，襦Ｃ
００Ｈ（ｎおよびｍはＯから２０までの整数）しかし、
この化合物から得られるポリジアセチレンはドナー性が
強いため空気に対して不安定という欠点があった。
００Ｈ（ｎおよびｍはＯから２０までの整数）しかし、
この化合物から得られるポリジアセチレンはドナー性が
強いため空気に対して不安定という欠点があった。
（発明が解決しようとする問題点）
以上のように、ジアセチレン化合物を用いたＬＢ法によ
る有機薄膜は、空気に対して不安定であるという欠点が
あった。
る有機薄膜は、空気に対して不安定であるという欠点が
あった。
本発明はこのような問題点に鑑みなされたものであり、
空気に対して安定な有機薄膜を提供することを目的とす
る。
空気に対して安定な有機薄膜を提供することを目的とす
る。
（問題点を解決するための手段）
本発明は、ラングミュア書プロジェット法により基板上
に成膜される有機薄膜において％該有機薄膜が下記一般
式（Ｉ） Ｃ式中Ｘは炭素数７〜３０のアルキル基を表わす） および／または下記一般式（ＩＩ） （式中Ｙは炭素数１〜３０のアルキル基を表わし、Ｚは
炭素数７〜３０のアルキル基を表わす）で示されるジア
セチレン誘導体を繰り返し構造単位とするポリジアセチ
レンを含有することを特徴とする有機薄膜である。
に成膜される有機薄膜において％該有機薄膜が下記一般
式（Ｉ） Ｃ式中Ｘは炭素数７〜３０のアルキル基を表わす） および／または下記一般式（ＩＩ） （式中Ｙは炭素数１〜３０のアルキル基を表わし、Ｚは
炭素数７〜３０のアルキル基を表わす）で示されるジア
セチレン誘導体を繰り返し構造単位とするポリジアセチ
レンを含有することを特徴とする有機薄膜である。
式中、炭素数７〜３０のアルキル基とは例えば。
ヘプチル基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデ
シル基、ヘプタデシル基、トリコシル基。
シル基、ヘプタデシル基、トリコシル基。
ベンタコシル基等を意味する。また、炭素数１〜３０の
アルキル基とは例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ヘプ
タデシル基、トリコシル基、ベンタコシル基等を意味す
る。
アルキル基とは例えば、メチル基、エチル基、プロピル
基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、
オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ヘプ
タデシル基、トリコシル基、ベンタコシル基等を意味す
る。
本発明の有機薄膜は例えば次のようにして作製すること
ができる。まず下記一般式■および／または■で示され
るジアセチレン誘導体を水面上に展開し薄膜化する。
ができる。まず下記一般式■および／または■で示され
るジアセチレン誘導体を水面上に展開し薄膜化する。
ＨＯＣＨｓ Ｃ’Ｅ； ＣＣ”；；−ＣＣＨｓ ＯＣ
Ｘ ａ［１（式中Ｘは炭素数７〜３０のアルキル
基を表わす） ＹＣＯＣＨ，−ＣＴＣ−Ｃ＝Ｃ−ＣＨ，ＯＣＺ
（７１／）ｃ式中Ｙは炭素数１〜３０のアルキル基を
表わし、Ｚは炭素数７〜３０のアルキル基を表わす）次
に基板を水面に対し水平あるいは垂直に浸漬し。
Ｘ ａ［１（式中Ｘは炭素数７〜３０のアルキル
基を表わす） ＹＣＯＣＨ，−ＣＴＣ−Ｃ＝Ｃ−ＣＨ，ＯＣＺ
（７１／）ｃ式中Ｙは炭素数１〜３０のアルキル基を
表わし、Ｚは炭素数７〜３０のアルキル基を表わす）次
に基板を水面に対し水平あるいは垂直に浸漬し。
基板上に薄膜を形成する。同様の操作を数回繰り返すこ
とにより累積膜が得られる。次に放射線あるいは熱を加
