JPS63133105A - 光フイルタ素子 - Google Patents
光フイルタ素子Info
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- JPS63133105A JPS63133105A JP61279779A JP27977986A JPS63133105A JP S63133105 A JPS63133105 A JP S63133105A JP 61279779 A JP61279779 A JP 61279779A JP 27977986 A JP27977986 A JP 27977986A JP S63133105 A JPS63133105 A JP S63133105A
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- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/50—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30
- H01S5/5045—Amplifier structures not provided for in groups H01S5/02 - H01S5/30 the arrangement having a frequency filtering function
-
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-
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- H01S5/062—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes
- H01S5/0625—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium by varying the potential of the electrodes in multi-section lasers
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- H01S5/20—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers
- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
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-
- H—ELECTRICITY
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- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
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- H01S5/22—Structure or shape of the semiconductor body to guide the optical wave ; Confining structures perpendicular to the optical axis, e.g. index or gain guiding, stripe geometry, broad area lasers, gain tailoring, transverse or lateral reflectors, special cladding structures, MQW barrier reflection layers having a ridge or stripe structure
- H01S5/227—Buried mesa structure ; Striped active layer
- H01S5/2275—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching
- H01S5/2277—Buried mesa structure ; Striped active layer mesa created by etching double channel planar buried heterostructure [DCPBH] laser
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光フィルタ素子、特に分布帰還構造を有する
光フィルタ素子に関する。
光フィルタ素子に関する。
波長多重化光信号から任意の光信号を選択する機能を有
する光フィルタ素子は、光伝送、光交換。
する光フィルタ素子は、光伝送、光交換。
光情報処理等において広範な用途に応用可能なキーデバ
イスの1つである。そして、いずれの用途においても光
フィルタ素子の特性として十分な波長選択度と選択波長
の広い可変同調幅が必要とされている。また、構造とし
て光集積回路化が不可欠なことから、任意の選択したい
波長のみを透過する透過型の波長選択フィルタであるこ
とも必要である。
イスの1つである。そして、いずれの用途においても光
フィルタ素子の特性として十分な波長選択度と選択波長
の広い可変同調幅が必要とされている。また、構造とし
て光集積回路化が不可欠なことから、任意の選択したい
波長のみを透過する透過型の波長選択フィルタであるこ
とも必要である。
従来から、透過型の波長選択フィルタに関してはいくつ
