JPS63137401A - 厚膜回路基板 - Google Patents
厚膜回路基板Info
- Publication number
- JPS63137401A JPS63137401A JP61284623A JP28462386A JPS63137401A JP S63137401 A JPS63137401 A JP S63137401A JP 61284623 A JP61284623 A JP 61284623A JP 28462386 A JP28462386 A JP 28462386A JP S63137401 A JPS63137401 A JP S63137401A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thick film
- resistor
- conductor
- circuit board
- film circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Landscapes
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は混成集積回路に使用される厚膜回路基板に関す
る。
る。
従来の厚膜抵抗体を含む厚膜回路基板を第３図。
第４図に示す。第３図において、１は厚膜抵抗体。
２ａ、２ｂは該厚膜抵抗体１用回路導体、３庸セラミツ
ク等の回路基体である。第３図、第４図において、抵抗
体１は導体２ａ、 ２ｂにより厚膜回路を形成している
。
ク等の回路基体である。第３図、第４図において、抵抗
体１は導体２ａ、 ２ｂにより厚膜回路を形成している
。
上述した従来の抵抗体を含む厚膜回路基板は抵抗体と導
体の接続部の導体が略矩形で膜厚が比較的厚い（８μ〜
１２μ）ため、抵抗体の構成元素であるルテニウム濃度
が高い場合、ルテニウム等が導体（一般的には銀パラジ
ウム合金等よりなる）中に拡散しやすく、従って抵抗体
の導体との接続部の近傍のルテニウム原子濃度がうすく
なり高抵抗になりやすく、サージ電圧等に弱いという欠
点があった。又抵抗体のルテニウム濃度が低い場合は導
体の構成元素である銀等が該抵抗体中に拡散し、該接続
部の近傍の抵抗体が低抵抗になり抵抗値が不安定になり
やすいという欠点があった。
体の接続部の導体が略矩形で膜厚が比較的厚い（８μ〜
１２μ）ため、抵抗体の構成元素であるルテニウム濃度
が高い場合、ルテニウム等が導体（一般的には銀パラジ
ウム合金等よりなる）中に拡散しやすく、従って抵抗体
の導体との接続部の近傍のルテニウム原子濃度がうすく
なり高抵抗になりやすく、サージ電圧等に弱いという欠
点があった。又抵抗体のルテニウム濃度が低い場合は導
体の構成元素である銀等が該抵抗体中に拡散し、該接続
部の近傍の抵抗体が低抵抗になり抵抗値が不安定になり
やすいという欠点があった。
本発明の目的は前記問題点を解消した厚膜回路基板を提
供することにある。
供することにある。
本発明は厚膜抵抗体を含む厚膜回路基板において；厚膜
抵抗体と回路導体との接続部を略階段状導体部にて形成
し、抵抗体接続部側の導体膜厚を薄くしたことを特徴と
する厚膜回路基板である。
抵抗体と回路導体との接続部を略階段状導体部にて形成
し、抵抗体接続部側の導体膜厚を薄くしたことを特徴と
する厚膜回路基板である。
次に、本発明の一実施例について図面を参照して説明す
る。
る。
第１図は本発明の一実施例の平面図である。第２図は第
１図のＡ−Ａ線断面図である。１は抵抗体、２ａ、 ２
ｂは回路導体、３は回路基体である。第１図および第２
図において、導体４ａ、 ４ｂ部は抵抗体１の回路導体
２ａ、２ｂの接続導体部であり、図に示すごとく階段状
導体からなり、抵抗体接続部側の導体膜厚が薄くなって
いる０本構成により抵抗体厚膜ペーストの焼成時、抵抗
体１あるいは導体２ａ。
１図のＡ−Ａ線断面図である。１は抵抗体、２ａ、 ２
ｂは回路導体、３は回路基体である。第１図および第２
図において、導体４ａ、 ４ｂ部は抵抗体１の回路導体
２ａ、２ｂの接続導体部であり、図に示すごとく階段状
導体からなり、抵抗体接続部側の導体膜厚が薄くなって
いる０本構成により抵抗体厚膜ペーストの焼成時、抵抗
体１あるいは導体２ａ。
２ｂの構成元素の拡散は階段状導体４ａ、 ４ｂの導体
膜厚が薄い部分と抵抗体１との間で進行し、拡散量は減
少する。従って、導体−低抗体近傍での抵抗値変化は低
減する。
膜厚が薄い部分と抵抗体１との間で進行し、拡散量は減
少する。従って、導体−低抗体近傍での抵抗値変化は低
減する。
以上説明したように本発明は導体と抵抗体の接続導体部
を階段状に形成し、抵抗体接続部側の導体膜厚を薄くす
ることにより、導体−抵抗体近傍での抵抗値変動を抑制
し、耐サージ電圧の向上。
を階段状に形成し、抵抗体接続部側の導体膜厚を薄くす
ることにより、導体−抵抗体近傍での抵抗値変動を抑制
し、耐サージ電圧の向上。
優れた抵抗値安定性を達成できる効果がある。
第１図は本発明の一実施例の厚膜回路基板の平面図、第
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は従来の厚膜回
路基板の平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線断面図であ
る。 １・・・厚膜抵抗体、２ａ、 ２ｂ・・・回路導体、３
・・・回路基体、４ａ、４ｂ・・・導体２ａ、２ｂと抵
抗体１との接続導体部（階段状導体）
２図は第１図のＡ−Ａ線断面図、第３図は従来の厚膜回
路基板の平面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ線断面図であ
る。 １・・・厚膜抵抗体、２ａ、 ２ｂ・・・回路導体、３
・・・回路基体、４ａ、４ｂ・・・導体２ａ、２ｂと抵
抗体１との接続導体部（階段状導体）
Claims (1)
- （１）厚膜抵抗体を含む厚膜回路基板において、該厚膜
抵抗体と回路導体との接続部を略階段状導体部にて形成
し、抵抗体接続部側の導体膜厚を薄くしたことを特徴と
する厚膜回路基板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284623A JPS63137401A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 厚膜回路基板 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61284623A JPS63137401A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 厚膜回路基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63137401A true JPS63137401A (ja) | 1988-06-09 |
Family
ID=17680857
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61284623A Pending JPS63137401A (ja) | 1986-11-29 | 1986-11-29 | 厚膜回路基板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63137401A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303001A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Toshiba Corp | 厚膜素子 |
-
1986
- 1986-11-29 JP JP61284623A patent/JPS63137401A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02303001A (ja) * | 1989-05-18 | 1990-12-17 | Toshiba Corp | 厚膜素子 |
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