えることによりポリマー化する。
とにより累積膜が得られる。次に放射線あるいは熱を加
えることによりポリマー化する。
（作用）
次式で示すジアセチレン化合物のドナー性、アクセプタ
ー性は ＸＣＨ，−Ｃ：Ｃ−（、：Ｃ−ＣＨ，Ｘ置換基Ｘを変え
ることによって変えることができる。Ｘが電子供与性で
あるアルキル基では、ドナー性が強いが、Ｘが０ＣＲ（
Ｒはアルキル基を表わす）であるエスラル基やハロゲン
原子といった電子吸引性の場合、ドナー性が弱まり、ア
クセプター性が強くなる。従って、Ｘがアルキル基では
空気中の酸素（アクセプターの一種）の攻撃を受けやす
く不安定である。一方、Ｘがエステル基やハロゲン原子
ではドナー性が弱まり、酸素に対する安定性が増す。
ー性は ＸＣＨ，−Ｃ：Ｃ−（、：Ｃ−ＣＨ，Ｘ置換基Ｘを変え
ることによって変えることができる。Ｘが電子供与性で
あるアルキル基では、ドナー性が強いが、Ｘが０ＣＲ（
Ｒはアルキル基を表わす）であるエスラル基やハロゲン
原子といった電子吸引性の場合、ドナー性が弱まり、ア
クセプター性が強くなる。従って、Ｘがアルキル基では
空気中の酸素（アクセプターの一種）の攻撃を受けやす
く不安定である。一方、Ｘがエステル基やハロゲン原子
ではドナー性が弱まり、酸素に対する安定性が増す。
しかし、テングミエア・プロジェット膜になるためには
親水基が必要であり、そのためには疎水性のハロゲン原
子よりも親水性のエステル基の方が望ましい。さらに、
安定なラングミエア・プロジェット膜になるためには、
長鎖アルキル基が存在することが望ましい。
親水基が必要であり、そのためには疎水性のハロゲン原
子よりも親水性のエステル基の方が望ましい。さらに、
安定なラングミエア・プロジェット膜になるためには、
長鎖アルキル基が存在することが望ましい。
（実施例）
以下実施例により、本発明の詳細な説明する。
１）実施例１
ａ）ジアセチレン誘導体の調整
ｚ４−へキサジイン−１，６−ジオールｌ１ｇ（Ｏｌｌ
ｍｏｌ）とピリジン８．０ｇ（０，１ｍｏｌ ）、ジオ
キサンＩ Ｑ Ｏｍｏｌをナスフラスコに入れ、水浴で
冷やしながらアラキジニルイロリド１０．０ ｇ（０，
０３ｍｏｌ）を溶解したジオキサ７５ Ｑ ｍｏｌを滴
下する。滴下終了後、フラスコを加熱して。
ｍｏｌ）とピリジン８．０ｇ（０，１ｍｏｌ ）、ジオ
キサンＩ Ｑ Ｏｍｏｌをナスフラスコに入れ、水浴で
冷やしながらアラキジニルイロリド１０．０ ｇ（０，
０３ｍｏｌ）を溶解したジオキサ７５ Ｑ ｍｏｌを滴
下する。滴下終了後、フラスコを加熱して。
８０℃で２時間かくはんする。
反応混合物を水ｌｔ中に投入し、沈殿をろ過する。得ら
れた沈殿をエタノールおよびｎ−ヘキサンで２度再結晶
することにより６−ヒドロキシ−ヘキサー２．４−ジイ
ン−１−イル、アラキジネートを得た。
れた沈殿をエタノールおよびｎ−ヘキサンで２度再結晶
することにより６−ヒドロキシ−ヘキサー２．４−ジイ
ン−１−イル、アラキジネートを得た。
得られたジアセチレン誘導体についＴＯ，Ｈ（７）元素
分析を行ない、その結果を計算値と共に第１表に示した
。
分析を行ない、その結果を計算値と共に第１表に示した
。
ｆｘ１表
また、第１図に赤外吸収スペクトルを、第２図に’Ｈ−
Ｎ Ｍ Ｒスペクトルを示す。これらの解析結果は次の
通りである。
Ｎ Ｍ Ｒスペクトルを示す。これらの解析結果は次の
通りである。
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒベレット）３３００ｃＩｎ
（水酸基）、２９１０．２’８５０ｍ” （アー１
゛ ルキル基）、１７３０ｃｒｎ （エステルカルボニル基