かの検討がなされている。その中で、半導体活性層を用
いた光増幅素子内に波長選択性のある光帰還構造を設け
た構造の光フィルタ素子が、活性層への注入キャリア濃
度により選択波長の可変同調が可能で、かつ透過型の集
積化に適しているという点から期待を集めている。特に
光帰還構造としては、襞間によるファブリ・ベロー共振
器よりも回折格子から成る分布帰還構造の方が、波長選
択性および光集積化の点で有利であり、それらの構造を
用いた光フィルタ素子の提案および理論的検討もされて
いる〔オプティクス・コミュニケーションズ(Opti
cs Communications)第10巻。
かの検討がなされている。その中で、半導体活性層を用
いた光増幅素子内に波長選択性のある光帰還構造を設け
た構造の光フィルタ素子が、活性層への注入キャリア濃
度により選択波長の可変同調が可能で、かつ透過型の集
積化に適しているという点から期待を集めている。特に
光帰還構造としては、襞間によるファブリ・ベロー共振
器よりも回折格子から成る分布帰還構造の方が、波長選
択性および光集積化の点で有利であり、それらの構造を
用いた光フィルタ素子の提案および理論的検討もされて
いる〔オプティクス・コミュニケーションズ(Opti
cs Communications)第10巻。
120ページ参照〕。
しかしながら、これら従来から提案され、検討されてき
た光増幅素子内に分布帰還構造を有する光フィル分素子
は、選択波長の同調のために活性層への注入キャリア濃
度を調整した場合、同時に選択波長に対する光利得およ
び自然放出光強度も変化するため、光フィルタ素子とし
て必要な波長選択度を得るため、および対雑音信号強度
比を得るためには、活性層への注入キャリア濃度が原理
上狭く限定され、その結果として選択波長の可変同調幅
が数人程度と小さいため、数チャンネルのフィルタとし
てしか使えないという欠点があった。
た光増幅素子内に分布帰還構造を有する光フィル分素子
は、選択波長の同調のために活性層への注入キャリア濃
度を調整した場合、同時に選択波長に対する光利得およ
び自然放出光強度も変化するため、光フィルタ素子とし
て必要な波長選択度を得るため、および対雑音信号強度
比を得るためには、活性層への注入キャリア濃度が原理
上狭く限定され、その結果として選択波長の可変同調幅
が数人程度と小さいため、数チャンネルのフィルタとし
てしか使えないという欠点があった。
本発明の目的は、増幅機能を有し、かつ上述の欠点を除
去した、大きな選択波長の可変同調幅を得ることのでき
る数十チャンネル以上の光フィルタ素子を提供すること
にある。
去した、大きな選択波長の可変同調幅を得ることのでき
る数十チャンネル以上の光フィルタ素子を提供すること
にある。
本発明の光フィルタ素子は、λ/4シフト構造を有する
分布帰還領域と、活性領域とが直列に配置され、かつ前
記分布帰還領域と活性領域とが光学的に結合された素子
の両端面が無反射構造になっていることを特徴としてい
る。また、この無反射構造がウィンドウ構造から成るこ
とを特徴としている。
分布帰還領域と、活性領域とが直列に配置され、かつ前
記分布帰還領域と活性領域とが光学的に結合された素子
の両端面が無反射構造になっていることを特徴としてい
る。また、この無反射構造がウィンドウ構造から成るこ
とを特徴としている。
分布帰還構造を有する光導波路の光透過特性は、透過波
長域において光利得をもたない場合、各分布帰還領域の
光学的位相がそろっているときには、その回折格子の光
学的周期から定まるブラッグ波長を中心に数十人程度の
1つの透過阻止波長域を形成する。一方、分布帰還領域
の中央を境にして両側で光学的位相がπずれた場合(こ
の場合、素子内を伝播する光の波長をλとすると、回折
格子のピッチがλ/4だけずれたことに対応するので、
λ/4シフ1〜構造と呼ばれる)は、透過阻止波長域は
分裂し、上述の数十人程度の透過阻止波長域の中央に1
〜2人程度以下の狭い幅の透過波長域が生しる。このλ
/4シフト構造を有する分布帰還領域をもつ光導波路層
を透過波長より短波例の組成の半導体で構成すれば光利
得がないため、キャリア注入によりブラッグ波長を中心
とする1〜2人程度以下の狭い幅で大きな波長選択幅が
得られ、さらに自然放出光による対雑音強度比の劣化を
生じることもない。
長域において光利得をもたない場合、各分布帰還領域の
光学的位相がそろっているときには、その回折格子の光
学的周期から定まるブラッグ波長を中心に数十人程度の
1つの透過阻止波長域を形成する。一方、分布帰還領域
の中央を境にして両側で光学的位相がπずれた場合(こ
の場合、素子内を伝播する光の波長をλとすると、回折
格子のピッチがλ/4だけずれたことに対応するので、
λ/4シフ1〜構造と呼ばれる)は、透過阻止波長域は
分裂し、上述の数十人程度の透過阻止波長域の中央に1
〜2人程度以下の狭い幅の透過波長域が生しる。このλ
/4シフト構造を有する分布帰還領域をもつ光導波路層
を透過波長より短波例の組成の半導体で構成すれば光利
得がないため、キャリア注入によりブラッグ波長を中心
とする1〜2人程度以下の狭い幅で大きな波長選択幅が
得られ、さらに自然放出光による対雑音強度比の劣化を
生じることもない。
また、前述の光導波路層は利得をもっていないので、増
幅機能を有する光フィルタ素子を構成するためには、活
性領域と分布帰還領域とを光学的に結合させてやればよ
い。すなわち、光を活性領域に注入して増幅した後に分
布帰還領域に透過させる構造にすれば、増幅機能をもっ
た光フィルタ素子を得ることができる。ここで、注意す
べき点が1つ存在する。すなわち、光フィルタ素子の両
端面を無反射構造とする必要がある。この理由は、無反
射構造にしなければ、DBR(分布帰還型)レーザとし
て発振してしまい、光フィルタ素子として使えなくなる
からである。無反射構造にするためには、ウィンドウ構
造あるいは端面にSiN膜をコーティングするなどの方
法があるが、確実に反射を抑えるためにウィンドウ構造
を採用した。
幅機能を有する光フィルタ素子を構成するためには、活
性領域と分布帰還領域とを光学的に結合させてやればよ
い。すなわち、光を活性領域に注入して増幅した後に分
布帰還領域に透過させる構造にすれば、増幅機能をもっ
た光フィルタ素子を得ることができる。ここで、注意す
べき点が1つ存在する。すなわち、光フィルタ素子の両
端面を無反射構造とする必要がある。この理由は、無反
射構造にしなければ、DBR(分布帰還型)レーザとし
て発振してしまい、光フィルタ素子として使えなくなる
からである。無反射構造にするためには、ウィンドウ構
造あるいは端面にSiN膜をコーティングするなどの方
法があるが、確実に反射を抑えるためにウィンドウ構造
を採用した。
次に図面を参照して本発明の実施例を詳細に説明する。
第1図は、本発明の一実施例の光フィルタ素子の構造を
示す図である。以下、製作手順に従いながら本実施例の
構造について説明する。まず、n形1nP基板110上
の分布帰還領域300に周期2400人のλ/4シフト
回折格子(λ/4シフト位置210)を形成する。次に
1回目のLPE成長(液相成長)によってノンドープI
nGaAsP光ガイド層120(λg =1.3 um
+厚さ0.3 pm)、 n形InPバッファ層13
0(厚さ0.1 pm>、ノンドープ活性層140(λ
9 =1.53#m、厚さ0.1 μ1Il)lp形I
nPクラッド層150(厚さ0.2μm)を順次成長す
る。
示す図である。以下、製作手順に従いながら本実施例の
構造について説明する。まず、n形1nP基板110上
の分布帰還領域300に周期2400人のλ/4シフト
回折格子(λ/4シフト位置210)を形成する。次に
1回目のLPE成長(液相成長)によってノンドープI
nGaAsP光ガイド層120(λg =1.3 um
+厚さ0.3 pm)、 n形InPバッファ層13
0(厚さ0.1 pm>、ノンドープ活性層140(λ
9 =1.53#m、厚さ0.1 μ1Il)lp形I
nPクラッド層150(厚さ0.2μm)を順次成長す
る。
次に分布帰還領域300およびウィンドウ領域101の
部分のInPクラッド層150と活性層140とを選択
的に除去する。次に2回目のLPF’、成長によって全
体にp形1nPクラッド層160を形成する。
部分のInPクラッド層150と活性層140とを選択
的に除去する。次に2回目のLPF’、成長によって全
体にp形1nPクラッド層160を形成する。
次に埋め込み構造およびウィンドウ構造とするためにエ
ツチングを行った後、3回目のLPE成長によって埋め
込み成長を行うと、ウィンドウ構造も形成される。ここ
では、埋め込み構造として二重チャンネルプレーナ埋め
込み構造を用いた。
ツチングを行った後、3回目のLPE成長によって埋め
込み成長を行うと、ウィンドウ構造も形成される。ここ
では、埋め込み構造として二重チャンネルプレーナ埋め
込み構造を用いた。
最後に基板側と成長層側に電極を形成した後、活性領域
200と分布帰還領域300の間に中央のメサ付近を除
いて幅20μmのa250を形成する。ウィンドウ領域
]、00.101..活性領域2001分布帰分布帰還
構造の長さは、それぞれ30μm、30μm、100
μm、500 μmである。
200と分布帰還領域300の間に中央のメサ付近を除
いて幅20μmのa250を形成する。ウィンドウ領域
]、00.101..活性領域2001分布帰分布帰還
構造の長さは、それぞれ30μm、30μm、100
μm、500 μmである。
以上のようにして製作した本実施例の光フィルタ素子の
透過特性の一例を第2図を参照しながら説明する。活性
領域に500mAの電流を注入した時、消光比は2(M
B以上、透過波長の10dB減衰幅は0.5人であった
。また、第2図に示されるように、分布帰還領域に電流
を流さない時は、透過波長は1 、5563μm 、8
0mAの電流を注入した時は、透過波長は1.5505
μmとなり、注入電流0〜80mA間で連続して透過波
長は58人変化した。また、回折格子の深さは800人
、透過阻止波長域は65人であった。
透過特性の一例を第2図を参照しながら説明する。活性
領域に500mAの電流を注入した時、消光比は2(M
B以上、透過波長の10dB減衰幅は0.5人であった
。また、第2図に示されるように、分布帰還領域に電流
を流さない時は、透過波長は1 、5563μm 、8
0mAの電流を注入した時は、透過波長は1.5505
μmとなり、注入電流0〜80mA間で連続して透過波
長は58人変化した。また、回折格子の深さは800人
、透過阻止波長域は65人であった。
以上の特性から、透過阻止波長域の約半分ずなわち30
人程度の範囲内に0.5程度度の間隔で波長多重化され
た信号から任意の波長選択が可能となることがわかる。
人程度の範囲内に0.5程度度の間隔で波長多重化され
た信号から任意の波長選択が可能となることがわかる。
すなわち、60チャンネル程度の波長可変フィルタとし
て使うことができる。
て使うことができる。
以」二本発明の一実施例について説明したが、素子の材
料および組成は、上述の実施例に限定されるものではな
く、他の半導体材料や誘電体材料などであってもよい。
料および組成は、上述の実施例に限定されるものではな
く、他の半導体材料や誘電体材料などであってもよい。