）、１０３０（７） （水酸基） Ｈ−ＮＭＲスペクトルａ値（重クロロホルム中）０、８
８ ｐｐｍ （メチル基、トリプレット）、１．２〜１
．７１）ｐｍ （メチレン基および水酸基）、！３５ｐ
ｐｍ （カルボニル基の隣のメチレン基、トリプレット
）、 ４．３４ ｐｐｍ（水酸基の隣のメチレン基、
ダブレット）、４．７４ｐｐｍ（エステル基とジアセチ
レンの間のメチレン基、シングレット）；面積比３．６
：３５：Ｚ２：１．８：１．８（計算値３：３５：２：
２：２）。
（水酸基）、２９１０．２’８５０ｍ” （アー１
゛ ルキル基）、１７３０ｃｒｎ （エステルカルボニル基
）、１０３０（７） （水酸基） Ｈ−ＮＭＲスペクトルａ値（重クロロホルム中）０、８
８ ｐｐｍ （メチル基、トリプレット）、１．２〜１
．７１）ｐｍ （メチレン基および水酸基）、！３５ｐ
ｐｍ （カルボニル基の隣のメチレン基、トリプレット
）、 ４．３４ ｐｐｍ（水酸基の隣のメチレン基、
ダブレット）、４．７４ｐｐｍ（エステル基とジアセチ
レンの間のメチレン基、シングレット）；面積比３．６
：３５：Ｚ２：１．８：１．８（計算値３：３５：２：
２：２）。
ｂ）有機薄膜の作製
６−ヒドロキシ−ヘキサー２４−ジイン−１−イル、ア
ラキジネートのクロロホルム溶液（濃度１、０ ｍｇ／
ｒｒＬｔ）を単分子膜製膜装置の水百上に展開し、表面
圧２０ ｄｙｎ／ｃｒ！１ の圧力でステアリン酸単分
子膜でコートされた石英基板上に水平付着法にて、１０
層累積した。累積膜に室温、窒素下で高圧水銀灯で紫外
線を照射してジアセチレン結合部を重合させた。得られ
た赤紫色の膜は空気中５０℃で１週間放置しても紫外可
視吸収スペクトルには変化が見られず空気に対して安定
であることがわかった。
ラキジネートのクロロホルム溶液（濃度１、０ ｍｇ／
ｒｒＬｔ）を単分子膜製膜装置の水百上に展開し、表面
圧２０ ｄｙｎ／ｃｒ！１ の圧力でステアリン酸単分
子膜でコートされた石英基板上に水平付着法にて、１０
層累積した。累積膜に室温、窒素下で高圧水銀灯で紫外
線を照射してジアセチレン結合部を重合させた。得られ
た赤紫色の膜は空気中５０℃で１週間放置しても紫外可
視吸収スペクトルには変化が見られず空気に対して安定
であることがわかった。
ｌＩ）実施例２
ａ）ジアセチレン誘導体の調製
２、．４−へキサジイン−１，６−ジオール５．５ｇ（
ｏ、ｏｓｍｏｔ）とピリジ７１２ｇ（０，１５ｍ０Ｉ）
ジオキサンｌＱＱｍｏｌをナスフラスコに入れ、水浴で
冷やしながらステアリルクロリド４０ｇ（０，１３ｍｏ
ｌ）を溶解したジオキサン１５０ｍｏｆを滴下する。滴
下終了後、フラスコを加熱して８０℃で２時間かくはん
する。反応混合物を水ｌｔ中に投入し、沈殿をろ過する
。得られた沈殿をエタノールで２度再結晶することによ
り、 １４−ヘキサジイン−１，６−ジイル、ステア
レートを得た。
ｏ、ｏｓｍｏｔ）とピリジ７１２ｇ（０，１５ｍ０Ｉ）
ジオキサンｌＱＱｍｏｌをナスフラスコに入れ、水浴で
冷やしながらステアリルクロリド４０ｇ（０，１３ｍｏ
ｌ）を溶解したジオキサン１５０ｍｏｆを滴下する。滴
下終了後、フラスコを加熱して８０℃で２時間かくはん
する。反応混合物を水ｌｔ中に投入し、沈殿をろ過する
。得られた沈殿をエタノールで２度再結晶することによ
り、 １４−ヘキサジイン−１，６−ジイル、ステア
レートを得た。
得られたジアセチレン誘導体についてＣ，Ｈの元素分析
を行ない、その結果を計算値と共に第２表に示した。
を行ない、その結果を計算値と共に第２表に示した。
以下余白
第２表
また、ＩＲスペクトルと’Ｈ−ＮＭＲスペクトルを第３
図及び第４図に示した。これらの解析結果を次に記す。