また、光導波路構造は光を導波する機能をもつならば、
プレーナ構造や埋め込み構造に限らず、いかなる構造で
あってもよく、例えば積層方向に光を入射1透過させる
間型構造であってもよい。さらに、分布帰還構造も光導
波路に回折格子を構成した導波路型に限らず、屈折率の
異なる層を交互に積層した間型構造であってもよい。ま
た、本発明の光フィルタ素子の端面には無反射コートを
施せば、入射光の光フィルタへの結合効率を改善するこ
とができ、更に特性を向上させることができる。
プレーナ構造や埋め込み構造に限らず、いかなる構造で
あってもよく、例えば積層方向に光を入射1透過させる
間型構造であってもよい。さらに、分布帰還構造も光導
波路に回折格子を構成した導波路型に限らず、屈折率の
異なる層を交互に積層した間型構造であってもよい。ま
た、本発明の光フィルタ素子の端面には無反射コートを
施せば、入射光の光フィルタへの結合効率を改善するこ
とができ、更に特性を向上させることができる。
従来の光フィルタ素子では数チャンネルが限度であった
が、本発明の光フィルタ素子によって、60チヤンネル
迄の波長多重化された光信号からの任意の波長選択が可
能となった。
が、本発明の光フィルタ素子によって、60チヤンネル
迄の波長多重化された光信号からの任意の波長選択が可
能となった。
第1図は、本発明の一実施例の光フィルタ素子の構造を
示す斜視図、 第2図は、第1図の実施例の光フィルタ素子の透過特性
を示す図である。 100、101 ・・・ウィンドウ領域110 ・
・・・・基板 120 ・・・・・光ガイド層 130 ・・・・・バッファ層 140 ・・・・・活性層 150、160 ・・・クラッド層 210 ・・・・・λ/4シフト位置200 ・・
・・・活性領域 250 ・・・・・溝
示す斜視図、 第2図は、第1図の実施例の光フィルタ素子の透過特性
を示す図である。 100、101 ・・・ウィンドウ領域110 ・
・・・・基板 120 ・・・・・光ガイド層 130 ・・・・・バッファ層 140 ・・・・・活性層 150、160 ・・・クラッド層 210 ・・・・・λ/4シフト位置200 ・・
・・・活性領域 250 ・・・・・溝
Claims (2)
- (1)λ/4シフト構造を有する分布帰還領域と、活性
領域とが直列に配置され、かつ前記分布帰還領域と活性
領域とが光学的に結合された素子の両端面が無反射構造
になっていることを特徴とする光フィルタ素子。 - (2)特許請求の範囲第1項記載の光フィルタ素子にお
いて、前記無反射構造が、ウィンドウ構造から成ること
を特徴とする光フィルタ素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279779A JPH0719928B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 光フイルタ素子 |
| EP87117295A EP0269061B1 (en) | 1986-11-26 | 1987-11-24 | An optical filter device |
| DE8787117295T DE3787076D1 (de) | 1986-11-26 | 1987-11-24 | Optische filtervorrichtung. |
| US07/343,553 US5084897A (en) | 1986-11-26 | 1989-04-27 | Optical filter device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61279779A JPH0719928B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 光フイルタ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63133105A true JPS63133105A (ja) | 1988-06-04 |
| JPH0719928B2 JPH0719928B2 (ja) | 1995-03-06 |
Family
ID=17615803
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61279779A Expired - Lifetime JPH0719928B2 (ja) | 1986-11-26 | 1986-11-26 | 光フイルタ素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5084897A (ja) |
| EP (1) | EP0269061B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0719928B2 (ja) |
| DE (1) | DE3787076D1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02154221A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
| US5088097A (en) * | 1990-04-04 | 1992-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same |