図及び第４図に示した。これらの解析結果を次に記す。
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒペレット）２９１０．２８
５０ｃｍ （アルキル基）、 １７３５ｔＭ（エス
テルカルボニル基） ’Ｈ−ＮＭＲスペクトルδ値（重クロロホルム中）０、
８８ ｐｐｍ （メチル基、トリプレット）、１．２〜
１．７ ｐｐｍ （メチレン基）、２．３４ ｐｐｍ
（カルボニル基の隣のメチレン基、トリブレット）、４
、７３ ｐｐｍ （エステル基とジアセチレンの間のメ
チレン基、シングレット）；面積比３．０：３０：２．
０：１．８（計算値３：３０：２：２）ｂ）有機薄膜の
作製 上述のようにして得られたｚ４−へキサジインー工、６
−ジイル、ジアラキジネートを６−ヒドロキシ−ヘキサ
ー２４−ジイン−１−イル、アラキジネートのかわりに
用いる他は実施例１で示したものと同様の方法にて、１
０層製膜後、紫外線でジアセチレン結合部を重合させた
。この紫色の膜も空気中５０℃で１週間放置しても紫外
可視吸収スペクトルには変化が見られず空気に対して安
定であることがわかった。
５０ｃｍ （アルキル基）、 １７３５ｔＭ（エス
テルカルボニル基） ’Ｈ−ＮＭＲスペクトルδ値（重クロロホルム中）０、
８８ ｐｐｍ （メチル基、トリプレット）、１．２〜
１．７ ｐｐｍ （メチレン基）、２．３４ ｐｐｍ
（カルボニル基の隣のメチレン基、トリブレット）、４
、７３ ｐｐｍ （エステル基とジアセチレンの間のメ
チレン基、シングレット）；面積比３．０：３０：２．
０：１．８（計算値３：３０：２：２）ｂ）有機薄膜の
作製 上述のようにして得られたｚ４−へキサジインー工、６
−ジイル、ジアラキジネートを６−ヒドロキシ−ヘキサ
ー２４−ジイン−１−イル、アラキジネートのかわりに
用いる他は実施例１で示したものと同様の方法にて、１
０層製膜後、紫外線でジアセチレン結合部を重合させた
。この紫色の膜も空気中５０℃で１週間放置しても紫外
可視吸収スペクトルには変化が見られず空気に対して安
定であることがわかった。
１１；）実施例３
ａ）ジアセチレン誘導体の調製
実施例１で得た６−ヒドロキシ−ヘキサー２．４−ジイ
ン−１−イル、アラキジネート４ｇ（０，０１ｍｏりと
ピリジ’Ｊ １．２ ｇ （０，０１５ｍｏｌ ）、ジ
オキサンｓ ｏ ｍｔをナスフラスコに入れ、水浴で冷
やしながらアセチルクロリド１．２ ｇ （０，０１５
ｍｏ！ ）を滴下する。滴下終了後、フラスコを加熱し
て８０℃で２時間かくはんする。反応混合物を水ｌｔ中
に投入し、沈殿をろ過する。得られた沈殿をエタノール
で再結晶することにより６−アセトキシ−へキサ−１４
−ジイン−１−イル、アラキジネートを得た。
ン−１−イル、アラキジネート４ｇ（０，０１ｍｏりと
ピリジ’Ｊ １．２ ｇ （０，０１５ｍｏｌ ）、ジ
オキサンｓ ｏ ｍｔをナスフラスコに入れ、水浴で冷
やしながらアセチルクロリド１．２ ｇ （０，０１５
ｍｏ！ ）を滴下する。滴下終了後、フラスコを加熱し
て８０℃で２時間かくはんする。反応混合物を水ｌｔ中
に投入し、沈殿をろ過する。得られた沈殿をエタノール
で再結晶することにより６−アセトキシ−へキサ−１４
−ジイン−１−イル、アラキジネートを得た。
得られたジアセチレン誘導体についてＣ，Ｈの元素分析
を行ない、その結果を計算値と共に第３表に示した。
を行ない、その結果を計算値と共に第３表に示した。
第３表
２９８０．２８５０ａｎ （アルキル基）、１７３５
ｃｒｎ（エステルカルボニル基） ０、８８ ｐＩ）ｍ （メチル基、トリブレット）、１
．２〜１．７ ｐｐｍ （メチレン基）、１１２ｐｐｍ
（アセチル基のメチル基、シングレット）％２．３４
ｐｐｍ（カルボニル基の隣のメチレン基、トリプレット
）。
ｃｒｎ（エステルカルボニル基） ０、８８ ｐＩ）ｍ （メチル基、トリブレット）、１
．２〜１．７ ｐｐｍ （メチレン基）、１１２ｐｐｍ
（アセチル基のメチル基、シングレット）％２．３４
ｐｐｍ（カルボニル基の隣のメチレン基、トリプレット
）。
４、７４ ｐｐｍ （エステル基とジアセチレンの間の
メチレン基）；面積比３．０：３５：３．０：２．１：
３．８（計算値３：３４：３：２：４）ｂ）有機薄膜の
作製 ６−アセトキシ−へキサ−２４−ジイン−１−イル、ア
ラキジネートを６−ヒドロキシ−ヘキサー１４−ジイン
−１−イル、アラキジネートのかわりに用いる他は製造
例１で示したものと同様の方法にて、１０層製膜後、紫
外線でジアセチレン結合部を重合させた。この紫色の膜
も空気中５０℃で１週間放置しても紫外可視吸収スペク
トルには変化が見られず空気に対して安定であることが
わかった。
メチレン基）；面積比３．０：３５：３．０：２．１：
３．８（計算値３：３４：３：２：４）ｂ）有機薄膜の
作製 ６−アセトキシ−へキサ−２４−ジイン−１−イル、ア
ラキジネートを６−ヒドロキシ−ヘキサー１４−ジイン
−１−イル、アラキジネートのかわりに用いる他は製造
例１で示したものと同様の方法にて、１０層製膜後、紫
外線でジアセチレン結合部を重合させた。この紫色の膜
も空気中５０℃で１週間放置しても紫外可視吸収スペク
トルには変化が見られず空気に対して安定であることが
わかった。
ｌｖ ）比較例
ペンタコサ−１０，１２−ジイン酸のクロロホルム溶液
（濃度１．ｏｍｇ／ｍｔ）を単分子膜製膜装置の水面上
（塩化カドミウム濃度０．２ｍｍｏｌ）に展開し１表面
圧３０ ｄｙｎ１５の圧力で、ステアリン酸単分子膜で
コートされた石英基板上に垂直浸漬法にて１０層累積し
た。累積膜に室温、窒素下で高圧水銀灯で紫外線を照射
してジアセチレン結合部を重合させた。得られた！紫色
の膜を空気中。
（濃度１．ｏｍｇ／ｍｔ）を単分子膜製膜装置の水面上
（塩化カドミウム濃度０．２ｍｍｏｌ）に展開し１表面
圧３０ ｄｙｎ１５の圧力で、ステアリン酸単分子膜で
コートされた石英基板上に垂直浸漬法にて１０層累積し
た。累積膜に室温、窒素下で高圧水銀灯で紫外線を照射
してジアセチレン結合部を重合させた。得られた！紫色
の膜を空気中。
え
５０℃で１週間放置すると、紫外可紫吸収スペクトルに
おいて吸光度が減少し、空気に対して不安定であること
がわかった。
おいて吸光度が減少し、空気に対して不安定であること
がわかった。
本発明によれば、空気に対して安定なポリジアセチレン
を含む有機薄膜を得ることができる。
を含む有機薄膜を得ることができる。
第１図は６−ヒトロキシーヘキサーｚ４−ジイン−１−
イル、アラキジネートのＩＲスペクトル、第２図は６−
ヒドロキシ−ヘキサー２．４−ジイン−１−イル−アラ
キジネートの’Ｈ−ＮＭＲスペクトル、第３図は２．４
−へキサジイン−１，６−ジイルジステアレートのＩＲ
スペクトル、第４図は２．４−へキサジイン−１，６−
ジイルジステアレートの’Ｈ−ＮＭＲスペクトルである
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
イル、アラキジネートのＩＲスペクトル、第２図は６−
ヒドロキシ−ヘキサー２．４−ジイン−１−イル−アラ
キジネートの’Ｈ−ＮＭＲスペクトル、第３図は２．４
−へキサジイン−１，６−ジイルジステアレートのＩＲ
スペクトル、第４図は２．４−へキサジイン−１，６−
ジイルジステアレートの’Ｈ−ＮＭＲスペクトルである