| US5440581A (en) * | 1992-01-13 | 1995-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical filter and an optical communication system using the same |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0391334B1 (en) * | 1989-04-04 | 1994-08-31 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and wavelength selective fitter, and methods of driving the same |
| EP0602725B1 (en) * | 1992-12-16 | 1997-12-17 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device |
| JPH0738204A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体光デバイス及びその製造方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220493A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Nec Corp | 光増幅素子 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4575851A (en) * | 1981-12-07 | 1986-03-11 | Nippon Electric Co., Ltd. | Double channel planar buried heterostructure laser with periodic structure formed in guide layer |
| JPS59205787A (ja) * | 1983-05-09 | 1984-11-21 | Nec Corp | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| JPS60189981A (ja) * | 1984-03-12 | 1985-09-27 | Nec Corp | 単一軸モ−ド半導体レ−ザ |
| JPH0632332B2 (ja) * | 1984-08-24 | 1994-04-27 | 日本電気株式会社 | 半導体レ−ザ装置 |
| JPS6155981A (ja) * | 1984-08-27 | 1986-03-20 | Kokusai Denshin Denwa Co Ltd <Kdd> | 半導体発光素子 |
| US4744089A (en) * | 1986-05-19 | 1988-05-10 | The Perkin-Elmer Corporation | Monolithic semiconductor laser and optical amplifier |
| JPH0656908B2 (ja) * | 1987-03-31 | 1994-07-27 | 日本電信電話株式会社 | 波長変換素子 |
| JP2659187B2 (ja) * | 1987-04-14 | 1997-09-30 | 日本電気株式会社 | 光フィルタ素子 |
-
1986
- 1986-11-26 JP JP61279779A patent/JPH0719928B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1987
- 1987-11-24 EP EP87117295A patent/EP0269061B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-11-24 DE DE8787117295T patent/DE3787076D1/de not_active Expired - Lifetime
-
1989
- 1989-04-27 US US07/343,553 patent/US5084897A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61220493A (ja) * | 1985-03-27 | 1986-09-30 | Nec Corp | 光増幅素子 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02154221A (ja) * | 1988-12-06 | 1990-06-13 | Fujitsu Ltd | 光半導体装置 |
| US5088097A (en) * | 1990-04-04 | 1992-02-11 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor laser element capable of changing emission wavelength, and method of driving the same |
| US5440581A (en) * | 1992-01-13 | 1995-08-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Semiconductor optical filter and an optical communication system using the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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