。 代理人 弁理士 則 近 憲 佑 同 竹 花 喜久男
Claims (1)
- （１）ラングミュア・ブロジェット法により基板上に成
膜される有機薄膜において、該有機薄膜が下記一般式（
I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （式中Ｘは炭素数７〜３０のアルキル基を表わす） および／または下記一般式（II） ▲数式、化学式、表等があります▼（II） （式中Ｙは炭素数１〜３０のアルキル基を表わし、Ｚは
炭素数７〜３０のアルキル基を表わす）で示されるジア
セチレン誘導体を繰り返し構造単位とするポリジアセチ
レンを含有することを特徴とする有機薄膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275141A JPS63130135A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 有機薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61275141A JPS63130135A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 有機薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63130135A true JPS63130135A (ja) | 1988-06-02 |
Family
ID=17551259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61275141A Pending JPS63130135A (ja) | 1986-11-20 | 1986-11-20 | 有機薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63130135A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5484558A (en) * | 1992-11-25 | 1996-01-16 | Polaroid Corporation | Method for making flexible transducers for use with photon tunneling microscopes |
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| JP2007073565A (ja) * | 2005-09-02 | 2007-03-22 | Dainippon Printing Co Ltd | 液晶性有機化合物、有機半導体構造物及び有機半導体装置並びに液晶性有機化合物の製造方法 |
| JP2007161717A (ja) * | 2005-12-16 | 2007-06-28 | Sungkyunkwan Univ Foundation For Corporate Collaboration | ポリジアセチレン超分子体とリガンド検出方法。 |
| JP2008023423A (ja) * | 2006-07-19 | 2008-02-07 | Hiroshima Univ | 混合液供給装置及びその制御方法 |
-
1986
- 1986-11-20 JP JP61275141A patent/JPS63130135A/ja active Pending
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